2020年12月1日 – 致力于快速引入新产品与新技术的业界知名分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)，首要任务是提供来自1100多家知名厂商的新产品与技术，帮助客户设计出先进产品，并加快产品上市速度。贸泽旨在为客户提供通过全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。 贸泽上月发布了超过387种新品，这些产品均可在订单确认后当天发货。 贸泽上月引入的部分产品包括： · Renesas Electronics RA6M4 32位微控制器 Renesas RA6M4微控制器拥有采用Arm TrustZone®技术的200 MHz Arm® Cortex®-M33内 核，可为应用提供先进的性能以及卓越的安全性和连接性。 · ams TMD2755接近传感器模块 ams TMD2755接近传感器模块在窄小轻薄的封装中整合了低功耗VCSEL 发射器(带集成式驱动器)、IR光电探测器以及环境光传感器。 · Amphenol Air LB圆形军规连接器 mphenol Air LB圆形军规连接器能够满足军事、航空航天以及工业应用要求。 OSRAM Opto Semiconductors SFH 4737是市面上超小的光谱应用近红外LED (NIRED)。

1.指向函数的指针 指针不光能指向变量、字符串、数组，还能够指向函数。在C语言中允许将函数的入口地址赋值给指针。这样就可以通过指针来访问函数。 还可以把函数指针当成参数来传递。函数指针可以简化代码，减少修改代码时的工作量。通过接下来的讲解大家会体会到这一点的。 /*函数指针简单讲解 *通过指向函数的指 *针调用比较两个数 *大小的程序 */#include  using namespace std;/*比较函数声明*/int max(int,int);/*指向函数的指针声明（此刻指针未指向任何一个函数）*/int (*test)(int,int);int main(int argc,char* argv[]){  int largernumber;/*将max函数的入口地址赋值给 *函数指针test */  test=max;/*通过指针test调用函数max实 *现比较大小 */  largernumber=(*test)(1,2);  cout< endl;    return  0;       } int max(int a,int b){     return (a>b?a:b);   } 通过注释大家应该很容易理解，函数指针其实和变量指针、字符串指针差不多的。如果大家理解了这个小程序，那么理解起下面这个有关Nand flash的源代码就好多了。 typedef struct {    void (*nand_reset)(void);    void (*wait_idle)(void);    void (*nand_select_chip)(void);    void (*nand_deselect_chip)(void);    void (*write_cmd)(int cmd);    void (*write_addr)(unsigned int addr);    unsigned char (*read_data)(void);}t_nand_chip;static t_nand_chip nand_chip;/* NAND Flash操作的总入口, 它们将调用S3C2410或S3C2440的相应函数 */static void nand_reset(void);static void wait_idle(void);static void nand_select_chip(void);static void nand_deselect_chip(void);static void write_cmd(int cmd);static void write_addr(unsigned int addr);static unsigned char read_data(void);/* S3C2410的NAND Flash处理函数 */static void s3c2410_nand_reset(void);static void s3c2410_wait_idle(void);static void s3c2410_nand_select_chip(void);static void s3c2410_nand_deselect_chip(void);static void s3c2410_write_cmd(int cmd);static void s3c2410_write_addr(unsigned int addr);static unsigned char s3c2410_read_data();/* S3C2440的NAND Flash处理函数 */static void s3c2440_nand_reset(void);static void s3c2440_wait_idle(void);static void s3c2440_nand_select_chip(void);static void s3c2440_nand_deselect_chip(void);static void s3c2440_write_cmd(int cmd);static void s3c2440_write_addr(unsigned int addr);static unsigned char s3c2440_read_data(void);/* 初始化NAND Flash */void nand_init(void){#define TACLS   0#define TWRPH0  3#define TWRPH1  0    /* 判断是S3C2410还是S3C2440 */    if ((GSTATUS1 == 0x32410000) || (GSTATUS1 == 0x32410002))    {        nand_chip.nand_reset         = s3c2410_nand_reset;        nand_chip.wait_idle          = s3c2410_wait_idle;        nand_chip.nand_select_chip   = s3c2410_nand_select_chip;        nand_chip.nand_deselect_chip = s3c2410_nand_deselect_chip;        nand_chip.write_cmd          = s3c2410_write_cmd;        nand_chip.write_addr         = s3c2410_write_addr;        nand_chip.read_data          = s3c2410_read_data;        /* 使能NAND Flash控制器, 初始化ECC, 禁止片选, 设置时序 */        s3c2410nand->NFCONF = (1<<15)|(1<<12)|(1<<11)|(TACLS<<8)|(TWRPH0<<4)|(TWRPH1<<0);    }    else    {        nand_chip.nand_reset         = s3c2440_nand_reset;        nand_chip.wait_idle          = s3c2440_wait_idle;        nand_chip.nand_select_chip   = s3c2440_nand_select_chip;        nand_chip.nand_deselect_chip = s3c2440_nand_deselect_chip;        nand_chip.write_cmd          = s3c2440_write_cmd;#ifdef LARGER_NAND_PAGE        nand_chip.write_addr         = s3c2440_write_addr_lp;#else        nand_chip.write_addr         = s3c2440_write_addr;#endif        nand_chip.read_data          = s3c2440_read_data;        /* 设置时序 */        s3c2440nand->NFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4);        /* 使能NAND Flash控制器, 初始化ECC, 禁止片选 */        s3c2440nand->NFCONT = (1<<4)|(1<<1)|(1<<0);    }        /* 复位NAND Flash */    nand_reset();} 这段代码是用于操作Nand Flash的一段源代码。首先我们看到开始定义了一个结构体，里面放置的全是函数指针。他们等待被赋值。然后是定义了一个这种结构体的变量nand_chip。 然后是即将操作的函数声明。这些函数将会被其他文件的函数调用。因为在这些函数里一般都只有一条语句，就是调用结构体的函数指针。接着往下看，是针对两种架构的函数声明。然后在nand_init函数中对nand_chip进行赋值，这也就是我们刚刚讲过的，将函数的入口地址赋值给指针。 现在nand_chip已经被赋值了。如果我们要对Nand进行读写操作，我们只需调用nand_chip.read_data()或者nand_chip.write_cmd()等等函数。这是比较方便的一点，另一点，此代码具有很强的移植性，如果我们又用到了一种芯片，我们就不需要改变整篇代码，只需在nand_init函数中增加对新的芯片的判断，然后给nand_chip赋值即可。所以我说函数指针会使代码具有可移植性，易修改性。 如果大家想对函数指针有更深的理解建议看一下这篇博文：http://www.cnblogs.com/CBDoctor/archive/2012/10/15/2725219.html 写的超赞，博主很佩服^_^ 2.C语言操作寄存器 在嵌入式开发中，常常要操作寄存器，对寄存器进行写入，读出等等操作。每个寄存器都有自己固有的地址，通过C语言访问这些地址就变得尤为重要。 #define GSTATUS1        (*(volatile unsigned int *)0x560000B0) 在这里，我们举一个例子。这是一个状态寄存器的宏定义。首先，通过unsigned int我们能够知道，该寄存器是32位的。因为要避免程序执行过程中直接从cache中读取数据，所以用volatile进行修饰。 每次都要重新读取该地址上的值。首先（volatile unsigned int*）是一个指针，我们就假设它为p吧。它存储的地址就是后面的0x560000B0，然后取这个地址的值，也就是p，所以源代码变成了（（volatile unsigned int *）0x560000B0）,接下来我们就能直接赋值给GSTATUS1来改变地址0x560000B0上存储的值了。 /* NAND FLASH (see S3C2410 manual chapter 6) */typedef struct {    S3C24X0_REG32   NFCONF;    S3C24X0_REG32   NFCMD;    S3C24X0_REG32   NFADDR;    S3C24X0_REG32   NFDATA;    S3C24X0_REG32   NFSTAT;    S3C24X0_REG32   NFECC;} S3C2410_NAND;static S3C2410_NAND * s3c2410nand = (S3C2410_NAND *)0x4e000000;volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2410nand->NFSTAT; 有时候，你会看到这样一种情况的赋值。其实这和我们刚刚讲过的差不多。只不过这里是在定义了指针的同时对指针进行赋值。这里首先定义了结构体S3C2410_NAND，里面全部是32位的变量。 又定义了这种结构体类型的指针，且指向0x4e000000这个地址，也就是此刻s3c2410nand指向了一个实际存在的物理地址。s3c2410nand指针访问了NFSTAT变量，但我们要的是它的地址，而不是它地址上的值。所以用&取NFSTAT地址，这样再强制转换为unsigned char型的指针，赋给p，就可以直接通过p来给NFSTAT赋值了。 3.寄存器位操作 #define GPFCON      (*(volatile unsigned long *)0x56000050)GPFCON &=~ (0x1<<3);GPFCON |= (0x1<<3); 结合我们刚刚所讲的，首先宏定义寄存器，这样我们能够直接给它赋值。位操作中，我们要学会程序第2行中的，给目标位清0，这里是给bit3清0。第3行则是给bit3置1。 -END- 直接来源 | 嵌入式大杂烩 原文：https://www.cnblogs.com/CrazyCatJack/p/6080266.html | 整理文章为传播相关技术，版权归原作者所有 | 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

　　据Barclays Capital公司金融分析师发表的新的研究报告称，英特尔在下降的图形芯片市场中提高了市场份额，削弱了Nvidia的市场份额。这篇稿预测，到2010年，英特尔将控制整个图形芯片市场大约55%的份额，而Nvidia的市场份额将下降到大约24%。 　　据Barclays Capital上星期五（3月20日）发表的报告称，2009年全球图形芯片销售量将下降17%，2010年的销售量将持平。今年图形芯片价格预计将下降5%，从而使今年的图形芯片销售收入下降22%，降到58亿美元。 　　英特尔在图形芯片市场的状况要好于平均水平，因为英特尔在图形芯片市场占统治地位，占有市场最大的份额并且将是销售下降比较温和的一家公司。例如，英特尔占有笔记本电脑图形芯片市场份额的76%。这个市场是2009年小幅增长的少数几个市场之一。 　　相比之下，Nvidia在单独的图形芯片市场占统治地位，占市场份额的62%。这个市场2009年的销售将下降大约32%。这篇报告预测，AMD的市场份额将小幅度增长，使AMD在整个图形芯片市场的份额在2010年提高到20%，仅增加一个百分点。 　　   一家市场研究公司最近预测，到2013年，单独的图形芯片将将消亡，因为图形芯片将集成到PC处理器中。   　　英特尔今年将推出代号为“Westmere”的32纳米集成的图形芯片。Barclays说，这种产品将进一步影响图形芯片市场。AMD预计也将发布类似的产品，不过，在2011年之前也许不会发布。 　　有推测称，Nvidia也许会跟随这个潮流开发自己的x86内核。但是，Barclays表示，Nvidia很可能与台湾的威盛等二流的x86厂商合作。 　　这篇报告称，随着市场的过渡，厂商正在把重点放在手机、上网本和高性能计算等新的机会方面。

　　单片机和模拟半导体供应商——Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布收购总部位于澳大利亚布里斯班的世界一流嵌入式系统开发工具供应商HI-TECH Software。HI-TECH Software以拥有高性能ANSI C编译器而享誉业界。该编译器采用优化的全程编译技术，具有全知代码生成功能。在过去十多年间，HI-TECH Software一直是Microchip 8位、16位和32位PIC单片机（MCU）和dsPIC数字信号控制器（DSC）C编译器的首选第三方供应商。 　　Microchip开发工具部副总裁Derek Carlson表示：“随着HI-TECH Software的加入，Microchip现可提供一整套非常高效的编译器，用以支持Microchip从最小的8位PIC10单片机到最大的32位PIC32单片机的所有器件。收购HI-TECH增强了Microchip在编译技术领域的领导地位，客户可以选择使用Mac OS X和Linux操作系统开发其C代码。” 　　HI-TECH首席执行官Clyde Stubbs表示：“HI-TECH S oftware致力于Microchip器件的高性能编译，现在更是如虎添翼。Microchip客户在进行单片机开发时将获得更为强大和易于使用的开发工具。” 　　该收购案的具体条款尚处于保密阶段，预计收购将会使Microchip的收入立即增长。

据iSuppli公司，2009年风能源占中国能源市场新增装机容量的将近三分之一，增加到22.7MKW，而2008年是12.1MKW。中国风能源市场2007年规模只有6.1MKW，2009年扩张惊人。最近五年中国风能源市场每年都翻一番，在2009年超过西班牙，成为第三大风能源提供者。 未来将加强管理 虽然中国能源局原来计划到2010年把风能源容量提高到20MKW，但这个目标2009年就实现了。因此，未来将采取更有力的措施来引导这个迅速增长的市场。同时，政府将推行一系列计划，包括提供补贴、为风电费确定基准价格、缓和风电供应商与电网公司之间的关系。政府肯定认识到，除非监管机构加强管理和协调，否则该市场难以扩张。 由于在上网传输方面具有明显优势，海上风能源电厂将比内陆风能源电厂更有前途。海上风能源电厂的最佳地点是在长江以北的潮间带。长江是世界最长河流之一，横贯中国腹地。未来10年内，海上风能源电厂设施在总体市场中的份额将达到10%，目前占2%。 到2009年底，中国的423个风能源电厂总发电量达516千瓦时，而且今后三年预计风能源每年将创造9亿美元以上的新生意。 下图所示为iSuppli公司对2009-2014年中国风能源市场平均增长率的预测。     iSuppli公司预测，到2014年，中国风能源创造的营业收入将达到39亿美元，而2009年只有3.609亿美元。2009-2014年复合年度增长率为44.9%。2010年，风能源营业收入将增长近一倍，达到6.069亿美元。

      David Brown：确实存在不少挑战。第一个挑战与第一部份所提到的讨论相关，设计人员必须在系统需求、电力来源和电路架构之间取得平衡，方可选择适当的LED驱动电路结构。因此，设计人员必须依据最终成品，来权衡可用的预算。       另外，大小和高度也造成另一种技术限制。具备高转换频率的电荷帮浦及电感式DC/DC升压解决方案，才可以使用体积更小的外部元件。特别是以电荷帮浦为基础的LED驱动电路，因为电荷帮浦和并联式LED电源仅需极小的外部电容器，所以会使用并联式LED电源来缩减外部元件的大小。不论是要缩减电荷帮浦还是电感型解决方案的外部元件大小，最主要的考量还是LED驱动电路的转换频率。       例如，智能型手机通常是比较轻薄短小的装置，因为需要较小的元件，所以可以容许较高的成本。相较之下，笔记型计算机的成本较低廉而且体积较大，有足够的空间可以容纳较大的元件。

　　国际半导体设备材料产业协会（SEMI）预测，2010年全球晶圆厂前段制程设备支出规模，将较2009年成长133%，并在2011年再度取得18%的成长率。而全球已建置晶圆厂产能，包括分立元器件厂在内，估计在2010年成长7%，并在2011年将再成长8%。 　　这份World Fab Forecast报告并预期，2010年全球晶圆厂建设支出规模将成长125%，2011年还将再成长22%。SEMI的数据指出，在2010与2011年，将有超过150座晶圆厂兴建计划，总支出估计830亿美元；该估计数字是根据各晶圆厂兴建计划与设备支出计划所做成，追踪对象涵盖大/小产能晶圆厂，以及生产微机电系统（MEMS）、LED、分立元器件的晶圆厂。 　　该报告指出，在2010年总计有54个晶圆厂兴建计划正在进行，建设支出总计在45亿美元左右；在这些计划中，有五成是LED晶圆厂，而且大部分位于中国。将在2011年执行的晶圆厂兴建计划虽然较少，但规模却比较大，建设支出总计约55亿美元。 　　SEMI估计，2010年全球半导体设备支出将成长133%，达到340亿美元规模；而在2008年，全球半导体设备支出则是成长27%。该协会并预测2011年全球半导体设备支出将再成长18%，达到390亿美元的规模，超越2007年的水平。 　　至于在2010年开始营运的晶圆厂数量大约为22座，其中也有超过五成都是LED厂；另外明年则预计有28座晶圆厂即将开张，包括4座内存厂。到2010年底，全球已建置晶圆产能（不包括分立元器件），估计达到每月1，440万片8寸约当晶圆，2010年该数字则可望成长8%，来到每月1，580万8寸约当晶圆。 　　SEMI指出，内存厂是占据全球已建置晶圆产能的最大宗，所占比例在2010与2011年约为41%；晶圆代工厂则居次，所占据比例将由2009年的24%，在2011年成长到26%左右。

　　2010年3月25日台积电于新竹科学园区举行LED照明技术研发中心暨量产厂房动土典礼，为跨入绿色能源新事业写下重要里程碑。 　　台湾台积电于竹科建LED厂正式宣示跨入LED生产，势必对于台湾LED产业投下不少变量，本文将针对投入LED产业后可能造成的影响以及未来台湾LED产业可能的变化进行分析。此LED厂第一期厂房设施及生产设备的投资额为新台币55亿元，初期放置至少十台MOCVD机台，预计2010年第四季完工装机，并于2011年第一季开始量产；至于第二期工程，则将依据未来的发展需求择期进行。未来台积电将由Epi/Chip至封装一贯生产，并将光、电、热处理整合于硅基板上，以光引擎模块方式出货，提供照明产品所需组件，开辟B2B的企业客户应用市场。 　　影响分析 　　（一） 垂直整合 提高产业资金及市场进入障碍 　　台湾LED产业发展至今已有30年历史，过去产业一直以专业分工为主，晶电、璨圆、泰谷、广镓等专注于磊晶及晶粒制造，亿光、光宝、东贝等厂商专注于LED封装制造，直到近2~3年奇力、隆达以及台积电相继投入之后才逐渐打破专业分工的产业结构，更在台积电投入之后开始规划生产制造LED模块，将电、光、热同时解决，以利于下游厂商应用。 　　在奇力、隆达以及台积电投入之后，台湾LED产业开始走向垂直整合，若垂直整合经营模式可以成功，未来将会使得LED产业进入门坎提高，其中包括资金及市场。资金方面，由于垂直分工使得厂商若选择进入其中一端，所需资金相对于垂直整合少，因此未来新进入者在资金门坎上将大幅提高，也将使得台湾LED产业持续迈向大者恒大的局面。 　　透过垂直整合可以使责任厘清更加明确及有助于技术提升。垂直整合后将可以解决过去因专业分工所造成的问题，专业分工时，若LED出现问题则较无法厘清责任归属，垂直整合后，由于皆属厂商内部制造，由上游磊晶、晶粒及封装都属该家公司负责生产，使得产品质量控制及责任归属上将更加明确。另外垂直整合后对于技术提升上也将有相当大的帮助，举例而言，若某种荧光粉需要搭配特殊规格的蓝光芯片，才能达到最好的发光效率，但碍于过去专业分工，将使得磊晶厂未必愿意制造特殊规格蓝光芯片，但垂直整合后，因磊晶、晶粒及封装都一贯生产，内部势必可以支持特殊规格产品，以追求更好的发光效率。 　　（二） 改变技术特性 由工艺型转为标准化制程（技术导向转管理导向） 　　LED产业在过去一直被定位为工艺型产业，需借由工程师设备经验，将机台调整至最佳状态，但由于每位工程师经验不同，使得LED制造过程中一直无法大幅提高规格良率。 　　在台积电投入LED产业后，势必会将台积电在半导体有效率的管理制程导入LED产业中，并将制程朝向标准化及自动化生产，降低人为因素的干扰；以台积电目前规模，资金实力雄厚，若此举可以成功的话，将会使得台湾LED产业由过去工艺型产业，朝向标准化/自动化生产，一举解决LED规格良率问题，将有机会使LED规格良率大幅提升。 　　若LED规格良率真可以大幅提高，有效产能将会大幅提高，将使得LED价格得以持续下滑，对于应用市场推广将有相当大帮助。若台积电真能大幅提高有效产能，既有厂商竞争力将也可能转变，若既有厂商无法跟着提高有效产能，将使得竞争力下滑；且由于目前规格品良率不高，使得厂商只能借由扩充厂能来生产所需产品，因此若规格品良率真能大幅提高，是否意谓着以目前产能状况可能足以供给市场需求，未来是否还需要持续扩厂，值得大家注意。 　　（三） 发展硅封装基板 　　台积电在未盖厂之前已有转投资采钰科技从事LED硅基板封装技术的开发，日前采钰科技发表8吋晶圆级LED硅基封装技术，被业界视为高功率LED封装的新突破；采钰的8吋晶圆级LED硅基封装技术，是运用专利的微型化半导体微机电制程，透过硅晶穿孔、铸模透镜以及均匀荧光材料涂布等独家技术，整片封装再进行切割，可大量生产并降低成本；在单晶LED封装产品热阻可望降至2℃/W，并大幅降低接口温度（junction temperature《50℃ at Ta=25℃）。 　　传统LED结构的封装方式，芯片散热往往被低热传系数的蓝宝石基板所局限。蓝宝石基板的热传系数只有40 W／mK，而且蓝宝石基板的厚度通常在数十微米左右，更增加整体热传的困难度，因此传统的芯片键合结构并不是一个效率好的散热设计。目前覆晶式的芯片封装很吸引人们的目光，因为能提供一个较好的散热系统，主动发光层产生的热可由下方大面积的焊料凸块向外传导，进而提高LED发光的效率。 　　（四） LED光引擎（Light Engine）发展，降低组件至系统端的沟通成本，加速LED照明发展 　　台积电欲发展的硅基板除热传导系数佳，热传导系数可达80～150W／mK之外，也可以将电路也整合进去，形成LED光引擎模块，使得下游应用厂商在使用上将更加便利统，对于未来下游LED照明应用扩展有相当大帮助，有机会加速LED照明应用发展。 　　LED组件价格持续下滑似乎是产业不变的现象，因此台积电目前以LED光引擎模块为未来公司出货目标，借此希望能提高产品附加价值。不过，LED整组灯具除光源部分之外，还包括光学设计（Optic）、散热（Thermal and Metal Bending）、电源（Power Supply）、零组件（Assembly），然而在LED产业中可以发现，虽然LED技术不断进步，但由于LED应用广泛，因此就算有100 lm/W产品商品化，但过去亮度不高的产品仍有其它应用市场，如玩具、圣诞灯串等市场仍可以销售，以致于新产品不断被开发出来，但旧有产品也不容易被淘汰，价格仅有持续下跌的空间，毛利难以维持。 　　此外，根据美国DOE在2009年4月与6月分别召开的两次工作会议中指出，针对LED灯具成本此一项关键议题，从LED灯具成本发展蓝图可以得知，DOE预期在2015年的LED灯具整体成本仅为现在的1/4左右，其中以LED组件下降幅度最大，可见于未来LED价格持续下滑是必然的趋势。因此未来台积电以全球第一大半导体制造厂商跨足LED制造，是否能利用半导体制造相关经验，大幅提升LED制程良率，借此提高LED毛利，将是值得观察的重点。

　　北京时间10月20日凌晨消息，据国外媒体报道，英特尔用户此前向英特尔提起集体诉讼，控诉英特尔违反反垄断条例。代表PC用户对英特尔发起诉讼的律师对法庭官员此前建议提出了反对，称在用户指控英特尔触犯反垄断法的诉讼案中，原告有关获得集体诉讼地位的请求不应被否决。 　　法庭特别专家维森特·波比蒂（Vincent J. Poppiti）曾在7月28日提交给特拉华州威尔明顿地区法官莱昂纳多·斯塔克（Leonard P. Stark）的报告中称，购买使用英特尔芯片的PC用户“一直没能证明他们能够通过共同的证据来表明英特尔触犯了反垄断法”。 　　作为对波比蒂上述报告的回应，原告律师克雷顿-阿塞（J. Clayton Athey）在10月15日提交的法庭文件中要求法官赋予本案以集体诉讼的地位。他表示，原告“已经陈述了共同的证据”，即“作为英特尔反垄断行为的结果，该公司对其微处理器的定价过高，因而导致消费者购买PC的价格过高。” 　　AMD也曾在2005年对英特尔发起指控，称其触犯了反垄断法的规定，通过向用户提供折扣的方式来阻止其购买AMD产品。此后，英特尔在11月同意向AMD支付15亿美元来了结此案。 　　英特尔发言人查克·麦克罗（Advanced Micro）在接受电话采访时表示：“我们相信特别专家是正确的。”

　　2010年11月16日，第十二届高交会光电平板展（FPD&LED EXPO CHINA 2010）于深圳会展中心正式召开。约8个国家近200家展商参加了本次会议，展会面积达到了7500平方米，展商数量和观众人数再次达到历史高峰。高交会平板展的火热令各界瞩目。 　　据悉，本次高交会光电平板展由科技部、发改委等国家六部委和深圳市人民政府主办，深圳市中国国际高新技术成果交易中心和深圳市亚威会展有限公司承办，中国光学光电子行业协会液晶分会、广东省半导体行业协会、深圳市平板显示行业协会协办。展会汇聚了中国光电平板显示界的知名企业，是中国光电平板显示行业第一展。 　　作为中国最具影响力的平板行业年度盛会，本次高交会平板展设立了触摸屏专区、设备/仪器专区、面板模块专区、LED照明专区、材料/组件/净化专区，全方位地服务于光电平板行业各领域的企业。让展会成为沟通企业和观众的纽带。 　　多家行业巨头参加了本次平板展，展示了当今全球最前沿的LCD、PDP、LED、OLED及相关产品。宇顺、盛波、清溢、三利浦、合力泰、住化、丽晶、鸿利等国内外知名企业高调亮相。 　　高精密自动化设备区备受关注 　　设备展区吸引了联得、旭崇、易天、晶向、飞新达、鼎晶、福和达、丰日、东巨、集银、深科达、得士威等知名设备制造厂商，是本届展会上备受关注的区域之一。 　　福和达带来了多款高精密自动化设备，包括液晶模组LCM及触摸屏TP领域的绑定、热压、贴片、清洗、切割等自动化设备，对应LCD尺寸为1-7.5-15.8-26.26-42.42英寸以上。另外还有激光切割、打标、焊接等非打标激光加工设备。鼎晶光电带来的P50-Ⅱ自动COG设备引进日本全新技术，人性化设计产能达每小时1200片，属LCM设备领域中的高新技术产品。 　　得士威展示了大尺寸模切机TSW-TB520，该机器适用于如LED宽屏液晶、LED宽屏笔记本等各种大尺寸屏幕的模切产品，可进行全断及半断产品的生产。飞新达要展示的轮转模切机MX7-250-14B则属精密模切设备领域的高新技术产品，该产品引进欧美的系统程序控制软件，人性化设计，高精度制造，具有高速、自动张力控制、张力保持、实时监控、急停定位等功能。