由英国布里斯托尔大学领导的国际研究小组日前成功研制出速度更快、信息存储量更大的光粒子芯片，为量子计算开辟了新道路。科学家相信，人类有望在10年内制造出量子计算机，实现传统计算机无法完成的复杂运算。 　　量子计算机是一种全新的基于量子理论的计算机。不同于使用二进制或三极管的传统计算机，量子计算机应用的是量子比特，可以同时处在多个状态，而非像传统计算机那样只能处于0或1的二进制状态。量子计算机可存储和处理的信息是传统计算机不可企及的。

　　NOR Flash大厂旺宏顺利募资顺利，成功获得新台币180亿元联贷案，由于大客户任天堂的3D新款游戏机即将上市，旺宏的12吋晶圆厂将加紧脚步，在2011年进入量产，预计2010、2011的资本支出共达10亿美元，这次联贷案成功，也顺利充实扩厂的资金来源；此外，受惠近期日圆升值，旺宏将是最直接的受惠者。 　　旺宏董事长吴敏求表示，目前旺宏手上现金水位还有300亿元，为了扩建12吋晶圆厂的财务规划需求，正式与15家银行办理联贷案，共募得180亿元，2011年12吋晶圆厂将可顺利步入量产，初期规划年底前可达单月产能2万片。 　　值得注意的是，近期日圆升值议题持续发酵，旺宏最大客户日本游戏机大厂任天堂，日本营收比重占旺宏高达50%，旺宏将是这次日圆升值的最大受惠者之一，直接推升旺宏第3季的营运表现。 　　事实上，原本于2010年在NOR Flash领域表现出色的旺宏，随着NOR Flash市场进入供需平衡，失去涨价效益之后，市场原本担心其第3季营收将下滑，但受惠任天堂的3D新款游戏机即将问世，持续增加ROM产品线的订单，适时弥补NOR Flash营收比重的下滑，更让旺宏8月营收逆势成长至27.02亿元，市场期待其9月营收持续攀升。 　　旺宏看好未来NOR Flash和ROM前景，2010年进行大扩产计划，买下茂德在新竹的12吋晶圆？ A此厂房预计在2011年6月将达1万片产能水平，更预计年底完成第2阶段2万片的目标，力拼快速达到损益两平的阶段，估计2010年和2011年的资本支出，包括买厂、机器设备和研发费用，共计约10亿美元。 　　随着产能扩大，除了既有产品线之外，旺宏对于跨入新应用领域也兴致浓厚，计划切入车用NOR Flash市场、无线通信和手机领域，扩大产品线范围，为2011年12吋晶圆厂产能大量开出做准备。 　　其中，旺宏非常重视车用NOR Flash市场，吴敏求已亲自探访汽车1线、2线等大厂，预估此车用市场1年产值规模高达4亿~5亿美元，旺宏目标计划3年内拿下50%市场；而在无线通信领域，也是旺宏2011年布局的重点。

　　台积电、联电、日月光、硅品、力晶、南科、力成等半导体大厂，上半年时看好市场景气，纷纷加码资本支出，卡位最先进制程。以台积电为例，全年资本支出大举由48亿美元加码至59亿美元（约新台币1，872亿元），以添购最新颖的设备，稳固40奈米以下先进制程市占率。 　　日月光、硅品也因高阶铜制程设备需求大，纷纷调升今年资本支出；力晶也跟进上修今年资本支出来，采购供不应求的45奈米DRAM制造设备，都是这次设备采购的「大咖级」买家，也是这波B/B值一路走高的最大动力。 　　然而，随着第四季半导体景气转弱趋势逐步确立，内存业者更因DRAM价格回跌可能性升高，已传出放缓投资脚步；封测双雄的日月光及硅品，近期也传出对第四季资本支出急踩煞车，铜打线机台扩充全面喊停，都是使得B/B值自高档回落的原因。 　　半导体设备业者表示，今年半导体业投资激情高峰期已过，2011年国内半导体大厂采购设备的热情也将冷却，甚至资本支出可能只有今年的一半。

　　外电报导，日本第2大太阳能电池厂京瓷（Kyocera）位于滋贺县野州市市三宅的野州工厂于20日上午0时15分左右发生爆炸事件，造成工厂内弥漫烟雾及高温热气。该座野州工厂于今年3月竣工、6月量产，主要生产多晶硅太阳能电池；目前爆炸事件对产能影响的程度仍未明。 　　据报导，该座野州工厂为6层楼建筑，其中在1楼拥有18座硅溶解炉（目前运转生产的溶解炉为12座），而此次就是其中一座溶解炉发生爆炸，在工厂内作业的约20名员工则已全数避难无人受伤，目前相关当局也正调查事故发生原因。

　　目前各DRAM大厂阵营制程演进的脚步不一，速度最快的是三星电子（Samsung Electronics），从56奈米制程往46奈米制程微缩后，目前46奈米制程已大量交货，第4季最新一代的35奈米将开始试产问世，预计成本可较上一代46奈米再减少30%；而DRAM大厂海力士（Hynix）也不遑多让，目前DRAM主流制程为44奈米，也将快速往30奈米制程前进。 　　在美系厂商方面，美光（Micron）目前主流制程是50奈米制程，合作伙伴南亚科和转投资的华亚科预计第4季50奈米制程的2Gb产品将大量出货，同时美光和南亚科也会早一步快速转进42奈米制程，以追上三星的制程微缩脚步，预计2011年美系阵营中，42奈米制程会是主流。 　　在日系阵营方面，尔必达（Elpida）和转投资的瑞晶会最快导入45奈米制程，并且快速进入量产，力晶受制于浸润式曝光机台（Immersion Scanner）之故，大约会比瑞晶晚一季导入45奈米制程，目前瑞晶和力晶的主力制程仍是63奈米；而在茂德方面，由于2010年才加入尔必达阵营，目前正处于大量导入63奈米制程阶段，2011年才会往45奈米前进。 　　2011年40和30奈米将成为DRAM产业的主流，届时2Gb晶片将取代1Gb晶片成为主流容量，三星的35奈米制程量产后，2Gb容量的DDR3成本将趋近于1美元，也驱动整个产业成本下降的速度。

　　2010年3月25日台积电于新竹科学园区举行LED照明技术研发中心暨量产厂房动土典礼，为跨入绿色能源新事业写下重要里程碑。 　　台湾台积电于竹科建LED厂正式宣示跨入LED生产，势必对于台湾LED产业投下不少变量，本文将针对投入LED产业后可能造成的影响以及未来台湾LED产业可能的变化进行分析。此LED厂第一期厂房设施及生产设备的投资额为新台币55亿元，初期放置至少十台MOCVD机台，预计2010年第四季完工装机，并于2011年第一季开始量产；至于第二期工程，则将依据未来的发展需求择期进行。未来台积电将由Epi/Chip至封装一贯生产，并将光、电、热处理整合于硅基板上，以光引擎模块方式出货，提供照明产品所需组件，开辟B2B的企业客户应用市场。 　　影响分析 　　（一） 垂直整合 提高产业资金及市场进入障碍 　　台湾LED产业发展至今已有30年历史，过去产业一直以专业分工为主，晶电、璨圆、泰谷、广镓等专注于磊晶及晶粒制造，亿光、光宝、东贝等厂商专注于LED封装制造，直到近2~3年奇力、隆达以及台积电相继投入之后才逐渐打破专业分工的产业结构，更在台积电投入之后开始规划生产制造LED模块，将电、光、热同时解决，以利于下游厂商应用。 　　在奇力、隆达以及台积电投入之后，台湾LED产业开始走向垂直整合，若垂直整合经营模式可以成功，未来将会使得LED产业进入门坎提高，其中包括资金及市场。资金方面，由于垂直分工使得厂商若选择进入其中一端，所需资金相对于垂直整合少，因此未来新进入者在资金门坎上将大幅提高，也将使得台湾LED产业持续迈向大者恒大的局面。 　　透过垂直整合可以使责任厘清更加明确及有助于技术提升。垂直整合后将可以解决过去因专业分工所造成的问题，专业分工时，若LED出现问题则较无法厘清责任归属，垂直整合后，由于皆属厂商内部制造，由上游磊晶、晶粒及封装都属该家公司负责生产，使得产品质量控制及责任归属上将更加明确。另外垂直整合后对于技术提升上也将有相当大的帮助，举例而言，若某种荧光粉需要搭配特殊规格的蓝光芯片，才能达到最好的发光效率，但碍于过去专业分工，将使得磊晶厂未必愿意制造特殊规格蓝光芯片，但垂直整合后，因磊晶、晶粒及封装都一贯生产，内部势必可以支持特殊规格产品，以追求更好的发光效率。 　　（二） 改变技术特性 由工艺型转为标准化制程（技术导向转管理导向） 　　LED产业在过去一直被定位为工艺型产业，需借由工程师设备经验，将机台调整至最佳状态，但由于每位工程师经验不同，使得LED制造过程中一直无法大幅提高规格良率。 　　在台积电投入LED产业后，势必会将台积电在半导体有效率的管理制程导入LED产业中，并将制程朝向标准化及自动化生产，降低人为因素的干扰；以台积电目前规模，资金实力雄厚，若此举可以成功的话，将会使得台湾LED产业由过去工艺型产业，朝向标准化/自动化生产，一举解决LED规格良率问题，将有机会使LED规格良率大幅提升。 　　若LED规格良率真可以大幅提高，有效产能将会大幅提高，将使得LED价格得以持续下滑，对于应用市场推广将有相当大帮助。若台积电真能大幅提高有效产能，既有厂商竞争力将也可能转变，若既有厂商无法跟着提高有效产能，将使得竞争力下滑；且由于目前规格品良率不高，使得厂商只能借由扩充厂能来生产所需产品，因此若规格品良率真能大幅提高，是否意谓着以目前产能状况可能足以供给市场需求，未来是否还需要持续扩厂，值得大家注意。 　　（三） 发展硅封装基板 　　台积电在未盖厂之前已有转投资采钰科技从事LED硅基板封装技术的开发，日前采钰科技发表8吋晶圆级LED硅基封装技术，被业界视为高功率LED封装的新突破；采钰的8吋晶圆级LED硅基封装技术，是运用专利的微型化半导体微机电制程，透过硅晶穿孔、铸模透镜以及均匀荧光材料涂布等独家技术，整片封装再进行切割，可大量生产并降低成本；在单晶LED封装产品热阻可望降至2℃/W，并大幅降低接口温度（junction temperature《50℃ at Ta=25℃）。 　　传统LED结构的封装方式，芯片散热往往被低热传系数的蓝宝石基板所局限。蓝宝石基板的热传系数只有40 W／mK，而且蓝宝石基板的厚度通常在数十微米左右，更增加整体热传的困难度，因此传统的芯片键合结构并不是一个效率好的散热设计。目前覆晶式的芯片封装很吸引人们的目光，因为能提供一个较好的散热系统，主动发光层产生的热可由下方大面积的焊料凸块向外传导，进而提高LED发光的效率。 　　（四） LED光引擎（Light Engine）发展，降低组件至系统端的沟通成本，加速LED照明发展 　　台积电欲发展的硅基板除热传导系数佳，热传导系数可达80～150W／mK之外，也可以将电路也整合进去，形成LED光引擎模块，使得下游应用厂商在使用上将更加便利统，对于未来下游LED照明应用扩展有相当大帮助，有机会加速LED照明应用发展。 　　LED组件价格持续下滑似乎是产业不变的现象，因此台积电目前以LED光引擎模块为未来公司出货目标，借此希望能提高产品附加价值。不过，LED整组灯具除光源部分之外，还包括光学设计（Optic）、散热（Thermal and Metal Bending）、电源（Power Supply）、零组件（Assembly），然而在LED产业中可以发现，虽然LED技术不断进步，但由于LED应用广泛，因此就算有100 lm/W产品商品化，但过去亮度不高的产品仍有其它应用市场，如玩具、圣诞灯串等市场仍可以销售，以致于新产品不断被开发出来，但旧有产品也不容易被淘汰，价格仅有持续下跌的空间，毛利难以维持。 　　此外，根据美国DOE在2009年4月与6月分别召开的两次工作会议中指出，针对LED灯具成本此一项关键议题，从LED灯具成本发展蓝图可以得知，DOE预期在2015年的LED灯具整体成本仅为现在的1/4左右，其中以LED组件下降幅度最大，可见于未来LED价格持续下滑是必然的趋势。因此未来台积电以全球第一大半导体制造厂商跨足LED制造，是否能利用半导体制造相关经验，大幅提升LED制程良率，借此提高LED毛利，将是值得观察的重点。

　　（一）检测 　　一、检测是通过一定的物理方式，分辨出被测参数量病归属到某一范围带，以此来判别被测参数是否合格或参数量是否存在。测量时将被测的未知量与同性质的标准量进行比较，确定被测量队标准量的倍数，并通过数字表示出这个倍数的过程。 　　在自动化和检测领域，检测的任务不仅是对成品或半成品的检验和测量，而且为了检查、监督和控制某个生产过程或运动对象使之处于人们选定的最佳状况，需要随时检测和测量各种参量的大小和变化等情况。这种对生产过程和运动对象实时检测和测量的技术又称为工程检测技术。 　　测量有两种方式：即直接测量和间接测量 　　直接测量是对被测量进行测量时，对以表读数不经任何运算，直接的出被测量的数值，如：用温度计测量温度，用万用表测量电压 　　间接测量是测量几个与被测量有关的物理量，通过函数关系是计算出被测量的数值。如：功率P与电压V和电流I有关，即P=VI，通过测量到的电压和电流，计算出功率。 　　直接测量简单、方便，在实际中使用较多；但在无法采用直接测量方式、直接测量不方便或直接测量误差大等情况下，可采用间接测量方式。 　　光电传感器与敏感器的概念 　　传感器的作用是将非电量转换为与之有确定对应关系得电量输出，它本质上是非电量系统与电量系统之间的接口。在检测和控制过程中，传感器是必不可少的转换器件。从能量角度出发，可将传感器划分为两种类型：一类是能量控制型传感器，也称有源传感器；另一类是能量转换传感器，也称无源传感器。能量控制型传感器是指传感器将被测量的变换转换成电参数（如电阻、电容）的变化，传感器需外加激励电源，才可将被测量参数的变化转换成电压、电流的变化。而能量转换型传感器可直接将被测量的变化转换成电压、电流的变化，不需外加激励源。 　　在很多情况下，所需要测量的非电量并不是传感器所能转换的那种非电量，这就需要在传感器前面加一个能够把被测非电量转换为该传感器能够接收和转换的非电量的装置或器件。这种能够被测非电量转换为可用电量的元器件或装置成为敏感器。例如用电阻应变片测量电压时，就需要将应变片粘贴到售压力的弹性原件上，弹性原件将压力转换为应变力，应变片再将应变力转换为电阻的变化。这里应变片便是传感器，而弹性原件便是敏感器。敏感器和传感器随然都可对被测非电量进行转换，但敏感器是把被测量转换为可用非电量，而传感器是把被测非电量转换为电量。 　　二、光电传感器是基于光电效应，将光信号转换为电信号的一种传感器，广泛应用于自动控制、宇航和广播电视等各个领域。 　　光电传感器主要噢有光电二极管、光电晶体管、光敏电阻Cds、光电耦合器、继承光电传感器、光电池和图像传感器等。主要种类表如下图所示。实际应用时，要选择适宜的传感器才能达到预期的效果。大致的选用原则是：高速的光电检测电路、宽范围照度的照度计、超高速的激光传感器宜选用光电二极管；几千赫兹的简单脉冲光电传感器、简单电路中的低速脉冲光电开关宜选用光电晶体管；响应速度虽慢，但性能良好的电阻桥式传感器以及具有电阻性质的光电传感器、路灯自动亮灭电路中的光电传感器、随光的强弱成比例改变的可变电阻等宜选用Cds和Pbs光敏元件；旋转编码器、速度传感器、超高速的激光传感器宜选用集成光电传感器。 　　光电传感器类型 光电传感器实例 　　PN结 PN光电二极管（材料采用Si，Ge，GaAs） 　　PIN光电二极管（材料采用Si） 　　雪崩光电二极管（材料采用Si，Ge） 　　光电晶体管（光电达林顿管）（材料采用Si） 　　集成光电传感器和光电晶闸管（材料采用Si） 　　非PN结 光电元件（材料采用CdS，CdSe，Se，PbS） 　　热电元件（材料采用（PZT，LiTaO3，PbTiO3） 　　电子管类 光电管，摄像管，光电倍增管 　　其他类 色敏传感器（材料采用Si，α-Si） 　　固体图像传感器（材料采用Si，有CCD型，MOS型，CPD型 　　位置检测用元件（PSD）（材料采用Si） 　　光电池（光电二极管）（材料用Si） 　　（二）光电测试技术简介 　　光电检测技术是光电信息技术的主要技术之一，它主要包括光电变换技术、光信息获取与光信息测量技术以及测量信息的光电处理技术等。如用光电方法实现各种物理量的测量，微光、弱光测量，红外测量，光扫描、光跟踪测量，激光测量，光纤测量，图象像测量等。 　　光电检测技术将光学技术与电子技术相结合实现对各种量的测量，他具有如下特点： 　　（1）高精度。光电测量的精度是各种测量技术中精度最高的一种。如用激光干涉法测量长度的精度可达0.05μm/m；光栅莫尔条纹法测角可达到 ；用激光测距法测量地球与月球之间距离的分辨力可达到1m。 　　（2）高速度。光电测量以光为媒介，而光是各种物质中传播速度最快的，无疑用光学方法获取和传递信息是最快的。 　　（3）远距离、大量程。光是最便于远距离粗寒痹的介质，尤其适用于遥控和遥测，如武器制导、光电跟踪、电视遥测等。 　　（4）非接触测量。光照到被测物体上可以认为是没有测量力的，因此也无摩擦，可以实现动态测量，是各种测量方法中效率最高的一种。 　　（5）寿命长。在理论上光波是永不磨损的，只要复现性做得好，可以永久的使用。 　　（6）具有很强的信息处理和运算能力，可将复杂信息并行处理。用光电方法还便于信息的控制和存储，易于实现自动化，，易于与计算机连接，易于实现只能化。 　　光电测试技术是现代科学、国家现代化建设和人民生活中不可缺少的新技术，是机、光、电、计算机相结合的新技术，是最具有潜力的信息技术之一。 　　（三）光电检测系统的组成及特点 　　由于被测对象复杂多样，故检测系统的结构也不尽相同。一般电子检测系统是由传感器、信号调理器和输出环节三部分组成。 　　传感器处于被测对象与检测系统的接口处，是一个信号变换器。它直接从被测对象中提取被测量的信息，感受其变化，并转化成便于测量的电参数。 　　有传感器检测到的信号一般为电信号。它不能直接满足输出的要求，需要进一步的变换、处理和分析，即通过信号调理电路将其转换为标准的电信号，输出给输出环节。 　　根据检测系统输出的目的和形式的不同，输出环节主要显示与记录装置、数据通信接口和控制装置。 　　传感器的信号调理电路是由传感器的类型和对输出信号的要求决定的。不同的传感器具有不同的输出信号。能量控制型传感器输出的是电参数的变化，需采用电桥电路将其转换成电压的变化，而电桥电路输出的电压信号幅度较小，共模电压又很大，需要用仪表放大器进行放大，在能量转换型传感器输出的电压、电流信号中一般都含有较大的噪声信号，需加滤波电路提取有用的信号，而滤波出无用的噪声信号。而且，一般能量型传感器输出的电压信号幅度都很低，也许才用仪表放大器进行放大。 　　与电子系统载波相比，光电系统载波的频率提高了几个数量级。这种频率量级上的变化使光电系统在实现方法上发生了质变，在功能上也发生了质的飞跃。主要表现在载波容量、角分辨率、距离分辨率和光谱分辨率大为提高，因此，在信道、雷达、通信、精导、导航、测量等领域获得广泛应用。应用到这些场合的光电系统的具体构成形式尽管各不相同，但有一个共同的特征，即都具有发射机、光学信道和光接收机这一环节。 　　光电系统通常分为主动式和被动式两类。在主动式光电系统中，光发射机主要由光源（例如激光器）和调制器构成；在被动式光电系统中，光发射机为被测物体的热辐射发射。光学信道和光接收机对两者是完全相同的。所谓光学信道，主要是指大气、空间、水下和光纤。光接收机是用于收集入射的光信号并加以处理、恢复光载波的信息，包括三个基本模块。 　　光电变换通常是通过各种光学元件和光学系统来实现的，采用平面镜、光狭缝、透镜、角锥棱镜、偏振器、波片、码盘、光栅、调制器、光成像系统、光干涉系统等，实现将被测量转换为光参量（振幅、频率、相位、偏振态、传播方向变化等。）光电转换是用各种光电变换器件来完成的，如光电检测器件、光电摄像器件、光电热敏器件等。

　　经常听到这样一句话：行业发展，标准先行。当光伏中国制造已成为我们的骄傲，且光伏市场持续两位数高速增长时，光伏标准就成为了中国乃至全球业界亟待突破与解决的瓶颈。 　　SEMI会员公司及其客户们经常提到，目前光伏产业链的一些基本参数都无法统一，材料规格和测试方法不一致导致了产品推出的风险极高。标准化是产业降低成本、改善上市时间和拥有成本的有效途径。世伟洛克公司产品和技术经理John Baxter说，光伏产业发展迅速，产业标准的推出已迫在眉睫。 　　早在1973年，SEMI就开始与会员公司一起制定晶圆尺寸等半导体行业标准，目前已有800多条国际标准在半导体制造、平板显示等多项领域得到普遍运用。而今SEMI与会员公司一道，已开始了光伏标准的协调与制定工作。太阳能光伏标准的出台将帮助太阳能厂商降低生产成本，提高产能及产品可靠性，并及时把握产业动向。SEMI PV Group高级总监Bettina Weiss介绍，SEMI设立了全球光伏标准发展蓝图（Global PV Standards Roadmap）项目。一支由设备材料商、电池模组制造商和学术界人士等组成的核心团队于2008年5月正式成立。 　　John Baxter就一直热心参与SEMI的标准委员会工作。世伟洛克早在1988年就开始超高纯净应用领域引入了高纯链（Cleanliness Chain）的概念。20世纪90年代初，超高纯净应用规范SC-01逐渐成为了市场接受的标准器件工艺规范，并成为了SEMI标准的重要参考，它涵盖了超高纯系统的阀门、接头等系统的设计、材料、污染控制、制造、校准、包装和安装等环节。 　　“但在PV行业，传统的应用于超高纯半导体工艺的标准有些过于严格了，额外的清洗、测试和包装工序都是PV工艺中不需要的，而每一步额外的工序自然都会导致成本的增加。”John Baxter说。举例来说，半导体行业要求最少的表面缺陷以降低污染，但PV制造系统对这些表面缺陷的要求低很多，因此不需要大量的抛光与清洗工艺。减少不必要工序，从而降低部件成本，这对提高光伏组件的性价比是非常必要的。 　　为此，降低整体系统成本的SC-06应运而生。在设计标准、材料选择、制造、清洗与干燥、组装与测试、及最终包装等环节，SC-06特为PV产业量身定制，能有效降低成本，同时能够满足PV产业的要求。SC-06参数中也特别提供了降低污染风险的规范，有效保证了产品的质量。SC-06的参数为产业标准提供了基础，能有效改善流体系统配件的整体COO（Cost of Ownership），从而对降低光伏发电成本作出自己的贡献。 　　从半导体到光伏，这是包括世伟洛克在内的很多SEMI会员公司都在经历的转型，而SEMI也在与会员公司一道进行着这一转变。目前SEMI在PV行业气体纯净度、晶圆和电池传送装置规格等领域已开始组织探讨技术行业标准问题。今后几年将有各种产业与技术标准的发布，这将有效协助光伏产业的快速发展。

　　集成电路产业是目前世界上发展最快、最具影响力的产业之一，集成电路产业本身经历了几十年的不断的发展与演变，从最初的以“全能型”企业为主体的产业结构转变为产业集群与专业垂直分工越来越清晰的产业结构，这也是从综合发展模式向专业发展模式的演变，这种产业结构的变化是为了适应激烈的竞争、实现最大价值的内在要求。 　　设计、 制造和封装测试集一身 　　集成电路刚刚诞生时，作为一项新兴技术，生产涉及到的技术仅为少数企业所掌握，而生产所用的设备、材料、制造工艺技术等又具有高度的专业性，是过去其他产品生产中从未曾涉及、使用过的。因此，无论从产品设计技术、设备生产技术还是到原材料生产技术到加工工艺技术，都无法作为成熟产品从市场上直接获得，在这种情况下，企业要想介入集成电路领域，唯一的途径就是自身掌握包括产品设计、加工制造在内的全套技术，拥有半导体材料制备和生产设备，也就是我们通常所说的“全能企业”。 　　美国的综合型电子企业最早开始投资集成电路产业，如德州仪器、仙童、Motorola、IBM、DECD等。这些美国公司参与到集成电路产业中主要是为自身制造的电子整机产品（电子设备、通信设备、家用电器等）服务的，以此增加其整机产品的附加值，提升产品的质量和功能，降低生产成本，争夺市场。当时的电路产品主要是双极器件电路和简单功能的MOS电路，用于替代成本较高的晶体管器件。事实上，包括美国、日本的早期集成电路企业都是依附于大型企业集团的，在本集团战略思想的统一指导，从事产品的设计与生产，而产业内的组织结构也主要表现为水平整合，即综合型IDM，集整机产品和集成电路的设计、制造、封装和测试等生产过程于一身。 　　材料、设备业的分离 　　随着工业技术的提升和市场规模的扩大，专业化分工的优点日益体现出来，于是，产品形态明晰的设备业、材料业最先从这些“全能企业”中分离出来，作为独立的行业发展起来。这样，整个产业系统就分化成为集成电路业、设备业和材料业三个细分子产业。 　　在这种大背景下，应用材料公司于1967年在美国成立，现已成为世界最大的半导体设备厂商。材料、设备制造业从集成电路产业中分离的较早，加之开发技术难度大，属于基础科学类，开发费用高，因此，进入门槛高。到目前为止，半导体设备制造被应用材料、日本东京电子、荷兰ASML等美国、日本、欧盟三家企业垄断。同样的情况也发生在材料业，美国、日本、欧盟掌握着控制权。 　　封装、测试业的分离 　　二十世纪70年代，集成电路产业结构发生了一次重大调整，那就是，封装、测试业逐渐从整个产业中分离出来，作为一个独立的产业发展。这一阶段，后道封装、测试技术己基本上物化到了设备仪器技术和原材料技术之中。也就是说，集成电路的后道封装具有较高技术的部分已集中体现在设备仪器技术和原材料技术之中。后道封装、测试生产工序实际上己经转化为劳动密集型工作，而发展中国家劳动力成本低廉，在发展劳动密集型产业上具有发达国家难以达到的成本优势。因此，这一时期，发达国家开始将封装转移到本土以外的其他地区生产，单独的封装测试业开始出现。 　　到了20世界70年代末，美国的绝大多数集成电路制造公司为了降低其部分生产成本，开始将纵向生产链中技术含量最低的封装、测试工序大量移向海外，主要是马来西亚、菲律宾、韩国和中国台湾地区。恰巧这些地区的政府或当局也正将集成电路作为本地区的支柱产业发展。目前，台湾企业在全球封装测试产业中所占的比重最大，全球前5大封测厂家已占3席，不仅是收入，盈利表现也相当好，先进封装和测试的专业厂商几乎全部集中在台湾。 　　设计业的分离 　　二十世纪七十年代，集成电路设计是通过直接画版图完成的，当时只能设计到几百门的复杂度，设计技术主要与特定的技术人员联系在一起；八十年代Daisy公司首先实现了计算机辅助工程（CAE），使得工程师可以通过画逻辑图、自动布局布线的方式完成设计，CAE不仅使设计水平由原有的几百门迅速上升到一万门左右的水平，而且，自动布局布线降低了对设计人员的技术要求，集成电路设计技术开始部分物化到设计工具中。随着EDA工具（电子设计自动化工具）的发展，PCB设计方法引入IC设计之中，如库的概念、工艺模拟参数及其仿真概念等，设计开始进入抽象化阶段，使设计过程可以独立于生产工艺而存在，为集成电路的扩大应用奠定了基础。 　　随着微处理器和PC机的广泛应用和普及（特别是在通信、工业控制、消费电子等领域），IC产业已开始进入以客户为导向的阶段，产品的差异化不断加大，这些使得集成电路产业从一个标准产品（如DRAM、标准逻辑电路等）竞争时代进入到一个定制产品的时代，因此大量专门从事集成电路设计公司出现。于是，集成电路产业组织状况发生了新的变化，在集成电路产业内明显出现了垂直分工和产业集聚的现象。 　　自1982年世界上第一家专业化的集成电路设计公司——美国LSILogic公司成立以来，集成电路设计公司便以其经营模式灵活、注重创新设计和与应用市场结合紧密而实现了超常发展。2006年世界IC设计公司收益较2005年增长34%，远高于整个半导体行业8.9%的增长率，占半导体工业总体收益的20%。 　　在这期间，由于制造工艺水平的提高，对生产线投入的资金要求越来越大，多数IDM中小企业已无力承担这些费用所带来的经营风险，高额的建线费用也限制了许多试图进入IC业的人，于是只专注于芯片制造的代工企业（Foundry）出现了。1987年，全球第一家集成电路制造专业代工服务公司——台积电（TSMC）成立。时至今日，身为业界专业代工模式创始者的台积电已成为全球规模最大的专业集成电路制造公司，提供业界最先进的工艺技术及拥有专业晶圆制造服务领域最完备的组件数据库、知识产权、设计工具及设计流程。在半导体代工阵营中，TSMC、联电（UMC）、中芯国际（SMIC）、特许（Chartered）属于前四大企业，占据着绝大部分代工市场，而以X-Fab、Jazz Semiconductor为代表的企业以提供特殊Foundry服务（如RF、Analog）而拥有自己的一席之地。 　　大量无生产线的IC设计公司的出现，为专业代工厂的发展提供了巨大的发展空间；反之，代工厂的出现也降低了设计公司进入IC领域的门槛，大量的设计企业也随着诞生。无生产线的IC设计公司（Fabless）与IC代工制造公司（Foundry）相配合的方式成为集成电路产业发展的重要模式。从下图可以看到，Fabless公司在11年间公司数量增加4倍，营业收入增长40倍，年均增长率达22%，远高于全行业8%的速度和IDM 7%的速度。 　　综合型IDM向专业型半导体企业的转变 　　专业型IDM公司，即专门从事半导体产业设计、制造、封装测试，基本上不从事整机业务的公司。这种形式起始于上世纪60年代后期的美国，比如Intel、AMD、Zilog等若干公司。1987年，综合电子企业法国汤姆逊公司的半导体部门分离出来与意大利半导体公司合并为STM半导体公司。专业型IDM公司相对于综合型IDM公司的高效运作具有典型的示范意义。 　　二十世纪90年代后期，随着Internet的普及，IC产业跨入以竞争为导向的高级阶段，国际竞争由原来的资源竞争、价格竞争转向人才知识竞争、密集资本竞争，“快鱼吃慢鱼”的现象十分醒目。 　　2000年前后几年，Motorola、Siemens、Philip等欧美综合型IDM公司迫于竞争压力，将半导体业务单独剥离出来，分别成立了Freescale、Infineon、NXP等专业型IDM公司。日本的综合电子企业NEC、日立（也是综合型IDM公司）剥离其存储器部门成立存储器大厂Elpida，后三菱公司也加入，日立、三菱的非存储器业务部门又分离出来联合成立瑞萨半导体公司，成为业界相当瞩目的现象。综合型IDM厂商转型为专业型IDM厂商最为典型的是Motorola。其2003年时共拥有各类半导体厂共39个。经过关闭，兼并及重组，最后仅存下8家盈利最高的工厂，在天津花费了18亿美元建成的MOS 17工厂在维持试运行3年后，最终以股权转让方式，售予中芯国际。其2004年结构重组后，新公司飞思卡尔一年之内即迅速上市，并实现扭亏为盈。 　　从上述情况还可以看到，专业型IDM公司在产品种类的问题上采取了更加“专注”的策略。事实上，早在1985年，美国以Intel为代表，为抗争日本跃居世界半导体榜首之威胁，主动放弃DRAM市场，大搞CPU和逻辑电路，作了重大结构调整，又重新夺回了世界半导体霸主地位。后来，同样的情况也发生在AMD身上，为了更具竞争力，2003年AMD剥离了存储器业务，集中精力从事CPU业务，而其存储器业务与富士通合资成立了Spansion闪存公司，由Spansion独立发展存储器业务。 　　在产业发展过程中人们认识到，跨越太长产业链的集成电路公司体系并不一定有利于企业发展，“细分”才能精，“联合”才成优势，不少综合型IDM公司，特别是美国欧洲企业，纷纷改制成为专业型IDM公司。 　　综上所述，集成电路产业从诞生至今的50年中，随着技术和市场的不断变化，经历了多次结构调整之后，已经逐渐由原来“大而全”形式的产业演化成目前“专而精”的多个细分子产业。在IDM公司继续发挥重大作用的基础上，IC产业结构向高度专业化转化成为一种趋势，形成了设计业、制造业、封装业、测试业独立成行的局面。即使在设计业自己内部慢慢地也出现了细分，如专门从事提供IP的设计服务公司，及第三方设计公司；制造业内部分为IDM制造与专业代工制造企业两种形式。正是这些具有不同特征的细分子产业间相互作用、相互推动、相互制约，越来越影响着整个集成电路产业体系的发展。近年来，全球IC产业的发展也越来越显示出产业链细分和模式多元化的活力。

　　力科公司宣布为移动电话产业特别是MIPI（Mobile Industry Processor Interface）标准提供业界最全面的测试解决方案。MIPI标准正在驱动下一代移动设备-允许更快的数据传输率，更低的功耗，以及更高分辨率的显示器和照相机。正在与该标准打交道的芯片设计人员要求能测试这些技术的工具，而这些工具一直未能面世。力科提供了正在驱动当前数码相机和显示器的技术发展的D-PHY 标准物理层的自动化一致性测试软件包，从而适应了这种需求。 　　QualiPHY MIPI-DPHY 　　QualiPHY MIPI-DPHY （QPHY-MIPI-DPHY） 测试方案提供自动化控制力科示波器的能力，支持按照MIPI 联盟规范D-PHY 版本version 1.00.00 执行发送端物理层测试的能力。 　　D-PHY 测量中的高度变化性使得在非常短的时钟周期内测量大量周期非常重要。“我们非常高兴力科将这种性能水平带到MIPI社区”，硅-验证MIPI PHY IP核的领导厂商Mixel公司首席执行官阿沙夫。塔克拉说。QPHY-MIPI-DPHY 通过在非常短的时间周期内测量大量周期使得用户能获得最高级别信心，这样用户在他们的测量中对他们捕获到最多和最小点数都有足够的信心。QPHY-MIPI-DPHY 也会显示和记录正在进行中的测试的最恶劣情形。最差情况将在一致性报告中放大和捕获。除此之外自动化分析MIPI D-PHY 信号的特性， QPHY-MIPI-DPHY 软件包使得示波器中调试MIPI D-PHY的能力变得更强大。集成的MIPI D-PHY 调试实用工具和解码器是定位一致性故障的产生根源的完美组合。 　　力科 QualiPHY 平台提供了一种易用的用户配置接口，允许定制化测试和限制器选择，显示连接示意图让用户确保连接正确，并且生成完整的测试报告。除此之外，所有QPHY-MIPI-DPHY 测试过的波形都能被保存，方便共享信息或在日后的某个时间重新运行测试。 　　D-PHY 解码器 　　D-PHY 解码器是QualiPHY MIPI-DPHY 软件包的完美补充，它提供了一套完整的调试工具集。D-PHY 解码软件包译码物理层（D-PHY），同时支持相机（CSI-2）和显示器 （DSI） 层。D-PHY 解码软件包能迅速的解码最多四路数据，使用颜色编码的重叠在波形的不同区域以便更容易理解视频显示。 D-PHY解码器提供的调试手段包括协议表格显示和搜索选项，这些特性经常只能在总线分析仪上才具有。表格显示将示波器转变成一台协议分析仪，能够将解码后的数据以表格化的形式列出来。D-PHY解码器提供最多28种搜索选项允许易用的调试方式去快速定位指定数据中的比特或群组。 　　DigRF 3G 解码器 　　MIPI DigRF 3G 标准专注于移动设备中无线移动RFIC 到 BBIC 接口。DigRF 3G 标准对于移动设备的好处在于降低引脚数量，最小化功耗和提供可靠的物理层这样电话能工作的更便宜些，更快速，和无错误。数字IQ运行速度越来越高的一个后果就是增加了工作在这一领域内的设计工程师分析和解码的复杂度。 　　“当DigRF出现时，解码和分析变成巨大的挑战因为可用的模拟设备已经过时。我们已经使用力科强大的WavePro 7 Zi 示波器，并且提出一个想法就是在数字式示波器上直接集成一套 DigRF 分析仪，这样挑战就变得易于使用，而且充分利用示波器的处理速度，这对于在我们的研发实验室高性能和实时分析是至关重要的。” Franck Ernoul说， 他是瑞萨设计法国的实验室经理。 　　力科与瑞萨设计法国，瑞萨电子的分部，一家领先的先进半导体解决方案供应商，合作开发了DigRF 3G 解码接口，允许用户快速分析数字化射频波形，了解每个数据帧的协议和数据，描述时序和幅度信息的特性，同时保留示波器优异的快速响应性。 　　―感谢力科示波器的多核架构和快速触发器， DigRF 解码没有干扰触发时间并允许保持测量的相对实时性，瑞萨设计法国工具开发小组领导人Sebastien Brillet如此说。解码设置易于配置，并且可灵活扩充到低速（6.5 Mb/s）， 中速 （26 Mb/s）和高速 （312 Mb/s） 信号 。DigRF 3G 解码器也提供相同的强大导航和协议层工具，这些在D-PHY解码器中也同样具备，比如配置表查看，还有搜索引擎专门用来快速定位任何14个可用的搜索选项去缩小长采集中的消息或净荷数据。 　　力科的 PROTObus MAG 串行调试工具集添加了专门为DigRF 3G验证而设计的特别能力，这是通过提供提取数字编码I和Q射频数据并以模拟波形的方式绘制数据值。这样即使I和Q信号信息不能被探头直接采集到，它也可以图示和观测好像它存在一样，这给予DigRF 3G 工程师更快了解和验证他们设计的强大新型工具。