评估内部电池的功能和响应是困难的。从本质上讲，电池是一个封闭的盒子，所以很难看到内部发生了什么，即使关键的外部参数——终端电压、电流流和总温度——很容易测量。研究人员使用了各种复杂的技术，包括核磁共振扫描和拉曼光谱，以帮助他们实时看到内部正在发生的东西，并取得了一些令人印象深刻的结果。尽管如此，观察和量化密切相关的电、化学和热事件仍然是一个真正的挑战。 电池测试还有另一个困难的方面：我们如何始终如一地引入所需的故障，以便了解电池的“反应”(尤其是锂离子化学问题及其众所周知的热失控和火灾问题)? NASA 约翰逊航天中心和能源部国家能源可再生实验室的研究人员设计了一种外观简单的专利方法，并正在寻求许可(“用于改进电池设计的内部短路测试装置”)。当然，仅仅因为它看起来很简单并不意味着它是或者它很容易开发(如果它真的很简单，那么，那就更好了。)目标是在电池中安装一个潜在的、静止的故障可以按需触发。 简而言之，他们构建了一个由直径约 20 毫米的非常薄的铜或铝盘、铜圆盘、聚乙烯或聚丙烯隔板和 50 微米的蜡层组成的三明治。他们将设备植入电池中，并通过将电池暴露在更高的温度下并熔化蜡来产生内部短路。(使用不同的蜡配方可以控制触发“故障”的温度。) 这种由铝和铜制成的多层 20 毫米圆盘带有插入的可熔绝缘体，可以植入电池中，然后通过热触发产生内部短路。 这种蜡被隔板、阴极和阳极吸走，因此剩余的金属成分可以接触并产生内部短路。当然，长达 16 页的专利详细介绍了完整的构造细节、应用洞察力和事件操作顺序。 请注意，该设备可以放置在电池内的任何位置(并且可以与螺旋缠绕和平板电池一起使用)。可位于阴极和阳极之间;阴极与阴极之间;阳极与正极之间;以及正负极之间，以及其他位置。每个都为不同类型的内部短路提供了测试设置。甚至可以选择提供一个小孔，该孔的大小可以调节短路电流：较大的孔用于实心短路或较小的孔用于限制电流。 结果就是研究人员所说的一种可靠的测试方法，可以安全地测试电池容纳装置的热失控情况，我对此毫不怀疑。我相信他们已经证实这是一种有效的电池研发测试技术。当然，这显然不是用于工厂生产测试中的抽样，因为添加它的成本和风险大于收益。 尽管如此，与所有测试设置一样，存在测试安排对于被测设备 (DUT) 不可见的事件的问题。在理想情况下，测试设置不会产生影响，但这通常是不可能的：产品测试通常是海森堡针对原子级事件的不确定性原理的宏观版本。无论是观察电池的内部实时运行、通过检测电阻测量负载电流和该功率、评估射频功率还是与光子相关的几乎任何事情，现实情况是在不影响 DUT 的情况下获取数据通常是一项主要工作挑战。 我们是否曾经遇到过以功率为中心或其他情况，在这种情况下，唯一实际的观察安排可能对 DUT 或系统的不利影响超过我们认为可以接受的程度?

传统的平面化2D封装，已经无法满足高密度、轻量化、小型化的强烈需求。玻璃金属穿孔(TGV)是一种应用于圆片级真空封装领域的新兴纵向互连技术，为实现芯片-芯片之间距离最短、间距最小的互联提供了一种新型技术途径，具有优良的电学、热学、力学性能，在射频芯片、高端MEMS传感器、高密度系统集成等领域具有独特优势，是下一代5G、6G高频芯片3D封装的首选之一。 然而，TGV技术研发存在高均一性玻璃微孔阵列制造、玻璃致密回流、玻璃微孔金属高致密填充等难题。针对此，李山博士等结合中科院合肥研究院和中国科大微纳研究与制造中心的前期研究基础及平台优势，攻克一系列技术难题，提出一种新型TGV晶圆制造方案，开发出高均一性、高致密、高深宽比的TGV晶圆。 “我们开发的TGV晶圆就像摩天大楼中基板及其中的管线，具有支撑和加强各楼层紧密联系的桥梁作用，且具有超低漏率、超低信号损耗的优势。”李山介绍说。经检测，该团队研制出的TGV晶圆各项主要参数均与国际顶级玻璃厂商肖特、康宁和泰库尼思科等相当，部分参数优于国际水平。 台积电今(17)日在2022年北美技术论坛上公布了3D Fabric平台取得的两大突破性进展，并称台积电全球首座全自动化3D IC先进封装厂将于下半年量产。 据台媒《联合报》报道，一是台积电已完成全球首颗以各应用系统整合芯片堆叠(TSMC-SoICTM)为基础的中央处理器。采用芯片堆叠于晶圆之上(Chip-on- Wafer, CoW)技术，来堆叠三级快取静态随机存储。 二是创新的智能处理器采用晶圆堆叠于晶圆之上(Wafer-on-Wafer, WoW)技术堆叠于深沟槽电容芯片之上。 另外，台积电称，为了满足客户对于系统整合芯片及其他台积电3D Fabric 系统整合服务的需求，在竹南打造全球首座全自动化 3D Fabric先进封装厂，预计今年下半年开始生产。 台积电(TSM)在2022年北美技术论坛上公布了3D Fabric平台取得的两大突破性进展，一是台积电已完成全球首颗以各应用系统整合芯片堆叠(TSMC-SoICTM)为基础的中央处理器，采用芯片堆叠于晶圆之上(Chip-on-Wafer,CoW)技术将SRAM堆叠为3级缓存;二是使用Wafer-on-Wafer(WoW)技术堆叠在深沟槽电容器芯片顶部的突破性智能处理单元。 台积电表示，由于CoW和WoW的N7芯片已经投入生产，对N5技术的支持计划在2023年进行。另外，为了满足客户对于系统整合芯片及其他台积电3D Fabric系统整合服务的需求，在竹南打造全球首座全自动化3D IC先进封装厂，预计今年下半年开始生产。 除了展示先进技术外，台积电并透露了其他重要信息，包括2024年将拥有ASML下一代芯片制造工具以及到2025年，其成熟和专业节点的产能将扩大约50%。 从半导体发展趋势和微电子产品系统层面来看，先进封测环节将扮演越来越重要的角色。如何把环环相扣的芯片技术链系统整合到一起，才是未来发展的重心。有了先进封装技术，与芯片设计和制造紧密配合，半导体世界将会开创一片新天地。现在需要让跑龙套三十年的封装技术走到舞台中央。 日前，厦门大学特聘教授、云天半导体创始人于大全博士在直播节目中指出，随着摩尔定律发展趋缓，通过先进封装技术来满足系统微型化、多功能化成为集成电路产业发展的新的引擎。在人工智能、自动驾驶、5G网络、物联网等新兴产业的加持下，使得三维(3D)集成先进封装的需求越来越强烈，发展迅猛。 封装技术伴随集成电路发明应运而生，主要功能是完成电源分配、信号分配、散热和保护。伴随着芯片技术的发展，封装技术不断革新。封装互连密度不断提高，封装厚度不断减小，三维封装、系统封装手段不断演进。随着集成电路应用多元化，智能手机、物联网、汽车电子、高性能计算、5G、人工智能等新兴领域对先进封装提出更高要求，封装技术发展迅速，创新技术不断出现。 于大全博士在分享中也指出，之前由于集成电路技术按照摩尔定律飞速发展，封装技术跟随发展。高性能芯片需要高性能封装技术。进入2010年后，中道封装技术出现，例如晶圆级封装(WLP，Wafer Level Package)、硅通孔技术(TSV，Through Silicon Via)、2.5D Interposer、3DIC、Fan-Out 等技术的产业化，极大地提升了先进封装技术水平。 当前，随着摩尔定律趋缓，封装技术重要性凸显，成为电子产品小型化、多功能化、降低功耗，提高带宽的重要手段。先进封装向着系统集成、高速、高频、三维方向发展。 图1展示了当前主流的先进封装技术平台，包括Flip-Chip、WLCSP、Fan-Out、Embedded IC、3D WLCSP、3D IC、2.5D interposer等7个重要技术。其中绝大部分和晶圆级封装技术相关。支撑这些平台技术的主要工艺包括微凸点、再布线、植球、C2W、W2W、拆键合、TSV工艺等。先进封装技术本身不断创新发展，以应对更加复杂的三维集成需求。当前，高密度TSV技术/Fan-Out扇出技术由于其灵活、高密度、适于系统集成，而成为目前先进封装的核心技术。 近年来，芯片与电子产品中高性能、高可靠性、高密度集成的强烈需求催生了3D封装技术并使其成为集成电路发展的主要推动力量之一。传统的平面化2D封装已经无法满足高密度、轻量化、小型化的强烈需求。玻璃金属穿孔(TGV)是一种应用于圆片级真空封装领域的新兴纵向互连技术，为实现芯片-芯片之间距离最短、间距最小的互联提供了一种新型技术途径，具有优良的电学、热学、力学性能，在射频芯片、高端MEMS传感器、高密度系统集成等领域具有独特优势，是下一代5G、6G高频芯片3D封装的首选之一。 为此，团队针对TGV现有工艺问题，结合中科院合肥研究院和中国科学技术大学微纳研究与制造中心的前期研究基础及平台优势，提出一种新型TGV晶圆制造方案，开发出了高均一性、高致密、高深宽比的TGV晶圆，具有超低漏率、超低信号损耗的优势，满足环形谐振器、波导缝隙天线、毫米波天线等5G/6G高频芯片，以及新型MEMS陀螺仪、加速度计3D封装需求。经检测，团队研制出的TGV晶圆各项主要参数均与国际顶级玻璃厂商肖特、康宁和泰库尼思科等相当，部分参数优于国际水平。 该项技术具有高度灵活性，可满足客户诸多定制化需求，经济效益、行业意义重大，在半导体芯片3D先进封装、射频芯片封装、MEMS传感器封装，以及新型MEMS传感器(MEMS质谱、MEMS迁移谱)设计制造、新型玻璃基微流控芯片制作等多个领域具有广阔的应用前景。

NZONE是专注于智能终端领域的年轻品牌，品牌主张是探索未来，体验新奇，连接认同，希望年轻人通过NZONE的智能终端创新产品去探索、去体验，去打破边界，一起“玩无界 潮无限”。 2021年6月22日，为进一步推动5G数字生活的全面普及和数字经济的发展，中国移动积极发挥产业引导作用，正式推出全新终端品牌NZONE。 NZONE，是中国移动面向Z世代人群打造的全新的终端品牌。N是Next，代表着探索未来。NZONE鼓励年轻人用无所畏惧、一往无前的探索精神。N是New，代表着体验新奇。NZONE希望为热爱追逐新潮的年轻人，提供新颖奇特的体验和有趣的玩法。N是Net，代表着连接认同。不仅仅是人与人的物理连接与沟通，更是认同的连接。ZONE是真正属于Z世代的潮玩空间。在这里，每一个人都可以做自己，大胆的追求与众不同，找到属于自己的圈层。 2021年6月22日，NZONE发布首款产品 NZONE S7 Pro 5G手机。在外观设计上，NZONE S7 Pro 5G采用了无界全视屏设计， 6.6 英寸 20:9 打孔屏，屏占比高达 94.2%;90Hz 刷新率，以及180Hz 触控采样率，带来沉浸式视觉享受;内置 4000mAh 电池，支持 40W 超级快充;拥有 6400 万后置 AI 三摄与 1600 万前置自拍镜头，后置还包括 8MP 的 120 ° 超广角、2MP的 4cm 微距镜头，让你清晰见证美丽精彩瞬间;提供了三款绚丽配色：金色阳光、烟雨青蓝和优雅黑，让年轻人尽享时尚个性。 NZONE是中国移动旗下于去年推出的手机品牌，聚焦年轻5G市场。今日，中国移动NZONE系列又一新机通过工信部认证，从外观来看，新机采用酷似华为Mate系列的星耀环设计元素，第一眼看上去似乎非常眼熟，满满华为风。根据入网信息，NZONE新机搭载一颗2.2GHz的八核处理器，预计大概率骁龙695 5G移动平台。 该芯片基于台积电6nm制程工艺，CPU由2×2.2GHz的CortexA78+6×1.8GHz的Cortex-A55组成，GPU集成840MHz的Adreno619，安兔兔跑分成绩大约在39万左右，属于中低端级别。NZONE新机屏幕采用6.7英寸的LCD居中挖孔屏幕，分辨率达2388×1080。 在相机方面，新机后置相机配备5000万像素的三摄模组，前置1600万像素单摄像头。在续航方面，NZONE新机搭载额定4900mAh容量电池，并支持40W华为超级快充。其他方面，手机拥有黑、白、绿、蓝四款配色，重量约195g，同时也配备3.5mm耳机接口。有关NZONE新机的更多消息，有待官方的公布。NZONE是中国移动于去年6月发布的面向新世代打造的全新终端品牌，目前已经推出了NZONE S7 ，NZONE S7 Pro+ 5G, NZONE S7 Pro 5G三款手机产品。 近日，中国移动NZONE系列又有一款新手机通过了工信部认证，新机的型号为SP210T，可能会在近期发布。 从曝光的新机图片来看，绿色款新机的后盖设计采用了不同工艺，后盖主体采用磨砂设计，而影像模组的中央则是亮面材质。影像模组采用华为Mate系列的星耀环设计元素，看上去很眼熟。 从入网规格参数信息来看，新机的整机尺寸为 163.29×74.7×8.372mm，重 195g，有黑、白、绿、蓝四种配色，提供8GB RAM，128GB / 256GB 手机内存。 核心配置方面，这款新机将搭载一颗主频为2.2GHz 的八核处理器，预计是联发科天玑700或高通的骁龙 695处理器。屏幕方面，新机采用了一块6.7 英寸的居中打孔屏，分辨率为2388×1080。续航方面，新机搭载额定4900mAh容量的电池，支持40W 快充。影像方面，新机前置为一颗1600万像素摄像头，后置为5000万像素三摄像头，支持“10倍光学变焦”。从目前曝光的参数信息来看，中国移动的这款新机应该还是入门机型的定位。作为参考，中国移动此前1月推出的NZONE S7 手机，采用了一块6.5 英寸LCD 屏幕，搭载联发科 天玑700处理器 ，主摄为1300万像素 ，电池容量为 5000mAh ，支持 22.5W 快充，售价为1699 元。 根据此次曝光的产品外观信息显示，NZONE 品牌这款机型正面采用的或为居中开孔屏，并且屏占比方面也势必将会带来不错的表现。其机身背部中轴线上方安置的是圆形后置多摄模组，品牌 Logo 位于中轴线下方，配色方面或将提供黑、白、绿、蓝四种版本。 硬件配置上，其所采用的将是一块 2388 × 1080 分辨率的 6.7 英寸屏幕，将搭载高通骁龙 695 5G 主控，提供 4900mAh 电池，并支持最高功率达 40W 的快充功能。影像方面所配备的则是 1600 万像素前摄，以及由 5000 万像素主摄组成的后置多摄模组。 作为电信设备上市的必经流程，“进网”的申请总是能给我们带来新品的曝光。近日，有细心的网友发现又有一款新机在电信设备进网许可(含试用)审批界面出现，是来自中国移动自主品牌 NZONE 的 5G 新机。 从曝光图可以看出，这款产品搭载了环形的后置印象概念股模组，拥有三枚摄像头，中间的部分则是一个记录影像模组信息的装饰面。此外，还可以看出它的绿色款在后盖设计上采用了不同工艺，下方的部分是磨砂质感，而影像模组的中央则是亮面。 我们还可以查询到这款产品的部分配置信息，比如 4900mAh 额定容量的电池、6.7 英寸的 FHD+ 分辨率屏幕、5000 万像素的主摄等，甚至还显示它能支持“10 倍光学变焦”等。至于 2.2 GHz 主频的 CPU，则疑似是来自高通的骁龙 695 移动平台。 从配置来看，这款产品预计并不会是一款主打强大性能和旗舰配置的产品，不过参考 NZONE 以往推出的产品，这款新机的定位似乎也并不让人意外。你觉得它定价在多少元会比较合适呢?

此前安谋科技(中国)有限公司(以下简称“安谋科技”)与地平线机器人科技有限公司(以下简称“地平线”)宣布双方将在高性能自动驾驶芯片、智能汽车生态系统等领域加深合作，基于安谋科技大算力、高性能计算平台及Arm IP技术，结合地平线领先的自动驾驶算法和汽车智能芯片开发能力，共同推动智能汽车技术的发展。 作为智能汽车的核心，汽车智能芯片已进入大算力时代。面对智能驾驶对算力、算法和安全提出的产业共性需求，安谋科技依托于自研的大算力、高性能计算平台，将NPU、SPU、ISP、VPU等计算单元进行智能化融合，并结合领先的Arm IP技术，助力国产汽车芯片厂商在人工智能、图像处理、信息安全、智能驾驶平台建设等方面形成优势，为国产智能驾驶技术的发展提供底层支持。安谋科技联席CEO 刘仁辰博士表示：“智能汽车是我国汽车产业发展的战略方向，也是核心关键技术的高地。 智能汽车浪潮已来，功能高级化和电子架构变革是汽车改用智能芯片的 两大推动力。宝马、特斯拉和造车新势力等智能化的领跑者已率先使用 智能芯片。随着未来智能化渗透持续加深，汽车智能芯片需求将迎爆发 式增长。 2022 年 1 月，中国市场智能汽车销量超 37 万辆，智能化芯片已经深入 乘用车市场。宝马、比亚迪和奔驰搭载智能芯片的车型单月销量均超3万，特斯拉、理想全部车型都已搭载智能芯片，单月销量均破万。 汽车电子功能依赖于车载芯片实现，功能复杂化正在提高对芯片性能的 需求。过去的汽车的电子功能主要是精密控制和安全保障，现在则更注重提升综合感受，智能汽车将搭载越来越多搭载自动化、智能化、交互 式的功能，许多 场合产生了对智能化芯片的需求。 初级阶段的电子功能广泛采用微控制器芯片(MCU，Micro Controller Unit)，MCU 又称单片机，内部一般包含 CPU、时钟、存储器等元件， 特点是通用性强，适用于对算力要求不高的场合。现代主流智能芯片都 采用系统级芯片(SoC，System on a Chip)的设计，SoC 是将图形处理 单元(GPU，Graphics Processing Unit)、数字信号处理器(DSP，Digital Signal Processing)和神经处理单元(NPU，Neural Processing Unit)等元 件集成到一起的产物，性能强大，适合运行高级操作系统，可以实现智 能化的功能。 在一个月前的2022中国电动汽车百人会论坛现场，本土汽车智能芯片科技企业地平线创始人兼首席科学家余凯宣布：将进一步开放BPU IP授权，支持部分整车企业自研芯片。可以预见的是，在这样的开放模式下，整车开发将实现从芯片到操作系统再到自动驾驶的软硬件系统高度协同，同时迭代速度将显著提升。地平线如此“慷慨”的背后，究竟下了一盘怎样的棋?4月19日，中国能源汽车传播集团党委书记、董事长、总编辑谭介辉一行到访地平线，与地平线高层展开交流。在座谈中，余凯坦言：地平线的目标，是打造汽车智能芯片硬科技新国潮。 随着智能网联汽车不断加快产业化步伐，产业链各主要环节的技术成果不断涌现。感知方面，国产激光雷达广泛搭载到理想、广汽埃安、蔚来、小鹏等车厂的量产车型，推动我国率先成为实现激光雷达进入量产车型的国家。在作为汽车影像系统核心元器件的CIS方面，韦尔股份的车载800万像素CIS已经实现量产交付。算力及算法层面，地平线面向自动驾驶的征程系列芯片累计出货量突破100万片，阿里巴巴曾在国际主流的自动驾驶计算机算法评测数据集KITTI囊括三项道路场景分割任务的第一名。在软件级操作系统层面，华为的HarmonyOS智能座舱已经搭载到问界M5、极狐阿尔法S等车型，搭载小度车载OS的百度Apollo智舱也实现了超过220万辆的前装量产。整车制造方面，理想、蔚来、小鹏等一批造车新势力，北汽、一汽、广汽、长安、吉利等传统车厂，小米、百度等互联网公司纷纷进军智能汽车制造，为全球消费者提供品类丰富的车型。

上海作为国内电动车最大的消费市场之一，此次在汽车促销费方面，力度也同样巨大。 日前，据了解，上海市人民政府发布关于印发《上海市加快经济恢复和重振行动方案》，从8个方面，50条，有力有序推动经济加快恢复和重振。 其中，为了大力促进汽车消费，上海年内新增非营业性客车牌照额度4万个，置换纯电动汽车每辆补贴1万元。 对于市场主流的电动车来说，消费者购车都能直接获得优惠政策。以27.99万元起售的特斯拉Model 3为例，购车还能便宜一万;比亚迪汉EV 26.98万的起售价也会同步降低。 据悉，上海市年内新增非营业性客车牌照额度4万个，按照国家政策要求阶段性减征部分乘用车购置税; 同时，在2022年12月31日前，个人消费者报废或转出名下在上海市注册登记且符合相关标准的小客车，并购买纯电动汽车的，给予每辆车10000元的财政补贴。 此外，还包括支持汽车租赁业态发展、完善二手车市场主体登记注册、备案和车辆交易登记管理规定等。通知指出，本政策措施自2022年6月1日起施行，有效期至2022年12月31日。

H桥是一个典型的直流电机控制电路，因为它的电路形状酷似字母H，故得名与“H桥”。4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠（注意：图中只是简略示意图，而不是完整的电路图，其中三极管的驱动电路没有画出来）。 1、H桥驱动原理 1）电机驱动 电路首先，单片机能够输出直流信号，但是它的驱动才能也是有限的，所以单片机普通做驱动信号，驱动大的功率管如Mos管，来产生大电流从而驱动电机，且占空比大小能够经过驱动芯片控制加在电机上的均匀电压到达转速调理的目的。电机驱动主要采用N沟道MOSFET构建H桥驱动电路，H 桥是一个典型的直流电机控制电路，由于它的电路外形酷似字母 H，故得名曰“H 桥”。4个开关组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠。要使电机运转，必需使对角线上的一对开关导通，经过不同的电流方向来控制电机正反转，其连通电路如图所示。 2）H桥驱动原理 实践驱动电路中通常要用硬件电路便当地控制开关，电机驱动板主要采用两种驱动芯片，一种是全桥驱动HIP4082，一种是半桥驱动IR2104，半桥电路是两个MOS管组成的振荡，全桥电路是四个MOS管组成的振荡。其中，IR2104型半桥驱动芯片能够驱动高端和低端两个N沟道MOSFET，能提供较大的栅极驱动电流，并具有硬件死区、硬件防同臂导通等功用。运用两片IR2104型半桥驱动芯片能够组成完好的直流电机H桥式驱动电路，而且IR2104价钱低廉，功用完善，输出功率相对HIP4082较低，此计划采用较多。 另外，由于驱动电路可能会产生较大的回灌电流，为避免对单片机产生影响，最好用隔离芯片隔离，隔离芯片选取有很多方式，如2801等，这些芯片常做控制总线驱动器，作用是进步驱动才能，满足一定条件后，输出与输入相同，可停止数据单向传输，即单片机信号能够到驱动芯片，反过来不行。 2、mos管h桥电机驱动电路图 1) 典型mos管H桥直流电机控制电路 电路得名于“H桥驱动电路”是由于它的外形酷似字母H。4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠（留意：图1及随后的两个图都只是表示图，而不是完好的电路图，其中三极管的驱动电路没有画出来）。 如图所示，H桥式电机驱动电路包括4个三极管和一个电机。要使电机运转，必需导通对角线上的一对三极管。依据不同三极管对的导通状况，电流可能会从左至右或从右至左流过电机，从而控制电机的转向。 要使电机运转，必需使对角线上的一对三极管导通。例如，如图2所示，当Q1管和Q4管导通时，电流就从电源正极经Q1从左至右穿过电机，然后再经Q4回到电源负极。按图中电流箭头所示，该流向的电流将驱动电机顺时针转动。当三极管Q1和Q4导通时，电流将从左至右流过电机，从而驱动电机按特定方向转动（电机四周的箭头指示为顺时针方向）。 图3所示为另一对三极管Q2和Q3导通的状况，电流将从右至左流过电机。当三极管Q2和Q3导通时，电流将从右至左流过电机，从而驱动电机沿另一方向转动（电机四周的箭头表示为逆时针方向）。 2) 使能控制和方向逻辑 驱动电机时，保证H桥上两个同侧的三极管不会同时导通十分重要。假如三极管Q1和Q2同时导通，那么电流就会从正极穿过两个三极管直接回到负极。此时，电路中除了三极管外没有其他任何负载，因而电路上的电流就可能到达最大值（该电流仅受电源性能限制），以至烧坏三极管。基于上述缘由，在实践驱动电路中通常要用硬件电路便当地控制三极管的开关。 改良电路在根本H桥电路的根底上增加了4个与门和2个非门。4个与门同一个“使能”导通讯号相接，这样，用这一个信号就能控制整个电路的开关。而2个非门经过提供一种方向输人，能够保证任何时分在H桥的同侧腿上都只要一个三极管能导通。（与本节前面的表示图一样，图4所示也不是一个完好的电路图，特别是图中与门和三极管直接衔接是不能正常工作的） 采用以上办法，电机的运转就只需求用三个信号控制：两个方向信号和一个使能信号。假如DIR-L信号为0，DIR-R信号为1，并且使能信号是1，那么三极管Q1和Q4导通，电流从左至右流经电机（如图5所示）;假如DIR-L信号变为1，而DIR-R信号变为0，那么Q2和Q3将导通，电流则反向流过电机。 实践运用的时分，用分立元件制造H桥是很费事的，好在如今市面上有很多封装好的H桥集成电路，接上电源、电机和控制信号就能够运用了，在额定的电压和电流内运用十分便当牢靠。附两张分立元件的H桥驱动电路： END 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

华为内部发文表示，现任消费者BG CEO，本次拟增任命Cloud &AI BG总裁（兼）、Cloud & AI BG行政管理团队主任、增任命Cloud BU总裁（兼）、Cloud BU行政管理团队主任。侯金龙，现任云与计算BG总裁，本次拟任命数字能源董事长。 华为官方对Cloud & AI BG组织的定义：目标是对华为云与计算产业的竞争力和商业成功负责，承担云与计算产业的研发、Marketing、生态、技术销售、咨询与集成使能服务的责任。围绕鲲鹏、升腾及华为云构建生态，打造黑土地，成为数字世界的底座。 华为官网显示，余承东现任华为常务董事、消费者BG CEO，出生于1969年，毕业于清华大学，硕士。1993年加入华为，历任3G产品总监、无线产品行销副总裁、无线产品线总裁、欧洲片区总裁、战略与Marketing总裁、终端公司董事长及消费者BG CEO等。

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半导体三极管中参与导电的有两种极性的载流子，所以也称为双极型三极管。本文将介绍另一种三极管，这种三极管只有一种载流子参与导电，所以也称为单极型三极管，因为这种管子是利用电场效应控制电流的，所以也叫场效应三极管（FET），简称场效应管。 场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管（JFET），另一类是绝缘栅场效应管（MOSFET）。 即使搜索“结型场效应管”，出来的也只有几种，你是不是怀疑结型场效应管已经被人类抛弃了的感觉，没错，JFET相对来说是比较少使用的。 下面我们就跳过JFET，来点实际的，还是直接分享绝缘栅场效应管的相关基础知识吧。 绝缘栅场效应管中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管，英文简称是MOSFET，一般也简称为MOS管。 MOSFET的输入电阻很高，高达109Ω以上，从导电沟道来分，可以分为N沟道和P沟道两种，无论是N沟道还是P沟道，又可以分为增强型和耗尽型。 N沟道的MOS管通常也简称为NMOS，P沟道的MOS管简称为PMOS。 ▲ MOS管种类 MOS管共有3个脚，栅极G，漏极D，源极S，通常情况下，MOS管的衬底是跟S极在管子内部是连接在一起的，而且，MOS管的D极和S极之间一般会有一个寄生二极管，所以，你见到的MOS管的符号通常是画成下面这样的。 ▲ MOS管符号通常是画成这样的 仔细观察的朋友可以发现，无论是N沟道还是P沟道，寄生二极管的方向总是跟箭头的方向是一致的。 其实在一般使用中，更多是使用N沟道增强型或者P沟道增强型MOS管，耗尽型的管子是比较少使用到的。 那么，如何使用MOS管做电子开关？比如用来驱动LED？ 先来两个图。 ▲ MOS管做电子开关的简单应用 一般认为MOS管导通是不需要电流，只要UGS提供一定的电压就可以导通了。 对于N沟道增强型的MOS管，当UGS大于一定值时就会导通，这里所说的“一定值”是指开启电压UGS(th)，N沟道增强型UGS(th)一般是2~4V之间。 对于P沟道增强型的MOS管，当UGS小于一定值时就会导通，P沟道增强型UGS(th)一般是-2~-4V之间。 如果UGS达不到相应的电压值，MOS就无法导通，所以说MOS管是电压控制型元件。 可能会有朋友问，电路图中的电阻Rgs有什么作用？ 是这样的，在MOS管内部结构里，G极与D极、S极实际上是有一层绝缘层二氧化硅进行隔离的，这就相当于存在一个电容器。 这些寄生电容是无法避免的，电容的大小由MOS管的结构、材料、所加的电压决定。 如果上面的电路图没有电阻Rgs的，电路将会变成怎样呢，下面以图1为例，做个小实验。 没有电阻Rgs时，在G极接上5V控制信号，相当于给寄生电容Cgs进行充电，即使撤去G极上的控制电压，G极上也有电容的电压存在，所以MOS仍然是导通的。 当有G、S两极有电阻Rgs时，当G极撤去5V信号，电阻Rgs可以把寄生电容Cgs上的电压进行释放，所以MOS就截止了。 所以，上面电路加入电阻Rgs，可以对电容的电压进行及时的释放，这样有利于提高电路的可靠性，可以避免G极没有控制信号时误动作。 MOS管具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。 -END- 来源 | 电子电路 | 整理文章为传播相关技术，版权归原作者所有 |  | 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

纵观历史，会发现许多汽车行业利用相邻和互补市场技术实现转化的示例;工业、消费电子和医疗健康行业只是其中几个。从引进采矿业的传输系统来实现汽车大规模生产的变革，到利用电子控制单元(ECU)的处理能力(该技术自30多年前首次运用微控制器功能以来持续迅速发展)，这种汽车行业借用技术转化并充分发挥其优势的例子不胜枚举。现在，汽车行业也在回馈一项可以简化各种应用中的音频分配挑战的技术。 A2B®总线是一种高带宽双向数字总线，最初用于解决汽车应用中的音频分配挑战。现有的汽车音频网络一般使用多个点对点模拟连接。A2B技术可以解决许多与点对点模拟连接相关的挑战，包括电缆重量、电缆成本、布线难题，以及多个连接的可靠性。它有助于通过非屏蔽双绞线(UTP)电缆和连接器基础结构在分布式多节点音频系统中传输完全同步的音频数据(I2S / TDM / PDM)和控制数据(I2C)。A2B技术支持点对点、菊花链和分支网络拓扑。 每个网络都由一个主节点和多达10个从节点组成。主节点包含一个连接至主机处理器的A2B收发器，该收发器可以将音频、控制数据 (I2C数据) 发送至A2B总线。从节点的复杂度各不相同(从具备强大处理能力的优质放大器到总线供电的麦克风节点)，都可用A2B收发器连接，例如麦克风、数字信号处理器(DSP)、扬声器、传感器(例如加速度计)，或者D类放大器。主从收发器器件都支持多种功能，例如支持时分多路复用(TDM)和脉冲密度调制(PDM)麦克风输入。A2B收发器衍生出来的简化产品具备各种级别的功能，例如端点从节点(不支持TDM)、简化型主节点(支持较短的电缆和更少的从节点数量)，以及简化型端点从节点(支持较短电缆和更少的PDM输入)。 A2B技术最初只出现在部分汽车应用产品系列中，该技术于2019年面向广泛市场全面开放，适合各类应用。 图1.A2B架构示例 适用于非公路和多用途车辆的Fritzmeier驾驶室系统配合Antretter & Huber的SMARTCOM系统，充分利用了A2B技术的可扩展特性。SMARTCOM系统配有麦克风、有源扬声器和FM/DAB智能无线电模块，旨在简化与第三方模块的集成。SMARTCOM系统使用的A2B总线的主要功能包括：集成多达10个连接到主节点的从节点，以及支持双向音频传输。 载人车辆(例如公共汽车、飞机和火车)构成了运输业的另一个重要领域，这些车辆现在也可以利用A2B技术的功能。车辆中连接的分布音频组件明显可采用A2B器件，例如使用经济高效地轻型UTP电缆来实现分布式扬声器的高效连接。但是，还存在许多更微妙的用例!A2B器件可支持网络上多达32个下游音频(从主节点到从节点)和上游音频(从从节点到主节点)通道，有助于在单个系统中分配包含不同音频内容的多个通道。这个特性可以用在旅游车上，用于分配各种类型的音乐，或者分配各种语言的导游指南。 A2B总线可以远距离传输不太关键的一般输入/输出(GPIO)数据，此功能现在也用于运输业的多种用例中。例如，公共汽车和观光车中部署的停止按钮可以利用这种A2B功能，其相关的处理成本极低，只需在初始化期间通过主节点配置A2B链路，GPIO就可以独立运行，无需主机的进一步干预。 在运输业以外，许多标准(例如AES67)都利用以太网和互联网协议(IP)等技术在一定距离内传输音频(从住宅或小型演播室到体育场或购物中心等应用环境)。对于许多基于以太网的远距离传输音频的技术来说，A2B技术并不会直接与其竞争。相反，A2B技术可以被视为一种互补技术，非常适合在主干网络和外围设备(例如麦克风、扬声器等)之间提供边缘连接。 以体育场为例，利用以太网技术(例如AES67)在整个场馆内或在局部区域(例如套房或餐厅)之间部署音频时极为高效。但是，在局部区域内，将以太网技术连接至网络边缘时，A2B技术具有几个明显优势。A2B收发器配有集成式网络控制器和PHY。A2B器件支持的UTP连接器经济高效，且易于组装，A2B器件支持的UTP电缆同样经济高效、灵活轻巧。A2B技术也从节点处理的角度进行了高度优化，可以在不使用微控制器的情况下实现从节点。 A2B总线设计的初衷，就是尽可能减少整个网络的处理要求。在系统初始化期间，A2B主节点上的收发器必须配置A2B网络，这是主机控制器(可以是任何带I2C接口的IC/SoC)应承担的工作。 ADI提供了一个嵌入式C或Linux® 格式的参考软件堆栈，可用于网络配置。完成网络配置之后，唯一的软件开销是为应用程序选择的状态检查策略的功能。与其他需要在每个连接到网络的节点上执行复杂堆栈的技术相比，采用这种方法的A2B技术具有明显的优势。 A2B技术的最低节点处理要求，以及通过电缆供电的能力，非常适合网络环境中需要高度简化从节点设计的应用。录音棚环境中的几种应用可以利用这种支持实现由总线供电的简单节点设计，例如对讲扬声器或拾音器。将总线供电节点和本地供电节点结合起来，系统设计人员可以利用A2B技术提供的24位、96 kHz数字音频路径创建复杂的录音棚设计。A2B总线的电缆长度是录音棚或小舞台环境可以利用的另一个特性。小舞台环境可以利用这种灵活性来连接各种元件，例如调音台、监控器、麦克风、均衡器或放大器。 图3.A2B软件堆栈架构 A2B总线支持长电缆长度，如今以远程会议系统为核心的会议室也可以利用A2B总线支持长电缆长度这一特性。远程会议系统需要连接各种元件，例如麦克风、扬声器和静音按钮。在实现波束成形麦克风解决方案时，远程会议系统还可以利用A2B技术提供的超低确定性延迟特性。所涉及的麦克风数量、可用的处理能力和系统中的延迟都会影响波束成形实现的有效性。A2B技术提供同步数据交换，保证最大延迟低于50 µs。A2B总线提供的GPIO支持也可用于远程会议系统中，用于传送任何辅助信号，例如静音控制按钮、呼叫中或静音状态指示器。 图2.利用A2B实现边缘连接 实践证明，A2B技术在汽车环境中具备可靠的EMI/EMC兼容性，对于那些需要在具有挑战性的EMC环境中安全传输音频和非关键数据的应用来说，这是一个非常有吸引力的技术选项。A2B总线符合严格的汽车EMC标准，包括排放、抗干扰性和ESD要求等，非常适合航空电子和航空航天应用。可以通过与基本设计准则保持一致，并遵循参考设计，来确保系统设计符合规相关标准要求。 这种参考设计是生态系统的重要组成，也是帮助客户简化和加快设计过程的必要技术支持。ADI公司和多家第三方合作伙伴的硬件参考设计都支持A2B技术。其他传统生态系统要素还包括样片、文档和评估套件的可用性。此外，A2B生态系统还包括其他三大要素：软件、设计工具和第三方设计合作伙伴。 图4.A2B评估系统样片 除了前面提到的参考软件堆栈架构，A2B技术也受ADI备受行业赞誉的开发工具SigmaStudio®支持。SigmaStudio是一款设计工具，可以通过拖放A2B节点和辅助器件、节点配置、误码率分析、带宽计算和功率计算来支持A2B设计过程-网络设计的各个方面。SigmaStudio获取配置数据，并生成通用的.c和.h文件，以集成到软件堆栈中。 图5.SigmaStudio网络配置工具 测试设备供应商(包括Mentor和Total Phase等)也是A2B总线生态系统的组成部分，主要提供A2B分析仪和监控器等产品。A2B分析仪可以模拟A2B网络中的主节点或从节点，这在设计和创建A2B网络的原型时会很有帮助。A2B监控器可作为A2B网络上的无源节点，用于监测通过该节点的所有A2B音频和数据，同时支持输入和输出音频。这些工具可以帮助客户缩短上市时间和降低设计复杂度。它们还可以在项目发布之前和之后加快调试和分析解决问题。A2B技术拥有多家第三方设计服务合作伙伴，他们已多次将A2B设计成功推向市场。这些合作伙伴提供硬件模块、定制硬件和软件设计支持等一系列服务。 技术生态系统、EMI/EMC可靠性、电缆长度支持和最低的处理成本等这些辅助因素，对于A2B总线最重要的音频和数据传输功能也是有力的补充。这些综合优势使得A2B技术深受很多行业应用的青睐，例如运输业、专业AV、音乐制作和表演等。 目前面向广泛的市场应用推出了5款通用型A2B收发器，其中两款为主器件，剩余三款为从器件。5款通用收发器包括超集组件和子集组件，以及一款经过优化的端点从器件。支持的5款通用器件概览如表1所示。 表1.面向广泛市场应用的A2B器件 A2B总线由ADI提供的一系列产品评估板提供支持，涵盖各类A2B器件。第三方设计服务团队提供的其他A2B板进一步实施补充。 表2.面向广泛市场应用的A2B评估板