塔式抽油机，也叫做往复式抽油机，是近几年来迅速发展的一种节能、高效的新型机械采油设备。 目前油井上普遍使用的异步电机驱动的游梁式抽油机，存在系统冗余、电机效率不高、功率因数低等缺陷。因此，在节能减排要求越来越高的情况下，寻找更环保、更节能的驱动装置成为了重中之重。 根据这一现状，英威腾推出Goodrive300-29四象限能量回馈型变频器+编码器闭环矢量控制与永磁同步电机一起构成的直驱式抽油机驱动系统，通过该系统，可以实现塔式抽油机运行速度更稳定，低速出力扭矩好，自动定位往复运动，上下行程控制更准确。 塔式抽油机负载分析 塔式抽油机所带负载为恒转矩性质，启动时需要超过额定转矩值的转矩。工作状态与电梯工作工况比较接近，分上升和下降两个过程，支持悬停，对变频器转矩控制特性要求较高，由于永磁同步电机特性决定，在塔式抽油机配重不平衡时会出现能量回馈，因此需要通过反馈装置反送给电网或者消耗在制动电阻上，以防止母线电压过冲，采用英威腾Goodrive300-29四象限能量回馈型变频器可以使由于机械原因导致永磁同步电机产生的电能超过母线电压范围时回馈到电网，实现节能绿式运行，取消了制动电阻，降低能耗制动电阻高温风险。 方案的应用优势包括： 1. 支持物联网或手机APP操作接口； 2. 变频器集成塔式抽油机专用工艺控制逻辑，内置换向及保护逻辑； 3. 运行自动搜索原点； 4. 支持自动往复运动及间抽功能； 5. 自动检测皮带打滑并修正累积偏差； 6. 冲程及冲次灵活可调； 7. 灵活手动修井操控模式，支持悬停； 8. 简化安全保护措施，具备断绳、打滑、卡井等机械故障报警功能； 9. 节能、取消制动电阻，降低能耗制动电阻高温风险。 实际案例验证，英威腾Goodrive300-29四象限能量回馈型变频器+编码器闭环矢量控制与永磁同步电机一起构成的直驱式抽油机驱动系统的方案，很好的满足了塔式抽油机的工作需求，无论在加减速时间、力矩、转矩动态响应速度、运行电流、电机噪声、稳速精度等方面均有出色表现。该系统相对于使用交流异步电机作为驱动装置，降低了抽油机系统的工作损耗，提升了抽油的工作效率。

2021年1月20日，日本东京讯——全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团今日宣布，推出四款全新高可靠性、高性能产品，以加强其传统宏基站(BTS)射频产品组合，为客户带来完整射频信号链解决方案。此次扩展包括业界首款四通道F4482/1 TX可变增益放大器(VGA)和F011x系列双通道一级低噪声放大器(LNA)。新系列产品还包括F1471 RF驱动放大器——首款P1dB超过1/2W的大功率前置驱动器，以及采用更小的封装、具有更高隔离度、适用于DPD反馈路径的F2934 RF开关。 扩展后的产品组合可提供5G宏基站系统所需的高性能、高可靠性、灵活性和较小的外形尺寸，并可在广泛的环境条件和频率带宽下均表现出卓越性能。新产品集成瑞萨Smart SiliconTM创新技术，可以用更小封装实现相关功能——对于多天线系统具有独特优势。 瑞萨电子射频通信、工业与通信事业部副总裁Naveen Yanduru表示：“随着5G转型的加速，我们已升级了宏基站产品组合的接收与发射链组件，使之具备更强的性能和更高的集成度。我们很高兴持续推出全新前沿电路设计，并通过新产品来实现完整的射频信号链，助力客户在将其下一代宏基站系统推向市场时，能够做到5G兼容。” 宏基站客户可将这些新产品与最近发布的F1490高增益RF放大器及高度集成的F0443 RX VGA相结合，以构建完整的射频信号链解决方案。 · 高度集成的F4482/1四通道TX VGA ◦ RF频率范围为400MHz至2800MHz ◦ 集成在单个芯片上的巴伦、低通滤波器、放大器和数字步进衰减器 ◦ 瑞萨Zero DistortionTM技术可提升服务质量，增加动态范围;Glitch-FreeTM技术可保护PA组件并简化DPD设计 · 双通道F011x第一级LNA(平衡式LNA或双通道LNA) ◦ RF频率范围为650MHz至2700MHz ◦ 在2600MHz时，具有0.55dB低噪声系数和低回波损耗(-27dB输入，-23dB输出) · 高线性度F1471射频驱动放大器 ◦ RF频率范围为400MHz至4200MHz，增益17dB ◦ OIP3高达38dBm，2600MHz时OP1dB为28.5dBm ◦ 可调的OIP3性能和DC偏置，以实现调谐灵活性 · 高可靠性SP2T F2934 RF开关 ◦ RF频率范围为50MHz至6000MHz ◦ 更高的隔离度(1GHz和2GHz时为70dB，3GHz时为74dB，4GHz时为67dB)，采用小型3×3 QFN封装，解决了PCB占板空间限制的问题 ◦ 瑞萨KzTM恒定阻抗技术可在开关转换过程中保持VSWR不变 瑞萨电子在电路设计领域的强大创新力满足了无线基础设施市场不断发展的需求。具有独特技术差异的瑞萨专有射频解决方案可满足广泛应用的需求，包括massive MIMO和毫米波蜂窝基站、通信系统、微波(RF/IF)、CATV，以及测试和测量设备。 F4482/1、F011x、F1471和F2934现已上市。

苹果M1处理器又出现问题，不少购买这个终端用户开始吐槽新的情况。 网上越来越多的用户报告显示，苹果的部分M1 Mac机型容易出现快速用户切换错误，故障症状是会自动激活屏幕保护程序，且用户无法解除。 在macOS Big Sur中，快速用户切换功能可以让用户在用户账户之间快速切换，而无需完全退出。 具体来说就是，当屏幕保护程序出现在屏幕上时，鼠标指针还可以在上面移动，但其他一切都无法正常工作，用户必须关闭并重新打开MacBook Air或MacBook Pro的盖子，或者轻按Power/Touch ID键或Alt-Command-Q组合键才能回到登录页面。 禁用快速用户切换功能可以防止这个问题的发生，但这显然让登录功能无法使用。在 “系统偏好设置”中禁用所有用户的屏幕保护程序似乎也没有什么不同。 据报道，M1 MacBook Air、M1 13英寸MacBook Pro和M1 Mac mini机型都出现了这个问题，并且在所有版本的macOS Big Sur上都会出现，包括最新的11.1更新。建议受影响的用户向苹果提交反馈意见，希望能促成修复。 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

出品 21ic中国电子网 付斌 网站：21ic.com “3D超声波传感技术可以作用在任何介质、任何厚度上，现今大多客户追求的是虚拟按键或数字化按键，但今后行业追求更多的将是手势识别。” 从九宫格按键到触摸屏手机，从home键到全面屏，人机交互的趋势一直是在想办法取消机械按键。除去追求真实按键手感的场景外，虚拟按键可以省却实体按键的挖孔和占据的空间，同时拥有防水、防油、防污的特性。   能够实现如此良好的人机交互体验要归功于背后的传感器技术，随着行业的发展，也为传感器提出了新的要求，UltraSense便向21ic中国电子网记者阐释了行业的趋势及其超声传感器解决方案。   超声传感器具有替代机械按键的特性 “UltraSense是一家将现有超声技术结合到触摸式人机交互界面的公司，凭借技术已形成全球首款智能型超声传感器，产品仅有2.6mm x 1.6 mm的面积和低于1mm的厚度，达到了芯片级别” ，UltraSense Systems 公司联合创始人兼首席业务官Daniel Goehl如是说。   记者查阅了UltraSense的官网得知，对应超声技术的传感器产品便是TouchPoint系列，拥有TouchPoint、TouchPoint Z、TouchPoint P三种解决方案，分别针对不同应用进行选择。     通过Daniel Goehl的介绍，依托3D超声波的TouchPoint系列产品，拥有几个特性：   其一是 无机械按键、无物理开孔、贴合简单，依托如此特性使得产品设计过程中易于放置和连接，同时这种设计还能带来防水、防油、防污的特性。   其二是 穿透性好，超声波能够穿透铝、不锈钢、玻璃、皮毛、皮革在内的任何介质，整体穿透厚度可达5mm左右，同时无论任何功率情况下都可获得完美的穿透效果。值得一提的是，1.2mm x1.2mm的定位区域，使得触摸更加精准。   其三是 小体积低功耗，整体面积不到一枚硬币的五分之一，是世界上最小的超声波传感器，适用于任何紧凑型设备中；<20uA/sensor的长期运行电流，适用于任何安装电池的移动设备上。   其四是 可靠性高，产品不受污染物、声学干扰和电磁场影响，传感器间无串扰。另外，传统使用的电阻型传感器对温度非常敏感，TouchPoint内部则为硅裸片，硅材料对稳定敏感性好，可在任何工况下稳定工作，不惧高温和低温，甚至在烤箱内都可正常使用。   其五是 换能器和ASIC电路一体化设计，内置MCU和TouchPoint算法，一个传感器就相当于一个按钮，可对上层材料分析，动态调整环境参数，得益于此开发者可减少开发调整，获得上市时间加速。另外，通过Z压力算法实现无误触。     据Daniel Goehl介绍，这家公司成立于2018年4月，专注于超声波传感领域，目前已成功获得超10个超声感知技术专利，客户包括博世、Asahi Kasei、索尼等。根据Daniel Goehl的介绍，虽然从成立时间来看公司较为年轻，但实际上团队源于原InvenSense公司，深耕超声领域15年，团队也曾创过数个业界第一。   小身材潜藏多项技术壁垒 从原理上来看， Daniel Goehl为记者介绍表示，TouchPoint一般是集成在现有标准的集成电路板或任何柔性电路板上，之后传感器上端的基层材料将会被识别，相当于也集成在电路中成为表面触控材料。   因此，使用任何粘贴方式将目标基材层与超声传感器面层粘合都可触发超声波束，超声波束根据不同材料形成不同的声阻，在人对表层材料接触和按压时，垂直的超声波束能够精准识别操作类型。     从结构上来看， TouchPoint本质上是一片SoC，片上包括嵌入式微控制器、内存、模拟前端和单硅片的超声波传感器 ASIC 组成。Daniel Goehl强调，集成所有模块的单传感器是替代机械按钮的最佳之选，使用多个这种传感器也可实现表面手势操作。   事实上，TouchPoint的最关键点正是其内部的高度集成，传统传感器方案多芯片会增加方案的复杂程度，占用更多的面积，而TouchPoint则已经完成了自我的全封闭操作。   从算法上来看， TouchPoint加入了Z压力（Z-Force）检测，手指在按压过程中会产生应力使材料形变，在此过程中加入Z压力检测能够更好感知材料表面的变化，判断触发是否是误触。Daniel Goehl为记者举例表示，假若刚好有一滴水作用在传感器，一般情况会被误认为是人手接触，因为人手组成大部分也是水，而经过Z压力反馈TouchPoint可以避开这种误触情况。   除此之外，TouchPoint还包括U-Sense™自我调节、输入检测分类器算法，这就是上文提到传感器识别基层材料的算法，通过自我调节机制传感器将动态调整各项参数，达到最佳工作状态。     虽然在通俗解释后，超声传感器似乎没有想象中拥有很高的技术壁垒，“实际上从技术复杂性来讲，研发过程远远没有业界部分人想象的那么简单”，Daniel Goehl强调，TouchPoint并不仅仅是单纯信号传导和接受的过程，产品既实现了系统级集成，也囊括了复杂的材质和厚度识别算法，实现过程中存在也拥有很多难点。   极具广阔的应用趋势 根据Daniel Goehl 的介绍，今年CES2021期间，已向媒体宣布将在本月完成超声传感器的量产，并将会交付给下游客户，包括手机制造商及消费电子产商。Daniel Goehl预测，大约今年3-4月份就将会有搭载该解决方案的产品在市场浮现。   虽然UltraSense在技术底蕴上超过十余年，不过公司毕竟还是新兴公司，很多人并不熟悉，特别是国内市场。Daniel Goehl强调，UltraSense对中国市场非常熟悉，目前正在和中国市场一些智能手机厂商进行合作，大家将在2021年底或2022年初看到新产品问世。除了手机厂商外，中国细分市场包括消费电子、家电、汽车市场都在接洽之中。   受到国内厂商的簇拥和青睐这要得益于产品本身广阔的应用空间，在UltraSense与手机行业厂商接洽中得知，很多客户希望能将手势操作放置在机身背后，使得用户能够非常轻松自拍或控制手机。     除此之外，大部分主流手机厂商也正在寻求使用超声传感器的方式取代现有的电源键、音量键、AI键，还可以在手机上增设超声传感的游戏键、功能键，模拟手柄操作。“5G手机内部非常紧凑，利用超声传感器代替开孔设计的机械按键，既能帮助手机节省空间，也能使手机全身IP防护等级更好”，Daniel Goehl如是说。     “实际上，我们团队在InvenSense时便有大量的手机行业工作经验，当时我们也向行业交付了超过10亿只以上的运动传感器，所以我们非常清楚地了解到手机行业客户的需求是非常高的。”   值得一提的是，生活中随处可见的消费电子产品的机械按键都可用此方案代替，包括TWS无线耳机、智能手表、笔记本电脑、VR眼睛、电动牙刷、4K电视等一切能够想到的设备。     通过多个超声传感器的协作，用户可以获得非常精准的多种人机交互方式，正因小巧且经济实惠，所以这款产品“没有做不到只有想不到”。     而自身非常出色的稳定性，也适用于工作环境较为恶劣的车载环境，利用这种方案未来汽车驾驶的手感将会更加出色，内饰设计也会更强。     反观整个行业，很多场景下使用的传感器仍然还是传统的解决方案，这种方案的小巧简便、精准识别、节省空间、无孔设计，相信能为未来新产品带来新动能。 推荐阅读： 谷歌ARM靠边站！Linux内核贡献，华为反超Intel全球第一 又一项目被曝光！“芯片烂尾”何时休？ 华为麒麟9010被曝光，3nm制程工艺！有望与苹果同台竞技！ 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

出品 21ic论坛  王小琪 网站：bbs.21ic.com 背景：最近整理东西，发现了一个蓝色的小模块，上面还有两个像喇叭的小东西，关键上面还有丝印，用蓝底白字写着“HC-SR04”，于是勾起了我的好奇心，动动小手指，百度找到了这个小板子的信息，原来是一个超声波测距模块，还挺有意思的，而且只引出来了四个引脚，应用也比较简单，下面简单介绍下这个模块以及简单的超声波测距方案。 1.HC-SR04模块实物图和工作原理 1.1实物如下图，可以看到这个模块是双面贴片的，整体感觉大气，印出来了四个引脚，分别是GND,Echo，Trig，VCC具体功能见下方   1.2首先这个模块是要单独供电的，需要给VCC接5V，GND就不多说了关键是Echo和Trig这两个脚，可以看下方的时序图。 a.需要给触发信号即Trig一个大于10us的方波信号 b.模块内部会产生一个8*40KHz的声波，因为是内部产生的，所以引出的四个脚测不出来这个信号，或许可以从PCBA里面其它地方测出，我没深入研究 c.输出回响信号，即Echo会返回一个高电平信号，这个高电平的持续时间和测量距离有关。 计算测距方法：我可以用一个遮挡物挡在两个突出物上方，通过初中的只是我们都知道距离=速度*时间/2，速度在空气中的速度约等于340m/s，时间即Echo的高电平信号。所以我们可以很简单的就测量出遮挡物到模块的距离。 2.要掌握的知识点和设备 2.1硬件环境 我这边用的是HC-SR04模块+STM32F103ZET6开发板+示波器，示波器是帮助分析用，可以验证设计和实际是否一致的工具，可以不要。开发板也只是起一个连接串口调试助手，产生PWM以及输入捕获的一个功能，并不一样要和我一样的开发板，理论上任何一个开发板都可以实现这个功能。 2.2软件知识 要用上面这套工具实现超声波测距的功能，需要的代码知识点也说过了，这里再提一下。 a.PWM输出一个脉冲大于10us的方波到Trig，可以用STM32的定时器输出 b.输入捕获Echo接受到的高电平信号，通过测量接受到的高电平时间，即可通过距离=速度*时间/2计算出距离。 c.串口调试，我们要通过串口调试助手打印出测量的时间和距离，可以方便直观的看到我们的结果。 理论上掌握上面三个技能就可以实现超声波测距的这个简单的项目，当然条条大路通罗马，上面的方式也不是唯一的一种。譬如我可以用信号发生器产生方波，就可以不用定时器了。毕竟工具只是工具而已。 3.代码编写，代码是参考的正点原子的PWM输出和输入捕获，因为项目原理上面说过了，基本就是这两个功能的叠加。我本来想用HAL库来做，但是CUBEMX生成的代码调试没成功，所以最后还是用的原子的标准库来做的。下面代码截取的是main.c和time.c。也是这个项目里面最重要的两个部分。 extern u8 TIM5CH1_CAPTURE_STA; //输入捕获状态 extern u16 TIM5CH1_CAPTURE_VAL; //输入捕获值 int main(void){ u32 temp=0; double ss=0; delay_init(); //延时函数初始化 NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2); //设置NVIC中断分组2:2位抢占优先级，2位响应优先级 uart_init(115200); //串口初始化为115200 TIM3_PWM_Init(71,199); //不分频。PWM频率=72000/(899+1)=80Khz TIM5_Cap_Init(0XFFFF,72-1); //以1Mhz的频率计数 while(1) { delay_ms(10);// TIM_SetCompare2(TIM3,TIM_GetCapture2(TIM3)+1); TIM_SetCompare2(TIM3,63); if(TIM_GetCapture2(TIM3)==300)TIM_SetCompare2(TIM3,0); if(TIM5CH1_CAPTURE_STA&0X80)//成功捕获到了一次上升沿 { temp=TIM5CH1_CAPTURE_STA&0X3F; temp*=65536;//溢出时间总和 temp+=TIM5CH1_CAPTURE_VAL;//得到总的高电平时间 ss=temp*340/2/1000; printf("高电平时间:%d us\r\n",temp);//打印总的高点平时间 printf("测试距离为:%3.0f mm\r\n",ss); TIM5CH1_CAPTURE_STA=0;//开启下一次捕获 delay_ms(500); } }} void TIM3_Int_Init(u16 arr,u16 psc){ TIM_TimeBaseInitTypeDef TIM_TimeBaseStructure; NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure; RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_TIM3, ENABLE); //时钟使能 TIM_TimeBaseStructure.TIM_Period = arr; //设置在下一个更新事件装入活动的自动重装载寄存器周期的值 计数到5000为500ms TIM_TimeBaseStructure.TIM_Prescaler =psc; //设置用来作为TIMx时钟频率除数的预分频值 10Khz的计数频率 TIM_TimeBaseStructure.TIM_ClockDivision = 0; //设置时钟分割:TDTS = Tck_tim TIM_TimeBaseStructure.TIM_CounterMode = TIM_CounterMode_Up; //TIM向上计数模式 TIM_TimeBaseInit(TIM3, &TIM_TimeBaseStructure); //根据TIM_TimeBaseInitStruct中指定的参数初始化TIMx的时间基数单位 TIM_ITConfig( //使能或者失能指定的TIM中断 TIM3, //TIM2 TIM_IT_Update | //TIM 中断源 TIM_IT_Trigger, //TIM 触发中断源 ENABLE //使能 ); NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel = TIM3_IRQn; //TIM3中断 NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 0; //先占优先级0级…

  我们大家都知道电容器在电子电路中一直扮演着相当重要的角色，在电子电路中负责信号的偶合、RC电路中伏安特性的微分如积分、振荡电路中的“槽路”、旁路和电源滤波等。 铝电解电容器是由经过腐蚀和形成氧化膜的阳极铝箔、经过腐蚀的阴极铝箔、中间隔着电解纸卷绕后，再浸渍工作电解液，然后密封在铝壳中而制成的。 1 为什么铝电解质电容不能承受反向电压？ 由于电解电容器存在极性，在使用时必须注意正负极的正确接法，否则不仅电容器发挥不了作用，而且漏电流很大，短时间内电容器内部就会发热，破坏氧化膜，随即损坏。如图为铝电解电容的基本结构，它由阳极( anode )、在绝缘介质上附着的氧化铝构成的铝层，接收极的阴极铝层，和真正的由电解液构成的阴极。电解液浸透在两个铝层间的纸上。氧化铝层是通过电镀在铝层上，相对于加在其上的电压来说是非常薄的，很容易被击穿，导致电容失效。 氧化铝层可以承受正向的直流电压，如果其承受反向的直流电压，其很容易在数秒内失效。这个现象被称为‘Valve Effect ’，这就是为什么铝电解电容拥有极性的原因，如果电解电容的两个电极都有氧化层，则形成无极性电容。 许多文章报道了铝电解电容反向电压的阈值现象的机理，叫做氢离子理论( Hydrogen ion theory )，当电解电容承受反向直流电压的时候，即电解液的阴极承受正向电压而氧化层承受负电压，集合在氧化层的氢离子就将穿过介质达到介质和金属层的边界，转化成氢气，氢气的膨胀力使得氧化层脱落。 因此电流在击穿电解液后直接流通电容，电容失效，这个直流电压非常小，在 1~2V 的反向直流电压作用下，铝电解电容在几秒钟就会因为氢离子效应而立即失效。相反，当电解电容承受正向电压时候，负离子集结在氧化层之间，因为负离子的直径非常大，其并不能击穿氧化层，所以能承受较高电压。 2 常见的与电解质电容器相关的名词有哪些呢？ 阳极( anode )：阳极铝层，即电解电容的正极。2. 阴极( cathode )：电解液层。3. 电介质( Dielectric di )：附着在铝层表面的氧化铝层。4. 阴极箔( Cathode Foil )：连接电解液和外部的层，这层在制作中并不需要氧化，但是在实际中由于在蚀刻过程中铝容易被氧化，所以其形成了一个自然被氧化的氧化层，这个氧化层可以承受 1~2v 的电压。5. 绝缘纸 (spacer paper): 隔离阴极和阳极，让他们不直接短接，并吸附一定量的电解液。 3 无极性电容和有极性电容的异同在哪里？ 无极性电容和无极性电解电容器一样吗? 绝大多数种类的电容都是无极性的，唯独电解电容有极性，电解电容当中，又有很特殊的无极性电解电容。与普通电容相比，电解电容的容量大、价格低、体积小是其他电容无法比拟的，但是电解电容一般都有极性，而且工作可靠性、耐压、耐温、介质损耗等指标都不如其他电容。 所谓无极性电解电容，实际上就是将两个同样的电解电容背靠背封装在一起。这种电容损耗大、可靠性低、耐压低，只能用于少数要求不高的场合。 4 有极性电容反接后会怎么样？ 如果电容容量很小，耐压很高，工作电压低的话，反接看不出来啥;如果容量稍大(100UF以上)，耐压离工作电压近，电容不会超过10分钟就坏，坏的表现形式是：先鼓包，再吹气，然后爆浆。 5 有极性电容器反接会爆炸，是不是说不能直接接在交流电源上? 不能接到交流电源上，因为这个有极性电容设计就是用在直流电源上，作滤波用，因为这个有极性电容内部有特殊的物质，这个物质不能承受反压，如果通到交流电上就会反向击穿或爆炸。 极性电容反接为什么会短路? 极性电容内部结构分为正极、介质层、负极，介质层具有单向导电的性质，当然接反后产品介质层就起不到绝缘的作用了，电容自然就短路了。 6 为什么把电解电容器正负极接反时电阻率变小?  涉及到电解电容器的原理：正接时电容器的正极会形成极薄的氧化膜(氧化铝)来作为电介质;反接时金属铝薄片(电容正极)是接电源负极的，会电解出H2来而不会形成氧化膜，另一电极由于材料不同也不会形成可以作为电介质的氧化膜。 7 纯交流电路中为什么只能使用无极性电容器? 在直流电压叠加交流信号的电路中，且能保证叠加后的最低电压不会成为负值，就可以使用有极性的电容器。在容量相同的情况下，有极性的电容器的体积和成本都远小于无极性的电容器，所以需要较大的电容量情况下，电容器的体积是一个较大的矛盾，能用无极性的电容器的场合，都自然会用有极性的电容器替代，不仅解决了体积问题，成本也低很多，何其不乐。大电容可以滤除较低频率以上的交流信号，小电容则只能滤除较高频率以上的信号。 8 什么是电解电容？ 电解电容是电容的一种，介质有电解液涂层，有极性，分正负不可接错。电容(Electric capacity)，由两个金属极，中间夹有绝缘材料(介质)构成。 电解电容器特点一：单位体积的电容量非常大，比其它种类的电容大几十到数百倍。电解电容器特点二：额定的容量可以做到非常大，可以轻易做到几万μf甚至几f(但不能和双电层电容比)。电解电容器特点三：价格比其它种类具有压倒性优势，因为电解电容的组成材料都是普通的工业材料，比如铝等等。 制造电解电容的设备也都是普通的工业设备，可以大规模生产，成本相对比较低。电解电容器通常是由金属箔(铝/钽)作为正电极，金属箔的绝缘氧化层(氧化铝/钽五氧化物)作为电介质，电解电容器以其正电极的不同分为铝电解电容器和钽电解电容器。铝电解电容器的负电极由浸过电解质液(液态电解质)的薄纸/薄膜或电解质聚合物构成;钽电解电容器的负电极通常采用二氧化锰。由于均以电解质作为负电极(注意和电介质区分)，电解电容器因而得名。 有极性电解电容器通常在电源电路或中频、低频电路中起电源滤波、退耦、信号耦合及时间常数设定、隔直流等作用。一般不能用于交流电源电路，在直流电源电路中作滤波电容使用时，其阳极(正极)应与电源电压的正极端相连接，阴极(负极)与电源电压的负极端相连接，不能接反，否则会损坏电容器。 9 有极性电容和无极性电容在性能、原理结构上有什么不可忽视的异同? 有极性电容是指电解电容一类的电容,它是由阳极的铝箔和阴极的电解液分别形成两个电极,由阳极铝箔上产生的一层氧化铝膜做为电介质的电容.由于这种结构,使其具有极性,当电容正接的时候,氧化铝膜会由于电化反应而保持稳定,当反接的时候,氧化铝层会变薄,使电容容易被击穿损坏.所以电解电容在电路中必须注意极性.普通的电容是无极性的,也可以把两个电解电容阳极或阴极相对串连形成无极性电解电容。 1、原理相同。 （1）都是存储电荷和释放电荷； （2）极板上的电压(这里把电荷积累的电动势叫电压)不能突变。 2、介质不同。 介质是什么东西?说穿了就是电容器两极板之间的物质。有极性电容大多采用电解质做介质材料，通常同体积的电容有极性电容容量大。另外，不同的电解质材料和工艺制造出的有极性电容同体积的容量也会不同。再有就是耐压和使用介质材料也有密切关系。无极性电容介质材料也很多，大多采用金属氧化膜、涤纶等。由于介质的可逆或不可逆性能决定了有极、无极性电容的使用环境。 3、性能不同。 性能就是使用的要求，需求最大化就是使用的要求。如果在电视机里电源部分用金属氧化膜电容器做滤波的话，而且要达到滤波要求的电容器容量和耐压。机壳内恐怕也就只能装个电源了。所以作为滤波只能使用有极性电容，有极性电容是不可逆的。 就是说正极必须接高电位端，负极必须接低电位端。一般电解电容在1微法拉以上，做偶合、退偶合、电源滤波等。无极性电容大多在1微法拉以下，参与谐振、偶合、选频、限流、等。当然也有大容量高耐压的，多用在电力的无功补偿、电机的移相、变频电源移相等用途上。无极性电容种类很多，不一一赘述。 4、容量不同。 前面已经讲过同体积的电容器介质不同容量不等，不一一赘述。 5、结构不同。 原则上讲不考虑尖端放电的情况下，使用环境需要什么形状的电容都可以。通常用的电解电容(有极性电容)是圆形，方型用的很少。无极性电容形状千奇百变。像管型、变形长方形、片型、方型、圆型、组合方型及圆型等等，看在什么地方用了。当然还有无形的，这里无形指的就是分布电容。 对于分布电容在高频和中频器件中决不可忽视。功能上是一样的。主要区别是在容量上，受材料结构的影响，一般无极性电容的容量都比较小，一般在10uF以下，而极性电容的容量普遍较大。比如在进行电源滤波的时候，你不得不使用大容量的极性电容。 电路设计的一个基本原则就是要求设计者充分了解和掌握现实中的元器件，所用的元器件尽量是标准件，通用件，最好是市场上最普通的型号(元器件的通用性越好，采购越容易，供货商产量越大，采购成本越低)。对于图纸中所用元器件，要是只有定做才能获得的材料，其成本肯定不低。如果是定做都不能获得，那这张设计图就等同于废纸。 此外，大电容适合滤除低频信号，小电容滤除高频信号(原理见电路基础，容抗与频率的关系部分)。不过退耦仅仅是电容的一个作用，电容还有其他作用，不同种类的电容特性，用法都有很大差异，原理图上的电容只是一个符号而已，背后的技巧多着呢。这方面跟经验很有关系，不可能速成，只能通过实践慢慢积累。 10 电容器该如何分类呢？ 按电容器里面的电介质分空气电容器：用空气作电介质的电容器，如：收音机里面“调谐”用的可变电容器。 纸质电容器：用一种专用的电容纸做电介质的电容器。 电解电容器：用电解质作电介质的电容器。 云母电容器：用天然的云母作电介质的电容。 瓷片电容器：用单层陶瓷材料作电介质的电容器。 独石电容器：也是用陶瓷材料作电介质的电容器，为了解决单层瓷片电容器容量小的缺点，实际就是用多个瓷片电容串联起来的电容器。 涤纶功电容器：用尼龙材料作电介质的电容器。 铌电容器：它用金属铌[ní]做正极，用稀硫酸等配液做负极，用铌表面生成的氧化膜做介质制成的一种电容器 。 钽电容器：是一种用金属钽(Ta)作为阳极材料而制成的一种电容器。 绕线式电容器：是一种用金属丝绕在电介质上作电极的电容器，可用改变金属丝的匝数的办法来调整电极面积大小从而调整容量的大小。 油浸纸质电容器：用一种中性砊物油来做电介质的电容器，多用在电力系统…… 按照电容的可调性分为：固定电容：电容值不变的电容器。 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

企查查大数据研究院发布《近十年我国芯片半导体品牌投融资报告》显示，近十年我国芯片半导体赛道共发生投融资事件3169件，总投融资金额超6025亿元，2020年共发生投融资事件458起，总融资金额高达1097.69亿元，共有16家企业超过10亿元，最高融资金额为中芯国际，合计198.5亿元。 从近十年的总融资金额排名看，企查查数据显示，紫光集团以单笔1500亿元的融资金额稳居榜首，安世半导体、中芯南方分列二三位。从融资次数排名来看，芯原股份以11次稳居榜首，利扬芯片以10次紧随其后。 2017年芯片半导体行业共发生投融资总金额2105亿元，为十年来最高峰，其中1500亿元融资被行业巨头紫光集团一举拿下。 2020年半导体行业共发生投融资事件458起，总金额高达1097.69亿元，投融资数量和金额均在过去十年中排第二位。其中最高融资金额被中芯国际拿下，合计198.5亿元。此外，2020年芯片半导体赛道共发生A轮以及pre-A轮融资111起，占比约为24%。 END 来源：EETOP 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

1月9日中午12时许，拼多多一员工在湖南长沙的家中跳楼自杀。 据拼多多相关人员介绍，该员工谭某林于1月8日早上8时37分向主管请假，但未说明请假原因。1月9日中午从长沙27楼家中跳下，当场离世，法医到场勘验后确认自杀。谭某林于2020年7月8日入职拼多多，岗位为技术开发工程师。 1月9日晚间，拼多多内部通告显示，拼多多派出的工作小组已抵达长沙，将全力配合家属善后。该通告显示：“谭某林家人提供的信息，谭某林在家当晚已购买次日（1月9日）下午自长沙返回上海的东航机票。” 据拼多多介绍，此前，谭某林已通过公司试用期，并于2020年12月30日完成转正流程。公司系统显示，谭某林绩效平均分80分左右（100分制）。   来源：红星新闻 推荐阅读： 谷歌ARM靠边站！Linux内核贡献，华为反超Intel全球第一 又一项目被曝光！“芯片烂尾”何时休？ 华为麒麟9010被曝光，3nm制程工艺！有望与苹果同台竞技！ 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

出品 21ic论坛  呐咯密密 网站：bbs.21ic.com ST的价格和交期不用多说，大家都明白，在产品中大量使用ST的芯片的公司都在寻找国产替代的出路。我们的产品追求的的是MCU的串口相应速度，在网友的使用评价和我们针对性测试之后，GD32最终被定为最优的产品，不仅性能符合要求，价格也是十分便宜，用来替换ST最好不过了。项目的初期，我们和GD的代理进行了面对面的交流，他们推介通过修改相关寄存器直接烧录ST的代码，但是我们实测并不理想。于是在他们的配合下成功使用GD自带的固件库替换掉了ST的芯片。产品实测无任何问题，甚至由于GD更高的主频，运行效果远超预期！国产芯片，未来可期！ 下面就进行ST对GD的代码移植： 区别：GD32E230 对比 STM32F030 有着很好的兼容性和更高的性价比，内核和外设都有所增强。 STM32F030 与 GD32E230 在相同封装下是 Pin To Pin 兼容的。 外设上本人觉得 GD32E230 功能覆盖 STM32F030，大部分外设 GD32E230 完全兼容 STM32F030， 后文我会具体介绍。   需要 注意： STM32F030 外设编号从 1 开始， GD32E103 外设编号从 0 开始，且命名有差异。  这里介绍了STM32F030 系列和 GD32E230 系列内部资源对比总览       因为GD在主频上高于ST，所以在使用直接烧录的方式移植时会出现延时不同等问题，这也是我不采用此方法的原因，不如直接重写代码。 我们可以从最常用的开始，因为时间原因，不可能全部的函数都移植，这里介绍最常用的。 GPIO:例如我们使用STM32 USART1前需要初始化相关的IO操作： 我们需要对GPIO的时钟进行初始化，然后定义端口的复用模式，然后设置PA9,PA10的IO模式速度等参数。因为使用了RS485，还要对使能口进行设置，这一点在GD上同样需要进行。 只不过相对于ST的库函数，GD的更加简洁，因为GD的库函数的集成度更高，使用起来更加方便快捷。 代码的最后两行应该是设置端口的输出高低电平，我采用了寄存器的方式。加快代码运行速度。 原型是：gpio_bit_set(uint32_t gpio_periph,uint32_t pin);             gpio_bit_reset(uint32_t gpio_periph,uint32_t pin); 串口：GPIO初始化完成之后我们需要配置串口： 这里大家都知道的，配置串口的时钟，波特率，起始位，停止位，数据位。这一点在GD上面同样的体现模式： 可以看得到的是代码的简洁程度是不同的，GD的外设配置和ST的HAL库有些类似，精简了代码量，但是设置的东西还是一样的。 设置完成后就可以使用库函数的发送和接收函数： 需要提的一点是，串口发送完成的判断应该使用while(RESET == usart_flag_get(USART0, USART_FLAG_TC));我在这里卡住过，这个是最优的方式。 接收函数的代码执行效率着实不高。我使用的是直接操作寄存器，有需要的可以借鉴一下。 如果需要使用串口中断，直接调用一下几个函数： nvic_irq_enable(USART0_IRQn, 0); 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

出品 21ic论坛   791314247 生命在于运动，技术在于折腾，你是否厌倦了在keil、iar下孜孜不倦的写代码、debug，是否玩累了在外部编辑器下写代码，然后在转到ide下进行仿真、下载等操作呢？ 这个教程将介绍下如何在vscode下实现这些操作，真正实现一个vscode可以吃天、实现编译仿真下载一条龙服务，而你只需要在vscode下的终端敲几个命令而已。。。 本教程以阿波罗开发板stm32f429igt6为例，先瞅瞅最终界面 最终可以用的功能如下： 1，vscode终端下执行make指令，即可在build文件下编译出.hex .bin .elf文件，中间文件放在build/Obj/文件夹下 2，执行make clean，可清除build文件夹 3，执行make download，可一键下载hex到目标板子并让板子复位运行，相当于keil的一键下载按钮 4，执行make reset，可以让板子复位运行一下 5，执行make commit，可一键推送到你的github或者giteee远程服务器上去，但前提是你自己创建了这个工程的git 教程如下： 环境：1，下载vscode及必要插件，令需要一个插件Cortex_debug 2，Windows下安装arm-none-eabi-gcc工具链，推荐q4版本下载及安装教程：https://blog.csdn.net/qq_35333978/article/details/110398968 3，Windows下安装Jlink最新版驱动(V6.88a)附件上传不上去，故分享个网盘永久链接链接：加HTTP加斜杠pan.baidu.com/s/11YnBjWtl9L9V7YCQABC60Q提取码：ysgp安装、下载的教程也在上面的链接。 4，GNU make 百度网盘链接和安装教程、添加环境变量教程也在上边的链接。。。 5，git bash 这个不用说，大家都会有的吧，然后需要把vscode的终端换成git bash。百度一下，太容易了。 好了，环境就搭好了，不要嫌麻烦，现在越麻烦，你用起来越方便！ 编译：编译只需在vscode终端中执行make指令就行，如下图： 仿真：仿真的话需要vscode下的插件cortex debug，这个教程我粘贴上我之前写的国产芯片fm33lc02x的教程，大家只要把芯片名字换成STM32F429就行 (1) vscode下载插件cortex debug插件 (2) 创建launch.json文件 如下图所示： 然后选择Cotrex Debug即可创建好launch.json文件 (3) 配置launch.json文件 稍微按照自己的芯片修改下就好，以FM33LC026为例： 然后将厂商提供的.svd文件放到你的工程根目录即可开始仿真，可以看变量、看外设寄存器、内核寄存器等等，还可以保存你的断点等。 然后实现这一切的核心就是makefile文件，不用管，我已经帮你写好了，而且全部中文注释，各种参数也是取自stm32cube的makefile参数，放心的用，放心的学！然后我将在附件提供一个基于阿波罗开发板stm32f429igt6的点灯例程。如果的芯片不是stm32f429，但只要你的核是arm核，本例程本makefile，通通能用！换芯片后你需要改以下内容： 1，找到你的芯片的基于gcc的启动文件和链接脚本，一般问厂商要肯定有的，不用自己写，然后替换到根目录下的2个对应文件 2，改以下内容，是不是看起来特简单。 然后，就搞定了，具体的参数可以去stm32cube上生成一个对应内核的makefile，然后参考下就行了，其实其他核是更简单的。教程可能有点乱，后期我会在整理下。 最后附上我的整个makefile    #*************************************************************************   #  **   #  ** File         : Makefile   #  ** Abstract     : This is the introduction to the document   #  ** Author       : wr   #  ** mail         : 791314247@q.com   #  ** Created Time : 2020年11月22日 星期日 11时58分06秒   #  ** copyright    : COPYRIGHT(c) 2020   #  **   #  ************************************************************************/      ifneq ($(V),1)   Q := @   else   Q :=   endif      ################################以下项目需用户根据需要更改##########################   # 输出文件的名称，默认为main(main.elf main.bin main.hex)   TARGET := main      #链接文件名称和所在路径   LDSCRIPT := ./STM32F429IGTx_FLASH.ld      #启动文件名称和所在路径   START_FILE_SOURCES := ./startup_stm32f429xx.s      #内核选择，FPU, FLOAT-ABI可为空   CPU       := -mcpu=cortex-m4   FPU       := -mfpu=fpv4-sp-d16   FLOAT-ABI := -mfloat-abi=hard      #系统宏定义   C_DEFS    := \   -DUSE_HAL_DRIVER \   -DSTM32F429xx      # 芯片型号，用于Jlink仿真调试、下载   CHIP      := STM32F429IG      # 选择优化等级:   # 1. gcc中指定优化级别的参数有：-O0、-O1、-O2、-O3、-Og、-Os、-Ofast。   # 2. 在编译时，如果没有指定上面的任何优化参数，则默认为 -O0，即没有优化。   # 3. 参数 -O1、-O2、-O3 中，随着数字变大，代码的优化程度也越高，不过这在某种意义上来说，也是以牺牲程序的可调试性为代价的。   # 4. 参数 -Og 是在 -O1 的基础上，去掉了那些影响调试的优化，所以如果最终是为了调试程序，可以使用这个参数。不过光有这个参数也是不行的，这个参数只是告诉编译器，编译后的代码不要影响调试，但调试信息的生成还是靠 -g 参数的。   # 5. 参数 -Os 是在 -O2 的基础上，去掉了那些会导致最终可执行程序增大的优化，如果想要更小的可执行程序，可选择这个参数。   # 6. 参数 -Ofast 是在 -O3 的基础上，添加了一些非常规优化，这些优化是通过打破一些国际标准（比如一些数学函数的实现标准）来实现的，所以一般不推荐使用该参数。   # 7. 如果想知道上面的优化参数具体做了哪些优化，可以使用 gcc -Q –help=optimizers 命令来查询。   OPT       := -Og      # 是否将debug信息编译进.elf文件，默认打开   DEBUG     := 1     …