传闻许久的“百度、吉利联手造车”终于在今日尘埃落定！ 2021年1月11日，百度作为全球领先的人工智能平台型公司，宣布正式组建一家智能汽车公司，以整车制造商的身份进军汽车行业；吉利控股集团将成为新公司的战略合作伙伴。 据悉，新组建的百度汽车公司将面向乘用车市场，让用户购买到更极致的智能电动汽车。百度汽车公司将着眼于智能汽车的设计研发、生产制造、销售服务全产业链，传承百度强大的人工智能、互联网科技基因，利用Apollo领先的自动驾驶能力，发挥在汽车智能化领域长达8年的经验优势，重塑智能汽车产品形态，成为智能出行时代的变革者。 百度汽车公司独立于母公司体系，保持自主运营；同时，百度将人工智能、Apollo自动驾驶、小度车载、百度地图等核心技术全面赋能汽车公司，支持其快速成长。

我们只知道晶振是一种频率元器件，而对于晶振有分基频晶振和泛音晶振的人可能少之又少。 那么什么是基频晶振，什么又是泛音晶振了，两种在电路中的使用有什么区别了。 晶振的振动就像弹簧；晶体的振动频率和石英晶体的面积、厚度、切割取向等有关。 越长的抖得越慢； 越粗的抖得越慢； 越软的抖得越慢； 不过，太短太细太硬的抖不起来。 晶振是机械振动，具有机械振动的特征：形状、几何尺寸、质量等，决定振动频率。 晶振普遍由石英材质或者陶瓷材质加上内部的晶片组合而成，而晶振的频率大小取决于晶片的厚度影响。首先，在制作工艺来讲，晶片大小以及晶片厚薄与晶振的频率密切相关，一般来说，石英晶振的频率越高，需要的石英晶片越薄。比如40MHz的石英晶体所需的晶片厚度是41.75微米，这样的厚度还算可以做到，但100MHz的石英晶体，所需的晶片厚度则是16.7微米。即使厚度可做到但损耗非常高，制成成品后轻轻一跌晶片就碎裂。所以一般在高频的晶体就要采用三次泛音、五次泛音、七次泛音的技术来达到了。比如基频为20MHz的晶体，五次泛音之后就可以得到100MHz的晶体。一般以经验来讲，40MHz以下基本都是基频晶振，而40MHz以上，则是泛音晶振了。 因此，我们不难理解，为什么很多有源晶振频率基本都算高频的，并且成本也相对比较贵，有源晶振的成本除了内部晶片较薄以外，再就是自身有加一个振荡片。 那么，基频晶振和泛音晶振在使用上又会有什么不同？两者在使用上肯定是有区别的，比如基频的晶体，只需要接入适当的电容就可以工作，而泛音晶振则需要电感和电容配合使用才可振出泛音频率，否则就只能振出基频了。 泛音晶振简介：石英晶振是采用石英晶片制成的，而不同频率的石英晶振对应的石英晶片的大小、厚薄是不一样的，一般来讲，石英晶振的频率越高，需要的石英晶片越薄。比如40MHz的石英晶体所需的晶片厚度是41.75微米，这样的厚度还算可以做到，但100MHz的石英晶体，所需的晶片厚度则是16.7微米。即使厚度可做到，但损耗非常高，制成成品后轻轻一跌晶片就碎裂。所以一般在高频的晶体就要采用三次泛音、五次泛音、七次泛音的技术来达到了。 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

· 2020年第四季度初步净营收32.4亿美元，高于预期 · 2020年第四季度及全年财报公布日期：2021年1月28日，星期四 中国，2021年1月11日—— 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST) 于日前宣布，截至2020年12月31日第四季度未经审计的净营收初步数据高于公司2020年10月新闻稿中的业务前景预期。 2020年第四季度初步净营收32.4亿美元，环比增长21.3%，超预期最高值580个基点。此前预测2020年第四季度净营收29.9亿美元，环比增长12.0%，上下浮动350个基点。 意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示：“我们以超预期的净营收告别了第四季度，因为整个季度市场行情明显好于预期。我们在个人电子产品领域已开展的客户项目，以及市场需求特别是汽车产品和微控制器的需求持续快速增长，是促成营收增长的主要因素。我们2020全年收入达到102.2亿美元，比2019全年增长6.9%。我期待在2021年1月28日的财报分析电话会议上，详细介绍2020年第四季度和全年的财务业绩，以及我们2021年第一季度的营收预测”。 意法半导体将在2021年1月28日星期四在欧洲证券交易所开盘之前发布2020年第四季度和全年财报。 在财报公布后，意法半导体将在公司网站上即刻发布财报新闻稿。 意法半导体将在2021年1月28日中欧时间(CET)上午9:30 /美国东部时间(ET)上午3:30召开财报电话会议，与分析师、投资者和记者讨论2020年第四季度和全年财务业绩，以及当前业务前景。 意法半导体网站将直播电话会议(仅收听模式)，一直到2021年2月12日前可以重复收听。 在意法半导体网站上还可以查看2020年资本市场日(Capital Market Day) 四场会议的材料。这四场会议是2020年9月15日召开的微控制器和数字产品部市场日、2020年11月6日的汽车和分立产品部市场日、2020年11月20日的模拟器件、MEMS和传感器产品部市场日和2020年12月9日的战略最新进展市场日。

摘要 模拟带宽的重要性高于其他一切在越来越多的应用中得到体现。随着GSPS或RF ADC的出现，奈奎斯特域在短短几年内增长了10倍，达到多GHz范围。这帮助上述应用进一步拓宽了视野，但为了达到X波段(12 GHz频率)，仍然需要更多带宽。在信号链中运用采样保持放大器(THA)，可以从根本上扩展带宽，使其远远超出ADC采样带宽，满足苛刻高带宽的应用的需求。本文将证明，针对RF市场开发的最新转换器前增加一个THA，便可实现超过10 GHz带宽。 简介 GSPS转换器是当下热门，其优势在于既能缩短RF信号链，又能在FPGA中创建更多资源结构以供使用，例如：减少前端的下变频以及后级的数字下变频器(DDC)。但相当多的应用仍然需要高频率的原始模拟带宽(BW)，其远远超出了RF转换器所能实现的水平。在此类应用中，特别是在国防与仪器仪表行业(无线基础设施也一样)，仍然有将带宽完全扩展到10 GHz或以上的需求，覆盖范围超出C波段，越来越多的应用需要覆盖到X波段。随着高速ADC技术的进步，人们对GHz区域内高速精确地分辨超高中频(IF)的需求也在提高，基带奈奎斯特域已超过1 GHz并迅速攀升。这一说法到本文发表的时候可能即已过时，因为这方面的发展非常迅猛。 这带来了两大挑战：一个是转换器设计本身，另一个是将信号耦合到转换器的前端设计，例如放大器、巴伦和PCB设计。转换器性能越出色，就对前端信号质量要求更高。越来越多的应用要求使用分辨率在8到14位的高速GSPS转换器，然而前端的信号质量成为了瓶颈-系统的短板决定了整个项目的指标。 本文定义的宽带是指使用大于数百MHz的信号带宽，其频率范围为DC附近至5 GHz-10 GHz区域。本文将讨论宽带THA或有源采样网络的使用，目的是实现直至无穷大的带宽(抱歉，现在还没有玩具总动员表情符号可用)，并着重介绍其背景理论，该理论支持扩展RF ADC的带宽，而RF ADC单凭自身可能没有此能力。最后，本文将说明一些考虑因素和优化技术，以帮助设计人员实现超宽带应用切实可行的宽带解决方案。 打好基础 对于雷达、仪器仪表和通信应用，高GSPS转换器应用得非常广泛，因为它能提供更宽的频谱以扩展系统频率范围。然而，更宽的频谱对ADC本身的内部采样保持器提出了更多挑战，因为它通常未针对超宽带操作进行优化，而且ADC一般带宽有限，在这些更高模拟带宽区域中其高频线性度/SFDR会下降。 因此，在ADC前面使用单独的THA来拓展模拟带宽成为了一个理想的解决方案，如此便可在某一精确时刻对频率非常高的模拟/RF输入信号进行采样。该过程通过一个低抖动采样器实现信号采样，并在更宽带宽范围内降低了ADC的动态线性度要求，因为采样率RF模数转换过程中保持不变。 这种方案带来的好处显而易见：模拟输入带宽从根本上得以扩展，高频线性度显著改善，并且与单独的RF ADC性能相比，THA-ADC组件的高频SNR得到改进。 THA特性及概述 ADI的THA系列产品可以在18 GHz带宽范围内提供精密信号采样，在DC至超过10 GHz的输入频率范围内具有9到10位线性度、1.05 mV噪声和<70 fs的随机孔径抖动性能。该器件可以4 GSPS工作，动态范围损失极小，具体型号包括HMC661和HMC1061。这些跟踪保持放大器可用于扩展高速模数转换和信号采集系统的带宽和/或高频线性度。 以单级THA HMC661为例，产生的输出由两段组成。在输出波形(正差分时钟电压)的采样模式间隔中，器件成为一个单位增益放大器，在输入带宽和输出放大器带宽的约束下，它将输入信号复制到输出级。在正时钟到负时钟跃迁时，器件以非常窄的采样时间孔径对输入信号采样，并且在负时钟间隔内，将输出保持在一个相对恒定的代表采样时刻信号的值。配合ADC进行前端采样时，常常优先使用单级器件(ADI 同时法布里了两级THA 的型号HMC1061)，原因是多数高速ADC已经在内部集成一个THA，其带宽通常要小得多。因此，在ADC之前增加一个THA便构成一个复合双级组件(或一个三级组件，如果使用的是双级HMC1061)，THA在转换器前面。采用同等技术和设计时，单级器件的线性度和噪声性能通常优于双级器件，原因是单级器件的级数更少。所以，单级器件常常是配合高速ADC进行前端采样的最佳选择。 延迟映射THA和ADC 开发采样保持器和ADC信号链的最困难任务之一，是在THA捕获采样事件的时刻与应将其移到ADC上以对该事件重新采样的时刻之间设置适当的时序延迟。设置两个高效采样系统之间的理想时间差的过程被称为延迟映射。 图1.采样保持拓扑结构：(1a)单列，(1b)双列。 图2.延迟映射电路。 在电路板上完成该过程可能冗长乏味，因为纸面分析可能不会考虑PCB板上时钟走线传播间隔造成的相应延迟，内部器件组延迟，ADC孔径延迟，以及将时钟分为两个不同段所涉及到的相关电路(一条时钟走线用于THA，另一条时钟走线用于ADC)。设置THA和ADC之间延迟的一种方法是使用可变延迟线。这些器件可以是有源或无源的，目的是正确对准THA采样过程的时间并将其交给ADC进行采样。这保证了ADC对THA输出波形的稳定保持模式部分进行采样，从而准确表示输入信号。 如图2所示，HMC856可用来启动该延迟。它是一款5位QFN封装，90 ps的固有延迟，步进为3 ps或25ps ，32位的高速延时器。它的缺点是要设定/遍历每个延迟设置。要使能新的延迟设置，HMC856上的每个位/引脚都需要拉至负电压。因此，通过焊接下拉电阻在32种组合中找到最佳延迟设置会是一项繁琐的任务，为了解决这个问题，ADI使用串行控制的SPST开关和板外微处理器来帮助更快完成延迟设置过程。 为了获得最佳延迟设置，将一个信号施加于THA和ADC组合，该信号应在ADC带宽范围之外。本例中，我们选择一个约10 GHz的信号，并施加-6 dBFS的电平(在FFT显示屏上捕获)。延迟设置现在以二进制步进方式扫描，信号的电平和频率保持恒定。在扫描过程中显示并捕获FFT，收集每个延迟设置对应的基波功率和无杂散动态范围(SFDR)数值。 结果如图3a所示，基波功率、SFDR和SNR将随所应用的每个设置而变化。如图所示，当把采样位置放在更好的地方(THA将样本送至ADC的过程之中)时，基波功率将处于最高水平，而SFDR应处于最佳性能(即最低)。图3b为延迟映射扫描的放大视图，延迟设定点为671，即延迟应该保持固定于此窗口/位置。请记住，延迟映射程序仅对系统的相关采样频率有效，如果设计需要不同的采样时钟，则需要重新扫描。本例中，采样频率为4 GHz，这是该信号链中使用的THA器件的最高采样频率。 图3a.每个延迟设置上信号幅度和SFDR性能的映射结果。 图3b.每个延迟设置上信号幅度和SFDR性能的映射结果(放大)。 针对大量原始模拟带宽的前端设计 首先，如果应用的关键目标是处理10 GHz的带宽，我们显然应考虑RF方式。请注意，ADC仍然是电压型器件，不会考虑功率。这种情况下，“匹配”这个词应该谨慎使用。我们发现，让一个转换器前端在每个频率都与100 MSPS转换器匹配几乎是不可能的;高频率带宽的RF ADC不会有太大的不同，但挑战依旧。术语“匹配”应表示在前端设计中能产生最佳结果的优化。这是一个无所不包的术语，其中，输入阻抗、交流性能(SNR/SFDR)、信号驱动强度或输入驱动、带宽以及通带平坦度，这些指标都能产生该特定应用的最佳结果。 最终，这些参数共同定义了系统应用的匹配性能。开始宽带前端设计时，布局可能是关键，同时应当最大限度地减少器件数量，以降低两个相邻IC之间的损耗。为了达到最佳性能，这两方面均非常重要。将模拟输入网络连接在一起时务必小心。走线长度以及匹配是最重要的，还应尽量减少过孔数量，如图4所示。 图4.THA和ADC布局。 图5.THA和ADC前端网络及信号链。 信号通过差分模式连接到THA输入(我们同时是也提供单端射频信号输入的参考设计链路)，形成单一前端网络。为了最大限度地减少过孔数量和总长度，我们在这里特别小心，让过孔不经过这两条模拟输入路径，并且帮助抵消走线连接中的任何线脚。 最终的设计相当简单，只需要注意几点，如图5所示。所使用的0.01 μF电容是宽带类型，有助于在较宽频率范围内保持阻抗平坦。典型的成品型0.1 μF电容无法提供平坦的阻抗响应，通常会在通带平坦度响应中引起较多纹波。THA输出端和ADC输入端的5Ω和10Ω串联电阻，有助于减少THA输出的峰化，并最大限度地降低ADC自身内部采样电容网络的残余电荷注入造成的失真。然而，这些值需要谨慎地选择，否则会增加信号衰减并迫使THA提高驱动强度，或者设计可能无法利用ADC的全部量程。 最后讨论差分分流端接。当将两个或更多转换器连接在一起时，这点至关重要。通常，轻型负载(例如输入端有1 kΩ负载)有助于保持线性并牵制混响频率。分流器的120 Ω分流负载也有此作用，但会产生更多实际负载，本例中为50 Ω，这正是THA希望看到并进行优化的负载。 现在看结果!检查图6中的信噪比或SNR，可以看出在15 GHz范围上可以实现8位的ENOB(有效位数)。这是相当不错的，想想对于相同性能的13 GHz示波器，您可能支付了12万美元。当频率向L、S、C和X波段移动时，集成带宽(即噪声)和抖动限制开始变得显著，因此我们看到性能出现滚降。 还应注意，为了保持THA和ADC之间的电平恒定，ADC的满量程输入通过SPI寄存器内部更改为1.0 V p-p。这有助于将THA保持在线性区域内，因为其最大输出为1.0 V p-p差分。 图6.–6 dBFS时的SNRFS/SFDR性能结果。 同时显示了线性度结果或SFRD。这里，到8 GHz为止的线性度超过50 dBc，到10 GHz为止的线性度超过40 dBc。为在如此宽的频率范围上达到最佳线性度，此处的设计利用AD9689模拟输入缓冲电流设置特性进行了优化(通过SPI控制寄存器)。 图7显示了通带平坦度，证明在RF ADC之前增加一个THA可以实现10 GHz的带宽，从而充分扩展AD9689的模拟带宽。 图7.THA和ADC网络及信号链——带宽结果。 对于那些需要在多GHz模拟带宽上实现最佳性能的应用，THA几乎是必不可少的，至少目前是如此!RF ADC正在迅速赶上。很容易明白，在对较宽带宽进行采样以覆盖多个目标频带时，GSPS转换器在理论上具有易用性优势，可以消除前端RF带上的一个或多个向下混频级。但是，实现更高范围的带宽可能会带来设计挑战和维护问题。 在系统中使用THA时，应确保采样点的位置在THA和ADC之间进行了优化。使用本文所述的延迟映射程序将产生总体上最佳的性能结果。了解程序是乏味的，但是非常重要。最后应记住，匹配前端实际上意味在应用的给定一组性能需求下实现最佳性能。在X波段频率进行采样时，乐高式方法(简单地将50 Ω阻抗模块连接在一起)可能不是最好的方法。

宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年1月11日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET® MOSFET—SQJ211ELP，用以提高汽车应用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不仅是业内首款鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件，而且10 V条件下其导通电阻仅为30 mW，达到业内优异水平。 日前发布的新款汽车级MOSFET与最接近的DPAK和D2PAK封装竞品器件相比，导通电阻分别降低26 %和46 %，占位面积分别减小50 %和76 %。SQJ211ELP低导通电阻有助于降低导通功耗，从而节省能源，10 V条件下优异的栅极电荷仅为45 nC，减少栅极驱动损耗。 这款新型MOSFET可在+175°C高温下工作，满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外，SQJ211ELP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测(AOI)功能，消除机械应力，提高板级可靠性。 器件100 V额定值满足12 V、24 V和48 V系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。此外，作为p沟道MOSFET，SQJ211ELP可简化栅极驱动设计，无需配置n沟道器件所需电荷泵。 MOSFET采用无铅(Pb)封装、无卤素、符合RoHS标准，经过100 % Rg和UIS测试。 SQJ211ELP现可提供样品并已实现量产，供货周期为14周。

魁北克市, Jan. 06, 2021 (GLOBE NEWSWIRE) — 1-5级ADAS和AD传感技术领域全球领先企业LeddarTech®很高兴地宣布任命Carl-Peter Forster为董事，进一步增强董事会成员的多元化和经验水平。 Carl-Peter Forster持有波恩大学经济学学位和德国慕尼黑工业大学航空和空间技术学位。 Carl-Peter在汽车行业拥有丰富的高级管理背景，曾任职多家品牌企业，包括在位于慕尼黑的BMW AG担任包括副总裁在内的多个职位。他还曾担任BMW南非公司董事总经理及负责全球制造的BMW AG董事，直至2000年。2001年至2009年期间，Carl-Peter任Adam Opel AG董事总经理，2006起担任General Motors Europe总裁兼首席执行官以及GM汽车全球汽车战略委员会成员。2010年至2011年，他曾担任Tata Motors(Jaguar Land Rover的母公司)首席执行官。 Carl-Peter自2013年以来担任吉利集团董事长特别顾问，同时在多家公司担任董事职务，包括位于瑞典哥德堡的Volvo Cars Group、吉利汽车控股有限公司、吉利-沃尔沃联合技术研发中心(哥德堡)，此外还担任The London Electric Vehicle Company(前称The London Taxi Company)董事长直至2019年。除担任LeddarTech董事之外，Carl-Peter目前还任Chemring Plc的的时候主席、Hella KGaA股东大会主席，并在多家公司担任董事职务，包括IMI Plc, Babcock Plc、The Mobility House AG、Gordon Murray Design Ltd.、Kinexon GmbH、Clear Motion Ltd.和Envisics Ltd。 “LeddarTech董事会十分高兴地欢迎Carl-Peter Forster加入LeddarTech团队”，LeddarTech董事会主席Michel Brûlé先生表示。“Carl-Peter曾在多家世界最大的汽车企业担任领导职位，为我们带来了丰富的行业经验。Carl-Peter在汽车行业以及ADAS和AD技术企业的丰富经验将成为LeddarTech的一项重大资产”，Brûlé先生总结道。

在成功的电源设计中，电源布局是其中最重要的一个环节。但是，在如何做到这一点方面，每个人都有自己的观点和理由。事实是，很多不同的解决方案都是殊途同归；如果设计不是真的一团糟，多数电源都是可以正常工作的。 当然，这其中也有一些通用性规则，例如： 不要在快速切换信号中运行敏感信号。换言之，不要在开关节点下运行反馈跟踪。 确保功率载荷跟踪和接地层大小足以支持当前的电流。 尽量保持至少一个连续的接地层。 使用足够的通孔（通常以每个通孔1A开始），将接地层相连。 除了这些基本的布局规则，笔者通常首先会识别开关回路，然后确定哪些回路具有高频开关电流。图1所示为针对降压电源（原理图和布局）的简化功率级的一个示例。 图1 降压电源原理图和布局 降压电源中存在两种状态（假定连续传导模式）：控制开关（Q1）接通时和控制开关断开时。当控制开关接通时，电流从输入流至电感器。当控制开关断开时，电流继续在电感器流动并流经二极管（D1）。电流连续输出。 但是存在输入脉冲电流，这是在布局中需要关注的部分。在图1中，此回路被标记为“高频回路”，并以蓝色显示。布局的首要目标是将Q1、D1和输入电容与最短、最低电感回路连接。该回路越小，开关产生的噪声便越低。如果忽略这一点，电源将不能有效工作。 识别开关回路的规程适用于所有的电源拓扑结构。规程的各个步骤分别是： 在接通状态确定电流通路。 在断开状态确定电流通路。 找到连续电流的位置。 找到断续电流的位置。 尽量减少断续电流环路。 下面列出了给定功率级配置的关键回路： 降压——输入电容回路。 升压——输出电容回路。 反相降压 -升压——输入和输出电容回路。 反激——输入和输出电容回路。 Fly-Buck——输入电容回路。 SEPIC——输出电容回路。 Zeta——输入电容回路。 正激、半桥、全桥——输入电容循环。 电源布局正如一种艺术形式一般，每个人都有自己的方式，而且很多时候也会起效。需要确保的一点是，在确定功率级的零件位置时，首先确定高频开关回路；这样便可为自己节约时间、免除烦恼。 END 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

二极管是电子电路中很常用的元器件，非常常见，二极管具有正向导通，反向截止的特性。 在二极管的正向端（正极）加正电压，负向端（负极）加负电压，二极管导通，有电流流过二极管。在二极管的正向端（正极）加负电压，负向端（负极）加正电压，二极管截止，没有电流流过二极管。这就是所说的二极管的单向导通特性。下面解释为什么二极管会单向导通。 二极管的单向导电性 二极管是由 PN 结组成的，即 P 型半导体和 N 型半导体，因此 PN 结的特性导致了二极管的单向导电特性。PN 结如图 1 所示。 图 1 ：PN 结示意图 　　 在 P 型和 N 型半导体的交界面附近，由于 N 区的自由电子浓度大，于是带负电荷的自由电子会由 N 区向电子浓度低的 P 区扩散；扩散的结果使 PN 结中靠 P 区一侧带负电，靠 N 区一侧带正电，形成由 N 区指向 P 区的电场，即 PN 结内电场。内电场将阻碍多数载流子的继续扩散，又称为阻挡层。 PN 结详解 二极管的单向导电特性用途很广，到底是什么原因让电子如此听话呢？它的微观机理是什么呢？这里简单形象介绍一下。 　　 假设有一块 P 型半导体（用黄色代表空穴多）和一块 N 型半导体（用绿色代表电子多），它们自然状态下分别都是电中性的，即不带电。如图 2 所示。 图 2 ：P 型和 N 型半导体 　　 把它们结合在一起，就形成 PN 结。边界处 N 型半导体的电子自然就会跑去 P 型区填补空穴，留下失去电子而显正电的原子。相应 P 型区边界的原子由于得到电子而显负电，于是就在边界形成一个空间电荷区。为什么叫“空间电荷区”？是因为这些电荷是微观空间内无法移动的原子构成的。 　　 空间电荷区形成一个内建电场，电场方向由 N 到 P，这个电场阻止了后面的电子继续过来填补空穴，因为这时 P 型区的负空间电荷是排斥电子的。电子和空穴的结合会越来越慢，最后达到平衡，相当于载流子耗尽了，所以空间电荷区也叫耗尽层。这时 PN 结整体还呈电中性，因为空间电荷有正有负互相抵消。如图 3 所示。 图 3 ：PN 结形成内建电场 　　 外 加正向电压，电场方向由正到负，与内建电场相反，削弱了内建电场，所以二极管容易导通。 绿色箭头表示电子流动方向，与电流定义的方向相反。 如图 4 所示。 图 4 ：正向导通状态 　　 外加反向电压，电场方向与内建电场相同，增强了内建电场，所以二极管不容易导通。如图 5 所示。当然，不导通也不是绝对的，一般会有很小的漏电流。随着反向电压如果继续增大，可能造成二极管击穿而急剧漏电。 图 5 ：反向不导通状态 　 图 6 是二极管的电流电压曲线供参考。 图 6 ：二极管电流电压曲线 　　 图 7 形象的展示了不同方向二极管为什么能导通和不能导通，方便理解。 图 7 ：不同方向导通效果不同 　　 生活中单向导通的例子也不少，比如地铁进站口的单向闸机，也相当于二极管的效果：正向导通，反向不导通，如果硬要反向通过，可能就会因为太大力“反向击穿”破坏闸机了。 END 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

去年9月份，NVIDIA官方宣布，计划以400亿美元的价格收购ARM，成为半导体行业有史以来的最大规模并购，也超过了2016年软银收购ARM花费的243亿英镑。 不过，这一交易从宣布之后就惹来了诸多争议，不少半导体企业、行业名人纷纷表示反对，ARM联合创始人Hermann Hauser更是多次表达不满，都担心由此引发难以控制的反垄断问题。 各国监管机构也一直在谨慎评估这一交易。今天，英国竞争与市场管理局(CMA)宣布，计划对NVIDIA收购ARM一事进行调查。 要知道，ARM虽然已被日本软银收购，但终究是一家英国企业，也是英国半导体行业的一颗明珠，英国方面必然会异常谨慎对待其收购交易。 不过， 这也就意味着，仅仅是在英国，这笔交易就要面临漫长的调查，短期内肯定无法成行。 更何况，NVIDIA还得说服美国、中国、欧盟等各国的监管机构，尤其是中国。

我国幅员辽阔，地质结构多样复杂带来了各种地质灾害，随着城乡快速发展，在居民住宅和通用建筑领域，数量庞大的老旧楼宇日趋陈旧，导致连年出现楼宇危害的事故发生。 如广东深圳居民楼倾斜倒塌、江苏无锡公路桥坍塌和广东虎门大桥异常晃动等事件都严重地危害到人民群众的生命财产安全，或者在社会上造成了巨大的影响。建筑的结构安全事关重大，成为了政府和群众所关注的焦点。 利用物联网和智能化手段对民居、通用建筑和交通设施进行监测成为必然，而LoRa的低功耗、长距离及灵活性成为了这种物联网应用最好的通信手段之一。通过采用LoRa+传感器以及专业的分析系统和软件，博立信等LoRa生态伙伴在相关领域提供了完整的安全性监测方案。 2019年10月8日，中华人民共和国司法部发布了《建设工程抗震管理条例 (征求意见稿)》，在该文件的第三章，针对建筑的抗震性能鉴定、加固与维护，明确提出了要建立建设工程抗震性能鉴定制度，并规定了对存在严重抗震安全隐患的建设工程进行安全监测，并在加固前采取停止或者限制使用等措施。 2020年7月20日，国务院办公厅对外发布《关于全面推进城镇老旧小区改造工作的指导意见》，该文件明确提出：2020年新开工改造城镇老旧小区3.9万个，涉及居民近700万户;到“十四五”期末(2025年底)，结合各地实际，力争基本完成2000年底前建成的需改造城镇老旧小区改造任务。 近来，有关监管部门进行了及时管理，开展危楼监测专业事项的招标，按照国标标准进行了大规模、多级别的危楼评定。而在交通设施和公用设施等大型建筑的安全性监控管理等领域内，对诸如桥梁、隧道和水坝坝体等监控标准和要求也在不断落实和提升。 作为为市场提供基于跨界与模式创新的“传感器+”物联网技术、服务、产品和端到端解决方案的领先供应商，博立信在建筑物结构安全领域拥有丰富的经验，具有安全隐患的危楼危房是博立信关注的重点市场之一，而老旧居民楼则是国内建筑物结构监测最为重要的应用场景。 为解决传统方案中的诸多问题，博立信推出了基于LoRa®的建筑物结构安全监测场景使用方案。在建筑物结构监测场景中，LoRa智能物联终端以每小时上报一次数据的频率，常年监测楼宇结构裂缝与楼宇结构倾斜(详见下图：倾斜监测终端安装示意图 – 图1，裂缝监测终端安装示意图 – 图2)。 图1 倾角传感器安装示意图 图2 裂缝位移传感器安装示意图 每栋楼宇的智能终端通过LoRa网关数据透传，并以4G上行的方式，向博立信数据中心提报监测数据。数据中心的iView物联网数据管控平台，筛选记录有效数据，转换符合国标的应用描述。采用多级报警的预警机制，客户端呈现与APP展示等方式，每月产出监测数据，为监管部门的下一阶段决策，提供有力依据。 由于采用了LoRa技术，相比于传统方案，该方案运用了物联网技术手段，通过感、传、知、用，将智能物联终端采集到的数据通过LoRa低功耗无线通讯方式传输至物联网标准PaaS平台并根据需求施以运用。解决了传统方案安装走线、供电方式的困扰，以及设备信息孤岛，数据展示调用困难等问题。 该方案具有以下功能特性： · 低成本：基础建设、运营成本低。 · 低功耗：LoRa通讯使电池供电成为可能，可支持终端正常工作3-5年。 · 长距离：LoRa通讯在城市内信号传输距离能到2-3公里。 · 广覆盖：单个LoRa网关可承载上万个智能终端。 博立信科技首席执行官吴云桥说道：“博立信在建筑物结构安全领域的丰富经验，加上LoRa技术在物联网方面的成熟能力，使其成为智能解决方案的完美匹配。对于建筑物结构安全监测来说，老式的非物联网方案不但成本极高，而且维护困难，LoRa技术的实时数据可以在建筑物发生结构变化时及时进行数据反馈和预警。2017年以来，博立信的解决方案已在海外及江苏、浙江、广东等省成功进行大规模部署。” 博立信的智能检测方案也是对国家新基建规划的积极响应。通过利用物联网技术实时、远程监测建筑物结构的安全性和完整性。除了应用于通用建筑物的结构安全性监测，博立信和其他LoRa生态系统成员的LoRa+传感器+监控系统解决方案还可以应用于桥梁、隧道、道路边坡和水坝坝体等设施的监测，并可以带动高精度北斗等GNSS设备的应用，具有重大的社会效益。 Semtech中国区销售副总裁黄旭东表示：“我们很高兴看到博立信推出基于LoRa的建筑物结构安全智能监测方案，为民众的生命财产安全带来一定保障。作为一种领先的物联网技术，LoRa可为各类设施提供灵活、易用、低功耗和广覆盖的连接，并可以与北斗高精度等国内自主技术完美融合。Semtech将与LoRa生态伙伴们共同努力，通过使用物联网和智能技术助力打造更安全的建筑和城市。”