目前各DRAM大厂阵营制程演进的脚步不一，速度最快的是三星电子（Samsung Electronics），从56奈米制程往46奈米制程微缩后，目前46奈米制程已大量交货，第4季最新一代的35奈米将开始试产问世，预计成本可较上一代46奈米再减少30%；而DRAM大厂海力士（Hynix）也不遑多让，目前DRAM主流制程为44奈米，也将快速往30奈米制程前进。

　　在美系厂商方面，美光（Micron）目前主流制程是50奈米制程，合作伙伴南亚科和转投资的华亚科预计第4季50奈米制程的2Gb产品将大量出货，同时美光和南亚科也会早一步快速转进42奈米制程，以追上三星的制程微缩脚步，预计2011年美系阵营中，42奈米制程会是主流。

　　在日系阵营方面，尔必达（Elpida）和转投资的瑞晶会最快导入45奈米制程，并且快速进入量产，力晶受制于浸润式曝光机台（Immersion Scanner）之故，大约会比瑞晶晚一季导入45奈米制程，目前瑞晶和力晶的主力制程仍是63奈米；而在茂德方面，由于2010年才加入尔必达阵营，目前正处于大量导入63奈米制程阶段，2011年才会往45奈米前进。

　　2011年40和30奈米将成为DRAM产业的主流，届时2Gb晶片将取代1Gb晶片成为主流容量，三星的35奈米制程量产后，2Gb容量的DDR3成本将趋近于1美元，也驱动整个产业成本下降的速度。