– 专注于引入新品的全球电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布其获得知名物联网 (IoT) 链接产品和服务提供商Digi International的2020年度新品引入 (NPI) 合作伙伴奖。这是贸泽继2018年后第二次荣获此项殊荣。 Digi授予这项荣誉，是为了表彰贸泽的NPI工作在Digi新品发布过程中发挥的关键作用，以及贸泽在NPI工作中为帮助推广Digi在设计、原型开发、生产和物流方面的丰富经验所做的不懈努力。 Digi OEM解决方案总经理Steve Ericson表示：“贸泽是我们重要的合作伙伴，我们衷心祝贺贸泽的团队荣获这项当之无愧的荣誉，因为这充分肯定了贸泽在Digi新品的NPI中实现的收入、客户数量双料增长，以及在整体的推广过程中所做的其他各种努力。2020年总体而言是Digi International取得成功的一年，贸泽在其中发挥了关键作用，我们非常期待将这样的势头延续到2021年，乃至更加久远的未来。” 贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平女士表示：“我们由衷感谢Digi授予此项殊荣。贸泽始终致力于从Digi这样具有远见卓识的公司引入新品，目标成为行业NPI领导者。我们与Digi保持着出色的业务关系，未来将继续深化合作，实现合作共赢。”

出品  21ic论坛   jinglixixi 网站：bbs.21ic.com 因机缘得到一块CH32V103开发板，起初因为时间紧就没有对两者进行细致的对比，认为都是沁恒家的产品应该两者的差距不会差别很大。 初略地看了下两者的原理图，也没发现什么太大的差异，总的感觉就是CH32F103的原理图是黑白的，而CH32V103的原理图是彩色的，见图1所示，连引脚的名称都一致是不是。 图1 原理图对比 后来又找到了产品的照片，这次就直观地发现了不同，见图2所示。 啊！原来两者的差异在CAN接口上，CH32V103开发板是不带CAN接口的，而CH32F103有；另外则是在USB接口上，CH32V103和CH32F103开发板都有一个USB主从接口，而CH32F103则有一个USB从机接口。 图2 产品外观对比 两者的的差异就这些吗？ 实时远非如此，尽管两者的MCU都是48PIN，且引脚也基本一致，但两者的内核却是不同的，CH32F103是基于32位ARM Cortex-M3的内核，而CH32V103却是基于RISC-V的内核。此外，在此饶舌一句，就是今年是RISC-V出现的十周年，RISC-V则是基于精简指令系统的开源组织，有些像现在十分出名的LINUX，只是没有它的资格那样老，且两者现在已经建立了联盟的关系。 那我是这样发现这些的呢？ 还不是因为懒呗，有了CH32V103的开发板就下载了相关的例程，准备对其例程做一些验证。仔细一看有些不对劲儿了。因为以往的例程是提供工程文件的，只需对例程进行编译和下载即可，而在CH32V103的例程这却没有提供相应的工程文件。 那咱装上数据包，修改一些芯片名称不就可以吗！ 事情还真没有这么简单，因为CH32F103有数据包可用，而CH32V103根本就没提供。 咋儿办？ 看看评估板的说明书吧，这一看更了不得了！ 妈呀，原来俩人使用的开发工具都不一样呀！ 对于CH32F103，我们使用顺手的MDK就可搞定，对CH32V103它还真不行，官方所指定的开发工具则是MounRiver_Studio。 看来咱家可怜电脑的C盘更加紧张了，一条粗粗的红线已经没有多少白色了。 开发工具都不同，那使用方法你还敢说相同，哼哼。。。 图3 MounRiver_Studio界面 那两者还有啥区别之处呢？ 肯定是资源文档了，见图4和图5所示。 图4 CH32F103文档结构 图5 H32V103文档结构 现在看来真后悔错选了H32V103，哪里这是玩笑话，挑战目前自己有可以有新的长进，在此也再次对沁恒所提供的H32V103开发板表示感谢！ 后面急切的任务就是掌握新开发工具的使用了，没了它面对H32V103可咋整呀！ 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

新年第一波寒潮 让全国人民在寒风中瑟瑟发抖 北方体感温度力压北极 近期最低温度对比 小伙伴们纷纷加码采购御寒物资 然而，快递柜….. 已广泛应用于智能快递柜各核心组件中 APM32智能快递柜应用方案 极海APM32全系列MCU，工作温度覆盖-40℃~+105℃，ESD等级高达8KV，具有低功耗、高性能、安全可靠、可移植性好、客户接受程度高等特点，可保障智能快递柜在各种严苛高低温工作环境中稳定运行。并已通过IEC61508 SIL3认证(APM32F103VB，国产同类芯片中首家获得该认证)和USB-IF测试，支持工业级MCU+安全芯片产品组合，符合工业级和车用高可靠性标准，可有效降低智能快递柜的能耗成本和管理成本。 极海MCU产品，目前已成功应用于智能家电、工控应用、用户界面、手持设备、安防设备以及汽车电子等领域。

什么是负电压?说到电压，一切都是相对的。不同的电导体之间有不同的电位。这意味着一个电压可以高于另一个电压。这种情况下一般不会使用“负电压”的描述。我们所说的负电压是指一个电压低于系统的地电位。图1是一个3.3V电源电压和0V系统地电位的示例。在这个系统中，需要测量和记录传感器的信号。这些信号可能在+2.5V和–2.5V之间。 为了检测这些信号，我们采用+3.3V的正电源电压和–3.3V的负电源电压的运算放大器。且系统中已经提供+3.3V正电压。对于所需的–3.3V负电压，可以利用系统的–5V来产生。该电压轨可能来自基于变压器的电源，通常该电压是没有经过精确调节的。为了精准生成–3.3V，我们需要使用线性稳压器。 市场上有众多适用于正电压的线性稳压器可供选择。在需要转换负电压的应用中，是否可以使用这种正线性稳压器? 图1显示了用于这种应用中的正线性稳压器。图中的可调电阻代表线性稳压器的调整元件。对于这种线性稳压器IC来说，VIN、VOUT和GND连接器之间的电压关系是完全相同的，就像在正电压应用中一样。然而，在这种环境中使用正线性稳压器有几个缺点。该电路将使用电阻分压器来调节基于–5V电压轨的输出电压，而不是基于0V电压轨、系统地。这会导致–5V电压轨上的干扰和噪声直接耦合到产生的–3.3V轨上。此外，稳压精度也相当差。当–5V电源电压精度只有±10%时，这个不精确度也会耦合到–3.3V产生的输出电压上。 在这种情况下使用正线性稳压器的第二个缺点是线性稳压器设备的I/O引脚(例如使能引脚)将以–5V为参考。如果需要监控不同电压的上电序列，则可能需要电平转换。 图1.产生负电压的正线性稳压器。 图2所示的是相同系统，但是使用了专为降压负电压设计的线性稳压器。 这些IC被称为负线性稳压器。ADI公司的新型ADP7183负线性稳压器专为最低噪声、最高电源抑制比(PSRR)而设计。这使得该器件非常适合对电源噪声敏感节点的滤波应用。 图2.产生负电压的负线性稳压器。 如果使用如图2所示的负线性稳压器，则产生的–3.3V是相对于0V地电压进行稳压。这将产生非常低的噪声和精确的输出电压。此外，I/O引脚以0V的系统地为参考，可以省去电平转换。 这样一来，特殊的负线性稳压器在转换负电压或滤波负电压时就显得尤为重要。市场上的负线性稳压器通常供应有限。ADP7183(300 mA)和ADP7185(500 mA)等新产品为设计人员提供了更多可用的产品系列。 对了—为什么使用LDO?您仍在使用7805标准件以获得稳定的5V输出吗?但是7805需要7V(最小)输入电压。假定我们需要100毫安的输出电流。 7805与ADP150这种LDO相比，哪种效率更高? 提示：查看ADP150数据手册。

特朗普经历“勤王进京”事件后，美国国内开始出现两股不同的声音，然而特朗普在任期结束前，再次进发了一次最后的疯狂。 日前，路透社消息显示，特朗普政府正在将9家公司加入与中国军方有关的黑名单，本次新增的9家公司包括了刚刚发布新品的小米公司、半导体设备厂商中微半导体、北京中关村发展投资中心和国产FPGA厂商高云半导体。 受特朗普1月13日的最新行政令影响，美国投资者必须在2021年11月11日之前完全撤出这些被列入军方背景实体的股份。 具体名单为： 中国商用飞机有限责任公司 中国航空集团有限公司 中微半导体设备（上海）有限公司 箩筐技术公司 小米公司 随后，中微半导体和小米公司发布公告回应。 中微半导体表示，已关注到此消息，该情况对本公司无实质影响，目前公司进出口业务一切正常，并强调公司一直坚持合法合规经营，并不涉及军事用途。 小米同样表示公司坚持合法合规经营，其服务和产品皆用于民用或商用，确认并非中国军方拥有、控制或关联方 对此，发言人赵立坚回应称，特朗普政府泛化国家安全概念，滥用国家力量，一再无端打压中国企业，中方对此坚决反对。 “美方有关行径逆历史潮流而动，违背其一贯标榜的市场竞争原则和国际经贸规则，干扰中美之间正常经贸和投资合作，打击外国企业在美投资的信心，也终将损害美国企业和投资者的利益，这是美国一些人损人不利己的又一例证。”赵立坚说。 赵立坚指出，美国军民融合政策，其历史可以追溯到第一次世界大战之前，美国政府一直是军民融合政策的主推手，正在全方位多领域的加快实施军民融合。美国很多大型跨国公司本身就是军民融合体，其经营范围，产品类型跨越军民领域。特朗普政府出台上述措施，再次向世人展示了什么是单边主义，什么是双重标准，什么是霸凌行径。中方将采取必要措施，坚决维护中国企业的正当合法权益，坚决支持中国企业依法维护自身权益。 中微半导体设备有限公司 中微半导体设备（上海）股份有限公司（证券简称“中微公司”，证券代码“688012”）是一家以中国为基地、面向全球的微观加工高端设备公司，为集成电路和泛半导体行业提供极具竞争力的高端设备和高质量的服务。 中微开发的等离子体刻蚀设备和化学薄膜设备是制造各种微观器件的关键设备，可加工微米级和纳米级的各种器件。这些微观器件是现代数码产业的基础，它们正在彻底改变人类的生产方式和生活方式。 中微总部位于上海，聚焦亚洲，并为全球的客户提供技术和设备的解决方案。作为制造和创新的中心，中国和亚洲具有得天独厚的优势和高速成长的市场，而这使中微有无限广阔的发展前景。 在中微员工的创新激情、多年的齐心奋斗和合作共赢的精神指引下，中微已经成为一家快速成长的微观加工设备公司，在技术创新、产品优化和市场准入方面取得了重大突破，赢得了众多客户和供应厂商的信任和支持，成为国际半导体微观加工设备产业极具竞争力的一颗新星。 广东高云半导体科技股份有限公司是一家专业从事国产现场可编程逻辑器件（FPGA）研发与产业化为核心，旨在推出具有核心自主知识产权的民族品牌FPGA芯片，提供集设计软件、IP核、参照设计、开发板、定制服务等一体化完整解决方案的高科技企业。通过最新工艺的选择和设计优化，可以取得比现有市场国际巨头同类产品速度相当或更快，但功耗却大大降低的优越产品，大批量替换国际FPGA主流芯片，将真正使我国在中高密度FPGA应用中摆脱国际高端芯片进口限制，在部分4G/5G通信网络建设、数据中心安全、工业控制等应用中有自己的中国芯。 目前研发团队有100余人，在硅谷、上海、济南建立了研发中心。公司的技术骨干均有国际著名FPGA公司15年以上的工作经验，参与了数代FPGA芯片的硬件开发、相关EDA软件开发、软硬件的测试流程，积累了丰富的技术和管理经验。团队磨合迅速，于2015年一季度量产出国内第一块产业化的55nm工艺400万门的中密度FPGA芯片，并开放开发软件下载。2016年第一季度又顺利推出国内首颗55nm嵌入式Flash SRAM的非易失性FPGA芯片。 北京中关村发展投资中心 中关村发展集团成立于2010年。自成立以来，集团始终以服务创新发展为使命，汇聚创新资源、构筑创新生态，逐步形成了集空间运营、产业投资、科技金融、科技服务于一体的业务体系，并通过国内协同、国际合作在全球范围内配置创新资源，已成为中关村创新创业生态中不可或缺的重要一环。 经过多年发展，集团不断发展壮大，注册资本从100亿元发展到230.2亿元，总资产达到1417亿元，净资产达到411亿元，提供投融资总额4000多亿元，累计服务科技企业5万多家次，获得了AAA长期主体资信评级，竞争力和影响力不断增强，实现了从无到有、从小到大的跨越，正在朝着打造国际一流的创新生态集成服务商，助推北京建设国际科技创新中心的目标迈进。 延伸阅读： 《小米11：免费送GaN充电器，霸气性能背后技术揭秘》 《突发！支付宝、QQ、WPS等8款软件被禁！》

出品  21ic论坛  kk的回忆 网站：bbs.21ic.com 在BUCK降压电路中，效率这个问题是不可避免要谈到的。效率的降低主要是由于损耗的存在，效率＝输出功率÷输入功率 [%]，一般芯片效率都在90%以上。在产品应用中用到一块TI的DC-DC降压芯片，其中测试到的效率如下： 这其中由于负载电流的不同，尤其是轻载和重载情况下，会产生效率的变化。 从ROMA的官网上，知道同步降压电路的损耗是由六部分组成的，分别是：Pmos是场效应管导通损耗，Psw是场效应管开关损耗，Pdead_time是死区时间损耗，PGATE是MOSFET的栅极电荷损耗，PCOIL是输出电感的DCR、直流电阻带来的传导损耗，PIC是开关电源芯片自身消化的功率。 根据ROMA对其电源芯片的实测可知，场效应管开关损耗在整个损耗中占比是最大的，这个是由于在场效应开启过程存在电压和电流的重叠区，产生较大的功耗。 场效应管如果在米勒平台停留的实际越长，产生的开关损耗也越大。下图的MOS管开关过程通过仿真很容易出现: 从仿真可以看出，MOS管的Vds和电流Id在 mile平台处重叠，会产生功率的消耗。 开关频率越高，这个损耗就会越大的。 对于MOSFET的开关过程，首先考虑器件孤立地，不受任何外部影响。在这些条件下，MOSFET的等效电路可以用下图所示，该MOS管的栅极是由栅极电阻(Rg)和两个输入电容(Cgs和Cgd)组成。利用这个简单的等效电路，可以得到对阶跃电压信号的输出电压响应。电压VGS是栅极的实际电压装置。 利用Matcad写出Igs和Igd的电流，在上图的t1阶段，没有达到Vgs(th)电压的时候，由于Vgs一直增加，所以Vgs/dt增加，Igs电流一直增加。当达到米勒平台电压的时候，Vgs保持不变，Vgs/dt=0，所以Igs=0。此时VDS在降低，VDS/dt增加，Igd电流开始增加。因此通过数学表达式的简要分析，是符合仿真过程的。 在知道了MOS管的开关过程，开关过程的损耗表达式如下。降低开关频率可以有效降低损耗。但是这样就制约了开关电路小型化的目标。提高开关的上升时间也可以降低损耗，但是这样会造成开关过程的谐波过多，对EMC不利，因此需要综合考虑。因此，要想降低开关损耗，必须考虑到开关的过渡时间和开关频率这两种因素。 现在很多电源芯片，使用软开关技术，该电路是在全桥逆变电路中加入电容和二极管。二极管在开关管导通时起钳位作用, 并构成泻放回路, 泻放电流。电容在反激电压作用下, 电容被充电, 电压不能突然增加, 当电压比较大的时侯, 电流已经为0。 由于MOS管开关损耗受到的制约比较多，所以单独拿出来讨论。场效应管导通损耗比较小，对于同步整流电源芯片，是上下桥的MOS管损耗。是受到MOS管的导通内阻内阻Rdc决定，现在的MOSFET的内阻可以做到几个毫欧，所以产生损耗很小。计算公式如下： Pmos=I*I*Rdc*D+ I*I*Rdc*(1-D) 电感线圈的损耗分为直流损耗和交流损耗，直流损耗受电感线圈的直流DCR决定，交流损耗是由电感的磁损和铜损决定，一般交流损耗相对直流损耗比较小，可以忽略。（开关频率和输入电压过高的时候，交流损耗也较大，不能忽略） Pcoil=I*I*DCR 电源芯片的消耗的电流基本就是损耗，这个参数可以在datasheet中查询到： PIC=Vin*I_IC 死区时间损耗Pdead_tine这个主要有开关电源芯片内部控制器决定，一般datasheet是不提供这个参数，可以参考ROMA的公式： PGATE是MOSFET的栅极电荷损耗，如果是外置MOSFET这个参数会提供。会提供输入电容，输出电容，栅源级电荷，栅漏级电荷等等参数。 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

配图来自Canva可画 作为新式茶饮品类之一，奶茶在受到年轻人欢迎的同时，也催生了巨大的潜力市场。随着新茶饮市场的不断扩大，包括茶颜悦色、coco都可、一点点等一批新茶饮品牌，也如雨后春笋般纷纷涌现，迅速占据了茶饮消费市场。 赛道的持续火热自然也引来了资本的青睐，随着资本的不断加码，新茶饮赛道的竞争也愈发激烈，哪家茶饮品牌能率先上市更成为了资本市场关注的焦点。而在众多茶饮品牌中，以喜茶、奈雪的茶和蜜雪冰城的呼声为最高，实力更是不分伯仲。不过，随着近日奈雪的茶正式通过上市聆讯，外界争议已久的“新式茶饮第一股”的问题似乎已经有了答案。 上市时机已至 早在2月11日，奈雪的茶就向港交所正式提交了上市申请，摩根大通、招银国际、华泰国际为其保荐人。而奈雪的茶选择在此时上市，也自有其考量。 一方面，茶饮消费者于高端现制茶饮店的消费意愿在逐渐提升，新茶饮的市场潜力正在得到挖掘。我国茶文化源远流长，随着具有社交和休闲属性的新式茶饮出现，茶饮市场实现了快速增长。据《2020新式茶饮白皮书》显示，到2020年底新式茶饮市场规模将超过1000亿元，到2021年新式茶饮市场规模将达到1100亿元。 随着顾客消费能力的提升，越来越多的顾客愿意在高端现制茶饮店中消费了。据灼识咨询调查显示，有95.9%的受访者表示，其在高端现制茶饮店的消费金额在现制茶饮店消费总额中所占百分比维持不变或有所提高，还有52.8%的受访者表示该百分比有所提高。在新茶饮蓬勃发展之际，储备“粮草”就显得尤为重要了。 另一方面，奈雪自身的成本压力也在不断攀升。由于奈雪的茶坚持选用优质茶叶、新鲜牛奶以及新鲜水果制茶，其原材料成本较对手要高。据招股书显示，奈雪的茶近三年的材料成本分别为3.8亿元、9.2亿元以及11.6亿元，占据总营收的35.3%、36.6%和37.9%；除此之外，人工成本也在不断攀升。奈雪主要提供茶和欧包两种品类产品，两条生产线员工各司其职，这使得奈雪单店员工数和人工成本均远超同行业茶饮店。 另外，奈雪门店扩张的压力也是重要考虑。为了打响品牌知名度扩大营收，奈雪进行了疯狂的门店扩张，截至2021年5月，奈雪的门店数量已经达到了556家。但伴随奈雪门店扩张而来的却是单店销售额的下滑，从2018年到2020年，奈雪门店的平均单店日销售额分别为3.07万元、2.77万元和2.01万元。在门店销售额一路走低的情况下，想要继续扩张只能通过上市来达成了。 率先上市有何凭仗 事实上，新茶饮品牌中寻求上市的企业不在少数，奈雪的茶、喜茶、蜜雪冰城三家头部企业都为外界所看好，其他两家也都有过上市的“传闻”，甚至它们在某些方面相较奈雪的茶还略胜一筹。比如，论门店数量，蜜雪冰城的门店数量远远超过奈雪的茶；从估值来看，奈雪的茶也不及其他两家。那么，奈雪的茶到底为何能够率先上市，成为新式茶饮第一股呢？ 首先，高端的产品定位。不同于其他茶饮店单纯提供饮品，奈雪的茶从一开始就实行了“茶+软欧包”的双产品线模式，双产品线并行的模式不仅带动了营收的增长，还成为了奈雪的茶区别于其他茶饮店的独特标志，使得奈雪的茶成功从众多新式茶饮品牌中脱颖而出，占领了消费者心智。 其次，关注社交刚需，打造“第三空间”。社交是现代人生活的一部分，无论是同商业伙伴谈合作，还是和老朋友聊聊天都需要社交空间，而奈雪的茶就为顾客提供了这样的空间。奈雪的茶茶饮店规模多在180至350平方米之间，每间茶饮店都经过了精心的设计，且每家茶饮店的设计都不相同，力求做到每家店都带给顾客不一样的体验，以此赢得消费者对其“第三空间”的认可。 最后，出色的供应链也是奈雪的一大倚仗。为了保证原材料的质量，奈雪的茶同一批经过筛选的知名供应商进行密切合作，由他们为其提供专门的供应链资源。除了和供应商合作之外，奈雪还建立起了专属的有机茶园和水果园，从源头上对原材料质量进行把控。有了供应链的加持，奈雪的茶的产品质量和上新速度都得到了保证。 虽然奈雪的茶上市在即，但这并不意味着它就可以高枕无忧了。正相反，为了维持头部地位，实现企业的可持续发展，奈雪的茶还有许多问题需要克服。 其一，激烈的市场竞争挑战。除了要与喜茶和蜜雪冰城这两家头部企业进行竞争之外，奈雪的茶还要面对古茗、沪上阿姨等众多茶饮品牌的冲击，且各家茶饮品牌都有其独到之处，拥有不少的拥趸。另外，不少新茶饮品牌也获得了资本的青睐，有了资本加持，其实力也会得到进一步提升，而奈雪的茶要面对的市场竞争也就更加激烈了。 其二，产品质量及食品安全问题。食品安全问题作为新茶饮行业的通病，奈雪的茶也不例外。虽然即将上市，但奈雪的食品安全问题仍旧频发不止。例如，软欧包存在发霉变质现象；网红产品霸气玉油柑瓶盖析出黑色不明物质等等，频发的产品质量和食品安全问题降低了顾客对奈雪的茶的信任感，也为奈雪的茶的未来发展蒙上了一层阴影。 其三，产品同质化现象严重。当前的新茶饮行业多以奶茶和水果茶为主，茶饮配方及原材料相似，产品也大同小异。当口味口感相差不大时，消费者多半会放弃定价较高的奈雪的茶，转而选择性价比更高的茶饮店。长此以往奈雪的茶的顾客将会被分走，很不利于其今后发展。 如何持续领跑 随着新茶饮赛道的持续火热，行业竞争也越发激烈，众多新茶饮品牌的出现，自然会对奈雪的茶产生不小的冲击。面对激烈的行业竞争，奈雪的茶也需要找到相应的应对策略来巩固其领先地位实现持续增长。 首先，不断创新扩展供应产品品类。由于产品同质化严重是新茶饮行业无法避免的问题，推陈出新就成了保持领先地位的最佳方法。除了推出新产品和优化现有产品之外，奈雪的茶还计划通过扩大茶礼盒、即食茶饮、茶袋、预包装甜点及休闲零食的产品类别，与更多顾客建立联系释放品牌潜力。 其次，继续加强供应链能力。随着茶饮店的不断扩张及业务覆盖地区的不断扩大，奈雪的茶计划在不同城市建立中央厨房，为附近茶饮店储存原材料和制作食品。另外，还将加深与主要供应商合作伙伴的关系，以保证优质稳定的原料供应。 最后，进一步提高整体运营效率。奈雪的茶将通过打造智能店员调度系统、优化店内库存管理系统等方式，全方面优化店内运营。另外，奈雪还将继续投资全公司的IT基础设施，应用及升级定制的ERP及其他运营系统，以达到集中、标准化及简化总部关键运营功能的目标。 无论是新品研发，还是加强供应链能力，这一系列措施都需要大量的资金投入。而目前奈雪的大店策略及居高不下的成本，都极大地压缩了奈雪的利润空间，自身的盈利情况无法满足其下一步的战略投入，因此上市融资也就不难理解了。 对整个行业来讲，奈雪倘若成功上市，必然会进一步加剧新茶饮赛道的行业竞争。而对于奈雪的茶来说，上市不是终点而是起点，唯有不断创新探索更多的变现渠道，才能保持其行业领先优势。因此从长远来看，奈雪的茶上市之后的路并不好走。

泛林集团计算产品部副总裁David Fried接受了行业媒体Semiconductor Engineering（SE）的采访，探讨并分享他对于芯片缩放、晶体管、新型架构和封装等话题的看法。以下内容节选自采访原文。 Q1：数十年来，集成电路微缩一直是芯片制造行业推进设计进步的手段。但是，与之相关的成本一直在攀升，而且就每个节点而言，缩小尺寸能体现的优势也在减少。请问您怎么看待摩尔定律？我们是否需要2nm甚至更先进的制程？是否需要更多的算力？ Dr. Fried：算力全面提升10倍也不嫌多。因为所有的一切都需要算力，包括每个用户交互点、存储点和每一次计算的节点，更高的算力总是有用的，在算力这个方面的需求没有止境。目前的远程办公和长时间居家更是进一步推动了算力需求。 Q2：另外，综合功率、性能、面积、成本和时间等来看，目前整个行业似乎在晶体管缩放方面遇到了一些挑战，具体问题包括功耗墙、RC延迟和面积缩放等。您在这个方面遇到了哪些挑战？ Dr. Fried：PPAY（即功率、性能、面积和良率）或PPAC（即功率、性能、面积和成本，如果我们想特指成本）一直是所有产品开发避不开的要素。我们始终在努力跨越与之相关的障碍，也一直被PPAC或PPAY制约。我们的目标是推动涵盖所有要素的整体发展，但有时在某个方面的突破可能更明显一些。但是我们的挑战来自于不同的组合，因为整个系统性能得到提升才是最重要的。回顾发展的历史，有时候只需调整芯片时钟频率就能实现系统级性能的巨大进步，但也有时是需要通过电源管理技术来做到这一点。无论如何，我们所面对的最关键要素还是功率、性能、面积以及良率或成本，也就是说必须至少在其中一个领域取得进步才能推动整体系统性能的提升，而这句话里的“领域”是在不断变化的。 在我看来，基线晶体管缩放一直是系统整体性能发展的一大重要推动力，这里的升级可以是任何形式的，包括逐步提升性能、功率表现或晶体管均匀缩放与增强的一致性等。现在来看，晶体管缩放显然还是非常必要的，这体现在很多方面。举例来说，即使不是性能本身的提升，只要缩放能提升密度就值得去努力，因为这样我们能增加同等面积的核心性能。有些人可能并不在乎晶体管本身的性能提升。但是，如果能通过晶体管缩放比如将GPU的核心性能增加10%，仅这一点就能让系统性能向前跨一大步，因为很多原先需要转到外部处理的数据交互如今在核心内部就可以完成了，这样处理速度会有大幅提升。也就是说，仅仅通过缩放提升单片集成，也可以实现巨大的系统级提升。但我们依然要面对此前的制约因素，也一直在各个方面做出努力。无论如何，最终的目标始终没有变，那就是实现系统级的性能提升。因此，我们基于PPAC或PPAY采取的一些办法整体上没有太大变化，不存在变革的“拐点”。现在，我们依然试图在某些方面取得突破并由此提升系统级的性能。只要市场需求依然存在，我们就能提供更高的算力和存储。 为更好地控制器件的静电，整个行业都转向了双栅极架构，这就涉及到几纳米的栅极缩放，并进一步创造了新的晶体管缩放维度。我们可以提升高度，让同等封装面积有更大的有效宽度，这样可以让整个过渡更平稳。如果将来我们可以实现互补式FET——例如彼此堆叠的nFET和pFET——这将给我们额外的逻辑缩放优势。 我们从获得静电控制优势开始，以实现栅极长度缩放，并由此创造了全新的缩放维度。尽管如此，在FinFET时代，我们需要在侧壁上更好地执行半导体工艺，但我们仍然可以看到整个过程。在全包围栅极纳米片/纳米线结构中，处理过程中所涉及的架构将是看不到的，这样进行测定的难度就会大幅提升。因此，向全包围栅极过渡更具有挑战性。 现在的市场对系统的需求非常多样化。曾经的市场没有这么分化，当时一切都是以CPU为重。回看过去，我们曾经的系统级性能改进方案很像是瑞士军刀，也就是说所有的方法，无论对应的是晶体管、互连、封装还是集成，都是为一个更大的整体方案服务。 如今，市场需求已经出现多样化，例如，由于不同系统有不同的要求和需求，一个3D集成方案的内存、I/O和计算单元配置可能完全不同于另一个方案的配置。这里面要抉择的东西非常多，一旦芯片架构发生变化，相关的技术、封装和互连方法也要随之改变。我很期待能看到这样多样化的系统性能要求究竟能给这个行业带来怎样的变化。

近日，英飞凌科技股份公司进一步壮大了其易于设计使用的EiceDRIVER™ X3 Compact(1ED31xx)、高灵活性的EiceDRIVER X3 Enhanced模拟(1ED34xx)和数字(1ED38xx)栅极驱动器系列，分别推出了增强型隔离产品，旨在提升应用安全性和延长使用寿命。新产品通过了VDE 0884-11认证，这两个采用8 mm宽体封装的系列，都适用于有严格隔离要求的应用，如工业驱动器、太阳能系统、不间断电源、电动汽车充电等工业应用。 应用广泛的EiceDRIVER X3 Compact系列拥有5.5、10和14 A的驱动电流等规格，及90 ns的优化传输时延。该系列产品还包含了强烈推荐用于SiC MOSFET 0 V关断的米勒钳位。这些特性使得1ED31xx适合用于高频率开关应用、IGBT7和额定电压高达2300 V的功率开关。 EiceDRIVER X3 Enhanced模拟和数字系列具有精确且可调的DESAT，以及基于I2C的附加可配置参数，有助于提高设计时的灵活性，并降低硬件复杂度和缩短评估时间。同时，内置的监测功能可支持进行预测性保护。