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摩登3注册网站_手把手教你,AltiumDesigner热焊盘敷铜设置技巧

热焊盘又称“十字花焊盘”,其作用是减少焊盘在焊接中向外散热,以防止因过度散热而导致的虚焊或pcb起皮。 很多研发工程师在焊接GND引脚的时候应该就深有感触——对于大面积敷地铜的引脚,用全铺地的方式,焊接过程中散热特别快,特别是对于4层或更多层的板子,焊接过程需要极高的温度才能将引脚焊接到位。 AltiumDesigner的热焊盘设置有一定的灵活性,很多工程师在一开始的时候不知道如何通过规则设置将器件GND管脚、GND过孔、GND螺丝孔区分开来敷铜,因此一旦敷铜,所有的GND都是用同一种方式。但通常GND过孔、GND螺丝孔我们使用实焊盘,而器件GND管脚则使用热焊盘。 具体设置方式如下: Design –> rules –> Plane –> Polygon Connect Style 仅仅这么设置后,你会发现,除了接地引脚使用十字焊盘接地之外,对于过孔也是十字接地处理,如下: 如何使引脚接地为十字焊盘,但过孔为完全接地? 在Polygon ConnectStyle中创建新的规则,命令软件在铺铜是遇到过孔(IsVia)是使用直接完全连接(Direct Connect)的方式 效果如下: 当然,如果还需要个别引脚需要实铺铜,比如大电源地的引脚需要与地完全覆盖连接,这时可以增加多一个命令Incomponent(“元件编号”)使选择的元件接地脚与过孔一样与地铜完全连接: 效果如下: 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

摩登3注册平台官网_用于智能电表的蜂窝解决方案:儒卓力提供Telit 450 MHz通信模块

实现无干扰的智能电表连接:使用2G / GSM之类的蜂窝标准,难以与远离门户的室内设备通信。Telit的ME310G1-W2 LTEM/NB-IoT 模块使用450MHz频段,解决了此类通信范围不足的问题,即使位于地下室最深处的仪表仍可接收到信号。儒卓力已在电子商务平台上提供这款模块产品。 由于先前的蜂窝标准的通信范围狭窄,因此目前的智能电表通常配备了在1 GHz频段以下工作的专有解决方案,用于将数据传送到中央网关;然后,网关通过GSM或LTE将收集的数据发送到云端。 LTE-M、NB-IoT以及450 MHz频段的使用,显着扩大了通信范围,并且不再需要网关。现在人们可以将数据直接从智能电表发送到云端。 ME310G1-W2 LTE-M/NB-IoT模块符合3GPP版本14标准,支持LTE Cat M1和NB2,它还集成了GNSS接收器。该模块具有非常小的15 x 18mm外形尺寸,是较小型设计的理想选择。 如要了解有关Telit智能电表蜂窝解决方案的更多信息并直接订购,请访问儒卓力电子商务平台。

摩登3注册网址_美光率先于业界推出 1α DRAM 制程技术

2021年 1 月 27 日,中国上海 — 内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司) 今日宣布批量出货基于 1α (1-alpha) 节点的 DRAM 产品。该制程是目前世界上最为先进的 DRAM 技术,在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。这是继最近首推全球最快显存和 176 层 NAND 产品后,美光实现的又一突破性里程碑,进一步加强了公司在业界的竞争力。 美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 先生表示:“ 1α 节点印证了美光在 DRAM 领域的领先成就,同时也是我们对前沿设计和技术不懈追求的成果。对比我们上一代的 1z DRAM 制程,1α 技术将内存密度提升了 40%,为将来的产品和内存创新提供了坚实的基础。” 美光计划于今年将 1α 节点全面导入其 DRAM 产品线,从而更好地支持广泛的 DRAM 应用领域——为包括移动设备和智能车辆在内的各种应用提供更强的性能。 美光继续领跑多个内存应用市场 美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 先生表示:“我们全新的 1α 技术将为手机行业带来最低功耗的 DRAM,同时也使美光于数据中心、客户端、消费领域、工业和汽车领域的 DRAM 客户受益匪浅。内存和存储预计是未来十年增长最快的半导体市场,美光凭借领先业界的 DRAM 和 NAND 技术,将在这个快速增长的市场中立于不败之地。” 美光的 1α 技术节点使内存解决方案更节能、更可靠,并为需要最佳低功耗 DRAM 产品的移动平台带来运行速度更快的 LPDDR5。美光为移动行业提供最低功耗的 DRAM 平台,实现了 15% 的节能[1],使 5G 用户在不牺牲续航的同时能在手机上进行更多任务操作。 美光的 1α 先进内存节点提供 8Gb 至 16Gb 的密度,将助力美光现有的 DDR4 和 LPDDR4 系列产品延长生命周期,并能为美光在服务器、客户端、网络和嵌入式领域的客户提供更低功耗、更可靠的产品及更全面的产品支持,从而降低客户再次验证的成本。对于具备较长产品生命周期的汽车嵌入式解决方案、工业 PC 和边缘服务器等应用场景而言,1α 制程同样保证了在整个系统生命周期内更具优势的总体拥有成本。 美光位于台湾地区的工厂已开始批量生产 1α 节点 DRAM,首先出货的是面向运算市场的DDR4 内存以及英睿达 (Crucial) 消费级 PC DRAM 产品。美光同时也已开始向移动客户提供 LPDDR4 样片进行验证。公司将在 2021 自然年内推出基于该技术的更多新产品。

摩登3注册开户_超详细!开关电源基础知识讲解

一、前言:PC电源知多少 个人PC所采用的电源都是基于一种名为“开关模式”的技术,所以我们经常会将个人PC电源称之为——开关电源 (Switching Mode Power Supplies,简称SMPS),它还有一个绰号——DC-DC转化器。本次文章我们将会为您解读开关电源的工作模式和原理、开关电源内部的元器件的介 绍以及这些元器件的功能。 ●线性电源知多少 目前主要包括两种电源类型:线性电源(linear)和开关电源(switching)。线性电源的工作原理是首先将127 V或者220 V市电通过变压器转为低压电,比如说12V,而且经过转换后的低压依然是AC交流电;然后再通过一系列的二极管进行矫正和整流,并将低压AC交流电转化为 脉动电压(配图1和2中的“3”); 下一步需要对脉动电压进行滤波,通过电容完成,然后将经过滤波后的低压交流电转换成DC直流电(配图1和2中的 “4”);此时得到的低压直流电依然不够纯净,会有一定的波动(这种电压波动就是我们常说的纹波),所以还需要稳压二极管或者电压整流电路进行矫正。最 后,我们就可以得到纯净的低压DC直流电输出了(配图1和2中的“5”) 配图1:标准的线性电源设计图 配图2:线性电源的波形 尽管说线性电源非常适合为低功耗设备供电,比如说无绳电话、PlayStation/Wii/Xbox等游戏主机等等,但是对于高功耗设备而言,线性电源将会力不从心。 对于线性电源而言,其内部电容以及变压器的大小和AC市电的频率成反比:也即说如果输入市电的频率越低时,线性电源就需要越大的电容和变压器, 反之亦然。由于当前一直采用的是60Hz(有些国家是50Hz)频率的AC市电,这是一个相对较低的频率,所以其变压器以及电容的个头往往都相对比较大。此外,AC市电的浪涌越大,线性电源的变压器的个头就越大。 由此可见,对于个人PC领域而言,制造一台线性电源将会是一件疯狂的举动,因为它的体积将会非常大、重量也会非常的重。所以说个人PC用户并不适合用线性电源。 ●开关电源知多少 开关电源可以通过高频开关模式很好的解决这一问题。对于高频开关电源而言,AC输入电压可以在进入变压器之前升压(升压前一般是50-60 KHz)。 随着输入电压的升高,变压器以及电容等元器件的个头就不用像线性电源那么的大。这种高频开关电源正是我们的个人PC以及像VCR录像机这样的设 备所需要的。 需要说明的是,我们经常所说的“开关电源”其实是“高频开关电源”的缩写形式,和电源本身的关闭和开启式没有任何关系的。 事实上,终端用户的PC的电源采用的是一种更为优化的方案:闭回路系统(closed loop system)——负责控制开关管的电路,从电源的输出获得反馈信号,然后根据PC的功耗来增加或者降低某一周期内的电压的频率以便能够适应电源的变压器 (这个方法称作PWM,Pulse Width Modulation,脉冲宽度调制)。 所以说,开关电源可以根据与之相连的耗电设备的功耗的大小来自我调整,从而可以让变压器以及其他的元器件带走更少 量的能量,而且降低发热量。 反观线性电源,它的设计理念就是功率至上,即便负载电路并不需要很大电流。这样做的后果就是所有元件即便非必要的时候也工作在满负荷下,结果产生高很多的热量。 二、看图说话:图解开关电源 下图3和4描述的是开关电源的PWM反馈机制。图3描述的是没有PFC(Power Factor Correction,功率因素校正) 电路的廉价电源,图4描述的是采用主动式PFC设计的中高端电源。 图3:没有PFC电路的电源 图4:有PFC电路的电源 通过图3和图4的对比我们可以看出两者的不同之处:一个具备主动式PFC电路而另一个不具备,前者没有110/220 V转换器,而且也没有电压倍压电路。下文我们的重点将会是主动式PFC电源的讲解。   为了让读者能够更好的理解电源的工作原理,以上我们提供的是非常基本的图解,图中并未包含其他额外的电路,比如说短路保护、待机电路以及PG信 号发生器等等。当然了,如果您还想了解一下更加详尽的图解,请看图5。如果看不懂也没关系,因为这张图本来就是为那些专业电源设计人员看的。 图5:典型的低端ATX电源设计图(图片可能不太清晰建议大家拖出来看) 你可能会问,图5设计图中为什么没有电压整流电路?事实上,PWM电路已经肩负起了电压整流的工作。输入电压在经过开关管之前将会再次校正,而 且进入变压器的电压已经成为方形波。所以,变压器输出的波形也是方形波,而不是正弦波。由于此时波形已经是方形波,所以电压可以轻而易举的被变压器转换为 DC直流电压。也就是说,当电压被变压器重新校正之后,输出电压已经变成了DC直流电压。这就是为什么很多时候开关电源经常会被称之为DC-DC转换器。 馈送PWM控制电路的回路负责所有需要的调节功能。如果输出电压错误时,PWM控制电路就会改变工作周期的控制信号以适应变压器,最终将输出电压校正过来。这种情况经常会发生在PC功耗升高的时,此时输出电压趋于下降,或者PC功耗下降的时,此时输出电压趋于上升。 在看下一页时,我们有必要了解一下以下信息: 在变压器之前的所有电路及模块称为“primary”(一次侧),在变压器之后的所有电路及模块称为“secondary”(二次侧); 采用主动式PFC设计的电源不具备110 V/ 220 V转换器,同时也没有电压倍压器; 对于没有PFC电路的电源而言,如果110 V / 220 V被设定为110 V时,电流在进入整流桥之前,电源本身将会利用电压倍压器将110 V提升至220 V左右; PC电源上的开关管由一对功率MOSFET管构成,当然也有其他的组合方式,之后我们将会详解; 变压器所需波形为方形波,所以通过变压器后的电压波形都是方形波,而非正弦波; PWM控制电流往往都是集成电路,通常是通过一个小的变压器与一次侧隔离,而有时候也可能是通过耦合芯片(一种很小的带有LED和光电晶体管的IC芯片)和一次侧隔离; PWM控制电路是根据电源的输出负载情况来控制电源的开关管的闭合的。如果输出电压过高或者过低时,PWM控制电路将会改变电压的波形以适应开关管,从而达到校正输出电压的目的; 下一页我们将通过图片来研究电源的每一个模块和电路,通过实物图形象的告诉你在电源中何处能找到它们。 三、看图说话:电源内部揭秘 当你第一次打开一台电源后(确保电源线没有和市电连接,否则会被电到),你可能会被里面那些奇奇怪怪的元器件搞得晕头转向,但是有两样东西你肯定认识:电源风扇和散热片。 开关电源内部 但是您应该很容易就能分辨出电源内部哪些元器件属于一次侧,哪些属于二次侧。一般来讲,如果你看到一个(采用主动式PFC电路的电源)或者两个(无PFC电路的电源)很大的滤波电容的话,那一侧就是一次侧。 一般情况下,在电源的两个散热片之间都会安排3个变压器,比如说图7所示,主变压器是最大个的那颗;中等“体型”的那颗往往负责+5VSB输 出,而最小的那颗一般用于PWM控制电路,主要用于隔离一次侧和二次侧部分(这也是为什么在上文图3和图4中的变压器上贴着“隔离器”的标签)。有些电源 并不把变压器当“隔离器”来用,而是采用一颗或者多颗光耦(看起来像是IC整合芯片),也即说采用这种设计方案的电源只有两个变压器——主变压器和辅变压 器。 电源内部一般都有两个散热片,一个属于一次侧,另一个属于二次侧。如果是一台主动式PFC电源,那么它的在一次侧的散热片上,你可以看到开关 管、PFC晶体管以及二极管。这也不是绝对的,因为也有些厂商可能会选择将主动式PFC组件安装到独立的散热片上,此时在一次侧会有两个散热片。 在二次侧的散热片上,你会发现有一些整流器,它们看起来和三极管有点像,但事实上,它们都是由两颗功率二极管组合而成的。 在二次侧的散热片旁边,你还会看到很多电容和电感线圈,共同共同组成了低压滤波模块——找到它们也就找到了二次侧。 区分一次侧和二次侧更简单的方法就是跟着电源的线走。一般来讲,与输出线相连的往往是二次侧,而与输入线相连的是一次侧(从市电接入的输入线)。如图7所示。 区分一次侧和二次侧 以上我们从宏观的角度大致介绍了一下一台电源内部的各个模块。下面我们细化一下,将话题转移到电源各个模块的元器件上来…… 四、瞬变滤波电路解析 市电接入PC开关电源之后,首先进入瞬变滤波电路(Transient Filtering),也就是我们常说的EMI电路。下图8描述的是一台PC电源的“推荐的”的瞬变滤波电路的电路图。 瞬变滤波电路的电路图 为什么要强调是“推荐的”的呢?因为市面上很多电源,尤其是低端电源,往往会省去图8中的一些元器件。所以说通过检查EMI电路是否有缩水就可以来判断你的电源品质的优劣。 EMI电路电路的主要部件是MOV (l Oxide Varistor,金属氧化物压敏电阻),或者压敏电阻(图8中RV1所示),负责抑制市电瞬变中的尖峰。MOV元件同样被用在浪涌抑制器上(surge suppressors)。尽管如此,许多低端电源为了节省成本往往会砍掉重要的MOV元件。对于配备MOV元件电源而言,有无浪涌抑制器已经不重要了, 因为电源已经有了抑制浪涌的功能。 图8中的L1 and L2是铁素体线圈;C1 and C2为圆盘电容,通常是蓝色的,这些电容通常也叫“Y”电容;C3是金属化聚酯电容,通常容量为100nF、470nF或680nF,也叫“X”电容;有 些电源配备了两颗X电容,和市电并联相接,如图8 RV1所示。 X电容可以任何一种和市电并联的电容;Y电容一般都是两两配对,需要串联连接到火、零之间并将两个电容的中点通过机箱接地。也就是说,它们是和市电并联的。 瞬变滤波电路不仅可以起到给市电滤波的作用,而且可以阻止开关管产生的噪声干扰到同在一根市电上的其他电子设备。 一起来看几个实际的例子。如图9所示,你能看到一些奇怪之处吗?这个电源居然没有瞬变滤波电路!这是一款低廉的“山寨”电源。请注意,看看电路板上的标记,瞬变滤波电路本来应该有才对,但是却被丧失良知的黑心JS们带到了市场里。 这款低廉的“山寨”电源没有瞬变滤波电路 再看图10实物所示,这是一款具备瞬变滤波电路的低端电源,但是正如我们看到的那样,这款电源的瞬变滤波电路省去了重要的MOV压敏电阻,而且只有一个铁素体线圈;不过这款电源配备了一个额外的X电容。 低端电源的EMI电路 瞬变滤波电路分为一级EMI和二级EMI,很多电源的一级EMI往往会被安置在一个独立的PCB板上,靠近市电接口部分,二级EMI则被安置在电源的主PCB板上,如下图11和12所示。 一级EMI配备了一个X电容和一个铁素体电感   再看这款电源的二级EMI。在这里我们能看到MOV压敏电阻,尽管它的安置位置有点奇怪,位于第二个铁素体的后面。总体而言,应该说这款电源的EMI电路是非常完整的。 完整的二级EMI 值得一提的是,以上这款电源的MOV压敏电阻是黄色的,但是事实上大部分MOV都是深蓝色的。 此外,这款电源的瞬变滤波电路还配备了保险管(图8中F1所示)。需要注意了,如果你发现保险管内的保险丝已经烧断了,那么可以肯定的是,电源内部的某个或者某些元器件是存在缺陷的。如果此时更换保险管的话是没有用的,当你开机之后很可能再次被烧断。 五、倍压器和一次侧整流电路 ●倍压器和一次侧整流电路 上文已经说过,开关电源主要包括主动式PFC电源和被动式PFC电源,后者没有PFC电路,但是配备了倍压器(voltage doubler)。倍压器采用两颗巨大的电解电容,也就是说,如果你在电源内部看到两颗大号电容的话,那基本可以判断出这就是电源的倍压器。前面我们已经…

摩登3注册平台官网_权威认证!金升阳获IECEx及ATEX防爆安全双项证书

近日,经过第三方权威认证检测机构TÜV SÜD技术文件审查、产品测试和体系多重审核后,广州金升阳科技有限公司(以下简称“金升阳”)获开关电源ATEX型式认证证书、QAN防爆体系审核证书以及IECEx CoC证书。 伴随着工业化发展新进程,产品可靠及防爆安全越来越被行业所重视。而ATEX以及IECEx指令作为国际防爆认证体系,是协助企业进行安全生产的重要保障。金升阳获此证书,意味着所生产的LIF120-10B12R2-EX、LIF120-10B24R2-EX等一系列开关电源产品,已经达到了欧洲领先的防爆标准,有助于产品缩短认证周期,尽快满足国际市场的要求。 先进技术是企业竞争力最直观表现,而过硬的质量保证则是维系与用户群体的纽带。多年来,金升阳专注于开关电源的创新和开发,严抓质量源头控制和体系建设。深入把握用户实际需求,通过不断改进产品,以保证其在各种特殊应用领域的高可靠性和高稳定性。依托自身的可靠性保障系统(七大可靠性保障平台:服务平台、流程管控平台、技术平台、人员培训平台、生产制造平台、失效分析模型平台和物料平台),为行业发展树立了质量安全标杆。值得一提的是,作为行业领先的高新技术企业,金升阳立足于产品质量、创新基础上,始终保持前瞻性战略布局眼光。以新基建为代表的新机遇正为各行业提供无限可能,金升阳加速布局国产化道路,抢占新一轮发展契机。在由中国“制造”向中国“智造”转型升级的道路上,技术积累和质量保证缺一不可。金升阳通过获得IECEx及ATEX防爆安全双项认证证书,进一步扩展了工业电源领域的版图。遵循自主研发、自主创新多元化布局,不断用高品质产品服务世界。

摩登3注册开户_为什么铝电解电容不能承受反向电压?

  我们大家都知道电容器在电子电路中一直扮演着相当重要的角色,在电子电路中负责信号的偶合、RC电路中伏安特性的微分如积分、振荡电路中的“槽路”、旁路和电源滤波等。 铝电解电容器是由经过腐蚀和形成氧化膜的阳极铝箔、经过腐蚀的阴极铝箔、中间隔着电解纸卷绕后,再浸渍工作电解液,然后密封在铝壳中而制成的。 1 为什么铝电解质电容不能承受反向电压? 由于电解电容器存在极性,在使用时必须注意正负极的正确接法,否则不仅电容器发挥不了作用,而且漏电流很大,短时间内电容器内部就会发热,破坏氧化膜,随即损坏。如图为铝电解电容的基本结构,它由阳极( anode )、在绝缘介质上附着的氧化铝构成的铝层,接收极的阴极铝层,和真正的由电解液构成的阴极。电解液浸透在两个铝层间的纸上。氧化铝层是通过电镀在铝层上,相对于加在其上的电压来说是非常薄的,很容易被击穿,导致电容失效。 氧化铝层可以承受正向的直流电压,如果其承受反向的直流电压,其很容易在数秒内失效。这个现象被称为‘Valve Effect ’,这就是为什么铝电解电容拥有极性的原因,如果电解电容的两个电极都有氧化层,则形成无极性电容。 许多文章报道了铝电解电容反向电压的阈值现象的机理,叫做氢离子理论( Hydrogen ion theory ),当电解电容承受反向直流电压的时候,即电解液的阴极承受正向电压而氧化层承受负电压,集合在氧化层的氢离子就将穿过介质达到介质和金属层的边界,转化成氢气,氢气的膨胀力使得氧化层脱落。 因此电流在击穿电解液后直接流通电容,电容失效,这个直流电压非常小,在 1~2V 的反向直流电压作用下,铝电解电容在几秒钟就会因为氢离子效应而立即失效。相反,当电解电容承受正向电压时候,负离子集结在氧化层之间,因为负离子的直径非常大,其并不能击穿氧化层,所以能承受较高电压。 2 常见的与电解质电容器相关的名词有哪些呢? 阳极( anode ):阳极铝层,即电解电容的正极。2. 阴极( cathode ):电解液层。3. 电介质( Dielectric di ):附着在铝层表面的氧化铝层。4. 阴极箔( Cathode Foil ):连接电解液和外部的层,这层在制作中并不需要氧化,但是在实际中由于在蚀刻过程中铝容易被氧化,所以其形成了一个自然被氧化的氧化层,这个氧化层可以承受 1~2v 的电压。5. 绝缘纸 (spacer paper): 隔离阴极和阳极,让他们不直接短接,并吸附一定量的电解液。 3 无极性电容和有极性电容的异同在哪里? 无极性电容和无极性电解电容器一样吗? 绝大多数种类的电容都是无极性的,唯独电解电容有极性,电解电容当中,又有很特殊的无极性电解电容。与普通电容相比,电解电容的容量大、价格低、体积小是其他电容无法比拟的,但是电解电容一般都有极性,而且工作可靠性、耐压、耐温、介质损耗等指标都不如其他电容。 所谓无极性电解电容,实际上就是将两个同样的电解电容背靠背封装在一起。这种电容损耗大、可靠性低、耐压低,只能用于少数要求不高的场合。 4 有极性电容反接后会怎么样? 如果电容容量很小,耐压很高,工作电压低的话,反接看不出来啥;如果容量稍大(100UF以上),耐压离工作电压近,电容不会超过10分钟就坏,坏的表现形式是:先鼓包,再吹气,然后爆浆。 5 有极性电容器反接会爆炸,是不是说不能直接接在交流电源上? 不能接到交流电源上,因为这个有极性电容设计就是用在直流电源上,作滤波用,因为这个有极性电容内部有特殊的物质,这个物质不能承受反压,如果通到交流电上就会反向击穿或爆炸。 极性电容反接为什么会短路? 极性电容内部结构分为正极、介质层、负极,介质层具有单向导电的性质,当然接反后产品介质层就起不到绝缘的作用了,电容自然就短路了。 6 为什么把电解电容器正负极接反时电阻率变小?  涉及到电解电容器的原理:正接时电容器的正极会形成极薄的氧化膜(氧化铝)来作为电介质;反接时金属铝薄片(电容正极)是接电源负极的,会电解出H2来而不会形成氧化膜,另一电极由于材料不同也不会形成可以作为电介质的氧化膜。 7 纯交流电路中为什么只能使用无极性电容器? 在直流电压叠加交流信号的电路中,且能保证叠加后的最低电压不会成为负值,就可以使用有极性的电容器。在容量相同的情况下,有极性的电容器的体积和成本都远小于无极性的电容器,所以需要较大的电容量情况下,电容器的体积是一个较大的矛盾,能用无极性的电容器的场合,都自然会用有极性的电容器替代,不仅解决了体积问题,成本也低很多,何其不乐。大电容可以滤除较低频率以上的交流信号,小电容则只能滤除较高频率以上的信号。 8 什么是电解电容? 电解电容是电容的一种,介质有电解液涂层,有极性,分正负不可接错。电容(Electric capacity),由两个金属极,中间夹有绝缘材料(介质)构成。 电解电容器特点一:单位体积的电容量非常大,比其它种类的电容大几十到数百倍。电解电容器特点二:额定的容量可以做到非常大,可以轻易做到几万μf甚至几f(但不能和双电层电容比)。电解电容器特点三:价格比其它种类具有压倒性优势,因为电解电容的组成材料都是普通的工业材料,比如铝等等。 制造电解电容的设备也都是普通的工业设备,可以大规模生产,成本相对比较低。电解电容器通常是由金属箔(铝/钽)作为正电极,金属箔的绝缘氧化层(氧化铝/钽五氧化物)作为电介质,电解电容器以其正电极的不同分为铝电解电容器和钽电解电容器。铝电解电容器的负电极由浸过电解质液(液态电解质)的薄纸/薄膜或电解质聚合物构成;钽电解电容器的负电极通常采用二氧化锰。由于均以电解质作为负电极(注意和电介质区分),电解电容器因而得名。 有极性电解电容器通常在电源电路或中频、低频电路中起电源滤波、退耦、信号耦合及时间常数设定、隔直流等作用。一般不能用于交流电源电路,在直流电源电路中作滤波电容使用时,其阳极(正极)应与电源电压的正极端相连接,阴极(负极)与电源电压的负极端相连接,不能接反,否则会损坏电容器。 9 有极性电容和无极性电容在性能、原理结构上有什么不可忽视的异同? 有极性电容是指电解电容一类的电容,它是由阳极的铝箔和阴极的电解液分别形成两个电极,由阳极铝箔上产生的一层氧化铝膜做为电介质的电容.由于这种结构,使其具有极性,当电容正接的时候,氧化铝膜会由于电化反应而保持稳定,当反接的时候,氧化铝层会变薄,使电容容易被击穿损坏.所以电解电容在电路中必须注意极性.普通的电容是无极性的,也可以把两个电解电容阳极或阴极相对串连形成无极性电解电容。 1、原理相同。 (1)都是存储电荷和释放电荷; (2)极板上的电压(这里把电荷积累的电动势叫电压)不能突变。 2、介质不同。 介质是什么东西?说穿了就是电容器两极板之间的物质。有极性电容大多采用电解质做介质材料,通常同体积的电容有极性电容容量大。另外,不同的电解质材料和工艺制造出的有极性电容同体积的容量也会不同。再有就是耐压和使用介质材料也有密切关系。无极性电容介质材料也很多,大多采用金属氧化膜、涤纶等。由于介质的可逆或不可逆性能决定了有极、无极性电容的使用环境。 3、性能不同。 性能就是使用的要求,需求最大化就是使用的要求。如果在电视机里电源部分用金属氧化膜电容器做滤波的话,而且要达到滤波要求的电容器容量和耐压。机壳内恐怕也就只能装个电源了。所以作为滤波只能使用有极性电容,有极性电容是不可逆的。 就是说正极必须接高电位端,负极必须接低电位端。一般电解电容在1微法拉以上,做偶合、退偶合、电源滤波等。无极性电容大多在1微法拉以下,参与谐振、偶合、选频、限流、等。当然也有大容量高耐压的,多用在电力的无功补偿、电机的移相、变频电源移相等用途上。无极性电容种类很多,不一一赘述。 4、容量不同。 前面已经讲过同体积的电容器介质不同容量不等,不一一赘述。 5、结构不同。 原则上讲不考虑尖端放电的情况下,使用环境需要什么形状的电容都可以。通常用的电解电容(有极性电容)是圆形,方型用的很少。无极性电容形状千奇百变。像管型、变形长方形、片型、方型、圆型、组合方型及圆型等等,看在什么地方用了。当然还有无形的,这里无形指的就是分布电容。 对于分布电容在高频和中频器件中决不可忽视。功能上是一样的。主要区别是在容量上,受材料结构的影响,一般无极性电容的容量都比较小,一般在10uF以下,而极性电容的容量普遍较大。比如在进行电源滤波的时候,你不得不使用大容量的极性电容。 电路设计的一个基本原则就是要求设计者充分了解和掌握现实中的元器件,所用的元器件尽量是标准件,通用件,最好是市场上最普通的型号(元器件的通用性越好,采购越容易,供货商产量越大,采购成本越低)。对于图纸中所用元器件,要是只有定做才能获得的材料,其成本肯定不低。如果是定做都不能获得,那这张设计图就等同于废纸。 此外,大电容适合滤除低频信号,小电容滤除高频信号(原理见电路基础,容抗与频率的关系部分)。不过退耦仅仅是电容的一个作用,电容还有其他作用,不同种类的电容特性,用法都有很大差异,原理图上的电容只是一个符号而已,背后的技巧多着呢。这方面跟经验很有关系,不可能速成,只能通过实践慢慢积累。 10 电容器该如何分类呢? 按电容器里面的电介质分空气电容器:用空气作电介质的电容器,如:收音机里面“调谐”用的可变电容器。 纸质电容器:用一种专用的电容纸做电介质的电容器。 电解电容器:用电解质作电介质的电容器。 云母电容器:用天然的云母作电介质的电容。 瓷片电容器:用单层陶瓷材料作电介质的电容器。 独石电容器:也是用陶瓷材料作电介质的电容器,为了解决单层瓷片电容器容量小的缺点,实际就是用多个瓷片电容串联起来的电容器。 涤纶功电容器:用尼龙材料作电介质的电容器。 铌电容器:它用金属铌[ní]做正极,用稀硫酸等配液做负极,用铌表面生成的氧化膜做介质制成的一种电容器 。 钽电容器:是一种用金属钽(Ta)作为阳极材料而制成的一种电容器。 绕线式电容器:是一种用金属丝绕在电介质上作电极的电容器,可用改变金属丝的匝数的办法来调整电极面积大小从而调整容量的大小。 油浸纸质电容器:用一种中性砊物油来做电介质的电容器,多用在电力系统…… 按照电容的可调性分为:固定电容:电容值不变的电容器。 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

摩登3注册网址_英威腾电源荣获“助力新基建优秀产品奖”

近日,由北京电子学会计算机委员会、中国绿色数据中心推进联盟主办的“区块链技术与数字经济发展峰会暨2020智能数据中心建设与运营论坛”在北京顺利召开。为了表彰在新基建时代中提供优秀的技术、产品、方案的行业厂商,本届大会组委会举办了“助力新基建奖项”系列评选活动。 英威腾模块化UPS电源产品凭借优秀的性能指标和良好的市场推广,荣获“2019-2020年度助力新基建优秀产品奖”。 随着国家新基建大潮涌起,数据中心责任愈重,并迎来爆发式增长。2020年英威腾电源借此良好契机,积极进行数字化转型推进和新基建战略部署,曾先后助力国家税务总局与河南税务局进行一体化、标准化、智能化网点改造建设;助力河北高速公路“新基建”,成功为其配电自动化UPS电源改造提供产品及服务等;推出微模块配套UPS解决方案。 英威腾电源始终秉承“以市场为导向,以客户为中心”的经营方针,竭尽全力提供物超所值的产品和服务,让客户更有竞争力。在微模块数据中心产品线方面,英威腾电源践行绿色发展理念,针对微型、小型、中大型分别推出了英智、威智、腾智3款不同的应用方案。 各大应用方案从子系统到整体架构的设计皆采用标准化、模块化设计,同时联合应用封闭冷热通道、模块化UPS、列间制冷、自然冷却联动等节能技术,实现绿色、节能、高效运营。在此智能数据中心建设产业发展的大好时机,努力实现“成为全球领先、受人尊敬的工业自动化和能源电力领域的产品和服务提供者”的企业愿景。

摩登3主管554258:_“荣登”美国实体清单的18所中国高校,有你的母校吗?

12月18日,美国商务部再次公布了新的对华77个实体及个人“制裁”清单。 清单中包含众多的中国高校和企业。 算上今年5月份公布的实体制裁清单中上榜的13所高校,新更新的制裁清单中又新增了5所被制裁的高校,现在中国总共有18所高校被美国列入“实体清单”。 cctv新闻截图 什么是“实体清单”? 实体清单 ,是美国为维护其国家安全利益而设立的出口管制条例。简单地说,“实体清单”就是一份“黑名单”,进入此榜单的单位,和美国企业搞进出口需要美国的批准,说白了就是美国的技术制裁。 新入榜单的是哪五所高校? 这回最新上榜的五所高校分别是: 北京理工大学 北京邮电大学 南京航空航天大学 南京理工大学 天津大学 这五所高校之所以上榜,自然与高校超强的实力,对国防建设、科技进步做出的巨大贡献密切相关。 其中,南京航空航天大学和天津大学,在此次嫦娥五号探月任务中扮演了重要角色。南京航空航天大学航天学院院长叶培建院士担任嫦娥系列探测器总指挥、总设计师顾问;天津大学空间力学团队在嫦娥五号着陆器稳定着陆、返回大气层的稳定性和姿态分析上做出了重大贡献。 此外,北京理工大学、北京邮电大学和南京理工大学要么是具有一定的红色军工背景,要么为中国的5G移动通信做出了贡献。 5所高校简单介绍 ( 1 )北京理工大学 985、211、 双一流建设高校 。北京理工大学1940年诞生于延安,前身是自然科学院,是中国共产党创办的第一所理工科大学。学校始终与党和国家同呼吸、共命运,坚持瞄准国家重大战略需求和世界科技发展前沿锐意进取。 ( 2 )天津大学 985、211、 双一流建设高校。天津大学的发展始终得到了党和国家主要领导人的亲切关怀和有力支持。在第四轮全国学科评估中,天津大学共有25个一级学科参评,进入A类学科数达到14个。 ( 3 )南京航空航天大学 211 。学校现设有16个学院和174个科研机构.国家地方联合工程实验室1个、国防科技工业技术研究应用中心1个、国家文化产业研究中心1个、国家工科基础课程教学基地2个、国家级实验教学示范中心4个。 ( 4 )南京理工大学 211、双一流建设高校 ,软科最好大学排名第36名,学校在长期发展过程中形成了兵器与装备、电子与信息、化工与材料三大优势学科群。现院校有国家重点学科9个,江苏省优势学科6个,江苏省重点学科9个,工信部重点学科7个,国防特色学科……. ( 5 )北京邮电大学 211、双一流建设高校。学校信息与通信工程、计算机科学与技术以及电子科学与技术三个一级学科在教育部第四轮学科评估中被评为A类学科,其中信息与通信工程取得了A+的优异成绩。 此前上榜的13所高校 在这次名单公布之前,美国5月份也曾发布“实体制裁清单”,当时有13所高校被美国列入实体清单,具体名单如下: 一、北京市:北京航空航天大学,中国人民大学 二、湖南省:国防科技大学,湖南大学 三、黑龙江省:哈尔滨工业大学,哈尔滨工程大学 四、陕西省:西北工业大学,西安交通大学 五、四川省:电子科技大学,四川大学 六、上海市:同济大学 七、广东省:广东工业大学 八、江西省:南昌大学 其中,北京航空航天大学、西北工业大学、哈尔滨工业大学、哈尔滨工程大学这四所高校和这回最新被制裁的北京理工大学、南京理工大学、南京航空航天大学这三所高校,还有一个我们熟知的霸气称谓——国防七子。 这七所高校为我国国防事业做出了巨大贡献,培养出了无数的国之栋梁。即使在今天,这七所高校也依然是我国国防领域的砥柱中流。比如歼20的主要研发人员基本都是毕业于北航、哈工大、西工大等国防七校。 也就是说,至此,国防七子全部在美国的实体制裁清单上。 国防科技大学作为一所军事院校,俗称“军校中的清华”。学校担负着为全军培养高级科学和工程技术人才与指挥人才、培训军队高级领导干部、从事先进武器装备和国防关键技术研究的重要任务。实力自然不容小觑。 除了以上五所与军工有关的高校外,湖南大学、同济大学、西安交通大学、电子科技大学、四川大学、中国人民大学六所高校均为我国的985工程高校,也是我国高校“双一流”计划中“世界一流大学建设高校”。 这几所高校在机械工程、软件工程、计算机技术等领域都有非常出色的表现,而这也许是美国最忌惮我国超过他们的领域。 而南昌大学、广东工业大学这两所高校,其中南昌大学是211工程高校,广东工业大学虽然并不是双一流高校。但这两所高校在机械工程和自动化领域也都有不俗的表现。 被美国列入清单后会有什么后果呢? 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

摩登3平台开户_小宇宙爆发!Spring Boot新特性:节省95%内存占用

作者 | 冷冷 来源 | https://mp.weixin.qq.com/s/0m6ofmMlQTDUQwC7oRRIrQ GraalVM[1] 是一种高性能的虚拟机,它可以显著的提高程序的性能和运行效率,非常适合微服务。最近比较火的 Java 框架 Quarkus[2] 默认支持 GraalVM 下图为 Quarkus 和传统框架(SpringBoot) 等对比图,更快的启动数据、更小的内存消耗、更短的服务响应。 Spring Boot 2.4 开始逐步提供对 GraalVM 的支持,旨在提升上文所述的 启动、内存、响应的使用体验。 安装 GraalVM 目前官方社区版本最新为 20.3.0 ,是基于 OpenJDK 8u272 and 11.0.9 定制的,可以理解为 OpenJDK 的衍生版本 。 官方推荐的是  SDKMAN[3] 用于快速安装和切换不同版本 JDK 的工具 ,类似于 nodejs 的  nvm[4]。 使用类似命令即可完成指定版本安装和指定默认版本 sdk install java 11.0.9.hs-adptsdk default java 11.0.9.hs-adpt 不过安装过程中需要从国外下载相关资源 ,笔者在尝试后使用体验并不是很好,所有建议大家下载指定版本 GraalVM 安装即可(和 JDK 安装方式一样)。 安装成功查看版本 ⋊> ~ java -version                                                      11:30:34openjdk version "11.0.9" 2020-10-20OpenJDK Runtime Environment GraalVM CE 20.3.0 (build 11.0.9+10-jvmci-20.3-b06)OpenJDK 64-Bit Server VM GraalVM CE 20.3.0 (build 11.0.9+10-jvmci-20.3-b06, mixed mode, sharing) 安装 native-image native-image 是由 Oracle Labs 开发的一种 AOT 编译器,应用所需的 class 依赖项及 runtime 库打包编译生成一个单独可执行文件。具有高效的 startup 及较小的运行时内存开销的优势。 但 GraalVM 并未内置只是提供 gu 安装工具,需要我们单独安装。 - 切换到 jdk 的安装目录⋊> ~ cd $JAVA_HOME/bin/- 使用gu命令安装⋊>  ./gu install native-image 初始化 Spring Boot 2.4 项目 Spring Initializr 创建 demo 项目 curl https://start.spring.io/starter.zip -d dependencies=web \           -d bootVersion=2.4.1 -o graal-demo.zip 先看一下启动基准数据 , 单纯运行空项目 需要 1135 ms 秒 java -jar demo-0.0.1-SNAPSHOT.jarengine: [Apache Tomcat/9.0.41]2020-12-18 11:48:36.856  INFO 91457 --- [           main] o.a.c.c.C.[Tomcat].[localhost].[/]       : Initializing Spring embedded WebApplicationContext2020-12-18 11:48:36.856  INFO 91457 --- [           main] w.s.c.ServletWebServerApplicationContext : Root WebApplicationContext: initialization completed in 1135 ms 内存占用情况 ps aux | grep demo-0.0.1-SNAPSHOT.jar | grep -v grep | awk '{print $11 "\t" $6/1024"MB" }'/usr/bin/java 480.965MB 支持 GraalVM 增加相关依赖, 涉及插件较多完整已上传  Gitee Gist[5] <dependency>    <groupId>org.springframework.experimental groupId>    <artifactId>spring-graalvm-native artifactId>    <version>0.8.3 version> dependency><dependency>    <groupId>org.springframework groupId>    <artifactId>spring-context-indexer artifactId> dependency> <repositories>  <repository>      <id>spring-milestones id>      <name>Spring Milestones name>      <url>https://repo.spring.io/milestone url>   repository> repositories> Main 方法修改,proxyBeanMethods = false @SpringBootApplication(proxyBeanMethods = false)…

摩登3平台开户_长文梳理Linux 工业输入输出IIO子系统框架

直接来源:嵌入式客栈 出处:https://www.cnblogs.com/yongleili717/p/10744252.html 作者:三石li 由于需要对ADC进行驱动设计,因此学习了一下Linux驱动的IIO子系统。本文翻译自《Linux Device Drivers Development 》–John Madieu IIO Framework 工业I/O(IIO)是专用于模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)的内核子系统。随着越来越多的具有不同代码实现的传感器(具有模拟到数字或数字到模拟,功能的测量设备)分散在内核源上,收集它们变得必要。这就是IIO框架以通用的方式所做的事情。自2009年以来,Jonathan Cameron和Linux-IIO社区一直在开发它。 加速度计,陀螺仪,电流/电压测量芯片,光传感器,压力传感器等都属于IIO系列器件。 IIO模型基于设备和通道架构: 设备代表芯片本身。它是层次结构的顶级。 通道代表设备的单个采集线。设备可以具有一个或多个通道。例如,加速度计是具有  三个通道的装置,每个通道对应一个轴(X,Y和Z)。 IIO芯片是物理和硬件传感器/转换器。它作为字符设备(当支持触发缓冲时)暴露给用户空间,以及包含一组文件的sysfs目录条目,其中一些文件代表通道。单个通道用单个sysfs文件条目表示。 下面是从用户空间与IIO驱动程序交互的两种方式: /sys/bus/iio/iio:deviceX/:表示传感器及其通道 /dev/iio:deviceX: 表示导出设备事件和数据缓冲区的字符设备 IIO框架架构和布局 上图显示了如何在内核和用户空间之间组织IIO框架。驱动程序使用IIO核心公开的一组工具和API来管理硬件并向IIO核心报告处理。然后,IIO子系统通过sysfs接口和字符设备将整个底层机制抽象到用户空间,用户可以在其上执行系统调用。 IIO API分布在多个头文件中,如下所示: #include      /* mandatory */ #include    /* mandatory since sysfs is used */ #include   /* For advanced users, to manage iio events */ #include   /* mandatory to use triggered buffers */ #include  /* Only if you implement trigger in your driver (rarely used)*/ 在以下文章中,我们将描述和处理IIO框架的每个概念,例如 遍历其数据结构(设备,通道等) 触发缓冲支持和连续捕获,以及其sysfs接口 探索现有的IIO触发器 以单次模式或连续模式捕获数据 列出可用于帮助开发人员测试其设备的可用工具 IIO数据结构 IIO设备在内核中表示为struct iio_dev结构体的一个实例,并由struct iio_info结构体描述。所有重要的IIO结构都在include/linux/iio/iio.h中定义。 iio_dev结构 该结构代表IIO设备,描述设备和驱动程序。它告诉我们: 设备上有多少个通道? 设备可以在哪些模式下运行:单次,触发缓冲? 这个驱动程序可以使用哪些hooks钩子? struct iio_dev {   [...]   int modes;   int currentmode;   struct device dev;   struct iio_buffer *buffer;   int scan_bytes;   const unsigned long *available_scan_masks;   const unsigned long *active_scan_mask;   bool scan_timestamp;   struct iio_trigger *trig;   struct iio_poll_func *pollfunc;   struct iio_chan_spec const *channels;   int num_channels;   const char *name;   const struct iio_info *info;   const struct iio_buffer_setup_ops *setup_ops;   struct cdev chrdev;}; 完整的结构在IIO头文件中定义。我们将不感兴趣的字段在此处删除。 modes: 这表示设备支持的不同模式。支持的模式有: INDIO_DIRECT_MODE表示设备提供的sysfs接口。 INDIO_BUFFER_TRIGGERED表示设备支持硬件触发器。使用iio_triggered_buffer_setup()函数设置触发缓冲区时,此模式会自动添加到设备中. INDIO_BUFFER_HARDWARE表示设备具有硬件缓冲区。 INDIO_ALL_BUFFER_MODES是上述两者的联合。 currentmode: 这表示设备实际使用的模式。 dev: 这表示IIO设备所依赖的struct设备(根据Linux设备型号)。 buffer: 这是您的数据缓冲区,在使用触发缓冲区模式时会推送到用户空间。使用iio_triggered_buffer_setup函数启用触发缓冲区支持时,它会自动分配并与您的设备关联。 scan_bytes: 这是捕获并馈送到缓冲区的字节数。当从用户空间使用触发缓冲区时,缓冲区应至少为indio-> scan_bytes字节大。 available_scan_masks: 这是允许的位掩码的可选数组。使用触发缓冲器时,可以启用通道捕获并将其馈入IIO缓冲区。如果您不想允许某些通道启用,则应仅使用允许的通道填充此数组。以下是为加速度计(带有X,Y和Z通道)提供扫描掩码的示例: /* * Bitmasks 0x7 (0b111) and 0 (0b000) are allowed. * It means one can enable none or all of them. * one can't for example enable only channel X and Y */static const unsigned long my_scan_masks[] = {0x7, 0};indio_dev->available_scan_masks = my_scan_masks; active_scan_mask: 这是启用通道的位掩码。只有来自这些通道的数据能被推入缓冲区。例如,对于8通道ADC转换器,如果只启用第一个(0),第三个(2)和最后一个(7)通道,则位掩码将为0b10000101(0x85)。active_scan_mask将设置为0x85。然后,驱动程序可以使用for_each_set_bit宏遍历每个设置位,根据通道获取数据,并填充缓冲区。 scan_timestamp: 这告诉我们是否将捕获时间戳推入缓冲区。如果为true,则将时间戳作为缓冲区的最后一个元素。时间戳大8字节(64位)。 trig: 这是当前设备触发器(支持缓冲模式时)。 pollfunc:这是在接收的触发器上运行的函数。 channels: 这表示通道规范结构,用于描述设备具有的每个通道。 num_channels: 这表示通道中指定的通道数。 name: 这表示设备名称。 info: 来自驱动程序的回调和持续信息。 setup_ops: 启用/禁用缓冲区之前和之后调用的回调函数集。这个结构在include / linux / iio / iio.h中定义,如下所示: struct iio_buffer_setup_ops {    int (* preenable) (struct iio_dev *);    int (* postenable) (struct iio_dev *);    int (* predisable) (struct iio_dev *);    int (* postdisable) (struct iio_dev *);    bool (* validate_scan_mask) (struct iio_dev *indio_dev,                                 const unsigned long *scan_mask);}; setup_ops: 如果未指定,则IIO内核使用drivers / iio / buffer / industrialio-triggered-buffer.c中定义的缺省iio_triggered_buffer_setup_ops。 chrdev: 这是由IIO核心创建的关联字符设备。 用于为IIO设备分配内存的函数是iio_device_alloc(): struct iio_dev * iio_device_alloc(int sizeof_priv) ///struct iio_dev *devm_iio_device_alloc(struct device *dev, int sizeof_priv)/* Resource-managed iio_device_alloc()*//*Managed iio_device_alloc. iio_dev allocated with this function is automatically freed on driver detach.If an iio_dev allocated with this function needs to be freed separately, devm_iio_device_free() must be used. */ dev是为其分配iio_dev的设备,sizeof_priv是用于为任何私有结构分配的内存空间。这样,传递每个设备(私有)数据结构非常简单。如果分配失败,该函数返回NULL: struct iio_dev *indio_dev;struct my_private_data *data;indio_dev = iio_device_alloc(sizeof(*data));if (!indio_dev)          return -ENOMEM;/*data is given the address of reserved momory for private data */data = iio_priv(indio_dev); 在分配IIO设备存储器之后,下一步是填充不同的字段。完成后,必须使用iio_device_register函数向IIO子系统注册设备: int iio_device_register(struct iio_dev *indio_dev)       //devm_iio_device_register(dev, indio_dev)/* Resource-managed iio_device_register() */ 在执行此功能后,设备将准备好接受来自用户空间的请求。反向操作(通常在释放函数中完成)是iio_device_unregister(): void iio_device_unregister(struct iio_dev *indio_dev)// void devm_iio_device_unregister(struct device * dev, struct iio_dev * indio_dev) 一旦取消注册,iio_device_alloc分配的内存可以用iio_device_free释放: void iio_device_free(struct iio_dev *iio_dev)// void devm_iio_device_free(struct device * dev, struct iio_dev * iio_dev) 给定IIO设备作为参数,可以通过以下方式检索私有数据:  struct my_private_data *the_data = iio_priv(indio_dev); iio_info结构体 struct…