摩登3新闻554258:_中国移动6城市抢跑4G:赢在起跑线的战争

  中国8亿多手机用户中,95%还没有用上3G,而电信运营商们已经瞄准了4G。   工业和信息化部近日正式批复同意TD-LTE规模试验总体方案,将由中国移动主导在上海、杭州、南京、广州、深圳、厦门6个城市组织开展TD-LTE规模技术试验,相关工作预计将在今年一季度正式启动。   “中移动现在迫切推动TD-LTE,是希望在4G格局确定之前,形成有利的形势。”电信分析师付亮表示,移动希望通过自己的积极推进,吸引巨头加入,形成良性循环。   根据规划,TD-LTE规模试验将以形成商用能力为目标,通过进一步扩大部署和应用的规模,进而实现端到端产品达到规模商用的成熟度。另外一个重要目的是带动国际运营商选择和部署TD-LTE。   与3G时代初期TD-SCDMA的“孤军奋战”不同,中移动有望在向4G演进的过程中,通过TD-LTE在国内的先发优势拉到更多的同盟方。   中移动6城市抢跑   由于中国3G起步较晚,自主TD-SCDMA标准相对于其他3G标准缺少产业链的支持,导致发展难度更大,运营商也只有中移动一家。因此,中移动迫切希望在4G时代扭转这一局面。   据移动方面介绍,当前正值全球选择和部署4G移动通信技术的关键阶段,我国启动TD-LTE规模试验将影响和带动国际运营商选择TD-LTE,从而有望形成TD-LTE在全球应用和部署的产业新格局。   据统计,目前明确表示有意或计划采用TD-LTE的国际运营商已有十多家,其中日本和印度的两个新兴运营商已确定2011年部署商用,沃达丰、SKT等已开始TD-LTE试验网建设。   2010年11月,波兰运营商AERO2宣布启动TD-LTE产品商业选型工作,并将在2011年部署和商用TD-LTE网络,成为全球第一个TD-LTE商用部署计划。另外,全球已经建设了15个TD-LTE试验网,还将有9个试验网在2011年初建成。   “TD-SCDMA只有移动一家做,TD-LTE有海外运营商支持的原因主要有三点。”中移动内部人士表示,第一是因为LTE的两个演进方向TDD和FDD在设备芯片等方面可以共享;第二是因为在一些频谱资源稀缺的国家,选择TDD成为新兴运营商的出路;第三是TD-LTE相对来说具有非对称传输的优势,更适应数据业务的需求。   付亮认为,移动做LTE的时间比较早,并没有以前像3G时代的TD与WCDMA等成熟标准之间那么大的时间差。  

摩登3官网注册_Supermicro将发布基于Intel P67 和Q67芯片组的高性能桌面电脑

  加利福尼亚州圣何塞市2011年1月5日电 /美通社亚洲/ — Supermicro 电脑公司(NASDAQ:SMCI),服务器技术创新和绿色计算的全球领导者,今天宣布推出其基于 INTEL 新P67,Q67芯片组的下一代,高性能,单路(单处理器)平台,支持INTEL酷睿2 i7/i5/i3处理器。Supermicro公司将于1月6-9日在拉斯维加斯2011 CES会展中心5621展位上演示这些新的平台。   “在工作站和高端台式机市场,这些最新增加的单路产品组合展示了 Supermicro 的服务器级的品质和技术优势” Phidias Chou,Supermicro 全球销售高级副总裁。“来自 Intel 最新的芯片组的设计,这些功能丰富的平台是个人工作站和游戏解决方案的理想选择。”   “我们很高兴能够参加 Supermicro 在 CES 上为游戏爱好者提供新的高性能,基于下一代英特尔处理器和芯片组的单路桌面平台的展示”Bjoern Metzdorf 说,海龟娱乐股份有限公司(ESL 联盟所属公司)的资讯总监。“Supermicro 服务器产品具有很强的性能,功能和电源效能的创新,为我们 ESL 百万游戏在线玩家提供了坚实的后盾。Supermicro 单路的新平台,也将加强玩家来自前端的娱乐体验。”   Supermicro 基于 C7P67 和 C7Q67 的系统是支持各种领先技术能力的先进产品。新的技术,如 USB 3.0和SATA 3.0,这些系统具有高达5 Gb /秒,6 Gb /秒的惊人的数据传输速率。此外,这些系统提供用于支持引导能力的存储磁盘设备可选模块(DOM)。他们还能实现令人难以置信的快速视频文件转换,为壮观的高清播放和栩栩如生的游戏 3D 性能增强视觉质量,色彩保真度。这些特点为专业和超级游戏爱好都提供了最好的扩展性和最大的灵活性。   该系统将被展示在 CES 展上的游戏区,并且在 Supermicro 的摊位上将被用于 ESL 主办的游戏比赛。本次比赛将在 http://www.ustream.tv/实况直播。   关于 Super Micro Computer,Inc. (NASDAQ: SMCI)   成立于1993年,Supermicro 致力于高品质的产品研发设计及严格的品质管理,研发制造业界一流的服务器主板、机箱及系统。采用应用优化的服务器模块构建化解决方案广泛应用于数据中心部署 ,高性能计算,高端图形工作站,网络存储,及无人职守服务器安装等业务应用环境。欲了解更多信息,请访问www.Supermicro.com ,email Marketing@Supermicro.com 或致电加州圣荷西总部 +1 408-503-8000.

摩登3娱乐登录地址_关于IGBT保护电路设计必知问题

  摘要:全面论述了IGBT的过流保护、过压保护与过热保护的有关问题,并从实际应用中总结出各种保护方法,这些方法实用性强,保护效果好。   1 引言   IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件,具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点,因而广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差,一旦出现意外就会使它损坏。为此,必须但对IGBT进行相关保护 本文从实际应用出发,总结出了过流、过压与过热保护的相关问题和各种保护方法,实用性强,应用效果好。   2 过流保护   生产厂家对IGBT提供的安全工作区有严格的限制条件,且IGBT承受过电流的时间仅为几微秒(SCR、GTR等器件承受过流时间为几十微秒),耐过流量小,因此使用IGBT首要注意的是过流保护。产生过流的原因大致有:晶体管或二极管损坏、控制与驱动电路故障或干扰等引起误动、输出线接错或绝缘损坏等形成短路、输出端对地短路与电机绝缘损坏、逆变桥的桥臂短路等。   对IGBT的过流检测保护分两种情况:   (1)驱动电路中无保护功能。这时在主电路中要设置过流检测器件。对于小容量变频器,一般是把电阻R直接串接在主电路中,如图1(a)所示,通过电阻两端的电压来反映电流的大小;对于大中容量变频器,因电流大,需用电流互感器TA(如霍尔传感器等)。电流互感器所接位置:一是像串电阻那样串接在主回路中,如图1(a)中的虚线所示;二是串接在每个IGBT上,如图1(b)所示。前者只用一个电流互感器检测流过IGBT的总电流,经济简单,但检测精度较差;后者直接反映每个IGBT的电流,测量精度高,但需6个电流互感器。过电流检测出来的电流信号,经光耦管向控制电路输出封锁信号,从而关断IGBT的触发,实现过流保护。      图1 IGBT的过流检测  

摩登3登录网站_美研究人员可在卫生纸上打印太阳能电池(图)

  据国外媒体报道,近日,美国麻省理工学院的研究人员成功地示范了如何在卫生纸、塑料纸等柔软物质表面上打印太阳能电池。虽然卫生纸不太可能用于太阳能电池应用,但这项实验侧面地说明该技术能够在较广泛的材料表面进行廉价太阳能电池打印。      研究人员成功地示范了如何在卫生纸、塑料纸等柔软物质表面上打印太阳能电池   美国麻省理工学院化学工程师凯伦-格利森(Karen Gleason)和研究生迈尔斯-巴尔(Miles Barr)带领一支研究小组完成该项研究,他们证实该技术可以在多种柔软材料表面打印太阳能电池。其中一个例子是米纸,它是餐馆中用于制作春卷的材料,遇水很容易溶解,但凯伦和迈尔斯进行的实验都是干燥状态,不涉及溶液操作,因此米纸可保持完整性。同时,他们还在莎纶塑料纸上进行了太阳能电池打印,莎纶塑料纸不沾水,正常情况下很难在其表面涂抹液体。  

摩登3官网注册_微软新款Windows操作系统将支持ARM处理器

  北京时间1月6日消息,据国外媒体报道,微软周三在美国拉斯维加斯举行的国际电子消费展(CES)中,正式宣布将推出一款可同时支持ARM架构和X86架构的Windows操作系统。这也是微软首次推出基于非英特尔芯片的Windows操作系统。   微软表示,英特尔和AMD将继续改进和提升x86架构,包括更加节能的系统、最近刚刚公布的第二代酷睿家族和AMD的Fusion融合APU。而英伟达、高通和德州仪器则将与微软合作,第一次在Windows上支持ARM架构处理器。   微软Windows和Windows Live部门总裁斯蒂芬·斯诺夫斯基(Steven Sinofsky)表示,“支持ARM架构展示了Windows软件的灵活性和弹性,以及世界级的开发理念。我们将继续改进Windows,从而在最广泛的硬件平台和产品形态上向消费者提供其所需的功能。”斯诺夫斯基并未宣布微软将在何时推出新版Windows操作系统,不过他暗示该产品仍需要一至数年才能上市。   新版Windows能够利用ARM芯片的省电优势,从而让微软有望在新兴的平板电脑市场获得立足之地。苹果的iPad平板电脑采用了手机处理器,因此该产品的电池续航时间能够达到10小时。   ARM首席执行官沃伦·伊斯特(Warren East)表示,“我们对微软的这一决定感到非常兴奋,这是ARM和ARM合作伙伴发展的一个重大里程碑。我们期待着与微软在下一代Windows上进行合作。Windows加上低功耗ARM架构的可扩展性、ARM合作伙伴的市场专长,以及ARM生态系统的众多专业人才,将使得平台得以创新,实现计算的未来,最终创立新的市场机遇,向消费者提供有吸引力的产品。”

摩登三1960_3000亿美元市值的苹果搞不定一个小闹铃?

  2011年1月1日早晨,厦门一家酒店,张默没能听到iPhone闹铃的响声。此前一天晚上,他将闹铃设置在9点,但是他一直睡到10点才醒来。那天,他没能赶上酒店的早餐时间。   事后,他从网络上才发现,原来并不是自己没有听到闹铃,而是iPhone闹铃那两天没有响过。用户名为“Carytsang”的网友在微博上抱怨说:“开学第一天差点迟到,以为是自己把iPhone的声音调小声了,今天bill跟我说才知道原来全球iPhone从2011年1月1号开始闹铃就不会响了。”   一位用户名为“我是法师菌”的微博用户说:“太悲剧了,‘果粉’集体迟到了……”   对此,苹果公司方面昨天接受《第一财经日报》采访时称,iPhone闹钟问题已于1月3日起解决。但是这家公司并未给出更多评价。   苹果公司一位发言人承认iPhone存在闹铃故障问题,外媒援引这位发言人的话称:“用户可以通过设置重复性闹铃来解决这个问题,所有闹铃从1月3日开始都可以正常工作。”   苹果产品修理网站iFixit的负责人卡尔·韦恩斯(Kyle Wiens)在接受一家外媒采访时称:“iPhone的闹铃问题很可能源于IOS系统软件日期代码的漏洞,我们发现日期代码不太稳定。”IOS是iPhone OS 或 OS X iPhone的简称,是由苹果公司为iPhone开发的操作系统。   但“果粉”对此不依不饶,微博用户“竹零”在网上抱怨说:“苹果的问题已经成为了全球的问题,一个产品做到这个地步,已经很牛了,但用它的客户却很悲哀,甚至很危险……”   iPhone由苹果公司首席执行官史蒂夫·乔布斯在2007年1月9日举行的Macworld上宣布推出,2007年6月29日在美国上市,一经推出很快风靡全球。去年7~9月的3个月里,苹果共销售出1410万部iPhone,同比增长了91%。   这款产品设计前卫、价格昂贵,但是“果粉”很难想象市值高达3000亿美元的公司竟然搞不定一个小闹钟。在苹果公司宣布闹钟问题已于1月3日起解决后,部分用户的手机闹钟当天依然处于失灵状态。   这不是iPhone手机第一次出现闹铃问题。就在几个月前,欧洲、美国和澳大利亚的用户无意中睡过了一个小时,原因是他们的手机没有确认夏令时的结束。那一次出问题的手机设置的都是重复性闹铃,而那些设置一次性闹铃的手机则没有受到影响。   通讯领域专家、飞象网总裁项立刚 (微博)告诉本报,不同手机用户可能会遇到不同的问题,有的人手机就没有出现闹钟问题,出现闹钟不响的手机可能更多是一个软件的小问题,比如写程序的时候丢了几个字母,然后测试时也没有测试出来,“相比之前苹果的天线问题,闹钟问题就小得多了。”

摩登3平台注册登录_2010全球液晶监视器厂商及市场出货排名出炉

  WitsView 全球前十大液晶监视器品牌商出货调查显示, 2010年 11月份前十大品牌厂商出货总量达1,223万台,相较于10月份少1.5%。另外在代工厂出货方面,出货总量达1,450万台,相较于10月份增加3.1%。   整体而言, 11月份上半旬出货量延续着10月份出货成长的动能,加上欧洲地区受到欧元升值的带动,成长较为明显。但11月下半旬开始,虽然开始展开农历新年备货,但在终端市场需求未见强劲之际,备货力道亦显得谨慎,因此整体市场走势与WitsView先前预期相符。   WitsView 研究经理林筱茹表示12月份会计年底盘点,预期在减少库存损失的策略下,品牌和代工厂商之月出货量将减少2~8%,但整体第四季品牌和代工厂之出货量QoQ则可望分别增加7%及13%。      2010年LCD Monitor 前十大品牌商与系统整合商出货总量   展望明年第一季市场,受到农历新年假期影响,部份需求已提前于今年第四季或最慢于明年一月出货,预期将到明年三月出货将恢复正常轨道。整体估计品牌商及代工厂商明年第一季将分别下滑0.3%及6.7%,但从品牌商季出货成长几乎持平的情况,不难发现他们对于明年首季市场之期待。  

摩登3登录_电脑开关电源维修图解

  一颗强劲的CPU可以带着我们在复杂的数码世界里飞速狂奔,一块超酷的显示卡会带着我们在绚丽的3D世界里领略那五光十色的震撼,一块发烧级的声卡更能带领我们进入那美妙的音乐殿堂,一个强劲而稳定工作的电脑电源,则是我们的计算机能出色工作的必要保证。   计算机开关电源工作电压较高,通过的电流较大,又工作在有自感电动势的状态下,因此,使用过程中故障率较高。对于电源产生的故障,不少朋友束手无策,其实,只要有一点电子电路知识,就可以轻松的维修电源。  

摩登3新闻554258:_LED驱动电源方案全攻略

  一、什么是LED ?   LED(Light Emitting Diode),又称发光二极管,它们利用固体半导体芯片作为发光材料,当两端加上正向电压,半导体中的载流子发生复合,放出过剩的能量而引起光子发射产生可见光。   二、LED有哪些优点?    高效节能 一千小时仅耗几度电(普通60W白炽灯十七小时耗1度电,普通10W节能灯一百小时耗1度电)    超长寿命 半导体芯片发光,无灯丝,无玻璃泡,不怕震动,不易破碎,使用寿命可达五万小时(普通白炽灯使用寿命仅有一千小时,普通节能灯使用寿命也只有八千小时)    光线健康 光线中不含紫外线和红外线,不产生辐射(普通灯光线中含有紫外线和红外线)    绿色环保 不含汞和氙等有害元素,利于回收和利用,而且不会产生电磁干扰(普通灯管中含有汞和铅等元素,节能灯中的电子镇流器会产生电磁干扰)    保护视力 直流驱动,无频闪(普通灯都是交流驱动,就必然产生频闪)    光效率高,发热小:90%的电能转化为可见光(普通白炽灯80%的电能转化为热能,仅有20%电能转化为光能)    安全系数高 所需电压、电流较小,发热较小,不产生安全隐患,可用于矿场等危险场所    市场潜力大 低压、直流供电,电池、太阳能供电即可,可用于边远山区及野外照明等缺电、少电场所。           三、权威预测   半导体照明将在未来5-10年内取代现有传统光源。   “未来白光LED将更加便宜,市场总体容量将快速增长。”许志鹏乐观地指出,据美国能源部预测,2010年前后,美国将有55%的白炽灯和荧光灯被LED替代,可能形成一个500亿美元的大产业。而日本提出,LED将在今年大规模替代传统白炽灯。日、美、欧、韩等国均已正式启动LED照明战略计划。   美国能源部预测,到2010年前后,美国将有55%的白炽灯和荧光灯将被嵌在芯片上的发光体—半导体灯替代。日本计划到2008年用这种半导体灯替代50%的传统照明灯具。科学家测量发现,在同样亮度下,LED的电能消耗仅为白炽灯的1/10,寿命则是白炽灯的 100倍。由于LED具有节能、环保、寿命长、体积小等优点,专家们称其为人类照明史上继白炽灯和荧光灯之后的又一次飞跃。根据美国能源部(DOE)的预计,传统照明器件的彻底更新换代将在2010年开始启动,然而许多LED供应商都希望将这个启动时间再提前一到两年。  

摩登3官网注册_MEMS惯性传感器优势解析:THELMA制程和低成本封装方法

  意法半导体公司推出一系列惯性传感器,极具诱惑力的价格配合卓越的产品性能,让意法半导体迅速扩大了在消费电子MEMS传感器市场的份额。公司在MEMS技术特性上实现了两全其美:更小尺寸、更低价格、更高性能、更多功能(技术推动)与更具创新力的设计方法(设计推动的创新) ,使最终的MEMS器件更适合消费电子市场的需求[1]。   这个战略已经取得巨大成功,意法半导体因此而迅速崛起,成为世界最大的MEMS器件制造商。目前意法半导体的MEMS产品被世界知名的消费电子产品选用,如任天堂的Wii游戏机、苹果的iPhone手机和iTouch播放器以及其它产品[2]。例如,任天堂的Wii游戏机的遥控器“魔棒”(图1a)使用意法半导体的惯性传感器检测玩家的动作,如打网球、高尔夫球或其它游戏,使玩家能够沉浸在游戏之中并参与屏幕上的人物运动。这个功能促使先进的计算机游戏取得巨大飞跃,从纯粹的被动活动转化为令人兴奋的主动的游戏参与者。同样地,苹果的iPhone采用意法半导体的MEMS传感器检测手持通信设备相对于用户视野的方向,然后相应地调整屏幕的显示方向(横向或纵向),从而为用户提供更多的使用灵活性和功能 (图1b)。      (a) (b)   图 1:这两张图片中的产品采用意法半导体的惯性传感器技术,在消费电子产品中为客户提供全新的功能   (来源:iSuppli市调公司)。   意法半导体的MEMS惯性传感器基于意法半导体的微致动器和加速计的厚外延层制程(THELMA),如图2 [3]所示。THELMA是一个非集成化的MEMS制造程,比多晶硅表面微加工制程略复杂,但是拥有独特的优点,准许实现较厚的结构,这对电容式惯性传感器极其有用。虽然THELMA制程用于实现电容式惯性传感器,但是这项技术非常灵活,还可以用于制造加速计、陀螺仪和其它的MEMS器件。   这个制程的第一个步骤是在晶圆上生成一层2.5μm厚的热二氧化硅(图2a)。第二步是用LPCVD沉积一个多晶硅层(多晶硅层1)。在这个多晶硅层上做版图然后蚀刻,制成埋入式电连接结构,用于传感器向外部传递电位和电容信号(图2b)。根据器件的设计,这个多晶硅层还可用于制造薄多晶硅微加工器件的结构层。然后,用PECVD沉积一层1.6μm厚的二氧化硅层。这个PEVCD氧化层与2.5μm厚的热二氧化硅构成一个4.1μm厚的复合氧化层,用作THELMA制程中的牺牲层。然后,在PECVD沉积氧化物层上做版图和蚀刻,用作厚多晶硅器件的锚定区,稍后制成锚定组件(图 2c)。下一步,用外延沉积法沉积一层厚多晶硅 (图2d)。这个层的厚度可以根据器件设计做相应的调整,厚度范围是15μm到50μm。通过沉积、版图和蚀刻工艺,制作一个连接传感器的金属导电层(图2e)。随后,用深反应离子蚀刻方法(DRIE)在厚多晶硅层上做图和蚀刻,一直到底部的氧化层(图2f)。DRIE方法准许在厚多晶硅层上制作纵横比很大的结构。最后用氢氟酸蒸汽去除牺牲层,释放多晶硅结构层(图2f)。