为什么要等长，等长的重要性 在 PCB 设计中，等长走线主要是针对一些高速的并行总线来讲的。由于这类并行总线往往有多根数据信号基于同一个时钟采样，每个时钟周期可能要采样两次（DDR SDRAM）甚至 4 次，而随着芯片运行频率的提高，信号传输延迟对时序的影响的比重越来越大，为了保证在数据采样点（时钟的上升沿或者下降沿）能正确采集所有信号的值，就必须对信号传输的延迟进行控制。等长走线的目的就是为了尽可能的减少所有相关信号在 PCB 上的传输延迟的差异。 至于 USB/SATA/PCIE 等串行信号，并没有上述并行总线的时钟概念，其时钟是隐含在串行数据中的。数据发送方将时钟包含在数据中发出，数据接收方通过接收到的数据恢复出时钟信号。这类串行总线没有上述并行总线等长布线的概念。但因为这些串行信号都采用差分信号，为了保证差分信号的信号质量，对差分信号对的布线一般会要求等长且按总线规范的要求进行阻抗匹配的控制。 绕等长的命令和技巧 方法一： 第一步：连接好需要绕等长的线。 第二步：T+R 开始绕等长，TAB 键调出等长属性设置框，如下图： 第三步：滑动走蛇形线即可； 其中“<”和“ >”可以分别调整蛇形线的上下幅度，数字键 1 减小拐角幅度，数字键 2 增大拐角幅度、数字键 3 减小 Gap 间距、数字键 4 增大 Gap 间距： 方法二： Shift+A 可以直接在走线模式下饶点对点等长。设置属性和方法一相同。 差分对等长 快捷键 T+I ，属性设置可参考单根等长属性设置。 常用模块的饶等长技巧 1）、远端分支型 走线等长要求是 L1+L2=L3+L1 一般操作的方法是先设置好 T 点，尽量让 L1 和 L2 等长，若 T 点设置在中间的，一般就是差不多了，若 T 点设置不在中间可适当对某一分支进行绕线。 方法一：删掉一边分支，（如：L2），之后对 L1 进行绕线。 方法二：不删分支，列等长表格，计算 L1+(L2+L3)/2 对 L1 进行绕线。 2）、包含端接或串阻型 比如 CPU——串阻——DDR 等长要求是需要 L1（CPU 到串阻）+L2（串阻到 DDR）= L3（CPU 到串阻）+L4（串阻到 DDR） 方法一：在原理图上短接串阻，更新 PCB，使其变成一个网络，目的达到。 方法二：分别物理测量，两者相加（最好列出等长表，这种方法比较笨拙）。 注意：含有末端端接的先删除末端端接再等长，短节长度长度不算在等长长度中。 3）、菊花链 方法：多拷贝几个版本先分别单独绕等长——先删掉 SDRAM 到 FLASH 的走线，再绕 CPU 道 SDRAM 的等长，之后再另外一个版本中删掉 CPU 到 SDRAM的走线，再绕 SDRAM 到 FLSAH 的等长，之后两个版本合并。 等长中的注意事项 1、Gap 需满足 3W 原则【差分等长同理，最好满足 4W，越大越好】 2、差分等长 等长中用到的技巧 1、等长长度的查看 CTRL+点击鼠标中键（鼠标停放在你需要的网络上），可以查看网络的长度【还有选中， 属性编辑等选项】，在绕等长的时候，进行等长检查时候，非常方便和实用。这个快捷方式还可以实用 Shift+X 调出. 2、等长表格的应用 适用范围：常用模块的等长、自己内部等长检查 第一步：可以现在 PCB 中直接拷贝你需要绕等长的一组线的长度。之后粘贴在EXCEL 表格中。 第二步：在 Excel 表格中 Ctrl+H，替换掉单位 第三步：选中单击右键设置单元数值属性为整数。 -END- 来源 | 凡亿PCB | 整理文章为传播相关技术，版权归原作者所有 | 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

太阳能、电动汽车充电桩、储能、不间断电源(UPS)等能源基础设施，工业控制、人机接口、机器视觉等自动化控制，工业伺服、变频驱动、暖通空调(HVAC)等电机驱动，以及机器人和电动工具等工业细分领域是当前市场的热门应用。在设计这些应用时，工程师都要求更高能效、功率密度和可靠性。作为全球第二大功率分立和模块半导体供应商，安森美半导体以丰富的电源专知提供广泛的产品阵容，从硅到碳化硅(SiC)，从分立器件到电源模块，以及门极驱动器、运算放大器、光耦等，乃至完整的参考设计、在线设计工具WebDesigner+、云平台开发工具Strata Developer Studio和现场应用支援，帮助工程师解决设计挑战，从而更快设计出具竞争优势的方案。 太阳能方案 随着能源和环境问题日益凸显，太阳能作为一种清洁的可再生能源，前景可期。太阳能发电本质上是直流(DC)技术，需要逆变器(DC-AC)来发电。从硅转向SiC半导体可实现能效和性能的飞跃。随着成本的优化，越来越多的厂商开始采用SiC替代原来基于硅的逆变电路，以实现更快的开关速度、更低的损耗、更低的电感/电容成本、更紧凑的尺寸。安森美半导体除了提供各种基于硅的涵盖5 kW至250 kW输出功率的3电平逆变器模块和升压模块，也提供大量SiC MOSFET和SiC二极管方案阵容，以及门极驱动、运算放大器等产品。 其中，NXH40B120MNQ系列全SiC升压功率模块已被全球领先的电源和热管理方案供应商台达选用，用于支持其M70A三相光伏组串逆变器，实现高达98.8%的峰值能量转换能效。SiC技术的使用提供了实现太阳能逆变器等应用中所要求高能效水平所需的低反向恢复和快速开关特性。 以下是安森美半导体推荐的升压及逆变器模块。这些模块都集成高速IGBT、Si/SiC二极管，实现高能效、紧凑的设计，内置热敏电阻，提供高可靠性，采用焊接/压合引脚，易于贴装。 表1：推荐的升压及逆变器模块用于太阳能发电 高性能IGBT、智能功率模块(IPM)和功率集成模块(PIM)助力工业驱动控制 无人化和智能化正成为趋势，电机驱动系统往往是实现节能的核心。安森美半导体提供包括分立IGBT、IPM和PIM在内的产品助力提升工业系统能效，满足不断提升的能效需求。 工程师评估一个IGBT性能，通常从饱和压降、关断损耗和抗冲击力三方面评估，需要根据应用的不同对IGBT做权衡设计。安森美半导体最新的IGBT工艺技术是用于950 V、750 V和650 V的场截止型第四代沟槽IGBT工艺，带来业界最优的饱和压降设计和开关性能设计，同时超场截止(UFS)工艺的1200 V第三代场截止型IGBT工艺代表了全球最好的工艺水平，抗冲击能力大幅提高，并且开关性能和饱和压降水平都领先于竞争对手。 安森美半导体用于驱动控制的分立IGBT产品系列抗冲击力强，可支持从3 A到160 A在内的电流等级，包含从DPAK到Power 247在内的各种封装。而全塑封的IGBT系列采用TO-3PF封装设计，不需要绝缘垫片，降低安装成本提高工作效率，同时可降低因为绝缘垫片带来的热阻损耗，提高功率密度。 IPM将IGBT、高低压驱动芯片和外围阻容器件、二极管封装在一个模块中，实现了更灵敏准确的保护功能，更简单的外围元器件设计、更简化的生产工艺和更好的散热性能。安森美半导体提供1200 V和650 V/600 V全系列的IPM产品，最高功率等级7.5kW，采用不同的基板技术(直连铜基板(DBC)、陶瓷基板、绝缘金属基板(IMST))，满足工业逆变、HVAC、泵、工业风扇、空调、白家电乃至新兴的工业机器人等不同应用及成本需求。 图1：安森美半导体的IPM阵容 在中大功率工业控制领域，为支持驱动电路的多种选择，安森美半导体推出PIM模块，如最新的压铸模功率集成模块(TM-PIM)，广泛运用于中央空调、变频控制和伺服控制领域。TM-PIM 集成3相转换器、逆变器和制动器，采用创新工艺、可靠的基板和环氧树脂压铸模技术, 比普通的凝胶填充电源模块热循环使用寿命提高10倍，功率循环使用寿命提高3倍。它将助推客户终端逆变器系统长的使用寿命及高可靠性。该模块采用先进的厚铜基板，省去底板，比普通模块减小57%的体积，且提高30%的热阻，大大增加功率密度。 表2：安森美半导体已发布的TM-PIM 电动汽车充电桩方案 受政府节能和环保法规以及新基建等一系列政策驱动，汽车正迅速迈向电动汽车发展，市场期待充电桩达到更高的峰值能效以节省充电时间和增加续航里程。充电桩按充电能力分为4级。现有充电桩多为1级或2级。而消费者最感兴趣的是直流快充。随着功率增加和速度要求的提高，对MOS和SiC的需求越来越强。采用SiC方案将比硅方案小10倍，充电时用电量少60%，达到99%的峰值能效。 表3：电动汽车充电桩按充电能力分为4级 安森美半导体为充电桩提供宽广的方案，包括高性能MOSFET、IGBT及SiC产品阵容，实现更高能效、更环保、更快、更小、更轻、更高性价比和更快冷却的优势，其MOSFET和SiC阵容如下： 表4：充电桩MOS – Easy Drive：用于硬/软开关，易驱动，实现低EMI和电压尖峰，优化内部Rg和电容 表5：充电桩MOS –FRFET：用于软开关拓扑，更小的Qrr和Trr实现更高的系统可靠性 表6：充电桩SiC二极管 表7：充电桩SiC二极管：第1.5代减小正向压降 (第1代正向压降 = 1.5V) 和Qc 表8：充电桩SiC MOSFET 下面是一个15 kW/20 kW电动汽车充电桩方案：采用PFC + LLC拓扑，含6个Easy Drive MOSFET FCH040N65S3/FCH029N65S3，6个SiC二极管FFSH20120A/FFSH30120A，8个FRFET MOSFET NTHL040N65S3F/NTHL033N65S3HF，输出端用16个SiC二极管FFSH2065B/FFSH3065B。SiC二极管能够提供卓越的开关性能，且比硅具有更高的可靠性，无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能，使系统具备更高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI，以及减小的系统尺寸和成本。 图2：电动汽车充电桩典型应用框图 服务器和工业电源市场 5G、云数据中心电源都对高能效和功率密度有非常高的要求。SiC器件高达98%的能效，完美契合5G和云电源市场的发展，SiC二极管用于无源PFC级，而氮化镓(GaN)/SiC成为图腾柱和LLC级的选择。在输入电压220 V至230 V、输出电压400 V的条件下，普通的硅PFC方案采用连续导通模式(CCM)、双升压、全桥拓扑，能效不到95%，2个电感使得开关频率有限，且器件数多，占位大，而SiC赋能的PFC方案采用反激图腾柱，实现更高能效(98%)、频率、功率密度和双向功率流，更少器件数。图腾柱PFC是构建80PLUS®Titanium标准电源的一种高性价比方案，用于数据中心、计算应用和车载电池充电器。 如Solantro的SA8000-N TP-PFC控制器结合安森美半导体的SiC MOSFET帮助实现超过99%的能效，并提供优化的开关模式、可靠的启动、高功率密度和更低的功率损耗。 辅助电源方案 无论是能源基础设施，电动汽车充电桩，还是服务器，都需要辅助电源。反激转换器是最流行的辅助电源拓扑，因为它具有更少的器件数量和物料单(BOM)成本。对于小于30 W的输出功率水平，内置高压MOSFET的AC – DC开关电源是易于设计和紧凑尺寸的首选方法。安森美半导体提供从3 W到30 W的广泛的内置高压MOSFET的 AC – DC电源开关产品阵容，包括NCP107x、NCP1067x和FSL5x8等。对于> 30W的输出功率水平，通常采用AC – DC控制器IC加外部MOSET方法，以提供设计灵活性并简化热管理。为了提高功率密度和转换能效，安森美半导体提供采用NCP1342的高频准谐振(QR)反激方案和采用NCP1568的零电压开关(ZVS)有源钳位反激方案。变压器设计是反激设计的关键。为帮助电源设计减少开发工作量，安森美半导体提供一系列交钥匙参考设计和设计电子表格工具。 安森美半导体的宽禁带生态系统 宽禁带可以实现太阳能逆变器、服务器电源、电动汽车充电桩等设计的能效和性能飞跃，安森美半导体具备独一无二的宽禁带生态系统，包括650 V、1200 V、1700 V SiC二极管，650 V、750 V、900 V、1200 V、1700 V SiC MOSFET(全都符合车规认证)， GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)，SiC和GaN驱动器及集成模块，乃至方案、仿真模型及设计软件等，并与整个供应链中的多家公司合作以降低价格并加快上市时间，其基于物理的模型平台，可以在工程师测试器件前提供其在整个温度范围内的性能。 安森美半导体广泛的产品阵容从 IGBT 和功率 MOSFET，到门极驱动器、运放、光耦、电源模块，包括先进的碳化硅及宽禁带生态系统，乃至完整的参考设计、现场应用支援和线上辅助设计的资源及工具，都可帮助工程师解决太阳能、工业驱动、电动汽车充电桩、服务器等应用领域不断提升的能效、功率密度和性能需求，推进创新。

　　近日，工信部副部长苗圩在出席“全国私人购买新能源汽车试点工作会议”时，指出“统一电动汽车所用动力电池的规格和尺寸，决定了将来更换电池的可行性”，“建议充电的方式以慢充电和分散式充电为主，不宜大规模建设集中式快速充电设备，特别是针对私家车”。 　　 苗圩介绍，“我们现在已经有40多项有关新能源汽车的产品、实验品、检测品的规范和标准，这几年来我们又完成了几十项新能源汽车的标准，特别是电动汽车所用的动力电池的规格和尺寸，因为这就决定了将来我们更换电池的可行性，不能出现不同汽车企业生产不同型号电池这种情况。” 　　原中国交通信息中心总工程师赵向荣表示，“快速充电是以严重消耗电池寿命为代价的，这一成本如果转嫁于消费者，新能源汽车的产业化将受到极大制约。 　　苗圩表示，“我国家绝大多数都是公寓，公寓式的房子是车停在几公里以外的停车场，充电桩的设置要合理布局，在新能源汽车产业化的初期，考虑到电池产品的技术性能和新能源汽车的市场性，我们强烈建议充电的方式以慢充电和分散式充电为主，不宜大规模建设集中式快速充电设备，特别是针对私家车，不宜大规模建设集中式快速充电设备。”

我国的“新兴能源产业发展规划”即将公布，规划期为2011-2020年。规划期内累计直接增加投资预计将达5万亿元，平均每年增加产值1.5万亿元。 　　报告认为，我国具备发展新兴产业的较好资源条件，但同时面临技术创新与市场培育“两大瓶颈”制约。其中战略性新兴产业市场的培育面临一系列体制机制障碍，如节能环保和新能源产业的价格形成机制，电力体制市场化改革，“三网融合”相关行政管理体制改革，生物医药产业的新药审批程序等。 　　报告同时提及，近期我国其它新兴产业发展规划也将出台，这对中国以及世界经济发展产生重大影响。目前相关部门已经开始编制《国务院关于加快培育战略性新兴产业的决定(代拟稿)》和《战略性新兴产业发展规划》。与此同时，国家发改委确定在“十二五”规划编制中，将新兴战略性产业作为一个重点，产业的发展方向、战略重点和重大举措也将随之确定。 　　报告称，国家能源局等相关部门正在编制“十二五”能源发展规划，“新兴能源产业发展规划”也即将公布。后者规划期为2011年至2020年，规划期内预计直接增加投资5万亿元，平均每年增加产值1.5万亿元，增加社会就业岗位1500万个。“新兴能源产业发展规划”目前已通过国家发改委的审批，将按照有关程序上报国务院。

　　NOR Flash大厂旺宏顺利募资顺利，成功获得新台币180亿元联贷案，由于大客户任天堂的3D新款游戏机即将上市，旺宏的12吋晶圆厂将加紧脚步，在2011年进入量产，预计2010、2011的资本支出共达10亿美元，这次联贷案成功，也顺利充实扩厂的资金来源；此外，受惠近期日圆升值，旺宏将是最直接的受惠者。 　　旺宏董事长吴敏求表示，目前旺宏手上现金水位还有300亿元，为了扩建12吋晶圆厂的财务规划需求，正式与15家银行办理联贷案，共募得180亿元，2011年12吋晶圆厂将可顺利步入量产，初期规划年底前可达单月产能2万片。 　　值得注意的是，近期日圆升值议题持续发酵，旺宏最大客户日本游戏机大厂任天堂，日本营收比重占旺宏高达50%，旺宏将是这次日圆升值的最大受惠者之一，直接推升旺宏第3季的营运表现。 　　事实上，原本于2010年在NOR Flash领域表现出色的旺宏，随着NOR Flash市场进入供需平衡，失去涨价效益之后，市场原本担心其第3季营收将下滑，但受惠任天堂的3D新款游戏机即将问世，持续增加ROM产品线的订单，适时弥补NOR Flash营收比重的下滑，更让旺宏8月营收逆势成长至27.02亿元，市场期待其9月营收持续攀升。 　　旺宏看好未来NOR Flash和ROM前景，2010年进行大扩产计划，买下茂德在新竹的12吋晶圆？ A此厂房预计在2011年6月将达1万片产能水平，更预计年底完成第2阶段2万片的目标，力拼快速达到损益两平的阶段，估计2010年和2011年的资本支出，包括买厂、机器设备和研发费用，共计约10亿美元。 　　随着产能扩大，除了既有产品线之外，旺宏对于跨入新应用领域也兴致浓厚，计划切入车用NOR Flash市场、无线通信和手机领域，扩大产品线范围，为2011年12吋晶圆厂产能大量开出做准备。 　　其中，旺宏非常重视车用NOR Flash市场，吴敏求已亲自探访汽车1线、2线等大厂，预估此车用市场1年产值规模高达4亿~5亿美元，旺宏目标计划3年内拿下50%市场；而在无线通信领域，也是旺宏2011年布局的重点。

　　 　　凌力尔特公司 （Linear Technology CorporaTIon） 推出两款突破性的 RF 至数字微型模块 （uModule） 接收器 LTM9004 和 LTM9005，这些器件集成了 3G 和 4G 基站接收器 （WCDMA、TD-SCDMA、LTE 。.. 等等） 以及智能天线 WiMAX 基站的关键组件。这些集成的微型模块接收器极大地减少了所占用的电路板空间，在一个便于使用的小型封装中集成了 RF 混频器 / 解调器、放大器、无源滤波以及 14 位、125Msps ADC。LTM9004 采用直接转换架构，具有 I/Q 解调器、低通滤波器和两个 ADC。而 LTM9005 采用 IF 采样架构，具有下变频混频器、SAW 滤波器和一个 ADC。这种高集成度实现了较小的电路板尺寸或通道数较高的系统，缓解了与信号的分离和路径选择有关的问题，并显着地缩短了设计和调试时间。这些接收器借助了多年的信号链路设计经验，并采用了易用型 22mm x 15mm μModule 封装。 　　蜂窝服务提供商正承受着削减资本 （CAPEX） 和运营 （OPEX） 费用的巨大压力。为支持这趋势就产生了以下需求：能够与天线一起安装在塔上更小、更轻和更低功率的基站 （例如：远端射频头 ── RRH）；具较高效率的高密度和高通道数目宏蜂窝基站；以及小型数字直放站的使用。这些 μModule 接收器可直接满足以上趋势所产生的要求。LTM9004 和 LTM9005 所需的电路板面积仅为分立型设计的 25%，除节省了极其宝贵的板级空间外，这两款器件还节省了开发人员在优化数十个高频组件的设计和布局方面所投入的时间和精力。这可使开发成本下降、减少采购和库存组件、以及缩短产品的上市时间。 　　两种接收器架构主导着基站设计：直接转换和 IF 采样。直接转换对 RF 信号进行解调并将其下变频至 DC （在频域中为 0MHz）。这简化了滤波器，可提供具 10MHz 截止频率 （20MHz 信号带宽） 的低通滤波器。LTM9004 实现了这种架构。针对不同的信号带宽提供了其他的滤波器选项。IF 采样则将 RF 信号下变频至一个中频 （IF） ，这里为 140MHz，并在数字域中进行信号解调。20MHz 信号滤波处理利用一个集成在 LTM9005 中的表面声波 （SAW） 滤波器来完成。可以提供其他的滤波器带宽。 　　LTM9004 和 LTM9005 采用节省空间的 22mm x 15mm LGA 封装，并利用一个多层衬底将敏感的模拟线路与数字印制线隔开，以最大限度地减少数字反馈。电源和基准旁路电容置于 μModule 封装的内部并紧密耦合至芯片，因而在空间、成本和性能方面均优于传统型封装。 　　

　　10月19日，“从互联网到物联网的跨越——物联网标识公共服务平台启动仪式暨物联网标识技术论坛”在京召开。“物联网标识公共服务平台”也在此间推出，推动物联网实现从局域到互联、企业应用从互联网到物联网的跨越，推动物联网产业从技术理念走向日常公共应用服务。 　　由中网公司建立的国内首个“物联网标识公共服务平台” 作为兼容各种编码标准的解析枢纽系统，通过一个物联网标识能够映射多种应用，如定位信息资源、定位物品应用等，实现了从互联网到物联网的跨越。该平台还托管多种物联网应用，降低企业的应用门槛。 　　中网公司董事长毛伟表示，“作为国家核心战略产业，物联网科研创新和物联网应用创新密不可分，‘物联网标识公共服务平台’就是用物联网创新科技满足广大网络用户需求、让科技创新成果服务经济社会发展的有益尝试。” 　　作为“物联网标识公共服务平台”的首批用户代表，江苏物联网研究发展中心、慧聪、望京科技园智能园区、灵思生态农业等企业也出席此次活动，并在会上签定合作协议。 　　北龙中网（北京）科技有限责任公司（以下简称中网公司）负责该平台兼容各种编码技术标准，借助该平台的编码标识映射功能和托管应用，消费者可以通过物品上的物联网标识与商家进行互动，企业也得以实现低成本高效跨网推广和业务管理，开启物联网应用。目前通用网址和无线网址率先融入该平台作为物联网标识，意味着物联网从数字编码进入中文标识阶段。借助该公共平台，通用网址将成为真正在互联网和物联网都“通用”的网址。 　　物联网已成为继计算机、互联网之后，世界信息产业的第三次浪潮，发展物联网技术和应用已经上升到关系国家未来竞争力的战略高度。进入物联网时代，智能医疗、环境监控、智能电梯、动物标识、电子钱包、智能电网等都将慢慢渗透应用到我们生活的各个领域。而“物联网标识公共服务平台启动暨物联网标识技术论坛”的适时召开，将切实推动互联网和物联网标识融合的发展，实现从互联网到物联网的跨越，让科技创新成果服务经济社会发展。

　　据iSuppli公司，由于智能手机以及平板电脑的使用量增加，2010年全球NAND闪存营业收入将达到最高纪录。 　　预计2010年NAND闪存营业收入将达到187亿美元，比去年的135亿美元劲增38%，部分利益于智能手机和苹果iPad等消费电子产品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需双双增长，2011年NAND闪存市场将继续增长，尽管不及今年强劲。iSuppli公司的数据显示，预计明年NAND闪存市场上升25%至225亿美元。 　　与此同时，NAND闪存的比特出货量预计2010年大增71%至100亿GB，这在很大程度上缘于尺寸缩小和3-bit-per-cell TLC闪存的生产。 　　但在未来两年，预计平均销售价格（ASP）将温和下跌23-29%。此外，iSuppli公司警告，2011年以后可能面临供应过剩的问题，而2012年下滑的风险很大。鉴于目前的乐观展望，该产业可能的NAND产量增长速度可能超过实际需求，从而导致供应过剩并随之引起市场下滑。 　　随着制造活动在11月开始放缓，以及高性能嵌入NAND等领域的需求在假日季节之后全面减速，预计第四季度市场将出现一些动荡。 　　总体来看，2012年NAND闪存营业收入将略有下降，2013年上升，然后在2014年再度回落。图示为iSuppli公司的具体预测。 　　 　　除了潜在的供应过剩，供应商增加资本支出也令人担忧，这与是产业乐观气氛高涨的结果。iSuppli公司的数据显示，2011年资本支出将达到创纪录的16亿美元。 　　三星、东芝和英特尔－美光合资企业IMFT计划兴建的工厂，明年将使产量再增加70%，供应过剩的风险很高。iSuppli公司提醒，除非供应商谨慎地根据需求来管理生产，否则明年的新增产能将导致该市场急速下坠。 　　平板电脑带来新的增长机会，但供应商必须谨慎 　　在消费电子产品市场，智能手机对NAND闪存的需求保持良好，而平板电脑则是这种闪存的最新增长领域。 　　iSuppli公司认为，平板电脑热衷于使用NAND闪存，与两年前上网本的情况类似，但由于平板电脑中闪存平均密度较高，所以该领域的NAND闪存应用规模更大。根据预测，2011年平板电脑消费的NAND闪存将从2010年的4.28亿GB增长到17亿GB。 　　总体来看，iPad中的平均NAND闪存密度在所有平板电脑产品中最高，预计2012年达到52.5GB。预计苹果将统治平板电脑市场一段时间，加之第四季度主要品牌将推出30多个 平板电脑产品，这都预示NAND闪存市场将持续受益。 　　但iSuppli公司警告，由于产业将在年底前转向2X-纳米和更先进的半导体制程，所以供应商需要保持谨慎。 　　随着制造商扩充产能方面的支出增加，以及新工厂的产量预计上升，供应商必须平衡两种需求：降低生产成本，以及增加NAND闪存供应。 　　如果今年下半年以及更长远的季节性需求不如预期强劲，则供应过剩和其它支出可能导致NAND闪存市场下沉，并走向衰退。否则的话，该市场本来会保持活力。

　　根据大陆媒体报导，南韩两大面板厂三星及LG分别位于苏州和广州的合资高世代面板生产线投资建设计划，已经正式取得发改委批文。消息释出后LG Display股价走扬，台系面板大厂友达光电则因登陆投资昆山7.5代线申请案迟未获台湾政府放行，奇美电子也因尚未提出登陆申请，股价于盘中先后翻落平盘下震荡。 　　主因是中国大陆已成为全球最大液晶电视市场，加上中国大陆政府积极扶持本土TFT-LCD液晶面板事业，未来在关税因素恐有变量考虑下，在大陆地区投资兴建高世代面板生产线、就近供应当地大尺寸面板，成为各大面板厂争相布局的重要项目。 　　而先前市场盛传大陆可能只会放行5条高世代面板生产线兴建，因此市场揣测，除了京东方、龙飞、TCL与深超合资的华星之外，三星和LGD可能已拿走最后两张门票。这让台系两大面板厂友达、奇美电后续在大陆的高世代面板产线布局动向，受到高度关注。 　　不过，据了解，中国大陆最终是否真的只会准许5条高世代面板生产线之投资兴建，一直未获正式管道证实。一般预料，未来若台湾双虎仍将获得放行、到中国大陆投资兴建高世代面板产线，获准的机会还是很高。此外，台湾面板厂也可能选择与大陆厂商合资之模式登陆。先前市场就曾传出，友达可能与龙腾旗下的龙飞合作建厂。 　　友达早在2010年3月间就递件申请赴中国大陆昆山投资兴鉴7.5代线面板厂，预计该7.5代厂投资总金额达30亿美元，友达将以12亿美元投资股本外加当地融资支应。原本市场预期可能在第三季初就会放行，结果被主管机关一拖再拖，直到最近投审会审议依然未能排入议程。 　　据悉，友达的投资案还是只能继续等待投审会后续审议。至于奇美电则迄今尚未提出要到中国大陆投资兴建高世代面板厂之计划，目前在高世代产线的布局，仍以今年第四季要将台湾的8.5代线产能拉升到投片量2.4万片/月为主，另竹南6代线第四季月投片量也将拉升到10.5万片。

　　26年我们自己总结，做了四件有意义的事情：高科技产业化；和国际品牌竞争；产权机制改革；企业管理的一般规律 　　什么是柳传志眼中最重要的四件事？11月28日，在北京召开的2010全国企业文化（联想控股）现场会上，联想创始人柳传志分享了创业26年以来，联想做得4件事。第一，率先走出了中国科研院所的高科技产业化道路；第二，和国际品牌竞争中取得成功；第三，产权机制的改革；第四，总结了企业管理的一般规律，培养了一批领军人物，开创了新的业务。 　　以下是柳传志的演讲： 　　26年我们自己总结，做了四件有意义的事情。 　　第一件事情就是率先走出了中国科研院所的高科技产业化道路。 　　原来，我是中国科学院研究所的一个研究人员，在1984年以前的时候，中国科学院的科研成果，都是在象牙之塔里面的，做完就摆在那儿了，没有办法变成产品，推到市场上去。联想响应当时中国科学院院长周光召先生的号召，要把科研成果能够产业化。我们十几个同事一起出来，所谓下海，就是把科研成果想办成，通过办企业的方式办到市场上去，这件事情我们坚定不移的做，遇到了很多困难，但是我们努力的做，确实开了个好头，这是我们做的第一件事情。 　　第二件事情，就是和国际品牌竞争中取得成功，为中国企业进入WTO树立了信心。 　　在1990年以前，中国当时是用保护的方式来保护自己的计算机的民族品牌，当时我们国内计划内最大的PC企业就是长城。国家用高关税，要批文的方式，不让外国企业的PC进口，这个结果是什么呢？结果是中国PC这个质量不行，不行的结果影响了各行各业对PC的应用，国家明白过来以后，就在1990、1991、1992这几年大幅度的降低了关税，一直由100%的进口关税降到20%，同时取消了批文。这时候，外国的机器就大量进入中国，像IBM，康柏这些国际大牌全到中国来，各行各业的机器倒是好用了，但是中国的民族品牌受到了巨大的冲击，长城0520当时赫赫有名，因为如果按照国家计划的方式的话，拨给各个单位非用不可，但是实际上质量不好，所以当一遇到竞争的时候，1993年一年，长城0520就灰飞烟灭了，这个牌子再也没有了。 　　联想在当时算计划外的一个企业，所以我们各方面都非常之困难，占整个中国的计算机市场的2.7%，在技术、资金、管理各个方面完全没法和国际大企业相比的时候。我们内部认真的开了会，研究自己有哪些不足，然后重新调整了架构，决心跟国外企业下战表绝一死战。真是到电子部，当时是胡启立部长下了战书。 　　从那时候开始起我们到2001年达到了占中国市场27.5%，不但在中国市场上是绝对第一，第二、第三、第四名加起来都没有我们多，同时变成了亚洲第一。特别是一个最主要的竞争对手叫戴尔，戴尔在1996年以前没有注意中国市场，他们从美国打到欧洲，横扫一片，最后击跨了康柏，这时候我们和戴尔遭遇了。2001年以后，2002、2003年我们屡打败仗，到了2003年我们彻底把戴尔研究了个透，研究了一套做法，跟戴尔在2004年大打了一仗，我们确实把戴尔按在了下面，不然的话我们不可能并购IBM PC。 　　和国际品牌竞争当中，有两个意义，一个就是当时中国的品牌不能占据一个高度，中国PC机的价格是很高的，后来当然会降下来，这样我们为中国IT系统在中国的信息化建设起了作用。第二、当时是1996、1997、1998年的时候，正是我们国家进入WTO的时候，到底我们能不能跟外国人在竞争中取得胜利？在家电行业和电脑行业，这些企业都做了好样子，起了好作用。 　　第三条联想走出的道路，就是产权机制的改革。 　　联想原来是100%的国有企业，科学院投20万就是100%的企业，但是科学院的领导真的是非常开明的婆婆，知道一个高科技企业，主要凭借的就是人的力量，因此就和我们一起探讨，怎么能够让企业的管理者，主要的技术负责人能够有主人翁感？ 　　1984—1990年的时候，科学院占100%的股份。到了1993年的时候，我跟周院长谈，周院长讲，科学院非常愿意给员工以股份，但是由于体制，科学院不能够给你们，只能够奖励你们分红权，也就是说每年工作得到的利润中，可以提取一块作为奖金给你们。这样我们就跟院里签了一个协议，每年35%的利润，作为奖励奖励给员工持股会。