新思科技软件质量与安全部门高级安全架构师杨国梁表示，“安全不应该是在最后被叠加上去的一些辅助性的功能，而应该是整个系统的天然特质。因此要想获得安全的软件，必须与软件开发生命周期进行深度集成。”20世纪90年代末期，软件安全作为独立于计算机和网络安全的新学科开始蓬勃发展。研究人员开始投入更多的精力去研究程序员如何能为计算机系统保驾护航,或在无意间破坏其安全：哪些错误和缺陷引发了安全问题？如何系统地识别问题？ 软件安全问题通常可以分为漏洞与缺陷，漏洞指编码过程中出现的问题，而缺陷指设计过程中出现的问题。据调查，目前漏洞和缺陷占比大约为50/50。此外，Risk Based Security也曾有报告指出，单单2018年上半年，业界就发布了 10,644 个漏洞，超过 2017 年同期的 9,690 个，其中有近 17％属于高危级别的严重漏洞。这些漏洞以及设计缺陷影响着软件的可靠性、可用性，以及软件中信息的保密性和完整性，有可能造成信息泄露等安全问题。 近年来，软件安全行业达成了一个新共识：企业仅凭一己之力是无法创建安全软件的。要想实现软件安全，他们必须参与到软件开发流程之中，即使该流程不断发展演进也不例外。从那时起，软件安全公司便开始了解该流程，明白了仅凭开发者工具并不足以保证软件安全。 软件安全还涉及到业务、社会和组织层面。企业需要建立为构建安全软件而开展的所有活动，即“软件安全计划”(SSI)。 对此，新思科技软件质量与安全部门高级安全架构师杨国梁表示，“安全不应该是在最后被叠加上去的一些辅助性的功能，而应该是整个系统的天然特质。因此要想获得安全的软件，必须与软件开发生命周期进行深度集成。” 目前，针对软件安全性问题的解决方案有很多。大体分为两大类，一种是以微软SDL为代表的“指导性”模型。一种是新思科技BSIMM（软件安全构建成熟度模型）“描述性”模型。所谓指导性模型是指，在软件开发的每一个阶段提出相应的安全活动和规范，即告诉你每一个阶段“应该做什么”，从而提高软件产品的安全性。 SDL每阶段内容 而描述性模型并不是一个指导方案，它只进行事实陈述，告诉你“发生了什么”，即此模型会对你的企业进行评估，描述标记你的企业进行了哪些活动，与同行业相比，你们公司处于怎样的位置，描述性模型不会进行价值判断。杨国梁称其为“一个收集优秀实践、反应市场真实性的模型。”基于这样的特质，描述性模型可以评估各种各样的指导性模型。杨国梁认为，指导性模型是企业必备的，尤其是些中小企业，但是在使用指导性模型之后，还是需要BSIMM这样的描述性模型去评估这些活动到底开展的如何。对于小企业或是初创企业来说，使用描述性模型，可以让一个“学渣”巧妙地了解到“学霸”们都在“偷偷”开展些什么活动，没准稍不留神就获得了很多有启发性的想法，从此成就一番霸业。 BSIMM模型发展至今已经有了10年的历史，10月25日新思科技发布了BSIMM模型第十版，即BSIMM 10。在过去的十年里，新思科技采用BSIMM对185家公司进行了约450次评估，第十个版本反应了观察到的122家公司的软件安全活动，包括的数据是从真正建立SSI的公司收集而来，量化了119项活动来展示各个公司计划的共同以及不同之处。 BSIMM 10相较于之前的版本强调了DevOps对软件安全计划的影响、工程导向的安全工作的新浪潮，以及公司如何在软件安全成熟度的三个阶段前行。BSIMM模型经过10年的发展，其数据池已从最初的9家增加到如今BSIMM 10的122家企业，对于行业情况的反应越来越全面。在保证样本新鲜度方面，新思科技采取不断更新参与企业名单的方式，剔除时间超过36个月的评估结果。对越来越少被观察到的活动，在经过慎重考虑后进行降级处理。同时增加新的频繁被观察到的活动。由此看来，BSIMM模型更像是一个“活”的模型，始终尽可能快地反映着市场的真实情况。资料显示，2018年年初，华为云曾在BSIMM的安全评估中获得了高分。 新思科技首席科学家Sammy Migues曾说过：“领导一个有效的软件安全计划是富有挑战性的，而DevOps和CI/CD带来的巨大技术和组织变革并没有使这项任务变得更加容易。作为不断发展以反映全球数百个软件安全小组的经验的工具，无论你是刚刚开始软件安全旅程，还是寻求优化程序或者应对新的挑战，BSIMM以及社区都是宝贵的资源。” 软件安全对于软件的设计者而言是十分重要的事情，众所周知，如果在软件实际开发出来后发现安全问题，再进行修补甚至推翻重来代价十分高昂，因此将“安全”深度集成到软件开发的生命周期中是必要的。借助于新思科技BSIMM模型，希望我们的软件安全问题能够得到进一步的改善。

你只需要一只手就能数出独自攀登珠穆朗玛峰并活着讲述这个故事的人数。事实上，单打独斗风险太大， 尼泊尔禁止了。 Open RAN 类似。他们的架构从根本上来说是新的和复杂的，只有最鲁莽的运营商或供应商才会试图独自攀登他们陡峭的学习曲线。 传统势在必行 如果这还不够挑战，那么 5G 和 Open RAN 必须与 4G 甚至 3G 一起部署，因为没有运营商能够承担放弃这么多客户的代价。消费市场之外的一个典型例子是物联网：根据 ABI Research的数据，到 2022 年初，市场上超过 60% 的物联网模块是 4G 。不到 5% 是 5G。 “这并不奇怪，因为 5G 不适用于汽车领域以外的许多物联网应用和固定无线终端，因为最初发布的 5G 基带调制解调器是针对消费者移动宽带市场的，” ABI 的 Harriet Sumnall 说研究物联网硬件和设备研究分析师。“4G 是一种全球可用的技术，是当前物联网设备中长期验证的首选技术。” 当物联网客户被告知他们的旧网络将失效时，这会迫使他们评估他们的运营商和技术选择。这是一个公开的流失邀请，特别是如果他们对当前运营商决定取消 4G 感到不安。 互操作性难题 底线：对于移动运营商和供应商等而言，5G Open RAN 迁移策略必须包括带上 4G，在某些情况下甚至是 3G。这些遗留要求增加了复杂性，以及合作伙伴帮助导航选项的需求。 例如，5G Open RAN 迁移策略必须在 4G 的传统基础设施和 5G 的云原生架构之间架起一座桥梁。这具有挑战性，因为 Open RAN 使运营商能够灵活地实施来自多个供应商的硬件和软件，从而避免传统 RAN 架构的供应商锁定。过去，世代迁移是从一个供应商到另一个供应商。借助 5G Open RAN，棕地运营商正在从一个或可能两个供应商发展到三个、四个或更多。 确保所有 5G Open RAN 解决方案相互配合已经足够困难了。添加 4G 甚至 3G 将这一挑战提升到一个新的水平。例如，运营商需要确保他们的新 5G 网络不会破坏 4G 性能和 QoS。 尽早并经常测试 这些要求为愿意并能够配置其解决方案的基础设施供应商创造了巨大的商机： · 支持多代无线电。 · 桥接传统基础架构架构和全新的云原生环境。 · 与运营商现有供应商的解决方案集成。 供应商假设其在 4G 市场的主导地位也确保了 5G 的成功，这是一种狂妄自大的想法。Open RAN 是一个巨大的重置，有效地将现有的大公司和较小的新公司放在一起。因此，每个供应商都必须愿意与生态系统的其他部分合作——不仅仅是在 5G 上，还包括支持 4G 和 3G。这包括测试供应商。 德勤在最近的一份报告中表示：“虽然 Open RAN 提供了更多的供应商选择和实施灵活性，但它也增加了来自多种可能的软件和硬件组合的不兼容配置的机会 。 ” “多供应商端到端解决方案的每种组合都必须在受控环境中进行广泛的测试……” 受控环境建议是可靠的建议，因为实时网络是找出互操作性、性能和其他问题的最后一个地方。至少，在后期进行测试可能会延迟网络的商业启动，使运营商处于主要的竞争劣势。 测试计划的一个关键组成部分是 RAN 智能控制器 (RIC)，它是操作的“大脑”。测试 RIC 有助于确保所有网络元素都正确运行，无论是独立运行还是与其他供应商的平台一起运行。 测试还应包括单独的 O-RAN 无线电单元 (O-RU)、 分布式单元 (O-DU) 和集中式单元 (O-CU)…

ARM 推出了一种新的图像信号处理器，以推进物联网和嵌入式市场的视觉系统，具有 8 个同时输入、HDR 功能和高达 48 兆像素的图像大小。 为迎接嵌入式世界，Arm 正在更新其物联网产品组合，包括图像处理和边缘计算方面的新产品。 新的Mali-C55提供升级的图像质量功能，可在各种照明和天气条件下工作，并在面积和功率受限的应用中实现最高性能和功能，使其成为智能相机和边缘 AI 视觉用例的理想选择。这项先进技术将在多个市场提供改进的功能。 新设计的目标是安全和互联网协议 (IP) 摄像头，这些摄像头对提高图像质量、分辨率、降低成本和计算机视觉的需求不断增长。 监控和安全摄像头将能够检测到更重要的细节。应用程序包括时速高达 75 英里/小时的车辆中的车牌识别、家用摄像头和安全系统捕捉内外高分辨率图像，以及智能家居集线器，包括安全视觉解锁等高级功能。 当在具有挑战性的照明条件下拍摄图像时，Mali-C55 高动态范围 (HDR) 可以补偿高光和阴影以提供清晰的场景图像。 多摄像头功能和 8K 分辨率 Mali-C55 具有最多 8 个独立输入的多摄像头功能，支持高达 8K 的图像分辨率和高达 48 兆像素 (MP) 的最大图像尺寸，可提供图像质量、吞吐量、功耗和硅面积。 它以一流的Mali-C52 ISP为基础，通过改进的色调映射和空间降噪、增强对高动态范围 (HDR) 传感器的支持以及与机器学习加速器的无缝集成来利用神经网络实现无与伦比的图像质量各种去噪技术。 通过组合多个 Mali-C55 ISP，可以为需要超过 48 MP 功能的应用(例如视频会议)处理更大的图像。 物联网和增强机器学习整体解决方案的一部分 新的 Mali-C55 将成为即将推出的视觉整体解决方案的一部分，该解决方案是 Arm 的物联网整体解决方案的一部分。 对于嵌入式和物联网视觉应用，硅片尺寸和成本是重要因素，Mali-C55 提供这些增强功能的硅片面积几乎是前几代产品的一半，显着降低了功耗以延长电池寿命，并且在此过程中还降低最终产品的成本。 视觉系统需要先进的机器学习 随着机器学习越来越接近边缘，可以通过将更多 ISP 集成到 SoC 中来利用先进的图像处理。实现 Mali-C55 和机器学习加速器之间的轻松集成，在需要高质量视觉系统的设备中提供新水平的设备处理，因为来自 ISP 的输出可以直接发送到 ML 加速器。 “图像信号处理器 (ISP) 正迅速成为物联网中最重要的信息生成设备之一，因此我们制造这些 ISP 的能力越强，它们产生的数据就越有价值。” Arm 的物联网和嵌入式副总裁 Mohamed Awad 说。“通过改进色调映射和空间降噪、增强对 HDR 传感器的支持以及与机器学习加速器的无缝集成，Arm Mali-C55 旨在为许多不同的物联网视觉系统应用提供更好的图像质量功能——从交通摄像头到无人机。” 与基于 CORTEX 的 SOC 轻松集成 Mali-C55 还包括行业标准 AXI 和 AHB 接口，可轻松与基于 Cortex-A 或 Cortex-M 的 SoC 集成。Mali-C55 ISP 体现了 Arm 对提供行业领先成像技术的持续追求。这项新技术将使 SoC 架构师、成像专家和嵌入式软件开发人员能够在不断增长的智能相机和边缘 AI 视觉市场中创造市场领先的产品。 “真正让 Mali-C55 与前代产品不同的是它的尺寸;Mali-C55 是 Arm 最小的图像信号处理器 (ISP)，其硅面积仅为前几代产品的一半。对于许多嵌入式和物联网用例，受硅片占用空间的严格限制，这意味着图像分辨率高达 8K，而不会影响电池寿命。这对于降低成本和防止在功率受限的环境(例如安全监控系统)中降低图像质量而言是一项非常重要的发展。” 阿瓦德说。“不仅如此，Mali-C55 还是我们有史以来最可配置的 ISP，这意味着芯片合作伙伴和 OEM 可以添加或删除功能以满足他们的应用需求。”

前些日子爆出华为旗下的哈勃科技公司投资了山东天岳先进材料科技有限公司，持股10%。（注：山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。）小编细细品读着新闻标题“华为投资第三代半导体材料公司，得碳化硅者得天下？”不禁眉头一紧，心生疑惑，碳化硅到底何方“妖魔鬼怪”，能有这样的能耐？随即一拍大腿，本期的“芯词典”主角就是你了——碳化硅。 众所周知，所谓半导体材料是具有半导体性能，能够用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。常见的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体两大类。元素半导体：单一元素组成的半导体。例如第一代半导体材料，锗、硅等；化合物半导体：由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。例如碳化硅，氮化镓（GaN）。 目前半导体材料已经发展到第三代。相比于第一二代，具有高热导率、高击穿场强等优点，应用前景广泛，能够降低50%以上的能量损失，最大可使装备体积缩小75%以上。作为第三代半导体材料中的重要一员，碳化硅有着怎样属于它的故事呢？ 什么是碳化硅？ 碳化硅（SiC）又名金刚砂，乍一听想必它与金刚石有点渊源，事实还真是如此。1891年美国人艾奇逊在进行电熔实验时偶然发现了这种碳化物，误以为是金刚石的混合体，便赐它“金刚砂”一名。 碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物。自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。纯的SiC晶体是无色透明物，工业生产出的碳化硅由于其含有铁等杂质，往往呈现黑色或绿色。 优势 目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料。 来源：中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟 性能特征注解： 禁带宽度：禁带宽度越大，耐高电压和高温性能越好。禁带宽度与发光波长成反比。 电子迁移率：数值越大，电流承载能力以及高频、高速信号处理能力越强。 饱和电子漂移速度：结合相对介电常数，兼具高电子饱和漂移速度与低介电常数的半导体材料具有更高的频率特性。 热导率：数值越大，散热能力越强。 与第一代半导体材料硅等单晶半导体材料相比，碳化硅具有以下优势： （1）临界击穿电场强度是硅材料近10倍； （2）热导率高，超过硅材料的3倍； （3）饱和电子漂移速度高，是硅材料的2倍； （4）抗辐照和化学稳定性好； （5）与硅材料一样，可以直接采用热氧化工艺在表面生长二氧化硅绝缘层。 如何生产？ 碳化硅作为一种半导体材料，对于半导体产业链而言，主要包括衬底——外延片——芯片、器件、模块——应用这几个部分。 衬底（SiC晶片） 目前SiC衬底的制备过程大致分为两步，第一步制作SiC单晶；第二步通过对SiC晶锭进行粗加工、切割、研磨、抛光，得到透明或半透明、无损伤层、低粗糙度的SiC晶片。 现阶段，制备SiC单晶的方法有籽晶升华法、高温化学气相沉积法（HTCVD）和液相法（LPE），不过后两种方法目前还不成熟。籽晶升华法，又称物理气相传输法（PVT)。其原理是在超过2000 ℃高温下将碳粉和硅粉升华分解成为Si原子、Si2C分子和SiC2分子等气相物质，在温度梯度的驱动下，这些气相物质将被输运到温度较低的碳化硅籽晶上形成4H型碳化硅晶体。通过控制PVT的温场、气流等工艺参数可以生长特定的4H-SiC晶型。 (来源：2014·LED配套材料产业发展交流对接会） 外延材料 与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上。必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。目前，主要的外延技术是化学气相沉积（CVD），通过台阶流的生长来实现一定厚度和掺杂的碳化硅外延材料。随着碳化硅功率器件制造要求和耐压等级的不断提高，碳化硅外延材料不断向低缺陷、厚外延方向发展。近年来，薄碳化硅外延材料（20 μm以下）的质量不断提升，外延材料中的微管缺陷已经消除。随着外延生长技术的进步，外延层厚度也从过去的几μm、十几μm发展到目前的几十μm、上百μm。 国际上碳化硅外延材料技术发展迅速，最高外延厚度达到250 μm以上。其中，20 μm及以下的外延技术成熟度较高，表面缺陷密度已经降低到1个/cm2以下，位错密度已从过去的105个/cm2，降低到目前的103个/cm2以下，基平面位错的转化率接近100 %，已经基本达到碳化硅器件规模化生产对外延材料的要求。近年来国际上30 μm~50 μm外延材料技术也迅速成熟起来，但是由于受到市场需求的局限，产业化进度缓慢。目前批量碳化硅外延材料的产业化公司有美国的Cree、Dow Corning，日本昭和电工（Showa Denko）等。 器件 碳化硅半导体功率器件主要包括二极管和晶体管两大类。其中二极管主要有结势垒肖特基功率二极管（JBS）、PiN功率二极管和混合PiN肖特基二极管（MPS）；晶体管主要有金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、双极型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和门极可关断晶闸管（GTO）等。 SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中关注度非常高的器件。碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式，在1700℃温度中进行退火激活。另一个关键的工艺是碳化硅MOS栅氧化物的形成。硅IGBT在一般情况下只能工作在20kHz以下的频率。由于受到材料的限制，高压高频的硅器件无法实现。碳化硅MOSFET不仅适合于从600V到10kV的广泛电压范围，同时具备单极型器件的卓越开关性能。相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在开关电路中不存在电流拖尾的情况，具有更低的开关损耗和更高的工作频率。20kHz的碳化硅MOSFET模块的损耗可以比3kHz的硅IGBT模块低一半， 50A的碳化硅模块就可以替换150A的硅模块。碳化硅MOSFET在工作频率和效率上拥有巨大优势。 另一个高关注度的器件是碳化硅结型场效应晶体管（JFET），JFET有着高输入阻抗、低噪声和线性度好等特点，是目前发展较快的碳化硅器件之一，并且率先实现了商业化。与MOSFET器件相比，JFET器件不存在栅氧层缺陷造成的可靠性问题和载流子迁移率过低的限制，同时单极性工作特性使其保持了良好的高频工作能力。另外，JFET器件具有更佳的高温工作稳定性和可靠性。 总体来看，碳化硅器件优点显著。具有更高的性能和工作电压，更高的工作频率和更高的工作温度，并且更加容易驱动。 来源：根据意法半导体资料整理 功率模块 为了进一步提升碳化硅功率器件的电流容量，通常采用模块封装的方法把多个芯片进行并联集成封装。碳化硅功率模块首先是从由硅IGBT芯片和SiC JBS二极管芯片组成的混合功率模块产品发展起来的。随着SiC MOSFET器件的成熟，Wolfspeed、Infineon、三菱、Rohm等公司开发了由SiC JBS二极管和MOSFET组成的全碳化硅功率模块。目前国际上的碳化硅功率模块产品最高电压等级3300 V，最大电流700 A，最高工作温度175 ℃。在研发领域，全碳化硅功率模块最大电流容量达到1200 A，最高工作温度达到250 ℃，并采用芯片双面焊接、新型互联和紧凑型封装等技术来提高模块性能。 碳化硅器件应用广发，主要涉及智能电网、轨道交通、电动汽车、通讯电源等多个领域。 市场前景 目前，全球碳化硅市场基本被国外企业所垄断，主要公司有美国Wolfspeed、德国Infineon、日本Rohm、欧洲的意法半导体（STMicroelectronics）、日本三菱（Mitsubishi），这几家大公司约占国际市场的90 %。总体来看，美国居于领导地位，占有全球SiC产量的70%-80%；欧洲拥有完整的SiC衬底、外延、器件以及应用产业链；日本则是设备和模块开发方面的绝对领先者。 国内部分相关企业 与此相比，国内还有比较大的差距。单晶衬底方面，国内衬底以4英寸为主，目前，已经开发出了6英寸导电性SiC衬底和高纯半绝缘SiC衬底。据CASA数据，山东天岳、天科合达、河北同光、中科节能均已完成6英寸衬底的研发，中电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。碳化硅功率器件方面，我国以二极管产品为主，也有部分企业具有开发晶体管产品的能力，但是尚未实现产业化。基于我国成熟的硅基功率模块的封装技术和产业，我国碳化硅功率模块的产业化水平紧跟国际先进水平。但是，由于国内SiC MOSFET芯片产品尚未实现产业化，我国开发碳化硅功率模块产品中的MOSFET芯片绝大多数采用进口芯片。 不过，随着国际上碳化硅功率器件技术的进步以及制造工艺从4英寸升级到6英寸，器件产业化水平不断提高，碳化硅功率器件的成本也在慢慢下降。Yole预计，全球SiC功率半导体市场将从2017年的3.02亿美元，快速成长至2023年的13.99亿美元，年复合成长率达29%。到2020年市场规模达到35亿元人民币，并以40 %的复合年均增长率继续快速增长。 来源：Yole DIGITIMES Research副总监黄铭章指出，2019年全球最大的SiC晶圆供应商Cree决定投资10亿美元，大幅扩充包括SiC及氮化镓（GaN）相关产能，预计在2024年将SiC晶圆制造能力提高至30倍，以满足多家厂商对SiC材料的需求，另外，日本厂商也积极投入功率半导体的投资。不过，黄铭章表示，尽管SiC来势汹汹，但由于其成本远高于硅基（Si-based）材料功率半导体，因此未来10年内电动车功率半导体市场主流仍将是传统硅基材料元件。 此外，Yole Développement的分析师Hong Lin表示：“当人们讨论SiC功率器件时，汽车市场无疑是焦点。丰田和特斯拉等先驱企业的SiC活动给市场带来了许多刺激和喧嚣。SiC MOSFET在汽车市场具有潜力。但仍存在一些挑战，比如成本、长期可靠性和模块设计。” 问题与挑战 正如Hong Lin所说，虽然SiC功率器件在汽车市场潜力巨大，但是仍存在挑战一样。SiC功率器件在生产与应用过程中还是有不少的挑战与问题有待我们不断去克服和完善： 1，碳化硅晶片的微管缺陷密度。微管是一种肉眼都可以看得见的宏观缺陷，在碳化硅晶体生长技术发展到能彻底消除微管缺陷之前，大功率电力电子器件就难以用碳化硅来制造。尽管优质晶片的微管密度已达到不超过15cm-2 的水平。但器件制造要求直径超过100mm的碳化硅晶体，微管密度低于0.5cm-2 。 2，外延工艺效率低。碳化硅的气相同质外延一般要在1500℃以上的高温下进行。由于有升华的问题，温度不能太高，一般不能超过1800℃，因而生长速率较低。液相外延温度较低、速率较高，但产量较低。 3，掺杂工艺有特殊要求。如用扩散方法进行惨杂，碳化硅扩散温度远高于硅，此时掩蔽用的SiO2层已失去了掩蔽作用，而且碳化硅本身在这样的高温下也不稳定，因此不宜采用扩散法掺杂，而要用离子注入掺杂。如果p型离子注入的杂质使用铝。由于铝原子比碳原子大得多，注入对晶格的损伤和杂质处于未激活状态的情况都比较严重，往往要在相当高的衬底温度下进行，并在更高的温度下退火。这样就带来了晶片表面碳化硅分解、硅原子升华的问题。目前，p型离子注入的问题还比较多，从杂质选择到退火温度的一系列工艺参数都还需要优化。

全面解读英特尔先进封装技术当我们在网上搜索“摩尔定律已死”短句时，会发现最早的日期至少是4年前，且一直被讨论至今。回顾集成电路发展这几十个年头，断然少不了摩尔定律的作用，不知何时，突然遭遇“赐死”，原因也只不过为了宣扬自家类似先进封装亦或者GPU（此前英伟达CEO黄仁勋称，摩尔定律已不再适用，未来希望能依靠图形处理器在未来数年间继续推动半导体行业发展）。 让笔者觉得，摩尔定律这块金字招牌，得之，可统领武林。显然，和摩尔定律息息相关的英特尔公司是铁定不能让招牌易主，在后摩尔时代，英特尔在技术上更加多元化，甚至可能会加速产业发展。 多元化指英特尔六大技术支柱——制程&封装、架构、内存&存储、互连、软件、安全。背后想法不外乎，那些单一拿“制程微缩”说话的群体，已经很难再玩文字游戏。也让外界重新认识一下英特尔。 在9月4日的“英特尔先进技术封装技术解析会”（下简称“解析会”）上，来自英特尔封装研究事业部、技术部的大咖们分享了英特尔在先进封装技术上的“绝技”，让笔者瞬间忘记“制程微缩”这回事，一心扑在封装技术上。 全局了解英特尔封装技术 AMD创办人Jerry Sanders在晶圆代工产业发展初期有句名言——“拥有晶圆厂才是真男人（Real men）”，如今来看，AMD一定算准了将来的CEO会是一位女人。 在解析会上，英特尔并没有引用这句话，只是说：“英特尔是一家垂直集成的IDM厂商，可以说具备六大技术优势当中的全部领域的专门技术细节。这也给英特尔提供了无与伦比的优势，从晶体管再到整体系统层面的集成，英特尔可以说能够提供全面的解决方案。”此话出自英特尔公司集团副总裁兼封装测试技术开发部门总经理Babak Sabi之口。但凡英特尔高层有一个会造“名言”的，那铁定网红，奈何都沉迷技术，为此研发投入高的惊人，如下图。 本文重点在封装这块，据Babak Sabi介绍，整个过程从拿到硅晶圆开始，包括（1）晶圆级测试，选择哪种芯片更适合这个单独的晶圆；（2）根据硅片处理，将晶圆分割成一些更小的裸片；（3）基于已知合格芯片（KGD）的整个工作流程，确保质量；（4）将裸片结合基板以及其他的封装材料共同封装；（5）对完成封装的芯片以及基板进行统一的测试；（6）在完成阶段，英特尔会确保整个芯片包括封装都会正常运行，然后它交付给客户了。 此外，英特尔拥有完整的表面贴装技术（SMT）开发线，可确保所有封装在交付客户前经过完整组装和测试。 英特尔公司集团副总裁兼封装测试技术开发部门总经理Babak Sabi 以上便是英特尔全部分装技术的简单汇总。Babak Sabi称这是他们团队所负责的部分，并展示了一个非常小的芯片封装，裸片上叠了三层，包括CPU、底层裸片、上层存储器单元。笔者突然有一种将此芯片钻个孔，串上线，戴在脖子上的冲动。直男改变世界。 Babak Sabi总结道：“在异构集成时代的英特尔的IDM拥有无与伦比的优势。其次我们的开发方案关注整体，而且又非常全面。我们希望所有的产品都可以非常轻松地集成在客户的平台上。” 三大核心 在解析会上，英特尔提出三大技术开发目标——低延时、高互连速度、高性能。其中的核心部分就是1，轻薄/小巧的客户端封装；2，高速信号；3，互连微缩——密度和间距。 关于轻薄/小巧，据英特尔院士兼技术开发部联合总监Ravi Mahajan介绍，传统的PCB集成中，有限的互连密度带来有限的带宽，长互连使得功率增大，还有一个大尺寸的外形，而异构封装可以拥有更小的系统面积、更加的电压调节效率/负载线、高速信号、降低数据时延以及多种节点混合集成。 英特尔院士兼技术开发部联合总监Ravi Mahajan Ravi Mahajan举例称，一个包含CPU、GPU、电压调节器等器件的内存子系统一般大小为4000平方毫米，而使用异构封装，则不到700平方毫米。英特尔在2014年基于PCB板的封装厚度为100微米左右，2015年开始实现无核技术，未来英特尔将实行无核、嵌入式桥接技术，可以让系统变得更薄，让芯片尺寸更小。 关于高速信号，信号传输会受到金属表明粗糙度影响，使得信号被损耗。英特尔通过电介质材料发明和金属表面粗糙度降低损耗，使用路由/平面模板和电介质堆栈设计IP技术来实现高速信号。 目前，英特尔通过先进封装技术已经使得带宽达到112Gbps，未来有望突破224Gdps。 关于高密度、高带宽互连方面，英特尔介绍了3D互连概念，即两个裸片堆叠在一起。如今高带宽、低功耗、“宽且慢”的并行链路推动了对高密度裸片间互连的需求。Ravi Mahajan称，通过良好的设计，可以把整个能耗降低10%左右。这背后必须先进封装来配合。 在分析裸片间IO界面相关参数时，Ravi Mahajan拿出了一张与台积电对比的表格。2014年推出了AIB高级互连走线。每平方毫米Shoreline带宽密度可以达到130，Areal带宽密度可以达到150。同时针脚速度会达到2.0Gbps，物理层的能耗效率是0.85。台积电LIPINCON2的针脚速度可以达到8.0，但是它的Shoreline带宽密度和Areal带宽密度分别是67和198。Ravi Mahajan表示：“英特尔可以在同样的带宽密度条件下在功耗上做得更低，这是我们在内部测试所得出的结果，也是英特尔MDIO的第一代产品。” 从2D到3D，英特尔都有技术积累和布局。解析会上英特尔提到了几个技术名词。 1，EMIB （Embedded Multi-Die Interconnect Bridge，嵌入式多核心互联桥接） 封装技术理念跟2.5D封装类似，EMIB 的概念就是允许将不同制程的组件拼凑在一起，来达成更高的性价比的目的。 例如在处理器中，电路部分用不到那么先进制程，那就依旧采用 22 纳米制程生产即可，而承担核心任务的芯片部分，由于需要较高的效能与较低的耗电量，则使用 10 纳米或者 14 纳米制程来制造。 2，Foveros 高密度3D封装，将多芯片封装从单独一个平面，变为立体式组合，从而大大提高集成密度，可以更灵活地组合不同芯片或者功能模块。Ravi Mahajan表示，现在其间距可做到50微米，英特尔已有先进技术可将其做到10微米甚至更小，这取决于系统的设计方法，每平方毫米IO则可以从400到10000来进行选择。 3，Co-EMIB Co-EMIB是结合EMIB与Foveros的新封装技术，同时可以让芯片横向拼接，同时每层横向拼接都还是可以继续叠高楼。据现场介绍，2D的EMIB现在可以做到55微米，英特尔现在可以做到30-45微米。Foveros现在常规做到50微米，但是在有无焊料的情况下，英特尔已经可以做到20-35或者低于20微米。 Ravi Mahajan总结称，EMIB、 Foveros和Co-EMIB是构建高密度MCP的关键基础技术。 为未来储备 英特尔封装研究事业部组件研究部首席工程师Adel Elsherbini详细介绍了英特尔内部为未来封装技术开发所做的准备。 英特尔封装研究事业部组件研究部首席工程师Adel Elsherbini Adel Elsherbini表示，封装互连技术有两种主要的方式，一种是把主要的相关功能在封装上进行集成。其中一个就是把电压的调节单元从母板上移到封装上，通过这种方式实现全面集成的电压调节封装。另外一个是我们称之为SOC片上系统分解的方式，我们会把具备不同功能属性的小芯片来进行连接，并放在同一封装里，通过这种方法我们可以实现接近于单晶片的特点性能和功能。 关于具体的微缩方向，英特尔一共提到三种，1，用于堆叠裸片的高密度垂直互连，它可以大幅度的提高带宽，同时也可以实现高密度的裸片叠加；2，全局的横向互连。在未来随着小芯片使用的会越来越普及，未来在小芯片集成当中保证更高的带宽；3，全方位互连，通过全方位互连可以实现之前所无法达到的3D堆叠带来的性能。 其中提到几个关键技术词汇，分别如下： 1，高密度垂直互连（BUMPS/mm2） 主要是靠每平方毫米有多少个桥凸来进行界定。随着间距越来越小，信号传导距离会越来越短，高密度垂直互连会带来巨大的优势，因为具体的信号传导速度更快，时间更短，中间的串扰会更少。 英特尔的混合键合技术（非焊料的焊接技术），从顶部晶圆抛光，到单切、清洁，再到底部晶圆操作。整套工艺流程帮助英特尔实现并排互连的桥凸。 2，全横向互连（引线/mm） 用每毫米的引线数量来衡量全横向互连。横向互连最需要考虑的就是直线间距，随着直线间距越来越短，我们在同样面积下就可以安装更多硅片，同时信号之间的传导距离也会越来越短。 如今基本上会使用硅后端布线的内容来实现，对此，Adel Elsherbini表示，使用有机中介层会是更好的方案，因为它比硅的成本更低。但是用有机物中介层会有一个巨大的弱势，它必须进行激光钻孔，也就是需要比较大的焊盘。导致密度就会受限，进而影响其性能。 为了解决这一挑战，英特尔开发了基于光刻定义的无未对准通孔（ZMV），可实现导线和通孔宽度的一致，这样就不需要焊盘进行连接，也不会牺牲传导速度。 3，全方位互连（ODI） 常规的叠加方式下，基础裸片要大于上面叠加的所有小芯片的总和，通过ODI技术可以改变这一点，使得两者之间更好的协调，上下做到面积统一。 其中包括三大优势：1，上下的基础裸片之间的带宽速度依然还是非常快；2，上面的小芯片也可以直接获得封装的供电，而并不需要中间的通孔，可以给带来供电的优势；3，全方位互连（ODI）技术中的基础裸片不用比上方搭载小芯片的面积总和更大。 解析会上英特尔全面解读了公司封装技术的过去现在和未来，看完后，也许你和我一样，是不是早就忘掉制程这件事？

2022年9月21日，中国上海讯——国产EDA行业的领军企业芯和半导体近日证实，开发先进封装技术的基板设计初创公司 Chipletz，已采用芯和半导体的Metis电磁场仿真EDA，用于Chipletz 即将发布的 Smart Substrate™ 产品设计，使能异构集成的多芯片封装。 “摩尔定律放缓和对高性能计算的追求正在引领先进封装时代的到来，这必将带来对于像芯和半导体先进封装仿真EDA解决方案的迫切需求，”ChipletzCEO Bryan Black 评论道，“芯和半导体及其 Metis 电磁场仿真工具在仿真效率和内存消耗方面提供了业界前所未有的性能优势，帮助我们顺利应对信号和电源完整性分析方面的独特挑战。” “Chipletz公司的Smart Substrate™ 产品将成为2.5D/3DIC先进封装的开发工程师工具包中的一个强有力补充，”芯和半导体CEO凌峰博士说， “Smart Substrate™ 能在一个封装体内实现来自不同供应商的多个不同芯片的异构集成，这对于 AI 工作负载、沉浸式消费者体验和高性能计算市场尤其重要。芯和半导体很高兴能够在这项先进封装技术的交付中发挥作用。” 芯和半导体Metis 是一款定位于先进封装仿真的快速电磁场仿真工具，它提供了与芯片设计工具和封装设计工具的便捷集成，满足先进封装设计中对于容量、精度和吞吐量方面的严苛要求。Metis内嵌的三维全波高精度电磁仿真引擎MoM Solver可以涵盖DC-THz的仿真频率，在满足异构集成中高速高频等应用精度要求下提供了前所未有的性能表现，并可以完美支持纳米到厘米级别的跨尺度仿真，从而实现对先进封装设计的裸芯片Die、中介层Interposer和封装Package的协同仿真。

总部位于马萨诸塞州的公司 Alsym Energy 旨在通过保持高性能和安全性但低成本的无锂和无钴电池提供可持续性。 Alsym 的科学家团队努力提供和传播能量密集的“绿色”电池，其价格几乎全世界任何人都能负担得起，从而避免了当前电池的其他一些缺点，从采矿对环境的影响到锂离子电池会着火。Alsym 成立于 2015 年，截至目前，Alsym 已从 Helios Climate Ventures 等投资者那里筹集了 3200 万美元。 Alsym 可以依靠已经吸引了投资者和企业的专有技术。但正如该公司总裁兼首席执行官 Mukesh Chatter 向 Power Electronics News 解释的那样，细节仍处于保密状态。Chatter 说，他的妻子和长期商业伙伴 Priti Chatter 是一名化学、生物学和金融专业的毕业生，他提出了公司更广泛的使命。 “这不是十亿美元的问题，而是十亿人的问题：我们利用我们的资源来确定影响十亿人的问题，并找到负担得起的解决方案来改变生活质量，”查特说。“倡议就是这样开始的。我们发现，全球约有 22 亿人没有电或只有一些电。电网成本高昂。所以我们决定做手机用固定电话做的事情，用电网做，这是为了使它作为外部电网而不是内部电网更具成本效益。我们决定开发一种不含有毒材料的低成本、高性能、不易燃的电池。大约八年前，它就是这样诞生的，作为我们脑海中的一个想法。” Alsym的技术 大多数企业将性能置于安全性和可负担性之上，尤其是在消费者更注重成本的发展中国家。对于电池尤其如此。Alsym 的使命是确保电池以更低的成本按预期工作，同时解决与锂基技术相关的大多数供应链问题。 阴极主要是氧化锰，阳极是不同的金属氧化物。此外，电解液是水基的，不含有机溶剂。主要因素是避免使用钴和锂等昂贵的金属。 经过多年的测试，今天的电池具有与磷酸铁锂电池(LFP 电池)相似的性能。由于 Alsym Energy 正在申请专利，因此拒绝公布所有技术信息。 电池制造 Alsym 正在与印度顶级汽车制造商之一合作，以加快其廉价电动汽车产品的开发。如果锂和无钴电池达到所需的性能要求，该汽车集团与该企业签署了一份合同，每年提供特定数量的千兆瓦时。与此同时，它正试图与活跃在航运和电动两轮车行业的公司建立类似的联盟。 公司计划包括在马萨诸塞州建立一个 500 千瓦时的生产设施。该设施已建成，机器已投入使用。 Alsym Energy 团队正在努力确保电池不仅能以更低的成本满足性能预期，还能避免与锂技术相关的大部分供应链挑战。 “ 目前大部分材料来自美国，也有一些来自欧洲和日本。”Chatter 说。“但让我们这样说吧：它们都是现成的，而且没有一个在很大程度上被任何一个国家控制。 “我们的目标是为房屋照明，”他补充道。“目标随着时间的推移而扩大，我很高兴地说，该技术的应用已经很明显：它将应用于电动汽车、固定电网和航运。如您所知，船舶燃烧最脏的燃料，因此适用性是全面的。一大优势是我们可以更紧密地包装我们的模块，因为我们没有易燃性。这也意味着我们不必担心这些 100 兆瓦/小时的固定存储工厂，例如，如果你愿意的话，它会像炸弹一样爆炸，并且在某些情况下已经爆炸。或者在汽车的情况下，当你把很多电池放在一起时，随着温度的升高，问题肯定会变得更糟。易燃性是一个大问题。” 电池测试 查特说，与船舶打交道时情况更糟，因为船舶燃烧最脏的燃料并造成大量污染。“但锂和水不能同时存在;2018 年，欧盟发表报告称，唯一比沉船更危险的是船上锂离子电池起火的船。” 根据 Chatter 的说法，它的电池成本将不到当前锂离子车型的一半，这将使汽车制造商能够以比配备内燃机的同类车型更低的价格提供电动汽车。通过使用不易燃、无毒的材料，可以消除许多电池报废问题。Alsym 的解决方案也更容易回收，从而减轻了废物处理器、绿色平台和其他管理废旧电池的组织的负担。 目前，许多汽车制造商正在以与特斯拉相同的方式制造高端电动汽车。但 Alsym 希望让制造商能够生产负担得起的汽车，包括其第一个合作伙伴，一家印度汽车制造商。每个人都必须为应对气候变化做出贡献。电池的价格也足够便宜，可以在不发达国家使用，为无法获得电力的个人储存离网产生的太阳能。 气候变化使应对火灾风险变得更加困难。根据 Chatter 强调的这个链接，印度最近发生的涉及电动滑板车的火灾和爆炸是由电池故障引起的，而该国的高温可能使情况变得更糟。Chatter 说，这些事件在印度“有可能阻碍电动汽车的扩张”，许多买家声称他们害怕购买电动汽车。

摩尔定律就是规模经济定律。集成度的提高带来单位晶体管成本下降，每一代芯片都期望比前一代性能好、功能多、成本低，从而实现终端产品价格下降、性能上升，而要实现高集成度则需要维持高研发投入，打通高研发投入与低成本产品产出之间障碍的是不断膨胀的半导体规模经济，只有不断成长的出货量才能让半导体厂商有足够的研发投入去开发下一代产品。 摩尔定律诞生五十多年来，无数行业人士在不同时间节点宣判摩尔定律的“死刑”，以期一朝预言成功从而证明自己的“高瞻远瞩”，但这些预言和江湖术士算命差不太多–蒙的次数多了，总有蒙对的时候。至少在可预期的5到10年内，从集成度提升角度来看，虽然速度确有放缓，但尚未看到集成度难以提高，摩尔定律真正终止的迹象。 FinFET（鳍式晶体管）发明者、加州大学伯克利分校胡正明教授更是在多个场合为从业者打气，称“集成电路产业至少还有一百年的发展空间。”在2019新思开发者大会上，胡正明以视频的方式向与会观众表示，半导体行业大约每20年，会经历周期性前瞻危机。在20年前，业内人士一度非常悲观，不知道以后能用什么技术才能延续摩尔定律，即实现更好的性能、更低的功耗，同时还要控制成本。 “但FinFET出现以后，大家好像把这个事情（担忧）忘记了。现在，最尖端的公司也不知道，10年、20年以后，7纳米、5纳米…2纳米都做完了，我们还有哪些事情可以做？”胡正明认为，长期来看，半导体行业“最大的挑战，是如何找到长远之路”。 虽然技术障碍延缓了半导体芯片集成度的提高速度–即摩尔定律（每24个月晶体管集成度翻倍），但摩尔定律的真正终结，却有可能来自于非技术因素。 越多政治因素介入到半导体产业，部分国家以其具备垄断地位的半导体产业链技术作为经济战武器，已经严重影响到全球半导体产业及其应用市场的健康发展。如果孤立主义再度升级，全球性市场形成长期割裂，将会严重影响半导体产业发展模式，并有可能提前终结摩尔定律。 继中美贸易纠纷之后，日韩之间也发生贸易冲突，而半导体产业成为双方发难的首选领域。 日本经济产业省在7月1日宣布，将从7月4日起，限制对韩国出口三种在半导体及OLED面板生产中的关键原料，即氟化聚酰亚胺、光阻剂、高纯度氟化氢。 根据韩国贸易委员会资料，在光阻剂和高纯度氟化氢方面，韩国对日本供应商的依赖都高达90%以上，这样的精准打击让韩国半导体产业极为紧张。 三星电子与SK海力士等大厂都多管齐下，一方面去日本寻求转圜空间，争取不出现骤然断供，部分日本供应商表示可以从非日本生产基地来进行供应；一方面向全球寻求非日系供应商，但由于日系厂商在材料领域垄断程度极高，而且材料切换流程又极其复杂，远水不解近渴；此外，韩国计划投资国内企业来自主开发半导体用材料，这只能是以后应对断供危机的手段，对当前的危机解决没有帮助。 但历经一个月的斡旋，双方政府并未达成和解，日本政府在8月2日召开阁僚会议，通过新版《出口贸易管理令》（以下简称《管理令》）以将韩国移出简化出口手续的白名单。新版《管理令》将由日本经济产业大臣世耕弘成与首相安倍晋三联名签字，预计8月7日颁布，8月28日生效。新《管理令》生效后，日本或将有包括高科技材料、电子零部件、IT设备等1100种商品，只有通过审核以后，才能出口到韩国。 韩国总统府发言人随后表示，对日本政府修改《管理令》将韩国从出口白名单中剔除的做法深表遗憾，韩国政府坚决反对日方此举，并组建应急班和专案组制定和落实对策，“今后韩国政府将以坚决的态度严厉应对日本的不当举措。” 相形之下，特朗普威胁要对来自中国的3000亿美元加税，反而像温柔之举了。 但不管美国，还是日本，以非资源性优势产业作为经济战武器，都是极端不理智的行为。即便短期内中国与韩国相应产业将遭受重创，但是美日供应商也一样会痛苦不堪，如果不能短期内结束极端对峙，很可能动摇其优势产业基础。 尤其是材料或芯片这种实体产品，生产出来就是库存，一些低端产品或许可以找到部分替代客户，但是高端产品没那么容易，虽然高端产品供应商可选不多，但高端芯片或高端材料的可选客户也不多。 以这次韩日纠纷为例，韩国是全球存储器生产基地，三星与海力士加起来市占率约占全球七成，而存储器占全球集成电路市场总规模的38%（2018年数据），日本材料厂商真对三星和海力士实施全面断供，恐怕其自身库存也难以消化。 美日此举，对半导体产业最大的威胁是让全球化产业链上下游之间产生严重的不信任感。针对美日断供威胁，中韩自然生出自建产业链计划，以解决供应安全问题。如果美日不能及时收手，坚持以半导体等非资源性优势产业作为经济战武器，那么可以推演，半导体这个极度全球化的产业或将四分五裂，半导体传统发展模式的基础将被消解，摩尔定律将被提前终止。 摩尔定律就是规模经济定律。集成度的提高带来单位晶体管成本下降，每一代芯片都期望比前一代性能好、功能多、成本低，从而实现终端产品价格下降、性能上升，而要实现高集成度则需要维持高研发投入，打通高研发投入与低成本产品产出之间障碍的是不断膨胀的半导体规模经济，只有不断成长的出货量才能让半导体厂商有足够的研发投入去开发下一代产品。 供应链分工合作互信，是半导体产业的最大财富 全球化与专业化分工，是半导体产业发展到如今规模的必经途径。 在芯片产业早期，由于市场需求不大，因此分工合作现象并不明显，一家半导体厂商往往材料、设备、制造、设计、应用全都做。但伴随产业快速发展，这样一条龙全包的模式弊端非常明显，设备与产线投资大，回收期长，如果只是自用，很难收回投资，如果不跟随技术发展投资，又容易被竞争对手击败。于是，逐渐出现了专业的设备公司、材料公司，一些公司的半导体部门也纷纷独立出来，以供应更多客户。 无晶圆模式的出现，代表半导体产业分工进入更深层次，纯制造代工厂与EDA工具行业成为独立产业，加速了半导体产业规模化发展。 同时，不同区域市场形成了自己的优势环节：日本的材料、美欧的设备、东亚的制造、美国的设计、中国的应用。这些区域市场之间，产业链上下游之间，密切合作，相互信任，才发展到如今4000亿美元规模，并成为全球数万亿美元产业的核心基础。 如果美日一意孤行，执意造成半导体产业长期割裂局面，对全球IT产业，特别是电子半导体产业，都是灾难性后果。中美割裂，将使双方都失去最活跃最有创造力的外部市场，而且半导体经济规模将大幅缩减，领导企业将因为市场规模缩小而难以维持过去高投入高产出的发展模式，技术迭代动力将被严重削弱。 在其论文发表十年后，戈登摩尔将“摩尔定律”的集成度翻倍周期从12个月调整为24个月，因为当时的技术发展速度已经无法支持12个月集成度翻倍。近年来，虽然晶体管集成度提高速度确实放缓，但是通过多种方法，在单颗芯片上提高集成度的游戏依然继续，摩尔定律依然有效，即便集成度翻倍时间有可能变成36个月。 但如果孤立主义获胜，长期割裂局面形成，我担心，芯片三巨头，即英特尔、三星和台积电，也要步格芯与联电后尘，宣布不再先进工艺上进行投入。

“2019全球闪存峰会”期间，杭州华澜微电子股份有限公司（下简称“华澜微”）在接受TechSugar记者采访时，道出了一条关于存储主控芯片的“自主可控”的创新路。“信息产业三大核心技术分别是CPU、操作系统和硬盘，前两者核心技术长期被国外大厂垄断，而硬盘这块会有中国企业的机遇。”这句话出自我国著名半导体专家邓先灿先生在2019全球闪存峰会上的演讲，她参与研制了中国第一只晶体管，也是中国第一台军用晶体管芯片等一些核心技术的开拓者。在她心中，已将“自主研发高端芯片产业”与“保家卫国”画上等号。 芯片领域“自主研发”近期常被提起，尤其是在复杂多变的国际形势下，其好处不必多言。但，哪有那么容易？尤其在邓先灿先生提到的信息产业三大核心技术，难度更甚。 上周在杭州举办的“2019全球闪存峰会”期间，杭州华澜微电子股份有限公司（下简称“华澜微”）在接受TechSugar记者采访时，道出了一条关于存储主控芯片的“自主可控”的创新路。 积累是关键 据现场介绍，华澜微成立于2011年，由一支在美国硅谷经过锤炼的技术团队创建，公司专业从事数据存储和信息安全的核心技术研究，提供数据存储和信息安全领域的集成电路芯片和技术方案。官网资料称，华澜微是拥有系列数码存储控制器芯片的高科技公司。据悉，公司客户包括很多美国、日本的国际大厂，是极少数以中国芯片进入国际市场立足的典范。 华澜微CEO骆建军 在提及华澜微产品系列和特色时，公司CEO骆建军娓娓道来：“我们业务主要有三块：1，计算机接口，不光是存储，也涉及计算机接口总线的芯片；2，闪存控制和管理技术，事实上，接口加上闪存控制器技术就构成了固态硬盘（SSD）；3，信息安全。” 骆建军称华澜微在信息方面极具特色：“我们加密算法是用硬件做加密，全世界也没几家。华澜微的控制器芯片已通过美国认证和中国商密/国密认证。”这双面认证，让华澜微芯片不仅在国内市场商用，还能被国际市场接受。背后的一切成绩被骆建军总结为几个字——“长年积累”。 （左）华澜微COO周斌； （右）华澜微CEO骆建军 “国际上真正的主流半导体公司都是有深厚技术沉淀的，就像做CPU的英特尔，做图形处理的NVIDIA，做信号处理芯片（DSP）的TI，等等。我们华澜微也是从底层积累起来，从曾经的机械盘40根排线的IDE接口，再延伸到串行的SATA接口，从SATA-1SATA-3，更进步到了PCIe第3代甚至第4代，纵观业内历史，有影响力的公司都是从最初的IDE技术一路更新换代、一路沉淀积累的出来的，没有捷径和速成的例子。”探究华澜微发展史，骆建军认为只有从最原始的产品积累开，才能拥有自己的核心实力。 此外，从发展芯片的大局观来看，他还表示：“中国要大力发展芯片，可能需要8年、10年甚至20年的长跑，为什么呢？半导体不是花钱就能砸出来的，需要积累。打个比方，气球可以很快升天招摇，但是不牢靠。目前我们还在不断的积累IP，从地基开始一层层做上去，而不是搞个空中楼阁。未来中国的十年，是实体经济、硬科技大发展的十年。” 从产品和研发层面，华澜微已经积累出了自己的底气。2011年成立，2012年便设计了中国第一颗SATA固态硬盘控制器，2015年，华澜微收购了美国Initio计算机桥芯片全部技术和产品线，并推出当时业界最高密度的SSD（2.5英寸标准尺寸单盘达10TB），如今华澜微已经积累和拥有固态硬盘控制器、计算机接口芯片的全系列IP，包括IDE/USB/SATA/SAS/PCIE总线IP、闪存控制相关的算法，完成了开发更高端控制器芯片的技术储备。 华澜微的十余年横向积累 占据市场需要先人一步 纵观半导体产业发展史，不乏很多有年代的企业最终在风云不可测的市场中“倒下”，“积累”二字是必要条件，但不是致胜的关键。另一个关键词是“先人一步”。 在TechSugar记者有限的采访经历中，可以感受到一些做的不错的企业都有先知先觉的能力，他们会预测技术或者产业的发展的趋势，来防止在创业道路上做无用功。这一点，华澜微有自己的想法。 “涉足存储芯片这件事，从成立之初就想做。在存储卡、U盘的时代，华澜微创业团队就已经开始开发固态硬盘（SSD）的行动，在今天固态硬盘单盘控制器的时代，华澜微已经开始了全固态硬盘阵列控制器的开发。”骆建军认为华澜微的发展永远是向前看，以此抢占市场先机。 关于未来，华澜微目光放在了大数据存储上，骆建军表示：“新的大数据存储阵列控制器上，华澜微提前布局，提前在关键IP、软件以及系统环境方面进行研发工作，为华澜微电子下一次的技术突破做好了关键技术积累，这也是未来华澜微十年企业级存储产品突破之路的重点。”开发大数据存储阵列控制器芯片，据骆建军介绍，华澜微大手笔投入预算达2000万美元，历时三年，公司已经顺利完成了2.4亿元人民币的融资，研发用于大数据/云存储系统的高端控制芯片、硬盘阵列芯片和板卡，以实现进口替代。闪存峰会现场，华澜微和美国IBM公司互动紧密，在全闪存盘阵列控制器芯片方面有紧密合作。 生态建设 当你拥有技术和超前眼光的同时，“生态建设”也是必不可少的一环。正如华澜微COO周斌在采访时所说：“设计芯片是一个非常大的生态，做存储控制器芯片也不例外，我们就要考虑整机、系统以及应用。生态链里，任何一点小环境都会影响整机系统。我们有IP积累和应用基础，更重要的是还有生态的基础。” 据现场介绍，华澜微目前每个月出货高达100多万颗芯片。财报中，华澜微2018年营业总收入为1.68亿元，同比增长14.22%；营业利润为450.04万元，同比增长159.48%。现如今的华澜微已从新三板退市，正在冲击科创板。 高速发展必定会在国际市场中有一场遭遇战。面对复杂的国际形势，周斌认为这背后其实更多的是机遇，是国产替代的机会。“希望我们中国也能够营造一个有序竞争的，又竞争又合作的良好的产业氛围，大家遵守里面的规则来做。”骆建军如此说道。“饼做大了对谁都有好处。”

9月20日，国际独立第三方检测、检验和认证机构德国TÜV莱茵(以下简称“莱茵”)在珠海极海半导体有限公司(以下简称“极海”)横琴总部向极海正式颁发了ISO 26262功能安全管理体系认证证书。横琴粤澳深度合作区执行委员会副主任符永革先生，横琴粤澳深度合作区经济发展局代理副局长张戈先生，德国TÜV莱茵大中华区工业服务与信息安全总经理赵斌先生，德国TÜV 莱茵助理大客户经理詹丽龙女士、珠海上富电技股份有限公司副总经理暴宏志先生、珠海极海半导体有限公司总经理汪栋杰先生、珠海极海半导体有限公司副总经理曾豪先生等出席本次仪式。 ISO 26262是全球公认的汽车功能安全标准，覆盖车规产品的全生命周期，其流程体系认证和产品认证在汽车行业内认可度极高，也被行业普遍认为是芯片可以用于量产车上安全相关零部件的必要条件。据莱茵介绍，极海是大湾区首个获得TÜV莱茵ISO 26262功能安全管理体系认证的集成电路设计企业，这可谓是极海在汽车电子领域继通过AEC-Q100认证后的又一里程碑事件。 从2021年极海在杭州与莱茵举行「车规级MCU芯片功能安全流程及产品认证」项目启动仪式开始，不到一年时间里，极海即顺利通过ISO 26262功能安全管理体系认证，标志着极海已建立起符合汽车功能安全最高等级“ASIL-D”级别完整的产品开发流程体系，具备为国内外客户提供满足功能安全标准车规级MCU的能力。“从项目合作中，我们深切体会到极海始终将产品的安全放在最重要的位置，功能安全管理认证证书的取得证明了极海积极践行国际标准、追求卓越的决心和实力。”TÜV莱茵大中华区工业服务与信息安全总经理赵斌先生表示。 上富电技副总经理暴宏志先生表示：“非常荣幸在这里共同见证极海在汽车电子应用领域发展的又一里程碑。在与极海以往的合作中，极海一直提供性能优异、高可靠性的芯片产品，未来期待与极海在智能驾驶领域开展更深入的合作，推动汽车技术转型升级，为我国迈向汽车强国之路添砖加瓦。” “安全的芯片是汽车的根本”，同时极海也正在研发符合ISO 26262功能安全标准的系列MCU，产品布局将覆盖ASIL-B到ASIL-D安全等级，为客户提供更多具有差异化优势的芯片与方案，积极推动功能安全相关工作的开展和产品的研发，为国产汽车产业高质量发展，贡献自己的一份力量。