5G系列文章回顾 1. 5G，看得见的未来 （总述） 2. 5G无线关键技术总览 3. 5G核心网关键技术总览  4. 5G承载关键技术总览 无线专题 1. 大规模MIMO自述  2. 5G RAN：您的配送服务已升级  3. 5G时代，多址技术何去何从？ 4. D2D，让通信的方式简单点 5. MUSA，5G物联网为什么需要你？ 6. 是兄弟一起上，5G UDN不负众望 7.上行要想快，还需FAST带 8.5G RAN节能 9.5G时代，你还在手工调天线吗？ 10.SSB 1+X：不管你站得多高，都让你的手机信号满满！ 核心网专题 1. 5G切片，切的究竟是什么？ 2. SBA，你对5G核心网做了什么？ 3. 5G核心网，这次你是真的变了吗？ 4. 移动边缘计算，站在5G“中央”？ 5. 朋友一生一起走，计算存储要分手  6. 聆听5G的声音！  7. MANO，你凭什么编排我的人生？ 8. 云“养”核心网，NFV你准备好了吗？ 9. 您的新朋友OpenStack正飞奔而来，请做好准备 10. 当信令网遇上5G 11.5G时代，短信演进之路 12.先理解智能，再谈硬件加速 13.融合计费，为何成为5G新宠？ 14.服务化的5GC，由谁来控制？ 15.5G分流，为了更好的遇见 1. ROADM为承载网带来了什么？ 2. 5G时代，是谁撼动了MPLS的江湖地位？ 3. 5G是如何传输数据的？ 4. 什么是SDON软件定义光网络？ 5. 5G时代，是谁为数据中心带来了新的活力？ 6. 5G承载网，你的路修好了吗？ 7. 是谁让5G光传送网（OTN）变得更灵活及强大？ 8. 5G时代，以太网家庭幸福的秘诀是什么？  9. 你以为的北京时间，是真的北京时间吗？ 10.堆叠，你能为5G做些什么？ 11.No PULL， Just PUSH！ 12. 数据中心也要迎战5G了？ 13. 原来你是这样的5G电信云！ 14.5G电信云数据中心的逻辑组网 15.“云诊断、云课堂、云旅游…”背后的力量 16.5G承载网，你的稳定我来守护 17.5G时代，PON出“新花样” 5G知识抢先看 欢迎继续关注后续精彩 同时 真诚欢迎您留言对5G技术的需求 我们将竭诚为您服务 我们是一群平均从业年限5+的通信专业工程师。关注我们，带你了解通信世界的精彩！分享 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

宽禁带的第三代半导体材料成为今年半导体行业的主要关键词之一，究其历史，第一代以Si、Ge为代表、第二代以GaAs、InPIII-V族化合物为代表、第三代以GaN、SiC为代表。第三代半导体材料用其优异的材料物理特性，为电子器件性能功耗和尺寸提供了更多的发挥空间。 GaN和SiC作为“三代目”，主要的特性包括更宽的带隙、更高的临界击穿电压、更快的电子速度、更高的导热系数、更高的电子迁移率等。利用两个材料制作的器件则主要是GaN FET和SiC FET。 提到器件，GaN和SiC本身的特性与开关电源可以说是“天生一对”，能够实现更快的开关速度，正因为开关过程中会产生功率、功耗和热损失，因此更快的速度能够有效减少功率、功耗和过冲。 TI（德州仪器）作为电源管理IC界的翘楚，在今年7月就提到过自己的GaN的规划，当时TI表示TI早就在过去十年拥有了很好的GaN经验积累，不仅实现速度翻倍、功耗减半、拥有超过4000万可靠性小时的实验资料，还会在自己的工厂和供应链上生产，以保证支持客户的不间断业务。 11月10日，TI正式宣布推出面向面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），与此同时并对TI的GaN FET技术进行了详细的剖析，21ic中国电子网记者受邀参加此次发布会。 本次发布会上有两款GaN相关产品发布，一款是针对汽车市场的650V GaN FET，另一款则是针对工业市场的600V GaN FET。需要注意的是，型号中带有Q1的为650V GaN FET产品，没有带有Q1的则是600V GaN FET产品。发布会现场，德州仪器高压电源应用产品业务部应用工程师张奕驰为记者介绍这两款产品的详细参数和性能。 01、650V汽车GaN FET：LMG3525R030-Q1 根据张奕驰的介绍，这款产品是基于预测汽车未来市场所推出的，利用GaN技术可为汽车带来更快的充电时间、更高的可靠性和更低的成本。 LMG3525R030-Q1是一款集成驱动和保护功能的650V汽车GaN FET，可以提高系统长期稳定性并缩短充电时间。 张奕驰表示，这款产品与现有的硅基和碳化硅方案相比可以减小车载充电器50%的体积，这主要得益于高达2.2-MHz的切换频率和集成驱动所发挥的优势。他强调，离散解决方案无法达到如此高速的切换频率和如此大的压摆率。 目前来说，这款产品可以按照要求提供所需的评估模块和资料，与这款产品配套的评估模块型号为LMG3525R030-Q1EVM。张奕驰表示，这块评估模块使用了两款LMG3525 30mΩ GaN FET并在半桥中配置了所有必需的偏置电路和逻辑/功率电平转换功能。 值得一提的是，经过他本人测试之下，该评估模块在使用散热板的情况下可以转换高达5000W的功率，通过冷却液甚至可以达到6000-7000W的功率等级。另外，评估模块上测量点很多，方便测量压摆率或实现非常高的开关频率。加之插座式外部连接，可以轻松与外部功率级连接。 02、600V工业GaN FET：LMG3425R030 张奕驰表示，这款产品则在工业中拥有广泛的应用，诸如充电桩、5G、电信、服务器等。 LMG3425R030是一款功率密度加倍，且所需器件更少的600V工业级GaN FET。特别需要强调的是，该产品达到了99%的效率，在成本方面极具竞争力。传统应用中，在效率、功率密度、成本中必须有所取舍，而这款产品则无需这种抉择和担心。 简单来说，LMG3425030是TI最快的集成栅极驱动器，与硅基MOSFET相比功率密度翻倍；也是同类产品中功耗最低的产品，能够达到99%效率。另外，拥有集成化设计、高速保护和数字温度报告功能，不仅可以监测电流，对电源单元（PSU）进行有源电源管理和热监测，也可在过流或短路时，启动自我保护。 同样，这款产品也可以提供评估模块和资料，与之配套的评估模块型号为LMG3425EVM-043，张奕驰强调该款产品的新的应用手册将随之发布。 值得一提的是，这款新产品集成了全新的智能死区自适应功能，GaN可以根据负载电流自动调节死区时间，实现效率最大化。 第三代半导体材料拥有两款，从特性上来说，虽然SiC偏向大功率（650V-3.3kV），GaN偏向射频、通信、消费（80V-650V），但实际上两款产品也有一定交集，主要在600V/650V电压级别上，为什么TI偏偏选择GaN？ TI告诉记者，与市场上其他技术相比，功率为600V/650V的硅基GaN提供了更高的效率和更低的解决方案成本，这对于诸如AC/DC PSU之类的应用尤为重要。 GaN和SiC FET可以给汽车应用提供类似的电压和导通电阻额定值。GaN具有更加快速开关的优势，可提高效率和功率密度。此外，TI的GaN构建在硅基板上，可降低系统成本。TI致力于将重点放在宽带隙技术上。对于SiC，仍然会提供各类优化的分立式、隔离式栅极驱动器，以用于诸如汽车牵引逆变器之类的终端设备。 那么又为什么通过600V和650V区分工业和汽车市场？这是因为在汽车方面有一些应用所需要的母线电压会更高；另外一个非常重要的区别则在于650V汽车GaN FET为顶部散热，600V工业GaN FET为底部散热。所以，当汽车顶部散热就提供了更多可能性，可以让客户通过散热板、水冷和其他散热方式更高效的进行散热。 从衬底上来说，虽然GaN器件有采用SiC、Si和金刚石的几种。TI主要是从成本容量上考虑，采用一种低成本、高容量的Si基板，可让产品解决方案实现更大效率和功率密度。“TI在GaN上采取的是硅基氮化镓（GaN-on-Si），我们将驱动集成在了硅基层上，这使得TI可以提供更可靠、更具成本优势、更加实用的GaN解决方案。”德州仪器高压电源应用产品业务部氮化镓功率器件产品线经理Steve Tom在发布会上如是说。 在分立器件和模块器件中，TI选择了集成化更高的模块器件，这是因为TI专注于更大限度地提高器件对工程师的价值，尤其是使效率、功率密度和可靠性实现更大化，同时更大程度地降低解决方案成本。与分立方法相比，TI将先进的硅栅极驱动器与高性能GaN FET相集成的方法通过提供更快的压摆率和开关速度，使工程师能够实现效率和功率密度更大化。此外，驱动器集成通过更大程度地减小GaN FET栅极上的电压过应力来提高系统可靠性。具体可以实现以下功能： ● 先进的电源管理，包括集成的短路保护 TI的智能死区自适应功能可在更佳时间开启FET 第三象限运行 温度报告可通过PWM信号向微控制器报告GaN FET裸片温度 TI在今年提出了电源管理行业的几个前沿趋势（高功率密度、低EMI、低Iq、低噪声高精度、隔离），笔者认为在GaN FET上则直接体现了这几个目标。Steve Tom 告诉记者，TI在集成GaN FET主要拥有几种特性： 1、功率密度加倍：提供大于150V/ns和大于2.2MHz的业界更快切换速度。与离散解决方案相比，集成化可减少59%的功率磁性元件以及10多个组件需求。2、PFC中效率最高：TI的智能死区自适应功能最大程度地减少了停滞时间、固件复杂性和开发时间，同时将PFC中的第三象限损耗至多降低了66％。3、超冷却封装：与水平最接近的市场同类产品封装相比，可减少23％的热阻抗。底部和顶部冷却的封装可实现散热设计灵活性。4、可靠性和成本优势：凭借4,000多万小时的器件可靠性测试和超过5 Gwh的功率转换应用测试，可为工程师提供足以应对任何市场需求的可靠的使用寿命。 从功率密度上来讲，电源管理企业近年来主要“拼杀”的点便是这一关键参数。因为只有在功率密度保持减少的同时再减少空间占用和功耗的全方位发展之下对于客户来说才是真正有意义的。由此，应用产品的客户既可以享受更好的系统成本，也可在更小的体积下实现更多的系统功能。TI的GaN FET与分立方法相比，是将先进的硅栅极驱动器与高性能GaN FET相集成的方法通过提供更快的压摆率和开关速度，使工程师能够实现效率和功率密度更大化。此外，驱动器集成通过更大程度地减小GaN FET栅极上的电压过应力来提高系统可靠性。 从PFC（功率因数校正）来说，开关电源实际上是一种电容输入型电路，电流和电压间相位差会造成交换功率损失，因此便需要PFC电路提高功率因素。TI在GaN FET上特别提出了此项参数，其实PFC除了改善了功率因数，EMI也会随着减小。 从封装上来讲，因为TI在GaN FET上目前针对的对象包括了汽车，汽车对于散热和耐热上拥有更高的要求。正是因为在GaN FET的功率密度和体积上的优化，为获得良好的热管理设计，仍然需要将温度保持在系统要求之内。为解决这个问题，TI GaN器件应用创新的低电感封装，可帮助设计工程师更大程度地降低散热挑战。另外还提供两种封装以提高灵活性；一种封装的电源板位于器件底部，另一种封装的电源板位于器件顶部。 从可靠性和成本上来讲，首先一方面TI在GaN技术上本身拥有4000万小时的可靠性测试经验积累；另一方面，本身使用硅基氮化镓，相比碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）本身优势明显，加之功率密度和效率提升，使得成本再次削减。 在新技术和新应用增加之下，市场拥有了在更小空间内获得更大功率的需求。特别是，EV/HEV车载充电器、用于企业计算的AC/DC电源单元、数据中心、电信整流器和5G都受益于GaN在这些高压电平下提供的更高效率和功率密度。TI认为，包括可再生能源双向转换器在内的电网基础设施应用将继续转向GaN，以获得相同收益。 远观5-10年发展，TI认为必须注重工程师所关心的功能，包括效率、功率密度、可靠性和解决方案成本。TI将继续致力于将硅驱动器与GaN FET相集成，以优化这些关键设计问题。 此前笔者曾强调，很多情况下电源的运作并非依赖单器件，而是从完整的解决方案出发。无论从功耗、成本、尺寸上来讲，还是系统的精简方面来讲，完整的解决方案远比单器件更加出色。 在此之上，TI也将提供了更好的成本优化，并搭配了C2000微控制器和整体电源管理产品组合来进一步提高功率密度和效率，借由效率提升进一步压缩成本。 此次发布两款产品，充分展现了TI在GaN技术的成熟度。因此，TI预计产量在近期会有强劲增长。

【2020 年 11 月 18 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 今日宣布推出符合 SD 3.0 标准的双向电位转换器 PI4ULS3V4857，适用于通讯、消费及运算系统产品应用，包括智能型手机、笔记本电脑、SD/MicroSD 卡片阅读机、无线网络存取点及 5G FemtoCell (毫微微蜂巢式基地台)。 PI4ULS3V4857 能够将 1.2V 至 1.8V 的主机侧电压转换为 1.8V 或 3.0V 的记忆卡电压讯号，或是进行反向转换。这么一来 SD 3.0 记忆卡便能搭配最新的低电压微处理器、SoC 及 ASIC 使用，其传输时间较其他数据储存解决方案减少许多。 PI4ULS3V4857 的频率达到 208MHz，能够支持目前最快的 SD 卡接口，也就是 SD 3.0 SDR104。这款 6 位装置还适用于 SDR50 (100MHz)、SDR25 (50MHz)、DDR50 (50MHz) 及 SDR12 (25MHz) 运作。向后兼容性表示它也能处理旧版 SD 2.0 高速 (50MHz) 与默认速度 (25MHz) 模式。 无需使用外部电位转换器，可大幅节省电路板空间。内建 100mA LDO 稳压器与电磁干扰 (EMI) 滤波器有助于进一步减少系统组件数量，限制物料清单成本。转换器装置也纳入 8kV 静电放电 (ESD) 保护装置，借此确保长期运作。 PI4ULS3V4857 目前提供小尺寸 20 球 WLCSP 封装。

日前，中芯国际联席CEO梁孟松博士在投资者调研会议上透漏了公司最新进展，特别是在先进工艺上的最新情况。梁博士表示，14 纳米在去年第四季度进入量产，良率已达业界量产水准。客户对中芯国际技术的信心在逐步增强，中芯国际将持续提升产品和服务竞争力，引入更多的海内外客户。 梁孟松指出，中芯国际第二代先进工艺技术n+1正在稳步地推进中，n+1正在做客户产品验证，目前进入小量试产，产品应用主要为高性能运算。 相对于第一代先进技术，第二代技术平台以低成本客制化为导向，第二代相较于14纳米，性能提高20%，功率减少57%，逻辑面积减少63%，集成系统面积减少55%。 梁孟松透露，中芯国际正在与国内和海外客户合作10多个先进工艺流片项目，包含14纳米及更先进工艺技术。 梁博士表示，“我们相信，随着5G、物联网、教育和工作场所的资讯数位化的兴起，集成电路行业将涌现巨大的市场机遇。”

在“2020北京微电子国际研讨会暨IC World学术会议”上，长江存储科技有限责任公司CEO杨士宁发表了《新形势下中国芯片制造突围的新路径》的主题演讲，其中，杨士宁讲到，要在三维集成上寻找突围之路，他指出，集成电路由二维向三维发展是必行趋势。这可能不是一条唯一的路径，但确是一条需要强烈探索的路径。 2017年年底，长江存储正式推出了国产首个32层 3D NAND闪存，2018年8月又推出自家的独门绝技Xtacking架构。 据悉，传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。总结下来， Xtacking技术具有四方面优势：一是速度快，具有更好的性能表现;二是工艺更结实;三是成本可控，因为密度高;四是具有更高的灵活性。 21ic家注意到，有了创新的Xtacking技术，长江存储加快了新产品的研发进度，2020年4月，长江存储抢先推出了128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070。 据杨士宁透露，目前长江存储的技术已经处于全球一流的水准，下一步就是解决产能的问题，值得注意的是，长江存储用3年时间完成了国际大厂们6年走过的路，走出了一条中国存储制造的突围之路。

配图来自Canva可画 二手车电商赛道变了天。最近多家媒体曝光，人人车作价1万港元(约合人民币8586元)拟将主要资产贱卖，这距离其上次获得融资已过去两年半的时间。时间再往前推，优信二手车今年以来先后剥离了优信金融和优信拍两大业务，转而押注全国购，股价跌到了1美元，自上市之后市值蒸发掉了23亿美元。 在二手车电商还未决出最终胜者的情况下，曾经叱咤风云的二手车电商头部们，竟落得如此地步，不免让人感叹二手车电商赛道的残酷程度可能远超我们的想象。 旧王没落 二手车电商起势的头几年，那是烧钱就能烧出奇迹的时代。据艾瑞统计数据显示，2016年二手车电商广告营销支出达到12亿，2017年几大二手车电商平台广告费用突破50亿，2018年仅一季度就烧掉了20亿广告费。狠打广告营销牌后，二手车电商平台一度靠烧钱霸占了行业增长第一的地位，是资本眼里的宠儿。2018年，优信二手车上市，成为“二手车电商第一股”。 仅仅两年后，当年疯狂烧钱的二手车电商转型的转型，剥离的剥离，人人车、优信二手车这些曾经的二手车电商霸主，已不复当年风光，甚至濒临卖身，原因不难揣测。一方面，盲目跟风烧钱严重威胁了它们的现金储备和战略执行。二手车电商赛道的烧钱风气，这也很大程度上决定了要想出头，就必须要做烧得最狠的那一个，但是资本不是无限金矿，在没有资本输血的情况下，无休止的盲目烧钱，就会酝酿最可怕的生存危机。 另一方面，模式选择成了发展困局。直卖模式靠广告营销一开始的确很火，但是烧出几十亿广告费之后却发现商业模式很难跑通，甚至出现了各种令消费者难受的问题，交易效率和成本都不理想。直卖模式之后，瓜子二手车、人人车开始转向二手车新零售，开了线下严选店，而优信二手车在剥离多个业务后只剩下全国购业务，目前来看线下严选店模式偏重，全国购则更在乎交易效率，但是两种模式都还未被证明可行。 事实上二手车市场to B和to C的在线化逻辑上讲都是可以尝试的模式，但是以当前中国二手车电商市场的整体环境来看，诸多条件不具备，导致to C还是比较难以跑通。 除了盲目烧钱和模式困局外，今年的疫情也成了压垮它们的最后一根稻草。相关数据显示，今年一季度二手车市场降温明显，成交量同比下滑超50%，恶劣的环境使得业内诸多平台选择业务收缩，甚至裁员降薪。疫情期间，瓜子二手车被传降薪裁员，优信被曝部分员工停岗，5月又启动千人裁员计划。的确，对于以往靠交易量补充现金流的平台而言，这无疑是一次致命打击。 二手车电商不讲武德 二手车毕竟是万亿级别的赛道，在人人车、优信二手车们逐渐没落时，他们被迫吐出来的市场，总能被更加敏锐的对手所猎食。新的头部正重构一种属于他们的全新秩序，且是以肉眼可见的速度。 近日传出，靠二手车拍卖模式起家的天天拍车再获汽车之家1.68亿美元新融资加持，这是今年一季度瓜子二手车获得融资后，二手车电商领域的唯二笔融资。 资本总是最聪明的，只选择最有希望的种子选手。与人人车们相比，天天拍车只是做好了两件事，一个是没有盲目去烧钱，即使是在行业广告战和融资战最白热化的时候；另一个是选择去深耕拍卖模式，从运营效率和用户体验上下功夫。 从发达国家二手车市场来看，拍卖已是最主流、规模体量最大的流通方式。像美国的美瀚、Copart、KAR，日本的USS、欧洲的Auto 1，都是当地交易规模首屈一指的二手车平台，占据了40%以上的当地市场份额。脱胎于传统二手车拍卖，天天拍车的在线拍卖可以说是传统拍卖的升级。结合移动互联网和大数据，这种模式实现了车源、车主、买家的数字化，打破了交易的时间和空间限制，让拍卖分发的交易模式效率更高。此前曾有媒体报道，今年新冠疫情期间，天天拍车采用在线检测+在线拍卖方式，在全行业大幅度萎缩的情况下，实现了业务同比50%以上的增长。 二手车电商战场的复杂也在于，选对了模式仅仅是成功的关键一步。深耕二手车拍卖5年的天天拍车，先后击败了二手车拍卖领域的老对手开新和车置宝，拿下了绝大部分的市场份额，实力可见一斑。 但是新秩序构建这个主题，也不完全靠天天拍车这样的新晋头部平台，还要靠瓜子二手车这样的老将。虽然瓜子二手车一开始也是以直卖模式亮相，而且采用了烧钱打广告的打法，但是后面通过扩大业务范围以及新零售转型，得以坚持到了现在。 站在新旧二手车电商头部的换位节点，天天拍车和瓜子二手车突围之后正在组建属于二手车电商行业的新格局。 新格局下的二手车电商残酷战事   二手车电商头部新格局成形，但是淘汰赛还在继续，因此整个赛道未来可能会迎来四个发展趋势。 第一，人人车、优信二手车们面临的退路已不多，若没有资本愿意雪中送炭，恐怕会越来越难。不过卖身也未尝不是一个坏选择，起码傍上了可输血的新资本，但是免不了边缘化的命运。 第二，对于现在还活着的腰部尾部平台，至少还有一波生死抉择的洗牌等着他们。因为他们现在普遍处于明显收缩的运营状态，所以会比以往更难拿到二手车电商的复苏单子，更多的单子还是会被头部平台抢走，这些腰部平台会越来越难过，要么放弃要么卖身。 第三，二手车电商还会烧钱，但是预算会明显降低。国内的二手车电商仍处在用户认知培育阶段，这决定了广告营销的烧钱方式不会绝迹，而且平台也必须考虑用钱的效率，因此不会像以往那样盲目烧钱，最后还是凭借用户体验取胜。 第四，更多平台会看到二手车拍卖模式的价值，选择完全转型和部分转型到拍卖模式。一方面，天天拍车的阶段性胜出，是拍卖模式最好的代言，必然会引发其他竞争者的跟风；另一方面，拍卖模式其实已经成了不少平台的不二选择，比如瓜子二手车早在2018年就推出了车速拍业务。 总体来说，新格局仍然存在不少变数，二手车电商的残酷战事仍将继续上演。此外与美国相比，中国的二手车电商赛道发展还在初级阶段，规模和渗透率都有很大提升空间。

出品 21ic中国电子网 付斌 王丽英 网站：21ic.com 11月17日，华为官方网站发出《声明》表示，正式决定整体出售荣耀业务，长期以来的传言终于有了官方的通告。 华为方面表示，出售后华为将不再持有新荣耀公司的任何股份，此举意在为长期以来的打压进行和对荣耀产业链的一场自救。 另一方面，深圳市智信新信息技术有限公司发出《联合声明》表示已签署了收购协议。《联合声明》表示，所有权变化并不会影响荣耀发展方向，荣耀高层及团队将保持稳定，继续夯实荣耀成功的基石。 通过联合公告可以看出， 联合发出声明的企业都是市场庞大，拥有一定实力的代理商和经销商，比如天音通信、苏宁易购、顺电、英孚特等。 联合收购名单如下： 深圳市智慧城市科技发展集团有限公司 北京松联科技有限公司 北京普天太力通信科技有限公司 中国邮电器材集团有限公司 共青城酷桂投资合伙企业(有限合伙) 成都英普瑞生通讯设备有限公司 河北浩博企业管理服务中心(有限合伙) 山东怡华通信科技有限公司 安徽鑫松联智能科技合伙企业(有限合伙) 河南金吉祥通信有限公司 西藏星宇通讯科技股份有限公司 重庆泽森实业有限公司 深圳冀顺通投资有限公司 新疆春层恒天电子科技有限公司 广东松联信息科技有限公司 河南华莲通信科技有限公司 贵州华耀科创科技(集团)股份有限公司 杭州盾牌链条有限公司 福建瑞联优信科技有限公司 湖北天宏华瑞科技有限公司 内蒙古英孚特通讯技术有限公司 云南辰道投资有限公司 上海达苋企业管理服务中心(有限合伙) 哈尔滨金潭科技发展有限公司 陕西华耀瑞隆通信科技发展有限公司 昆明品端经贸有限公司 广西至信普林科技有限公司 辽宁盛悦同诚科技有限公司 澳易通(武汉)通讯集团有限公司 苏宁易购集团股份有限公司 深圳市顺电实业有限公司 深圳市鲲鹏股权投资有限公司 深圳市罗湖投资控股有限公司 深圳市资本运营集团有限公司 深国际控股(深圳)有限公司 深圳能源集团股份有限公司 深圳市鲲鹏展翼股权投资管理有限公司 此前，消息盛传的收购消息包括神州数码、深圳市星盟信息技术合伙公司均已辟谣，而通过本次声明之前各种传言也“不攻自破”。 通过近期的市场数据来看，荣耀的销售额占据华为的消费者业务的16%左右，占据华为公司总营收的9%左右， 单从数据来看， 剥离荣耀对于华为自身来说并不会产生非常大的影响。 荣耀将展翅飞翔 21ic家注意到，此次出售，华为将不再持有新荣耀公司的任何股份，也就是说 华为与荣耀再无任何关联。这一点可以说保证了荣耀供应链的恢复，原则上荣耀不应再受禁售缺芯的限制。 此外，从收购方来看，30多家代理商、经销商发起收购，保证了荣耀品牌的继续，也让荣耀供应链上的各厂商业务能持续下去，可以说， 这些厂商与荣耀休戚相关，一荣俱荣，一损俱损，保住荣耀，也就是保住了他们自己。 最后， 关键的一点是，荣耀高层及团队将保持稳定。干活儿的还是那一群人，这保证了荣耀的既定策略及产品能持续下去。 从2013年成立以来，荣耀手机实现突飞猛进的发展。2020年年初，在给员工的新年信中，荣耀总裁赵明表示2020年荣耀要打造有互联网基因的全渠道品牌，“继成为互联网手机第一品牌后，2020全面开启智能手机市场中国前二，智慧全场景和IoT第一品牌的冲锋之路。” 为此，荣耀先后推出了荣耀30系列\荣耀X10系列手机，同时推出了MagicBook Pro 2020、荣耀V6 5G平板、荣耀路由3、荣耀智慧屏等四大产品系列。 在华为鼎力培育下成长起来的荣耀，如今在羽翼渐丰之时，迎来独立飞翔机会，祝福荣耀！ 切莫过度解读 同时，21ic家也注意到，有消息传出，华为消费者BG也正在与智能汽车解决方案BU进行整合，总负责人是华为消费者业务CEO余承东。 华为的自救还在进行之中，从各种方面来说，华为还是困难重重的，业务仍在继续优化之中。 从芯片上来讲，实际上，在11月5日，高通公司已在2020年Q4财报上正式确认 已收到华为一次性支付的18亿美元，并已达成新授权已解决专利许可纠纷； 并在11月14日，高通发言人证实， 已获得对华为部分产品的许可证，但可惜的是只是一些4G产品。 另外， 英特尔、AMD、Skyworks等多家芯片厂商也已获得许可供货华为。 之前也有消息传言表示，台积电也获得了恢复供货，不过仅仅是成熟制程（28nm）而非先进制程（14nm以下），台积电表示不回应无根据市场传言。 从近期的市场来看，打压的进度似乎有了放缓的“趋势”。21ic认为，事实上通过此前的一系列措施以及近期特朗普仍在继续扩大禁令的范围， 美方早已失去了国内企业的信任。 而 国内也早已意识到产业链的缺口，纯国产化仍然是当前最重要的任务之一。 另外， 即使高通、台积电、联发科等拿到了供货许可，也大概率没有5G和先进制程，更别提7nm、5nm这种拼杀市场的硬货了。 近两年来看，荣耀的发展其实一直是独立性越来越高的，本身早已具有一定的核心竞争力。美方是否会承认这种剥离，以及未来荣耀的发展， 目前来说任何分析都是过度解读的，仍需市场的进一步的确认。 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

在PCB设计中，晶振（晶体振荡器）是非常重要的电子元器件，相信大部分的PCB工程师对它都不会陌生。而对于有源晶振与无源晶振，很多人却是“傻傻分不清楚”。 我们知道，电子线路中的晶体振荡器分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振的英文名称不同，无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。 嵌入式专栏 1 无源晶振 无源晶振是有2个引脚的无极性元件，需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并不准确。 无源晶振参考电路 无源晶振信号质量较差，通常需要精确匹配外围电路（用于信号匹配的电容、电感、电阻等），更换不同频率的晶体时周边配置电路也需要做相应的调整。 一般建议采用精度较高的石英晶体，尽可能不要采用精度低的陶瓷晶体。 2 有源晶振 有源晶振有4只引脚，是一个完整的振荡器，其中除了石英晶体外，还有晶体管和阻容元件，因此体积较大。 有源晶振的封装有4个引脚，分别为VCC（电压）、GND（地）、OUT（时钟信号输出）、NC（空脚）。 有源晶振参考电路 有源晶振不需要CPU的内部振荡器，信号稳定，质量较好，而且连接方式比较简单（主要做好电源滤波，通常使用一个电容和电感构成滤波网络，输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可），不需要复杂的配置电路。 1、有源晶振比较贵，但是有源晶振自身就能震动。而无论是无源晶振，还是有源晶振，都有自身的优点和缺点所在，若考虑产品成本，建议可以选择无源晶振电路；若考虑产品性能，建议选择有源晶振电路，省时方便也能保证产品性能。 2、无源晶振最高精度为5ppm，而有源晶振的精度则可以达到0.1ppm。精度越高，频率稳定性也更好。有源晶振在稳定性上要胜过无源晶振，但也有自身小小的缺陷，有源晶振的信号电平是固定，所以需要选择好合适输出电平，灵活性较差。 3、有源晶振一般4个脚，一个电源，一个接地，一个信号输出端，一个NC（空脚）。有个点标记的为1脚，按逆时针（管脚向下）分别为2、3、4。 4、无源晶振有2个引脚，需要借助于外部的时钟电路(接到主IC内部的震荡电路)才能产生振荡信号，自身无法振荡。 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

有很多工程师喜欢自己封装一些标准库已有的函数，其实自己封装的函数，并不一定比标准库好，有时候反而代码更冗余，且有bug。下面就来分享一下C语言常见的一些标准库。 标准头文件包括： 一、标准定义（ ）  文件 里包含了标准库的一些常用定义，无论我们包含哪个标准头文件， 都会被自动包含进来。 这个文件里定义： 类型size_t（sizeof运算符的结果类型，是某个无符号整型）； 类型ptrdiff_t（两个指针相减运算的结果类型，是某个有符号整型）； 类型wchar_t（宽字符类型，是一个整型，其中足以存放本系统所支持的所有本地环境中的字符集的所有编码值。这里还保证空字符的编码值为0）； 符号常量NULL（空指针值）； 宏offsetot （这是一个带参数的宏，第一个参数应是一个结构类型，第二个参数应是结构成员名。 offsetot(s,m) 求出成员m在结构类型t的变量里的偏移量）。 注：其中有些定义也出现在其他头文件里（如NULL）。 二、错误信息（ ） 定义了一个int类型的表达式errno，可以看作一个变量，其初始值为0，一些标准库函数执行中出错时将它设为非0值，但任何标准库函数都设置它为0。 里还定义了两个宏EDOM和ERANGE，都是非0的整数值。数学函数执行中遇到参数错误，就会将errno置为EDOM，如出现值域错误就会将errno置为ERANGE。 三、输入输出函数（ ） 文件打开和关闭： FILE *fopen(const char *filename, const char *mode);int fclose(FILE * stream); 字符输入输出： int fgetc(FILE *fp);int fputc(int c, FILE *fp); getc和putc与这两个函数类似，但通过宏定义实现。通常有下面定义： #define getchar() getc(stdin)#define putchar(c) putc(c, stdout)int ungetc(int c, FILE* stream); //把字符 c 退回流 stream 格式化输入输出： int scanf(const char *format, ...);int printf(const char *format, ...);int fscanf(FILE *stream, const char *format, ...);int fprintf(FILE *stream, const char *format, ...);int sscanf(char *s, const char *format, ...);int sprintf(char *s, const char *format, ...); 行式输入输出： char *fgets(char *buffer, int n, FILE *stream);int fputs(const char *buffer, FILE *stream);char *gets(char *s);int puts(const char *s); 直接输入输出： size_t fread(void *pointer, size_t size, size_t num, FILE *stream);size_t fwrite(const void…

为什么要等长，等长的重要性 在 PCB 设计中，等长走线主要是针对一些高速的并行总线来讲的。由于这类并行总线往往有多根数据信号基于同一个时钟采样，每个时钟周期可能要采样两次（DDR SDRAM）甚至 4 次，而随着芯片运行频率的提高，信号传输延迟对时序的影响的比重越来越大，为了保证在数据采样点（时钟的上升沿或者下降沿）能正确采集所有信号的值，就必须对信号传输的延迟进行控制。等长走线的目的就是为了尽可能的减少所有相关信号在 PCB 上的传输延迟的差异。 至于 USB/SATA/PCIE 等串行信号，并没有上述并行总线的时钟概念，其时钟是隐含在串行数据中的。数据发送方将时钟包含在数据中发出，数据接收方通过接收到的数据恢复出时钟信号。这类串行总线没有上述并行总线等长布线的概念。但因为这些串行信号都采用差分信号，为了保证差分信号的信号质量，对差分信号对的布线一般会要求等长且按总线规范的要求进行阻抗匹配的控制。 绕等长的命令和技巧 方法一： 第一步：连接好需要绕等长的线。 第二步：T+R 开始绕等长，TAB 键调出等长属性设置框，如下图： 第三步：滑动走蛇形线即可； 其中“<”和“ >”可以分别调整蛇形线的上下幅度，数字键 1 减小拐角幅度，数字键 2 增大拐角幅度、数字键 3 减小 Gap 间距、数字键 4 增大 Gap 间距： 方法二： Shift+A 可以直接在走线模式下饶点对点等长。设置属性和方法一相同。 差分对等长 快捷键 T+I ，属性设置可参考单根等长属性设置。 常用模块的饶等长技巧 1）、远端分支型 走线等长要求是 L1+L2=L3+L1 一般操作的方法是先设置好 T 点，尽量让 L1 和 L2 等长，若 T 点设置在中间的，一般就是差不多了，若 T 点设置不在中间可适当对某一分支进行绕线。 方法一：删掉一边分支，（如：L2），之后对 L1 进行绕线。 方法二：不删分支，列等长表格，计算 L1+(L2+L3)/2 对 L1 进行绕线。 2）、包含端接或串阻型 比如 CPU——串阻——DDR 等长要求是需要 L1（CPU 到串阻）+L2（串阻到 DDR）= L3（CPU 到串阻）+L4（串阻到 DDR） 方法一：在原理图上短接串阻，更新 PCB，使其变成一个网络，目的达到。 方法二：分别物理测量，两者相加（最好列出等长表，这种方法比较笨拙）。 注意：含有末端端接的先删除末端端接再等长，短节长度长度不算在等长长度中。 3）、菊花链 方法：多拷贝几个版本先分别单独绕等长——先删掉 SDRAM 到 FLASH 的走线，再绕 CPU 道 SDRAM 的等长，之后再另外一个版本中删掉 CPU 到 SDRAM的走线，再绕 SDRAM 到 FLSAH 的等长，之后两个版本合并。 等长中的注意事项 1、Gap 需满足 3W 原则【差分等长同理，最好满足 4W，越大越好】 2、差分等长 等长中用到的技巧 1、等长长度的查看 CTRL+点击鼠标中键（鼠标停放在你需要的网络上），可以查看网络的长度【还有选中， 属性编辑等选项】，在绕等长的时候，进行等长检查时候，非常方便和实用。这个快捷方式还可以实用 Shift+X 调出. 适用范围：常用模块的等长、自己内部等长检查 第一步：可以现在 PCB 中直接拷贝你需要绕等长的一组线的长度。之后粘贴在EXCEL 表格中。 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！