业内消息，近日小米集团发布了上半年的财报数据，虽然营收数据同比下滑，但是净利润有较大增长。对于之前印度冻结的的资金，小米集团总裁卢伟冰在电话会中表示，资金仅被印度政府冻结并非没收，小米目前在通过法律途径解决。 财报数据显示，小米二季度营收 673.5 亿人民币，同比下降 4.0%;第二季度经调整净利润 51.4 亿元，同比增长 147.0%。小米上半年总收入 1268.3 亿元，同比下降 11.6%;上半年经调整净利润 83.7 亿元，同比增长 69.5%。 截止今年 6 月全球 MIUI 月活跃用户数达到 6.06 亿，同比增长 10.8%，小米 AIoT 平台已连接的 IoT 设备(不包括智能手机、平板及笔记本电脑)数增至 6.545 亿，同比增长 24.2%。 今年二季度小米集团的广告业务收入为人民币 51 亿元，同比增长 13.0%，收入创历史新高。随着广告业务精细化运营的深入以及高端智能手机用户规模的增长，本季度国内和境外效果和品牌广告收入均创历史新高。 其中，小米智能家电同比增长超过 70%，智能电视及笔记本电脑营收约为 47 亿，同比下滑 10.1%。此外研发支出 46 亿元，同比增长 21.0%，并计划未来五年研发投入将超 1000 亿元。 卢伟冰表示，小米在印度的经营始终合法合规，正在积极与当地政府部门沟通。尽管过程非常漫长，但小米相信印度司法的公正性和独立性。小米在印度市场的业务调整取得明显效果，未来大家会看到小米在印度市场的占有率和产品结构改善方面的新变化。

对于功能验证，思科做了几件事。它为前门初始化设计了一个测试平台。它采用了所有的 C++/System C 测试检查器和模拟检查，甚至是实时检查，并将它们移植到仿真器中。它还使用 Mentor 的以太网数据包生成器监视器 (EPGM) 作为 IP 来生成以太网数据包或不同种类的数据包。 思科提出设计的步骤包括： · 从模型库中选择一个具有他们为流片选择的内存模型规格的模型。 · TCAM、SRAM 模型必须合成到 Veloce 支持的内存模型。 · 最小的时钟和 PLL 变化 · 识别他们不模拟的设计部分，例如，为测试而设计 (DFT) 逻辑。在为仿真器编译设计时，有些可能会导致编译器删除它们。 测试台问题包括： · 创建一个对 Veloce 友好的交易者来配置 ASIC · 部署 EPGM 以发送和分析以太网数据包 · 在 SystemC 和 C++ 中创建仿真结束检查 · 为模拟器合成功能覆盖 设计调试的主要功能包括： · EPGM 分析窗口 · 触发事务器捕获波形 · 其他自定义触发波形生成 · 它们可以生成的硬件实现的断言和监视器（这些关键断言是触发的异常，可以自动生成用于调试的波形。） · 完整波形上传 Cisco 在 EPGM 上与 Mentor 合作了数年，这是一种用于网络 ASIC 的虚拟解决方案。它支持多核模型并扩展性能。它有一个基于 TCL 的界面，可以相当快地编写复杂的测试用例，并有预建的触发器来捕获波形。可变端口组是最近添加的一种超级端口模式，它允许单个构建支持多个端口模式，而不是为可能的芯片配置进行多个构建。 在调试分析方面，思科获取每个流的统计信息，例如带宽/延迟/总帧数，并且所有错误（乱序、CRC 和前导错误）都由 EPGM 捕获和报告。此外，该小组在 ASIC 内实施了自定义检查器和速率监控器。 加速方面的结果可能会有所不同，具体取决于 ASIC 和应用程序的大小。通过模拟在前门初始化大约需要 6,000 分钟。在仿真中，该小组将其缩短到 30 分钟——在这些复杂的 ASIC 上执行了数万次前门写入。通过使用 Mentor 的入站流的新优化流程，Malik 的团队将其缩短到不到五分钟，只需几分钟的前门初始化。仅使用模拟，该过程通常需要数天时间。 凭借给定配置的运行时性能，思科在模拟中每分钟可以处理 40 个数据包，在仿真中每分钟可以处理超过 600,000 个数据包。这是模拟的 15,000 倍！ Malik 指出，所描述的方法不是专有的。“这是我们对 Mentor Strato 解决方案所提供功能的实施，”他说。 现在 Malik 和他的团队是经验丰富的仿真用户，他们计划将其用于其他验证任务。硅前软件开发、多芯片系统验证、硅准备和硅前功率分析是几个感兴趣的领域。例如，在硅前软件开发期间，他们可以启动控制平面操作系统，在实际 ASIC 上运行应用程序，然后再出带。该领域是有益的，尤其是对诊断和系统软件团队而言。 软件开发也是 Malik 的团队希望投资的一个领域，以证明其在仿真方面所做的努力是合理的。Malik 和团队在流片前开发和验证诊断软件非常重要。使用实际系统软件的新验证功能也需要在流片之前在硬件中进行验证。诊断、内核和应用软件团队现在可以开始调试并在仿真平台上快速上手。 多芯片验证仍是另一个领域。思科的系统很复杂——模块化系统具有管理卡和线路卡，其中多个 ASIC 相互通信。这些是可扩展的系统，试图在模拟中验证它们是一个挑战。 硅启动和就绪是另一种可能的应用。当芯片回来时，该小组会为硅验证进行测试和 ASIC 认证。当硅回到实验室时，仿真将提供一个良好的开端。硅前功耗分析是 Mentor 支持的领域，也是 Veloce 用户思科正在积极调查的领域。 Malik 已经在展望 Cisco 的验证流程的未来，该流程将统一用于回归和覆盖分析。这样的流程需要对标准功能覆盖流程进行一些更改，其中覆盖需要在设计内部进行合成和映射。功率分析是一个正在积极研究的领域，先进的趋势和分析能力也是如此，并将它们纳入流程中。当然，正在对性能进行增量改进。 总而言之，Malik 保持的仿真帮助 Cisco 设计验证小组达到了流片 ASIC 所需的高度信心。让软件为芯片启动做好准备是一个很大的好处。仿真通常有助于左移上市时间。 Malik 总结道，仿真是对整体验证策略的重要补充。快速启动、成熟的编译和全面的可见性是关键。虽然有很多很棒的技术正在开发中，但没有什么能比模拟更能提供全面的可见性和全面的调试。

速率匹配技术用于 NR 物理下行链路共享信道 (PDSCH) 传输，使用3GPP技术规范中定义的模式。模式中携带的信息如表1所示。PDSCH 解调参考信号 (DMRS) 未进行速率匹配以保证 DMRS 性能。3GPP 中的速率匹配模式决定了网络如何向 UE 提供速率匹配信息。UE 知道承载 LTE 小区特定参考信号 (CRS) 的资源元素，并在解码 NR PDSCH 时忽略它们。 LTE 信道载波频率和带宽信息允许共存。LTE 和 MBSFN 子帧配置携带有关配置为 MBSFN 的 LTE 子帧的信息。这会影响发生 CRS 传输的正交频分复用 ( OFDM ) 符号集。LTE CRS 天线端口的数量将影响发生 CRS 传输的 OFDM 符号集以及频域中的资源元素。v-Shift 提供 LTE CRS 的准确频域位置。Release 15中的速率匹配模式仅适用于单载波 LTE，DSS 只能在单个分量载波内使用，将 NR 带宽限制为 20 MHz。 对于 NR 同步信号/物理广播信道 (SS/PBCH)，子载波间隔取决于 NR 工作频段。FR1 频段主要使用 15-kHz 子载波间隔，但冲突阻止使用正常的 LTE 子帧，需要 MBSFN 子帧实现。您最多可以在 MBSFN 区域中安装两个 SSB，因为该区域中没有传输 CRS。但是，并非所有 SSB 都在有效的 MBSFN 子帧内，因为 SSB 位置在时域中是固定的，并且需要与有效的 MBSFN 子帧对齐。因此，速率匹配和 MBSFN 子帧技术的混合对于 DSS 传输很重要，一种用于数据传输，另一种用于 SSB 传输。 NR物理下行控制信道(PDCCH)不能与LTE参考信号和控制信道发生冲突。此外，由于 LTE 控制区域，无论您使用的是普通 LTE 子帧还是 MBSFN 子帧，子帧的符号 2 都是可用于传输 NR PDCCH 的最早符号。但是，5G 允许在任何符号上传输 PDCCH。您可以在不与 LTE CRS 冲突的任何其他符号上传输更多 PDCCH。 对于上行链路，半子载波偏移是 DSS 的一个关键考虑因素。LTE 上行链路有一个 7.5 kHz 的偏移，以避免使用 DC 子载波，而不是 NR。DC子载波用于NR上行链路传输。7.5kHz 偏移将破坏 LTE 和 NR 的正交性。为上行链路添加 7.5-kHz 频移可解决这一挑战，但 NR…

前不久引发全球关注的韩国室温超导材料LK-99研究现在可以盖棺论定了，这次并不是科技突破，LK-99没有常温超导性，中科院的研究还指出了导致韩国团队出现假象的根源，是其中的硫化亚铜杂志引起。 日前由北京大学、中科院大学等多家机构发布的论文Ferromagnetic half levitation of LK-99-like synthetic samples》已经发表在Arxiv上，研究指出韩国率先研发的LK-99材料没有超导性，磁悬浮也是假象，只是半悬浮而非真正的悬浮。 不仅如此，这篇论文还给出了韩国团队之所以得出超导的假象原因所在，论文通讯作者之一、中国科学院物理研究所研究员、博士生导师雒建林表示硫化亚铜杂质导致了这一结果。 实际上韩国团队在惊天论文公布之后，还宣布收回这一成果，他们应该清楚这次的实验结果可能是偶然的，并不能轻易复现。 几乎是中国团队公布研究结果的同时，美国马里兰大学CMTC(凝聚态物质理论中心)在社交平台公布了自己最新的研究成果，明确LK-99并非超导体，甚至在极低温下同样不具备超导性，它只是一种电阻非常高的劣质材料而已。

台积电(2330)昨(8)日召开董事会核准四项议案，包含今年第2季拟配息3元、赴德国投资逾38亿美元设厂、核准60.59亿美元资本预算用于扩厂及建置先进封装、成熟或特殊制程产能、增资美国子公司TSMC Arizona不超过45亿美元等。 此外，台积电在4月法说会上证实高雄厂将调整28纳米为更先进制程技术的产能扩张，但当时未提到改为何种制程，台积电昨日表示，因应先进制程强劲市场需求，高雄厂确定以2纳米的先进制程技术生产规划。 台积电目前2纳米生产基地已规划竹科、中科，后续若高雄纳入，将使2纳米拥有三个生产基地。 德国布局方面，台积电董事会核准以不超过34.99亿欧元(约38.84亿美元)的额度内，投资由公司主要持股之德国子公司European Semiconductor Manufacturing Company(ESMC)GmbH，以提供专业积体电路制造服务。 台积昨天和罗伯特博世公司(Robert Bosch GmbH)、英飞凌科技(Infineon Technologies AG)和恩智浦半导体(NXP Semiconductors NV)共同宣布，将共同投资位于德国德勒斯登的欧洲半导体制造公司(ESMC )，投资总金额预估超过100亿欧元，以提供先进半导体制造服务。 该厂预定2024年下半年建厂，2027年底生产。 依据说明，该筹备中的合资公司经监管机关核准并符合其他条件后，将由台积电持有70%股权，博世、英飞凌和恩智浦则各持有10%股权。 透过股权注资、借债，以及在欧盟和德国政府的大力支持下，总计投资金额预估超过100亿欧元。该晶圆厂将由台积电营运。 此计划兴建的晶圆厂预计采用台积电28/22纳米平面互补金属氧化物半导体(CMOS)，以及16/12纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程技术，月产能约4万片12吋晶圆，创造约2,000个直接的高科技专业工作机会。 台积电并通过，今年第2季拟配息3元，预计12月14日除息，并于2024年1月11日发放股利。 台积电联手三大巨头，德国建厂 德国副总理兼经济和气候保护部长哈贝克(Robert Habeck)在一份声明中说，“随着台积电的投资，又一家半导体行业的全球性企业来到了德国。这表明德国是一个具有吸引力和竞争力的地方”。 台积电总裁魏哲家在声明中表示，“在德累斯顿的投资表明台积电致力于满足客户的战略产能和技术需求，我们很高兴有机会深化与博世、英飞凌和恩智浦的长期合作关系”。 他补充说，“欧洲是半导体创新的一个非常有前途的地方，特别是在汽车和工业领域，我们期待与欧洲的人才一起利用我们先进的硅技术将这些创新变为现实。” 据悉，博世(Bosch)、英飞凌(Infineon)和恩智浦(NXP Semiconductors)将与台积电共同建设该工厂，预计总投资额将超过100亿欧元。 台积电将持有合资企业70%的股份，其他三家各占10%。该工厂将由台积电负责运营。 据台积电发布的声明介绍，上述三家公司周二宣布，计划共同投资位于德国德累斯顿的“欧洲半导体制造有限公司”(ESMC)，以提供先进的半导体制造服务。 ESMC标志着公司在建设300mm晶圆厂以支持快速增长的汽车和工业领域的未来产能需求方面迈出了重要一步，最终投资决策有待确认该项目的公共资金水平。该项目是在欧盟《芯片法案》框架下规划的。 据介绍，计划中的晶圆厂采用台积电的28/22纳米平面CMOS和16/12纳米FinFET工艺技术，预计月产能为40000片300 毫米(12 英寸)晶圆，将利用先进的FinFET晶体管技术进一步加强欧洲的半导体制造生态系统，并直接创造约2000个高科技专业工作岗位。 ESMC的目标是在2024年下半年开始建设工厂，并在2027年底开始生产。 据德国《商报》报导，德国已同意从政府的“气候与转型基金”中拿出50亿欧元用于建设该工厂。欧盟委员会对这笔补贴资金拥有最终决定权。欧盟已经批准了一项430亿欧元的补贴计划，到2030年将其芯片制造能力翻一番，以追赶亚洲和美国。 此外，台积电董事会周二还批准了向台积电全资子公司台积电亚利桑那州公司(TSMC Arizona)资本注入不超过45亿美元。

香港 – Media Outreach – 2023年8月3日 – 生成式人工智能(Generative artificial intelligence， GenAI)正急速普及发展，香港大学(港大)在即将开展的2023-24新学年，在教与学各个范畴，全面把GenAI融入课程，积极提升学生在对 GenAI 的认知能力和应用技巧。 大学将提供充足配套和支持，期望教职员及同学成为开拓GenAI应用潜能的先导者。 (左起)伍丽娟女士、赵宝贻教授、何立仁教授和陈嘉玉教授 港大教务委员会于6月通过就教与学使用 GenAI 的全面政策。 新政策确认，同学具备有效掌握和应用GenAI工具(AI literacy)的能力至为重要，是目前在教与学上，在口语、写作、视像及数码等四种重要的沟通传播能力以外，同学须具备的第五种重要能力。 港大过去几个月已提供ChatGPT及其他GenAI工具供教学人员使用。 于9月新学年，港大将免费为师生提供 Microsoft OpenAI 及 Dall-E 等 GenAI 应用程序供教与学之用，并会举办工作坊、提供网上课程和相关教材资讯等，让大家熟习并有效应用各种 GenAI 工具。 “港大将积极善用GenAI，因为老师和同学能有效掌握应用 GenAI 工具，对教与学非常重要。 我们的目标不单要他们具备相关的能力，更要成为能探索发挥 GenAI 应用潜力以造福人类的先导者。 ” 港大副校长(教学)何立仁教授说。 由何立仁教授领导的专责小组，经详细审视制订了大学应用 GenAI 的完整政策。 他稍后将领导一个顾问委员会，持续审视 GenAI 融入教学的进度，以及拣选适用于教学的 GenAI 工具。 在新政策下，港大教学人员需设法让同学善用 GenAI 以达至最佳的学习成果，包括设计具创意、创新能让同学专注其中的教学活动，鼓励分析性思维，发展具批判性的研究能力，以及因应同学个人的兴趣及需要设计合适的教材。 港大在把 GenAI 融入教与学的过程中会秉持最高标准，与教师、同学及资讯科技人员等不同持份者合作定期评估，这些意见将有助制订未来策略，应对日后出现的新挑战。 港大鼓励教学人员把 GenAI 融入课程评核，制定公平能够真正评核学生学习表现和成果的机制，目标是在秉持最高标准的学术诚信的原则下，确保同学有效并负责任地使用 GenAI 工具。 因应 GenAI 在教学上带来的挑战，同学在使用 GenAI 工具完成作业或其他学习任务，必须适当地帮助资料出处和引用来源等，老师需向同学明确说明并提供指引。 此外，教学人员在鼓励同学运用 GenAI 完成作业的同时，需积极尝试以不同的评核方式，包括不允许上网寻找资料的考试、口头答辩、课堂现场示范及解说，及同学间互相评核等，藉以评定同学的学习成果。 大学教与学创新中心，将为教职员及同学提供使用 GenAI 工具的技术支持及配套，包括供一对一专人指导教职员及同学使用 GenAI 工具的”AI Clinic”、学习 AI 的专题网页， 以及为期五周的自订网上学习课程。 此外，港大已获得大学教育资助委员会最新设立的科教创新基金逾1570万元资助，大学会善用拨款，在各个学术领域应用 GenAI 提升教与学。 人工智能时代急剧发展，港大正计划与海外顶尖大学商讨结盟，携手迎来当中的机遇及应对挑战。 何立仁教授总结道：”港大积极把 GenAI 融入教与学，因着这一关键举措，港大的卓越学术成就将被推展至另一高峰。 ”

近日，多款采用4nm制程芯片的手机，被用户吐槽存在发热量高和功耗高等方面的问题。据了解，此次涉嫌功耗过热的三款顶级手机芯片，分别是高通骁龙8 Gen 1、三星Exynos 2200、联发科天玑9000，均为目前各厂商高端芯片的代表。同时，天玑9000的生产商为台积电，Exynos 2200和骁龙 8 Gen 1的生产商三星，为排名前两位的芯片代工制造商。 去年，高通正式推出了骁龙8 Gen1以及骁龙7 Gen1处理器，都是基于4nm打造的全新手机芯片，主要针对旗舰以及中端手机市场，但碍于猪队友三星4nm工艺的不成熟，导致这两款芯片在市场上并不受待见，而骁龙7 Gen1更是只出了两款机型。 但最新消息显示，高通或有意开发全新基于4nm工艺制程的低端芯片组，以全面接替骁龙600系列芯片组。目前，关于骁龙6 Gen1的参数遭到曝光，其完整规格和参数已经出现在网上，这款芯片或将全面统治低端机市场。 根据已有信息，骁龙 6 Gen 1 将基于 4 nm工艺制造，型号为 SM6450，采用高通 Kyro CPU，频率最高可达 2.2GHz。此外，骁龙 6 Gen 1 还支持 USB 3.1 和高达 12GB 的 LPDDR5 内存，频率高达 2750MHz。在网络方面，该芯片组将采用骁龙 X62 5G 基带，提供 5G 毫米波和 6GHz 以下频段支持。这款芯片支持高达 FHD + 分辨率的 120Hz 刷新率显示屏，WiFi 方面将支持高通 FastConnect 6700 WiFi 6E，并且还将支持蓝牙 5.2。 在摄像头方面，该芯片支持 1300 万像素的三摄像头组合、2500 万 + 1600 万像素的双摄像组合，以及 4800 万像素的单摄像头，还将支持 30FPS 的 4K HDR 视频拍摄和 270p 分辨率、240FPS 的慢动作视频拍摄。据悉，骁龙6 Gen1可能会随骁龙8 Gen2芯片组一起推出，而骁龙8 Gen2将可能于年底正式到来，该芯片将同样由台积电代工，采用4nm制程工艺打造，并将继续采用1+3+4的三丛集架构设计，CPU将由一颗超大核，三颗大核以及四颗高能效核组成，而超大核可能是ARM Cortex X系列。 未来芯片制程仍将继续向3nm甚至2nm延伸，人们也在积极考虑如何解决漏电流所导致的功耗与发热问题，包括更换新材料、采用新架构——GAA(环绕式栅极)结构等，以期打破长久以来存在的漏电“魔咒”。 在材料方面，赵超介绍，采用具有高介电常数的栅介质材料替代原本的二氧化硅材料，可有效解决短沟道效应造成栅极漏电的问题。而二氧化铪属于高介电常数的材料，以二氧化铪来替代二氧化硅作为栅介质材料，可有效提高介电常数，减少漏电情况，并有效增加电容荷电的能力。 8月30日，台积电总裁魏哲家在2022年台积电技术论坛上表示，3nm即将量产，时间就在2022年下半年。 受到疫情影响，台积电技术论坛已经有两年未曾举办，时隔两年重新举办的论坛带来了台积电3nm芯片的最新进展。 “如果有手机的客户当下采用3nm芯片，明年产品就能问世。”台积电副总监陈芳在今年8月18日2022南京世界半导体大会的间歇上对经济观察报表示。 9月1日，三星电子对经济观察报表示，期待在2024年实现大规模量产，目前该计划正照常推进。 3nm是目前芯片的一种工艺制程，指芯片中一根晶体管源极和漏极(通俗指的电路正负极)之间的距离，电子像水流一样从源流到漏，中间仅有纳米级的间距，而一块先进工艺芯片内，通常有数亿个的晶体管且排布复杂，越先进的工艺生产，芯片越微缩、晶体管越密集，芯片的性能也越强。 由于在22nm节点上引用FinFET技术，将晶体管以3D形式排步，芯片的工艺无法只用纳米来衡量，但业内仍保留了这个称呼。 量产终点逼近，围绕3nm节点，全球巨头们的竞赛正在激烈进行。 台积电垄断了全球75%以上的晶圆代工先进工艺市场，在先进制程上，客户无法找到台积电的替代品，这也赋予了台积电更强的议价能力，如今在3nm上，三星电子是最有希望做出台积电竞品的公司，这让客户有了第二个选择。三星电子背后的韩国政府，正在对半导体制造业给予更多资金和技术的支持。 在上述两家巨头外，英特尔也计划重返3nm战场，英特尔在今年4月表示，Intel3(约合7nm)将于2023年下半年量产。该公司的新任首席执行官基辛格上任后，启动了IDM2.0计划，试图重返半导体代工业务。 台积电在财报会中称3nm是一个庞大而持久的节点。 在摩尔定律的主导下，芯片制程延着14nm-7nm-5nm-3nm的路径不断迭代，在相当长的时间中，这似乎是一个颠扑不破的产业规律。 但3nm这一节点呈现了不同的特征，这个节点的研发和生产的成本极高，这也增加了供应商和客户的风险，所有的玩家极力地在先进技术与成本之间寻求平衡。而其所处的半导体行业则处于周期拐点之上，消费电子下行，智能手机对先进芯片的牵引力出现不足。 6月13日，长电科技同样表示，公司一直与不同的晶圆厂在先进制程的硅节点上进行合作并与行业内大客户开展相关技术研发和项目开发，现已具备5/7nm晶圆制程的量产能力并支持客户完成了高性能运算芯片和智能终端主芯片产品的量产。 这三大企业的封测能力早就进入到了5nm，昨天长电科技在互动平台表示，公司已经可以可以实现4nm手机芯片封装，以及CPU，GPU和射频芯片的集成封装。 在芯片的生产环节中，有三个主要环节，分别是设计、制造、封测。以前的芯片企业，需要自己搞定这三个环节。但现在众多的芯片企业，均只负责中间的一个环节，大家分工合作。 比如苹果设计芯片，台积电制造芯片，长电科技封测芯片，大家分工合作。由于是分工合作的，所以厂商们竞争就非常激烈，谁的技术最牛，谁的订单就不断。比如制造方面，台积电最牛，所以它一家就拿下了全球55%+的代工订单。而在封测上面，台湾省的日月光最牛，所以它全球第一家，一家就拿下了全球30%左右的封测订单，关键是日月光的很多技术非常领先。 不过好在，中国大陆的封测企业，也是相当争气的。全球Top10的封测企业中，中国有3家上榜，分别是长电科技，通富微电、华天科技，分别位列全球第3、5、6名。 从技术上来看，大家相差不是特别远，去年的时候，三家厂商就表示，已经能够封测5nm的芯片，与全球顶尖水平基本一致。 而近日，长电科技在自己的官微上发文表示，公司在先进封测技术领域又取得新的突破，已经实现4纳米(nm)工艺制程手机芯片的封装，以及CPU、GPU和射频芯片的集成封装。 目前三星表示已经量产3nm芯片，但3nm芯片还没有真正的亮相。所以4nm芯片就是最先进的硅节点技术，而手机芯片又是4nm芯片中最具代表性的，比如高通骁龙8+、天玑9000等，都是4nm工艺。 所以长电科技表示能够封测4nm手机芯片，也就意味着其封测技术达到了最顶尖的水平了? 当然，封测达到4nm，大家也不必太高兴，毕竟封测是这三个环节中门槛最低的，又不是制造达到了4nm，如果制造达到了4nm，那就是真的牛了。 近期中国芯片企业在4nm封装技术上的突破，让各方议论纷纷，认为最关键的还是芯片制造工艺的突破，4nm封装技术的突破没有太大意义，显然这是一个错误的看法，对于中国芯片制造来说这是一条由易及难的捷径，最终实现全产业链突破。 封装技术其实也是芯片制造的一个重要环节，它需要将芯片从一整片晶圆中挑选出合格的芯片，然后再将这些芯片与外部电路连接起来，这样芯片才能正常工作，然而如随着工艺的提升，晶体管越来越小，晶圆的导线间距也越小，其技术难度也是越来越大。 国产的4nm芯片封装技术还是一项多维异构芯片封装技术，即是将多种类型的芯片封装在一起，如此更考验封装企业的技术，封装企业需要熟悉不同芯片的构造，了解不同芯片的电气性能，在准确实现不同芯片的互联互通同时确保兼容性，这更是一项高难度的技术。 芯片封装还是向先进工艺发展的途径之一，中国台湾的芯片产业如今已居于全球顶尖水平，然而早年它们也是从封装技术开始，通过接收美国芯片的封装业务外包，逐渐了解芯片的构造，积累技术和人才，然后再进入芯片制造。 封装已成为芯片产业链的一大产业，全球前十大封装企业中有九家位居亚洲，中国大陆和中国台湾更是占据了其中的大多数，如今美国芯片行业也已认识到封装技术的重要性，正计划重新拾起封装产业，这也体现了封装环节的重要性。

7月27日消息消息，EDA电子设计被称为芯片之母，是先进芯片设计不可或缺的工具，市场主要掌握在美欧三大公司中，国内最大的是华大九天，他们的EDA工具也部分支持5nm工艺了。 今晚该公司发布了2023半年报，上半年营业收入约4.05亿元，同比增加51.92%;归属于上市公司股东的净利润约8381万元，同比增加107.3%;基本每股收益0.1544元，同比增加65.84%。 2023年1至6月份，华大九天的营业收入构成为：集成电路行业占比100.0%，其中EDA软件销售大幅增长，2季度利润超过6000多万元，比1季度大涨2倍左右。 今年5月份，华大九天在调研中指出，公司模拟部分工具支持 5nm，数字已有工具全部支持 7nm 工艺，要进一步深入和先进工艺的结合。 目前ED行业市场集中度较高，全球EDA行业主要由楷登电子、新思科技和西门子 EDA 垄断，上述三家公司属于具有显著领先优势的第一梯队。 华大九天与其他几家企业，凭借部分领域的全流程工具或在局部领域的领先优势，位列全球 EDA行业的第二梯队。 第三梯队的企业主要聚焦于某些特定领域或用途的点工具，整体规模和产品完整度与前两大梯队的企业存在明显的差距。 据官网介绍，华大九天成立于2009年，一直聚焦于EDA工具的开发、销售及相关服务业务，致力于成为全流程、全领域、全球领先的EDA提供商。 华大九天主要产品包括模拟电路设计全流程EDA工具系统、数字电路设计EDA工具、平板显示电路设计全流程EDA工具系统和晶圆制造EDA工具等EDA软件产品，并围绕相关领域提供包含晶圆制造工程服务在内的各类技术开发服务。

据报道，华为正在向大约30家中小型日本公司收取使用专利技术的许可费，这导致本国不少公司很慌，因为，如果达不成一致的话，可能会没办法继续运转。 华为日本部门的一位消息人士透露，“目前正在与大约 30 家日本电信相关公司进行谈判。” 据信，这家电信制造商也将加强在东南亚的特许权使用费征收。 华为正在向使用称为无线通信模块的组件的制造商和其他公司收取费用。几家日本公司的消息人士称，从只有几名员工的企业到拥有100多名员工的初创公司都收到了华为的专利费用收取要求。 要求的支付水平从每单位50日元(35美分)或更少的固定费用到系统价格的0.1%或更少。 “该水平与国际标准相当，”东京大学访问研究员Toshifumi Futamata说。 华为拥有高份额的所谓标准必要专利，这些专利对于使用4G或Wi-Fi等无线通信标准至关重要。 据外媒此前消息，华为美国首席知识产权顾问史蒂文·盖斯勒 (Steven Geiszler) 表示，截至2021年的三年中，华为从全球专利许可中获得约12亿美元的收入，即每年约数亿美元。

碳中和从供能与用能端着手，新能源汽车是用能端电能替代的重要形式。新能源汽车实现了交通出行领域电能对化石燃料的替换，在电能绿色清洁的前提下即可实现出行领域的零碳排放，发展新能源汽车对于控制碳排放具有十分重要的意义。我国新能源汽车产业取得了长足发展，并顺利进入市场和政策双轮驱动的新发展阶段。新能源汽车产业要在未来激烈的竞争中打赢市场化攻坚战，还需要注重动力电池、电驱系统、智能控制、轻量化技术、燃料电池等关键技术链条的完善。 中国的新能源汽车行业未来十年将迎来更加蓬勃的发展。在过去两年中国政府大幅削减补贴后，行业竞争将愈加激烈，并考验汽车制造商的竞争力。这可能推动车企推出更具吸引力的产品，因而促进并提升需求，从而使行业在长期实现高质量增长。制造业是实体经济的主体,是技术创新的主战场,是供给侧结构性改革的重要领域。制造业高质量发展,对于推动经济高质量发展具有关键性意义。新能源汽车作为汽车产业未来的发展方向和高端制造业的代表,必须牢牢把握高质量发展的要求,不断增强创新力和竞争力。 构建新型产业生态。要以生态主导型企业为龙头，加快车用操作系统的开发应用，建设动力电池高效循环利用体系，强化质量安全保障，推动形成互融共生、分工合作、利益共享的新型产业生态体系。推动产业融合发展。推动新能源汽车与能源、交通、信息通讯深度融合，促进能源消费结构优化，交通体系和城市智能化水平提升，构建产业协同发展的新格局。完善基础设施体系。 要加快推动充换电、加氢、信息通讯与道路交通等基础设施建设，提升互联互通水平，同时还要鼓励“换电”等商业模式创新，营造良好的使用环境。深化开放合作。进一步践行开放融通、互利共赢的合作观，深化研发设计、贸易投资、标准法规等领域的开放合作，积极参与国际竞争，培育新能源汽车的产业发展新优势。 随着环境问题愈发受到重视，“碳中和”已经成为众多国家和地区的政策目标之一。使用绿色电能替代化石燃料是实现“碳中和”的有效途径，已经被众多国家采用。当前，我国高度重视新能源汽车产业的发展，在应用推广、产业政策、技术创新、配套设施等方面不断发力，产业链效应凸显。但是，在其不断发展的过程中，依然存在核心技术依赖国外、产业链上下游延伸相对不够、关联企业配套率较低、基础设施建设滞后、人才聚集效应不强等问题。 目前我国新能源汽车产业已进入市场和政策双轮驱动新阶段。他建议，企业要审慎判断市场发展，坚定投入、坚持技术创新。当下，中国汽车产业正处在于能源产业双向融合，交通产业跨界融合的关键阶段，中国新能源汽车产业要在未来激烈的竞争中打赢市场化攻坚战，还需要注重动力电池、电驱系统、智能控制、轻量化技术、燃料电池等关键技术链条的完善。 积极推动新能源汽车健康有序发展,着力构建智能汽车创新发展体系。政策将对投资者在新能源汽车关键技术的掌握、资金和融资能力、产品研发能力、研发投入和售后保障等方面提出更高的具体要求,完善汽车产业投资项目准入标准。在加强管理的同时,对新能源智能化汽车的研发投入力度也将不断增强,新能源汽车未来将在技术创新、产业生态、法规标准、产品监管、信息安全等方面构建战略体系,并计划推进建立国家层面的新能源智能化汽车创新平台。未来新一代汽车技术体系正在形成，智能时代的汽车是新材料、智能网联、可再生能源、新城市的融合，汽车在成为智能终端之后，将会与交通网、信息网与能源网进行融合。