三菱电机株式会社预定于4月2日开始发售HVIC※1新产品“M81738FP”。该产品具有业界最高水平的1200V耐压及高可靠性，主要用于在AC400V级变频器中驱动功率半导体。 　　1  High Voltage Integrated Circuit：内置功率半导体元件驱动功能的高压集成电路 　　新产品的特点 　　1．具有1200V高耐压，可适用于AC400V级变频器　　・1200V分压RESURF※2构造，将最大漏电流※3控制在10μA以下　　・芯片表面采用最新的PolyRFP※4技术，具有稳定的高电压特性　　・reduced surface field：电场缓和技术　　・半导体截止时，流经半导体高压部分的微弱电流　　・polycrystalline silicon resistor field plate：　　采用多晶硅电阻电场层，使电场均匀化，实现1200V高耐压 　　2．高抗扰性有助于提高变频器系统的可靠性　　・采用新的埋层※5工艺，抑制开关时的闩锁效应※6　　・内置保护电路，降低开关时产生的电源电压干扰的影响　　・为抑制闩锁效应的影响，在晶圆中内器件下方设置的低电阻扩散层　　・在半导体集成电路上，因寄生晶体管引起的误动作 　　3．确保与现行机种的互换性，可置换　　・确保与现行的1200V高压HVIC（M81019FP）端子序列的互换性 　　发售概要 产品名 型号 规格 发售日期 1200V 高压 HVIC M81738FP 1200V/1.0A 2012 年 4 月 2 日  

　　1 引言 　　由发电、输电、变电、配电和用电等环节组成的电能生产与消费系统。它的功能是将自然界的一次能源通过发电动力装置转化成电能，再经输电、变电和配电将电能供应到各用户。为实现这一功能，电力系统在各个环节和不同层次还具有相应的信息与控制系统，对电能的生产过程进行测量、调节、控制、保护、通信和调度，以保证用户获得安全、经济、优质的电能。近年来，我国的电力系统迅速发展，许多变电站和供电所都在进行自动化和无人值守的改造，因此在变电站等电力系统中应用状态监测与控制技术以及发展新的状态监测与控制技术已成了我国电力综合自动化系统研究中的最重要的任务之一。 　　控制技术是近代控制理论中的一种高级策略和新颖技术。模糊控制技术基于模糊数学理论，通过模拟人的近似推理和综合决策过程，使控制算法的可控性、适应性和合理性提高，成为智能控制技术的一个重要分支。计算机控制技术专业是培养掌握了一定的电子电气知识、计算机操作应用知识、程序设计知识，具备一定的计算机控制技术、计算机网络技术、可编程控制技术等专业知识，具有较强的分析能力、动手能力、创新能力，能解决工程实际问题的高素质的复合型、应用型专业技术人才3.编辑词条网络控制技术 　　2 系统体系结构设计 　　本系统主要由主控模块与遥控器模块两个模块组成。 　　2.1 遥控器模块 　　遥控器模块包括射频收发器和遥控处理芯片AT89C51它们连接的方法是相同的；为方便用户实时查看高压电线的电压值和设置新的参考电压等，在遥控器端我们添加LCD1602液晶显示屏和一个4×4的矩阵键盘，分别接在AT89C51的P0口和P3口上。其硬件结构图如图1所示。   图1 遥控器模块硬件结构图 　　2.2 主控模块 　　在主控模块部分，A/D数模转换子块与电压传感器模块相连，接收来自电压传感器发过来的模拟信号；主控芯片AT89C51的P2口与模拟高压开关模块相连，发出高低电平来控制开关电路的闭合状态，其主控模块硬件结构图如图2所示。   图2 主控模块硬件结构图 　　3 软件系统实现 　　在硬件结构的基础上，必须设计相应的软件才能发挥其应有的功效。软件系统主要由系统初始化模块、启动自检模块、主控制模块、数据采集模块及各中断服务程序模块等几大部分组成，以下重点介绍主控程序设计方法。软件系统的主控程序为一循环程序。主控模块部分主要由主控程序（见图3）、中断程序、模拟开关控制程序、射频收发程序等组成。  

　　为了解决行业采用嵌入式多核技术进程过慢的难题，飞思卡尔引入基于解决方案的综合方法，帮助网络通信客户加快并简化多核处理器的移植。 　　这一新方法的核心是来自飞思卡尔的VortiQa软件—这款经过测试的、可靠的、生产就绪的应用级软件，经过特殊优化以实现QorIQ和 PowerQUICC处理器行业领先的性能。现在飞思卡尔推出首批四条VortiQa生产线，目标针对服务提供商、企业、小型企业和SOHO/住宅网关细分市场。 　　VortiQa软件经过优化，可以实现飞思卡尔QorIQ平台体系架构的所有优势，如类型匹配的引擎、安全加速器和其他功能等，从而大幅提高嵌入式系统的性能。它不需要执行创建应用最佳功能映射那些耗时的任务，也不需要对AMP（不对称多核处理）、SMP（对称多核处理）和AMP+SMP混合配置进行内核分配。 　　VortiQa软件与飞思卡尔世界一流的扩展生态系统结合，为公司客户提供实现当前先进多核处理器性能和能效优势所需的解决方案和资源。例如，适合企业网络设备的VortiQa软件采用飞思卡尔硬件加速度技术后，它与未经优化的解决方案相比，在具有安全性能的网络设备中其 VPN性能会高出数十倍，从而大幅缩减了开发时间。 　　飞思卡尔高级副总裁兼网络和多媒体部总经理Lisa Su表示，“VortiQa软件帮助客户使用技术实现创新并在市场中取得成功。VortiQa产品释放了当前先进嵌入式多核处理器的巨大潜能，使客户具有明显的竞争优势。” 　　飞思卡尔为联网垂直市场带来更多灵活性和选择。它基于解决方案的方法结合VortiQa软件同QorIQ平台、PowerQUICC处理器，并且有来自业内享有良好声誉的大量合作伙伴提供的协作。最近几大顶级的独立软件厂商、原始设计生产商和系统集成商刚刚加入飞思卡尔第三方合作伙伴联盟，从而进一步扩大了基于飞思卡尔硅技术的解决方案的产品供应范围。 　　生态系统扩大 　　飞思卡尔将世界一流的合作伙伴联盟生态系统进一步扩大，并且计划为合作伙伴提供软件、培训、支持和通信平台，以针对特定的垂直市场提供综合解决方案。 　　飞思卡尔扩展的生态系统包括： 　　硬件和JDM/ODM合作伙伴（包括Advantech和FlextrONics）， 提供交钥匙生产、实施和预构建的硬件生产。操作系统、工具和开发解决方案合作伙伴（包括Green Hills Software、 MontaViSTa和Virtutech），提供开发工具、操作系统和BSP支持。独立软件提供商（ISV） （包括6WIND、 Dimark Technologies、 D2 Technologies、 Mocana 和Synology America），针对特定垂直细分市场，提供软件应用程序、堆栈和相关业务。这些产品和业务可以单独提供，也可以同飞思卡尔VortiQa软件一起提供。系统集成商（包括Aricent、 GDA Technologies和Patni Computer Systems），提供产品开发集成和专业的服务

　　全球领先的整合单片机、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布，推出其下一代电能计量模拟前端（AFE）MCP3911。该器件拥有两个可在3V工作的24位Δ-Σ模数转换器（ADC），提供业界领先的精度：94.5 dB的SINAD和106.5 dB的THD。通过精确测量从启动到最大电流，器件提供更佳的电能表和功率监控性能，有助于生产过程中的更快校准。四种不同功率模式为低至每通道0.8 mA的极低功耗设计或更高速信号和谐波分量的设计都提供了灵活性。扩展级温度范围则允许在-40℃至+125℃条件下工作。 　　MCP3911还具备2.7V至3.6V模拟和数字运行能力，可通过关闭与单片机相同的电源轨简化接口。内置低温度系数的电压基准，以及各通道的PGA可进一步实现计量和监测设计。 　　随着全球电能计量基础设施的升级和功率监测市场的增长，电能计量及其他信号采集应用的设计人员正在寻找提高性能、同时降低成本的方法。Microchip可以通过行业最高精度的AFE来满足这些需求，以其低功耗模式减少功耗，通过减少所需电源轨和外部元件数量来降低成本。 　　Microchip模拟与接口产品部营销副总裁Bryan J. Liddiard表示：“通过扩展我们业界领先的电能计量模拟前端，Microchip致力于推动高性能智能电表在全球范围内应用的快速增长。全球最高精度与我们丰富PIC®单片机产品组合的结合，为设计人员提供了以最低成本创建表现出众的电表和功率监测器所需的工具。” 　　开发支持 　　Microchip还发布了一款能够采用全新AFE进行开发的工具。针对16位单片机的MCP3911评估板（部件编号ADM00398）现已供货，可以通过microchipDIRECT（http://www.microchip.com/get/VFFT）进行批量订购。 　　供货 　　MCP3911现已提供样片及批量生产，采用20引脚SSOP和QFN封装。欲了解更多信息，请联络Microchip销售代表或全球授权分销商，或浏览Microchip网站http://www.microchip.com/get/XA2A。欲购买文中提及的产品，可通过microchipDIRECT购买，或联络任何Microchip授权分销伙伴。 　　Microchip Technology Inc. 简介 　　Microchip Technology Inc.（纳斯达克股市代号：MCHP）是全球领先的整合单片机、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商，为全球数以千计的消费类产品提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于美国亚利桑那州Chandler市，提供出色的技术支持、可靠的产品和卓越的质量。

　　对于挑选高速数据转换器的设计者而言，功耗是最重要的系统设计参数。无论是需要较长电池寿命的便携设计，还是消耗热能较少的小型产品，功耗都很关键。系统设计者过去都采用低噪声的线性稳压器为数据转换器供电，如低压差稳压器，而不是开关稳压器，原因是他们担心开关噪声会进入转换器的输出频谱，从而大大降低AC性能。 　　不过，较新一代经过噪声优化的开关稳压器（用于手机）可最大限度地减少与相邻低噪声与功率放大器之间的干扰，从而使应用发生了一种转变。它们能够直接从一个DC/DC转换器为高速数据转换器供电，而不会显着降低AC性能。这一设计可立即将功率效率提高20%~25%. 　　现代高速转换器可较前代减少大约50%的功耗，部分原因是将电源电压从3.3V降低到了1.8V.在一个采用低压差稳压器的设计中，随着电源轨的下降，稳压器的压差以及可用电源轨对功率效率就变得更为重要。电路板的数据部分通常有很多电压轨，为FPGA和处理器提供各种核心与I/O电压。而在模拟部分，可能只有少数“干净”的电压供选择，如3.3V和5V. 　　对一个高速数据转换器来说，可以用一只线性稳压器，从一个公共5V电压轨获得3.3V电压。这样，低压差稳压器上有1.7V的压降，相当于约35%的功率损失。当采用低压差稳压器（如ADS4149），从3.3V总线上为一只ADC提供1.8V电源时（参考文献1），线性稳压器上的功率损耗增加到大约45%，这意味着低压差稳压器几乎耗散了一半的功率。本例说明低效率的电源设计可轻易损失掉50%的功率。开关稳压器的效率与输入电源轨的大小没什么关系，因此，能节省相当大的功率。通过精心设计，可以将对AC性能的影响降低到最低程度。 　　电源滤波 　　隔离来自ADC开关噪声的一个关键元件是电源滤波器，它包括一个铁氧体磁环和旁路电容。在选择铁氧体磁环时应考虑多个关键特性。首先，铁氧体磁环必须有用于数据转换器的充足额定电流，它必须有低的DCR（直流阻抗），以尽量减少磁环自身的压降。例如，当一个200mA电源通过一个DCR为1Ω的磁环时，产生一个200mV的压降。这个压降可能将ADC上的电压推至边沿，考虑到电源电压的标准差，ADC电压甚至可能低于建议的工作电压。 　　其次，铁氧体磁环必须对开关频率和DC/DC转换器的谐波有高阻抗，以阻挡开关噪声和开关毛刺。市面上大多数铁氧体磁环的阻抗是在100MHz，而现代DC/DC转换器的典型开关频率是500kHz~6MHz.在我们的例子中，ADS4149评估模块采用了一只TPS625290开关稳压器，开关频率为2.25MHz（参考文献2）。由于DC/DC稳压器是方波输出，因此还必须考虑更高阶的谐波。Murata公司的NFM31PC276B0J3EMI滤波器在该频率范围内有高阻抗和低DCR. 　　图1比较了一个采用100MHz时电阻为68Ω的Murata EMI滤波器的传统铁氧体磁环插入损耗。电源电路有低的阻抗，在50Ω环境下测出插入损耗。因此，电源滤波器的插入损耗量值可能有少许差异，虽然谐振频率并不变化。 　　 　　图1，相比一个100 MHz时电阻为68Ω的传统铁氧体磁环，Murata公司的NFM31PC276B0J3 EMI有高的阻抗和低DCR. 　　电源滤波器中的其它元件是旁路电容。选择这些电容值时，应使它们的谐振频率（产生一个接地的低阻抗路径）接近于开关频率。这样，通过磁环的开关噪声就被短路到地。图2的电源滤波器插入损耗比较表明，正确的旁路电容值可产生一个接近于开关频率的谐振，即使是用于一只传统铁氧体磁环，如EXCML32A680.不过，在低频时，如果将其与一只0Ω电阻放在一起，就没有那么大差异了。另一方面，Murata EMI滤波器提供了围绕开关频率的大约20dB额外衰减。图3中的电源滤波器使用了一只33μF钽电容做宽频去耦，而10μF、2.2μF和 0.1μF的陶瓷电容则有狭窄的谐振频率。 　　 　　图2，正确的旁路电容值可产生一个接近于FS（开关频率）的谐振，即使与一个传统铁氧体磁环（如EXC-ML32A680）结合使用。 　　 　　图3，此电源滤波器采用了一只33μF钽电容做宽频去耦，而10μF、2.2μF和 0.1μF的陶瓷电容则有狭窄的谐振频率。

　　引言 　　在电子技术中，三极管是使用极其普遍的一种元器件，三级管的参数与许多电参量的测量方案、测量结果都有十分密切的关系，因此，在电子设计中，三极管的管脚、类型的判断和测量非常重要。测量三极管管脚的方法有多种，其中实验室常用的是利用万用表和三极管各管脚的特点进行测量，但由于三极管各个引脚间的电压、电流关系复杂，且三极管本身体积较小，给测量带来很大不便，而目前市场上还没有对三极管管脚、类型自动判别的装置。因此，设计出一款能够自动判别三极管管脚、类型的电路显得尤为重要。 　　1 硬件电路组成原理 　　根据目前常用三极管的类型及管脚排列方式，设计的自动判别电路包含中心控制单元、转换电路、检测放大电路和显示电路四个部分，如图1 所示，其中用AT89C2051 作为中心控制单元。 　　 　　2 硬件电路设计 　　图2 所示为三极管管脚类型自动判别硬件电路原理图， 该硬件电路主要包括单片机AT89C2051、反相器CD4069、光电耦合器4N25、74LS06、74LS07、若干电阻和电容等元器件。 　　 　　图2 判别电路原理图 　　首先由单片机的P3.0~P3.2 口送出三位二进制码（高低不同的电平），分别送至三极管的1、2、3号引脚。对于不同的三极管，在单片机送出不同的编码时，其1、2、3 号引脚上的电流方向不同，有流入和流出两种情况，用两只光电耦合器反向并联来检测哪个方向上有电流通过，此时三位二进制码变成六位二进制码。将检测到的来自光电耦合器的电信号进行放大，由于此时输出的信号并非标准的高低电平，不能直接被单片机识别，相位也不符合要求，故加一级反相器CD4069 进行反相，然后将反相器输出的标准的六位二进制码送至单片机的P1.0~P1.5 口。单片机根据从P1 口读出的数据与单片机内部预先写入的数据进行比较，当满足相应的条件时从P3.3~P3.7 口输出检测结果，最后用发光二极管来显示对应的三极管类型。

　　据物理学家组织网站报道，人类对于地外文明的探索（SETI）已经迎来第50个年头。美国宾夕法尼亚州立大学的科学家近日指出，使用自动运作，可以自我复制的机器人将是探索太空的理想方式。它们将寻找地外生命，甚至帮助清理太空垃圾。 　　在最近一期《英国行星学会通报》中，宾州大学电子工程系教授约翰·马修（John D. Mathews）指出：“基本的前提是人类的航天探测项目应当非常高效，节约成本并实现自主运行。而将宇航员送上近地轨道则会面临一系列政治经济以及技术上的困难。”马修教授认为，如果外星人真的存在，他们也应当面临着和我们同样的问题：他们将需要节约资源，他们将受到物理学定律的制约，他们甚至完全没有想见到我们的欲望。他说：“只有通过发展并部署能够自我复制的机器人探测器，人类才有可能进行哪怕是仅仅到达小行星带范围内的有效探测，而对于柯伊伯带，奥尔特云那样遥远的范围则仍然不够。” 　　马修认为任何地外文明在发展空间探测时都会遵循一个相似的轨迹，最终都会选择发射无人自动探测器而非载人航天，这或许也就解释了为何对于外星文明的搜寻至今尚未能取得结果。他说：“如果他们和我们相似，他们同样拥有无能的政府和其它困扰我们发展的问题。如果是这样，他们同样将受制于内部问题，无法拿出更多的钱来尝试和我们联系。” 　　向星系进行广播极其困难，你将需要巨大的能量。你的无线电信号必须向每一个方向四处发散，以便充满整个空间，这样一来你将需要巨大的能量供应。马修说：“现有的红外激光技术已经可以让我们实现在太阳系范围内的通讯。但是对于在搜寻地外文明方面的应用，这项技术的一个缺陷便是：它是一种定向波。” 　　 　　外星文明真的存在吗？如果它们真的存在，应当采用何种方式才能最有效地找到它们？近期美国科学家提出，使用自动运作，可以自我复制的机器人将是探索太空的理想方式 　　点对点之间通过红外激光进行相互通讯只需要低得多的能量，当然这样的波束是具有特定方向性的。如果地外文明同样使用这种红外激光技术，我们或许永远也无法探测到，因为只有当他们的这一定向波束精确地指向我们的方向时我们才有可能接收到。 　　马修教授建议如果载人的探测项目不可行，那么自动机器人将是一个不错的主意。它们可以去很多人类不想去的地方，做很多人类不愿意做的事情，不仅仅是在地球上，也包括在太空。为了将成本降低到最低限度，他建议首批机器人应当在月球上进行制造以便利用那里的资源和低重力条件。他指出我们现在便已经拥有制造出这些机器人的技术，唯一的问题是它们的小型化供能问题。为了创造出一大群可以相互交换信息并将信息回传至地球的智能机器人，这些机器人必须能精确地判断自身所处的位置并精确定时。有了这两项基本参数，每一个机器人就应当能够据此判定出所有其附近的其它机器人飞行器的位置并使用红外激光与之建立联系并发送数据。 　　马修表示：“最昂贵的部分便是使用运载器让载荷摆脱地球引力，这在月球上要容易的多。甚至这些机器人还可以被用来帮助清理近地轨道乃至地球同步轨道上的太空垃圾。”在起步阶段，这些机器人将承担两项任务：清除轨道上现存的太空垃圾并对超过1200个已知的，在其轨道最接近地球时可能对地球构成潜在威胁的近地轨道小行星进行监视。马修教授表示：“作为第一步，我们真的应当派遣自动探测器去对这些近地小行星进行近距离考察，在它们的表面放置信号装置以便今后的追踪和识别。” 　　最终，这些具备自我复制，自动控制甚至自我学习功能的飞行机器人将散布太阳系并飞向银河系的其它区域，它们将利用沿途找到的资源不断复制自身，不断扩大自己的队伍，延续自己的使命。而相互之间通过红外激光进行联系，其信号传递是以光速进行的，这是我们目前所知最快的方式。 　　马修教授说：“我们之前对于地外文明探索的一项基本假设就是：外星文明是希望自己被我们找到的。但是，谁会不惜花费如此巨大的代价仅仅就为了让宇宙中的其它可能存在的文明找到你呢？”他认为，更加可能的情况是，我们发出的其中一个飞行机器人会在某天在宇宙的某处截获一条地外文明发出的信号，从而开启第一次的星际文明接触。

　　与SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员，以论文形式介绍一下β-Ga2O3的特点、研发成果以及今后的发展。 　　我们一直在致力于利用氧化镓（Ga2O3）的功率半导体元件（以下简称功率元件）的研发。Ga2O3与作为新一代功率半导体材料推进开发的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率元件。其原因在于材料特性出色，比如带隙比SiC及GaN大，而且还可利用能够高品质且低成本制造单结晶的“溶液生长法”。 　　在我们瞄准的功率元件应用中，使用Ga2O3试制了“MESFET”（metal-semiconductorfield effect transistor，金属半导体场效应晶体管）。尽管是未形成保护膜（钝化膜）的非常简单的构造，但试制品显示出了耐压高、泄漏电流小的特性。而使用SiC及GaN来制造相同构造的元件时，要想实现像试制品这样的特性，则是非常难的。 　　虽然研发尚处于初期阶段，但我们认为Ga2O3的潜力巨大。本论文将介绍Ga2O3在功率元件用途方面的使用价值、研发成果，以及今后的目标等。 　　比SiC及GaN更为出色的性能 　　Ga2O3是金属镓的氧化物，同时也是一种半导体化合物。其结晶形态截至目前（2012年2月）已确认有α、β、γ、δ、ε五种，其中，β结构最稳定。与Ga2O3的结晶生长及物性相关的研究报告大部分都使用β结构。我们也使用β结构展开了研发。 　　β-Ga2O3具备名为“β-gallia”的单结晶构造。β-Ga2O3的带隙很大，达到4.8～4.9eV，这一数值为Si的4倍多，而且也超过了SiC的3.3eV 及GaN的3.4eV（表1）。一般情况下，带隙大的话，击穿电场强度也会很大（图1）。β-Ga2O3的击穿电场强度估计为8MV/cm左右，达到Si的20多倍，相当于SiC及GaN的2倍以上。 　　 　　         　　图1：击穿电场强度大 　　带隙越大，击穿电场强度就越大。β-Ga2O3的击穿电场强度为推测值。 　　β-Ga2O3在显示出出色的物性参数的同时，也有一些不如SiC及GaN的方面，这就是迁移率和导热率低，以及难以制造p型半导体。不过，我们认为这些方面对功率元件的特性不会有太大的影响。 　　之所以说迁移率低不会有太大问题，是因为功率元件的性能很大程度上取决于击穿电场强度。就β-Ga2O3而言，作为低损失性指标的“巴利加优值（Baliga’s figure of merit）”与击穿电场强度的3次方成正比、与迁移率的1次方成正比。因此，巴加利优值较大，是SiC的约10倍、GaN的约4倍。

　　近日，全球领先的模拟与嵌入式半导体厂商德州仪器（TI）与清华大学宣布共同组建清华大学—德州仪器（TI）“未来智能机器人”兴趣团队，从而为未来智能型机器人开发、多智能体协同技术研究感兴趣的学生提供学习、交流、研究、实践和创新的平台。兴趣团队将立足于拔尖创新人才培养，通过创新思维启迪、技术能力培训和科技项目研发，使学生深入了解智能机器人领域的现状和发展趋势，引导学生在智能产业前沿寻找学术志趣与个人能力的结合点。 　　清华大学校党委副书记史宗恺老师在兴趣团队的成立仪式中表示，“非常感谢TI对清华在学生创新项目、竞赛以及教学和研究方面长期和深入的支持。清华大学—德州仪器（TI）‘未来智能机器人’兴趣团队成立的最重要目的，就是为团队的每一位成员提供一个‘异想天开’的平台，激发他们内心对创新、对智能化技术的兴趣和激情。希望同学们充分利用学校和TI所提供的资源，跳出传统思维的条框，着眼于未来。” 　　TI 大中华区总经理、中国运营总裁谢兵先生说，“自1958年TI的工程师Jack Kilby发明了集成电路，基于集成电路的各种技术和产品的创新已经完全改变了我们的学习、工作、娱乐的方式，并渗透到日常生活的每一个角落。清华大学的‘未来智能机器人’兴趣团队，集中了智能机器人的拔尖人才，我们相信在他们当中，能够诞生出引领未来技术、影响我们生活的重大创新。我们希望尽我们的努力来帮助同学们实现梦想。” 　　“未来智能机器人”兴趣团队将以开发智能车、双足（多足）机器人、智能飞行器、实用型机器人和多智能体协同技术研究为方向，在为期两年的核心培养周期中，将陆续完成队员选拔、能力培训、企业实习、项目实践四个培养环节。 　　兴趣团队将采用TI先进的模拟、数字信号处理、无线连接技术及单片机如MSP430，Stellaris，C2000等系列用于智能机器人的开发。TI将在项目实施中为同学们提供深入的培训和技术支持。 　　除了此次与清华大学的合作，TI今年将拓展对中国大学生在不同兴趣领域的研究和创新支持，支持项目将达到数百个。此外在支持校内电子设计竞赛、省级及国家级电子设计大赛的数量方面，也会有进一步增加。 　　关于德州仪器中国大学计划 　　德州仪器（TI）的半导体技术（单片机，模拟技术和数字信号处理）能够满足中国高校电子电气、通信、计算机、仪器、自动化及微电子类等不同专业人才培养的需要，在课程改革、实验、综合实践环节、创新设计等环节中都能发挥巨大的作用。TI中国大学计划始于1996年，通过建立联合实验室，教材和课程开发，科研项目支持，教师培训和大学生设计竞赛等活动，致力于将上述业界最先进的技术带给中国高校，支持中国高校教育和创新型人才的培养。

　　德州仪器（TI）将取代美国太阳能电池制造商First Solar，成为纳斯达克100指数成分股。这家芯片制造商4个月前刚刚成为从纽交所转至纳斯达克上市的最大企业。 　　纳斯达克OMX集团在4月13日的声明中表示，德州仪器（TI）将在4月23日开盘前被计入纳斯达克100指数。德州仪器（TI）总部位于美国达拉斯，市值为368亿美元，使之在该指数的100只成分股中名列17位。 　　纳斯达克100是PowerShares QQQ Trust的投资标的，这只ETF基金今年的日交易量位居全美第五。 　　德州仪器股价今年以来已经上涨11%，First Solar则下跌38%。同期的纳斯达克100指数上涨18%，4月2日创下2000年12月以来的最高点。