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摩登3内部554258_中国芯片行业增长速度最快!美国制裁因祸得福?

美国实施一系列限制措施后,中国的芯片行业增长速度比世界上任何其他地方都要快。 过去4个季度,每个季度增长最快的20家芯片产业公司中,平均有19家来自中国大陆,而在去年同期的统计数据中只有8家。这些位于中国大陆的设计软件、处理器和对芯片制造至关重要的设备供应商的收入增长速度是全球领先的台积电或阿斯麦尔的数倍。 这一超速增长凸显华盛顿和北京的紧张关系如何改变了价值5500亿美元的全球半导体行业。2020年,美国开始限制向中芯国际和海康威视等中国公司出售美国技术,遏制了它们的增长——但也刺激了中国芯片制造和供应的蓬勃发展。 本土企业的崛起已经引起一些最挑剔的客户的注意。据说苹果公司考虑将长江存储技术有限公司作为其手机闪存芯片的最新供应商。 推动北京雄心的是摆脱对地缘政治对手依赖的渴望和2021年度逾4300亿美元的芯片进口额。 行业机构国际半导体产业协会的数据显示,随着中国本土工厂扩大产能,去年中国对海外芯片制造设备的采购订单增长58%。这反过来推动了中国本土芯片制造产业。据中国半导体行业协会的数据,2021年中国的芯片制造和设计企业的总销售额跃升18%,达到创纪录的1万多亿元人民币(1500亿美元)。

摩登3注册开户_CPU出现于大规模集成电路时代,52年来CPU芯片发生了什么?

中央处理器(central processing unit,简称CPU)作为计算机系统的运算和控制核心,是信息处理、程序运行的最终执行单元。CPU自产生以来,在逻辑结构、运行效率以及功能外延上取得了巨大发展。 CPU出现于大规模集成电路时代,处理器架构设计的迭代更新以及集成电路工艺的不断提升促使其不断发展完善。从最初专用于数学计算到广泛应用于通用计算,从4位到8位、16位、32位处理器,最后到64位处理器,从各厂商互不兼容到不同指令集架构规范的出现,CPU 自诞生以来一直在飞速发展。 [1] CPU发展已经有40多年的历史了。 我们通常将其分成六个阶段。 (1)第一阶段(1971年-1973年)。这是4位和8位低档微处理器时代,代表产品是Intel 4004处理器。 1971年,Intel生产的4004微处理器将运算器和控制器集成在一个芯片上,标志着CPU的诞生; 1978年,8086处理器的出现奠定了X86指令集架构, 随后8086系列处理器被广泛应用于个人计算机终端、高性能服务器以及云服务器中。 [1] (2)第二阶段(1974年-1977年)。这是8位中高档微处理器时代,代表产品是Intel 8080。此时指令系统已经比较完善了。 (3)第三阶段(1978年-1984年)。这是16位微处理器的时代,代表产品是Intel 8086。相对而言已经比较成熟了。 (4)第四阶段(1985年-1992年)。这是32位微处理器时代,代表产品是Intel 80386。已经可以胜任多任务、多用户的作业。 [3] 1989 年发布的80486处理器实现了5级标量流水线,标志着CPU的初步成熟,也标志着传统处理器发展阶段的结束。 [1] (5)第五阶段(1993年-2005年)。这是奔腾系列微处理器的时代。 1995 年11 月,Intel发布了Pentium处理器,该处理器首次采用超标量指令流水结构,引入了指令的乱序执行和分支预测技术,大大提高了处理器的性能, 因此,超标量指令流水线结构一直被后续出现的现代处理器,如AMD(Advanced Micro devices)的锐龙、Intel的酷睿系列等所采用。 (6)第六阶段(2005年至2021年)。处理器逐渐向更多核心,更高并行度发展。典型的代表有英特尔的酷睿系列处理器和AMD的锐龙系列处理器。 [3] 为了满足操作系统的上层工作需求,现代处理器进一步引入了诸如并行化、多核化、虚拟化以及远程管理系统等功能,不断推动着上层信息系统向前发展。 在半导体行业,Intel联合创始人戈登·摩尔在1965年提出的摩尔定律被公认为金科玉律,每2年晶体管翻倍的说法指导者半导体芯片的发展,尽管最近十几年来也有说法认为已经过时了,但是它实际上执行得还不错。 比利时微电子中心IMEC公布了一张很有趣的路线图,对比了1970年到现在2022年的52年间中,处理器芯片的晶体管密度变化,当年的水平只有1000个晶体管,要知道Intel在1971年推出人类首个微处理器4004时也不过2300个晶体管。 现在到了2022年,晶体管规模已经达到了1000亿个,苹果的M1 Ultra芯片做到了1140亿晶体管,是52年前的1亿倍了。 1000亿晶体管的芯片也不会是终点,实际上苹果M1 Ultra也不是唯一的千亿芯片怪物了,Intel的加速卡Ponte Vecchio也实现1000亿+晶体管了,不过Ponte Vecchio是由多个芯片组成的,M1 Ultra其实也不是单一芯片,也是2个M1 Max芯片组成的。 在近年来中美交锋引发的历史性机遇下,国产CPU行业被由上而下牵引着,面临着一个全新的发展环境:大门打开的政府采购市场,闻风而来的ODM工厂,逐渐统一的OS操作系统。 发展环境向好演变,国产CPU捷报频传:龙芯和海光相继通过科创板注册,飞腾引入多家战投加速向资本市场迈进。 远川科技评论一直紧密追踪着国产CPU行业的动态: 2020年11月发布的《谁主沉浮:国产CPU的三大路线之战》一文,将龙芯、海光和飞腾分别归类为自主派、引进派和生态派;当年年底,我们应邀参与了飞腾在天津举办的生态大会,亲身见证了国产CPU茁壮成长的IT生态。 2021年3月发布的《死磕:一颗国产CPU的浮沉样本》一文,以胡伟武的创业之旅为轴,着重回顾了以龙芯为代表的自主派如何一步步迈过荆棘、走向成功之路;当年5月底,我们对龙芯创办人胡伟武做了两个小时的访谈,对国产CPU创业做了全面系统的方法论复盘。 时值国产CPU上市潮,远川科技评论根据招股书、实地走访、过往访谈等资料,试图对国产CPU行业做一个全面的总结。 本文主要分为三个部分: 1.产品应用、财务业绩与原因分析; 2.技术基座的重要性; 3.产业链构建、生态与市场拓展。 据悉,2021 年 11 月,龙芯中科技术股份有限公司完成了基于自主 LoongArch 指令系统的龙芯 3C5000 服务器 CPU 的研制。 该处理器内部集成 16 个高性能的龙芯 LA464 处理器核、32MB 的共享片上高速缓存和 4 个 64 位 DDR4-3200 内存控制器,主频 2.1-2.3GHz,单芯片双精度浮点峰值运算速度超过 0.5TFLOPS,综合性能接近市场主流服务器 CPU 产品的水平,可全面满足云计算、数据中心的性能需求。 龙芯架构(LoongArch)包括基础架构部分和向量指令、虚拟化、二进制翻译等扩展部分,近 2000 条指令,不包含 MIPS 指令系统。龙芯中科表示,龙芯架构具有完全自主、技术先进、兼容生态三方面特点。龙芯架构从整个架构的顶层规划,到各部分的功能定义,再到细节上每条指令的编码、名称、含义,在架构上进行自主重新设计,具有充分的自主性。

摩登3娱乐怎么样?_ASML宣布公司将斥资建工厂:光刻机对于超精细半导体加工领域至关重要

荷兰ASML公司 (全称: Advanced Semiconductor Material Lithography,该全称已经不作为公司标识使用,公司的注册标识为ASML Holding N.V),中文名称为阿斯麦尔(中国大陆)、艾司摩尔(中国台湾)。这是一家总部设在荷兰埃因霍芬(Eindhoven)的全球最大的半导体设备制造商之一,向全球复杂集成电路生产企业提供领先的综合性关键设备。ASML的股票分别在阿姆斯特丹及纽约上市。 2日讯,近日,ASML宣布将斥资2亿美元扩建其位于康涅狄格州威尔顿的工厂。据悉,ASML Wilton是ASML在美国最大的研发和制造基地。ASML Wilton拥有2000多名员工,并已在洁净室、实验室和办公室投资1亿美元,是一个至关重要的设计、工程和生产中心。预计此次扩建将在未来两年内创造1000个新工作岗位。 5月31日,美国商务部官网显示,美国商务部副部长Don Graves与荷兰半导体公司阿斯麦(ASML)首席执行官兼总裁 Peter Wennink共同宣布阿斯麦将斥资 2 亿美元扩建其位于康涅狄格州威尔顿的工厂。 据报道,美商务部副部长Don Graves与荷兰半导体设备制造商ASML首席执行官兼总裁Peter Wennink一起在ASML的总部宣布,ASML将斥资2亿美元扩建其位于康涅狄格州威尔顿的工厂。这一宣布正值两党创新法案在国会最终通过之际,该法案将投资520亿美元用于美国半导体的研究、开发和生产。 ASML Wilton 是 ASML 在美国最大的研发和制造基地。ASML Wilton 拥有 2,000 多名员工,并已在洁净室、实验室和办公室投资 1 亿美元,是一个至关重要的设计、工程和生产中心,以满足日益增长的全球需求。预计此次扩建将在未来两年内创造 1,000 个新工作岗位。 “从第一天起,政府就承诺振兴我们的国内制造业经济并确保我们的国家安全。实现这些目标的起点和终点都是在美国制造的先进半导体。”Graves说:“从我们的家庭和汽车到拯救生命的军事和医疗技术,半导体为一切提供动力。ASML 是全球私营企业联盟的重要成员,他们选择美国作为他们的半导体基地,对此我们深表感谢。我们需要通过将《两党创新法案》提交总统办公室签署来巩固这一势头,因为它对我们的经济和国家安全至关重要。” Wennink表示:“半导体行业的增长十分迅速。为了满足未来几年的预期需求,ASML 正在投资基础设施和人员。我们位于康涅狄格州威尔顿的办事处是这项投资的一个很好的例子,也是美国对ASML成功至关重要的地点之一。” 据悉,商务部副部长Graves访问了ASML,作为其欧洲之行的一部分。以加强跨大西洋合作,并就供应链救济、新兴技术和出口管制等关键问题与公共和私营部门合作伙伴进行接触。 6 月 3 日消息,据韩联社消息,三星电子副会长李在镕将于下周前往荷兰,预计将采购荷兰半导体设备制造商阿斯麦(ASML)的先进芯片制造设备。 三星此前宣布将在 5 年内向半导体和生物制药领域投资 450 万亿韩元(约合 3550 亿美元),将尽早进口 EUV 光刻机,“使三星在制造最先进的微芯片方面具有优势”。 李在镕重新执掌三星集团后,一直在公司关注的关键领域进行努力。对于该公司来说,目前最重要的挑战也许是三星电子急需世界上最先进芯片制造机器。 ASML 总部位于荷兰,是全球唯一一家能够制造 EUV 极紫外光刻机的制造商。这些光刻机对于超精细半导体加工领域至关重要。 随着先进制程芯片制造业竞争的升温,英特尔、三星、台积电对 ASML 设备的需求也水涨船高,甚至该公司的订单已经积压数年。因此,ASML 先给谁交付光刻机可能成了优势所在。 据报道,李在镕将于 6 月 7 日至 18 日访问欧洲。在访问期间,他将在荷兰与 ASML 高管会面,以确保 ASML 的 EUV 设备交付。在三星寻求扩大其位于京畿道平泽的半导体工厂之际,获得这种设备对三星来说至关重要。 最近这两年,国人对芯片和光刻机投入了较高的关注,对应的企业就是中芯国际和上海微电子,这两家企业分别是芯片制造龙头和国产光刻机龙头,不过中芯国际是上市公司,相对而言财务和管理方面比较透明,但是上海微电子目前还是私营企业,不属于公众公司,因此显得尤为神秘,外界也予以颇多猜测。 最近,国有控制下的芯片制造厂商积塔半导体对外招标采购芯片生产设备,其中就包括光刻机等设备,积塔半导体主要生产的是功率芯片,这一类芯片对于光刻机制程工艺的要求并不高,过去,一般90nm-350nm就可以满足需要。 但是中标结果显示,3台光刻机都被ASML拿下,没有一家国产厂商中标,积塔半导体采购的还是KrF和i-Line等系列光源的光刻机,这些设备的制程工艺均被上海微电子所突破,但意外的是,上海微电子落选了。 唯一欣慰的是,在工艺检测设备方面,上海微电子中标了4台产品,算是弥补了部分的尴尬。 那么这也显示出,过去对于制程工艺要求不高的功率半导体,目前也在积极提高制程,根据上海的多个功率半导体厂商采购的光刻机显示,普遍已经可以支持45nm芯片的生产。 不得不说,现在芯片正在成为一种刚需,人们的生活已经进入电子化时代,芯片作为支持电子化的基础配件,是一种必需品。 而随着对性能和功耗的极致追求,芯片的工艺在快速演化,目前已经迭代到3纳米,像台积电、英特尔等,则在开始研发2纳米、1.8纳米和1.4纳米工艺。 诚然,这种先进的制造工艺,离不开EUV光刻机的支持,我们知道,目前来看,可商用的EUV光刻机,只有ASML可以提供。 在EUV光刻机上市之初,台积电等芯片代工大厂一直在抢单,希望可以更快得到更多的该设备。 或许正是因此,ASML对自己的EUV光刻机颇以为傲,一直在国际上宣传EUV光刻机难以有第二家供应商。 目前的EUV光刻机可以支持到3纳米工艺,如果要生产更先进工艺的芯片,虽然也可以支持,但是生产效率要降低,这需要用到多重曝光。 因此ASML正在研发高NA EUV光刻机,可以保证实现一次曝光就可以生产2纳米及以下工艺的芯片。 所以高NA EUV光刻机,似乎是EUV光刻机的下一代产品,各大芯片代工厂应该是抢购的节奏,但是却并非如此。 “即便把光刻机的图纸公布出来,中国也做不出来。”曾说出上述言论的ASML公司,前段时间突然向中国“低头”了。 前段时间,ASML总裁Peter向中国交了底,Peter说:除受到《瓦森纳协定》限制的EUV光刻机,无法向中国供应外,其他光刻设备均可以和中国企业进行交易。 为何曾经傲慢的ASML公司,会在此时态度“大变天”呢? 一、ASML厉害在哪 光刻机被誉为”工业皇冠上的明珠“,是芯片制造前道工序的关键设备。光刻机的工作原理类似老式照片的冲印技术,主要是将掩膜版上的图形曝光到硅片上。而这个技术也是芯片制造最复杂、工艺要求最高的步骤,其成本占到芯片制造总成本的35%以上。 目前,市场上能够量产商用光刻机的厂商仅有三家:ASML、尼康和佳能。而在全球中高端光刻市场,荷兰的ASML几乎处于垄断地位,尤其是7nm及以下工艺的极深紫外线EUV光刻机,目前仅有ASML一家能够生产。但由于《瓦森纳协定》的限制,EUV光刻机一直无法出口到中国。 《瓦森纳协议》是在1996年7月由美国牵头,同时还有41个国家参与制定的协议,主要内容主要是禁售包括民用的先进材料、电子器件、计算机、传感与激光、电信与信息安全、船舶与海事设备等9大类,而ASML的EUV光刻机就是在2015年被协议纳入的。

摩登3平台首页_两极反转,Gartner:2023年芯片将产能过剩

据市场研究机构Gartner 公司分析师Alan Priestley预计,全球芯片短缺可能2023年翻转,之后将出现产能过剩。主因是新冠疫情爆发后,各半导体公司大规模扩厂。 Priestley强调,半导体产业的特性为:一旦芯片供需平衡,业者便会着手投资,为下一波需求做准备。然而芯片短缺之所以如此严重,在某些领域产能投资不足,又因新冠疫情造成工作及学习电子设备需求飙升。电子设备、消费电子产品、汽车芯片等不同产品使用的芯片各异,生产制程不同,供给需求也有所不同。 Gartner(高德纳,又译顾能公司,NYSE: IT and ITB)全球最具权威的IT研究与顾问咨询公司,成立于1979年,总部设在美国康涅狄克州斯坦福。其研究范围覆盖全部IT产业,就IT的研究、发展、评估、应用、市场等领域,为客户提供客观、公正的论证报告及市场调研报告,协助客户进行市场分析、技术选择、项目论证、投资决策。为决策者在投资风险和管理、营销策略、发展方向等重大问题上提供重要咨询建议,帮助决策者作出正确抉择。公司2002财务年度营运收入9.072亿美元。公司员工4,000多名,包括 1,200多位世界级分析专家,在全球设有80多个分支机构。在全球的IT产业中,Gartner公司以其公认的权威性和拥有包括供应商、生产厂商、系统集成商、咨询公司、银行、金融机构、能源交通、政府部门及其它领域(包括中国在内)超过11,000客户机构而独占鳌头。其中公司客户几乎囊括了绝大部分世界级大公司。 根据Gartner的预测,2022年全球半导体收入预计将达到6760亿美元,相比2021年增长13.6%。但与此同时,汽车应用市场的器件供应链仍受到限制,而且这一情况将延续至2023年,尤其是微控制器(MCU)、电源管理集成电路(PMIC)和稳压器。另外个人电脑(PC)、智能手机和服务器终端市场增长放缓,半导体供需预计将在2022年逐渐达到平衡,使得半导体收入增长逐渐放缓。 现在全球汽车芯片短缺,相信大家都有所耳闻。这种事情对消费者最大的影响就是买车的交付时间增加了。现在很多车都要等半年甚至一年才能提车。那么汽车芯片短缺会影响多久呢?目前还没有一个准确的时间,因为芯片的短缺不是任何一个企业或国家可以轻易解决的。根据业内多位半导体分析师的分析,目前的芯片短缺很可能会持续到2022年,整个汽车行业要想完全恢复正常运转,估计要等到2023年以后。因日产汽车正努力应对全球芯片短缺、原材料成本上涨以及中国对疫情的限制措施,日产汽车预计本财年营业利润持平,远低于分析师预期。路透报道称,随着越来越多的全球汽车制造商对盈利能力下降预警,日产也加入其中,因为它们无法将不断飙升的投入成本完全转嫁给消费者,而且在俄乌冲突和中国因疫情长期封锁之后,它们正面临更多的供应链停顿。其最大竞争对手丰田汽车本周三表示,原材料成本史无前例的上涨可能会令其全年利润减少五分之一。 为了应对更高的客户需求和供应链危机,科技、电子和汽车行业已开始制定短期和长期战略,以简化芯片生产并缩短交货时间。除此之外,政府当局也意识到半导体芯片短缺在更高层面影响企业和经济。因此,美国、英国、欧盟、中国、日本、印度和韩国已采取多项举措,通过修改现有法规、政策和巨额资金支持企业在全球范围内开发新的生产设施。欧洲芯片法案:2022年2月8日,欧盟委员会公布《芯片法案》,该法案将帮助企业加强半导体行业的研发(R&D)、创新和发展。已经宣布了大约430亿欧元(460亿美元)的基金,通过公共和私人投资支持该倡议。它将帮助欧盟实现其到2030年达到20%的芯片市场份额的目标。 中国1.4万亿美元的投资计划,旨在成为科技界的领导者:中国政府在其“十四五”规划(2021-2025年)中向中国半导体行业投入了约1500亿美元,并为包括半导体在内的战略性产业拨款1.4万亿美元)。

摩登3注册平台官网_2022年第一季度销量出炉,比亚迪牌稳坐第一席位

5月24日,据CINNO Research消息,2022年第一季度,中国市场新能源乘用车纯电动持续走强份额超八成,从品牌Top 10排行榜来看,自主品牌占据7个席位,其中,比亚迪凭借纯电动和DM-i两大王牌稳坐第一的席位。 而特斯拉和五菱汽车分别位列第二和第三,造车新势力小鹏、欧拉和理想也都榜上有名。 具体来看,2022年一季度,得益于秦PLUS和宋系列等车型大卖,比亚迪销量为28.5万辆,同比大增430%,环比增长8%。 值得一提的是,比亚迪官方此前表示,自2022年3月起停止燃油汽车的整车生产。未来,在汽车版块,比亚迪将专注于纯电动和插电式混合动力汽车业务。而比亚迪也成为全球首家真正停止生产纯燃油车的车企。 榜单显示,特斯拉一季度销量为18.2万辆,位居榜单第二,排序同比和环比均未生变。 五菱汽车以10.7万辆的销量拿下新能源品牌第三,同比增10%,环比下跌24%,旗下纯电动五菱宏光MINI EV在中国第一季度的新能源车型销量前十榜中排名第一。 CINNO Research分析师指出,由于仅依托五菱宏光MINI EV这一款车型提升品牌地位,品牌销量上难以与比亚迪抗衡。 据了解,中国市场新能源乘用车销量品牌第四名至第十名分别为奇瑞、广汽、大众、小鹏、欧拉、理想和丰田。

摩登3平台首页_长虹、Aqara绿米、摩根这些智能家居企业你了解的多少?

长虹作为家喻户晓的家电品牌,在物联网浪潮下积极转型。在面对大宗原材料价格高涨、国际物流成本飙升,供应链受阻等挑战下以及行业竞争日益严峻,其家电依旧保持双位数增长。2021年,长虹来自家电板块营收为708.6亿元,同比增长14.09%,其中,电视业务营收138.42亿元,同比增长26.16%;冰箱空调营收153.64亿元,同比增长25%。 在智能家居战略中,长虹以成套家电为推力,以此提升单笔成交溢价,为业绩增长打开空间,继而推动营收稳健增长。2021年全年营收996.3亿元,同比增长5.49%;净利润2.85亿元,同比增长527%。整体来看,在智能家电产业,长虹积极转型升级,培育壮大场景化的成套家电及系统方案业务,完善“智汇家”物联网平台,探索以全屋语音、全屋显示等技术为依托的全屋智能家居方案。 需要指出的是,在去年所推出的5G生态成套家电第一代产品中,与单品相比,套系化的产品具有更高的溢价能力。具体来看,其5G生态成套家电产品涵盖电视、冰箱、空调、洗衣机四大品类。以成套化的理念、家居化的场景思维、智能化的交互体验,为广大消费者提供高品质、一站式的理想生活,人们开启智慧家庭新生活的同时,也驱动着长虹业绩稳健增长。 创立公司的初心是什么?Aqara绿米的董事长游延筠曾说到,人类对能源资源的消耗,对环境造成严重污染。具有十几亿人口的中国以同样消耗资源的方式崛起,全世界的资源都支撑不了。如何实现社会的可持续发展?在人类生产的所有能源里(包括石油、汽油、天然气和发的电力),有40%是被楼宇消耗掉了,而楼宇自动化可以节省20%至40%的能源。为此,游延筠便有了最初创业的想法:如果能把楼宇都实现了自动化,那么我们就可以离真正得到蓝天更近一大步,特别是中国这样的一个人口和市场体量,它的可持续发展对世界来说绝对是巨大的贡献。 Aqara绿米的高管和员工都叫游延筠“游老师”。在游延筠身上,知识分子的色彩很浓烈,这个和他十几年的高校从教经历与长期以工程师身份搞发明的习惯有关。 2017年,Aqara绿米第一家线下体验馆在深圳华强北正式开业。馆里提供基于真实家庭生活场景展示,顾客走进展示间就如回到家里一般,可以真正与智能家居进行互动,只需说一句“我回来了”,客厅灯光就会自动亮起、窗帘缓缓拉开、空调即时启动。从提供智能单品到提供完整的智能家居体验,Aqara绿米为行业开启了一种新思路。 全屋智能要真正落地,另一个急需解决的是“最后一公里”安装和维护问题。为此,Aqara绿米建立了覆盖全国的线下服务商体系,通过专门团队为消费者提供从方案设计、产品销售、安装调试到售后维护的一站式服务。用户无需动手,只需把喜好和需求告知服务商,他们就能将用户个性化的需求转化为方案落地,将智能家居用户的入门门槛降至最低。 摩根智能在智能家居行业深耕多年,已建立起面向高端市场的全屋智能系统解决方案。摩根智能拥有21大智能系统,广泛应用在智能窗帘、智能灯光、智能空调、智能安防、家庭影院等,覆盖了各个家居生活的核心场景,实现多品牌设备互联互通、统一控制,从而达到真正意义上的智能管理、智慧生活。 摩根全屋智能家居控制系统可预设多种场景模式,远程控制、智能联动各种家居设备。用户可按照喜好自己设置场景参数,定时定点的联动设备切换相应场景,操作既可以在摩根智能开关面板上控制,也可在语音、手机或场景模式的控制下启动。 以智能入户为例,用户可以用手机,或者刷脸、刷指纹打开大门,全屋的窗帘、灯光、空调等系统随着时间、季节、用户喜好和各种预设模式提前开启至舒适状态,又譬如智能家庭影院中的使用中,用户只需一个指令,投影幕落下,投影机开启、空调或地暖调节到舒适的温度,智能窗帘当然也会自动闭合,从而创造更舒适,更便捷,更智能的家庭影院视听或娱乐环境。摩根全屋智能家居控制系统架构的智慧生活,才是真正的智能家居。

摩登3注册平台官网_华为连续第七年发布全球联接指数报告(GCI),首次提出行业数字化转型的五大阶段

华为发布全球联接指数(GCI)2020,这是华为连续第七年发布该报告。本年度的报告首次提出行业数字化转型的五大阶段,分别是:任务效率、功能效率、系统效率、组织效率与敏捷、生态系统效率与韧性。 报告指出,2020年疫情新冠疫情席卷全球,世界运转在“线上”。在此背景下,智能联接一方面帮助各行各业抗击疫情,恢复生产;与此同时,国家和企业都在积极思考,如何进一步发展智能联接,加速数字化进程,适应新常态。研究表明,行业数字化转型助力国家发展“高水平”的生产力,推动经济复苏,提高未来竞争力。 起步者加速缩小数字鸿沟,得益于宽带覆盖率与可支付能力的提升 GCI分析了各国自2015年以来的分值变化,领跑者、加速者、起步者类国家的平均分自2015年以来均有所提升,其中起步者的年复合年均增长率(CAGR)最高(提升4.95%),加速者次之(4.58%),领跑者最低(提升3.38%)。这表明,起步者正在积极追赶加速者和领跑者,努力缩小数字鸿沟。报告分析,起步者在宽带覆盖率上取得了显著的进展,移动宽带普及率平均提升了2.5倍以上;4G用户占比总人口也从1%提升到19%;移动宽带支付能力提升了25%。这有助于提升其综合数字化服务水平,并推动新的经济发展机遇,电子商务支出较2014年几乎翻番,人均电商支出已超过2,000美元。部分起步者正在迈入更高水平的国家行列,其GCI得分增长了17%,GDP 增长要比其他同类快22%,越南和秘鲁在2020年已步入加速国家的行列。 领跑者国家的企业更有意愿保留IT预算 研究显示,不同国家的企业在IT 投入的意愿也有差异,总体而言,与非IT预算相比,领跑者与加速者国家的企业,更倾向保留IT预算;此外,受疫情影响,尽管多数企业预计会因业务下滑而削减IT预算,但领跑者国家的企业削减IT预算的比例要比其他类别国家低2.5至3.5倍。这也意味着,数字基础设施成熟度更高的国家在向高水平生产力模式转型时,能够更快地实现复苏,最大程度地规避影响。 行业数字化转型助力国家发展“高水平”的生产力 ICT投资需要考虑各国独特的现有生产要素禀赋,才能产生倍增效应。总体而言,每个国家的经济由不同的行业构成,有各自独特的支柱行业。报告建议国家ICT战略应构建在各国前期积累的优势行业之上。但无论在哪个产业,其数字化程度越高,带来的附加值就越大。 GCI 2020首次提出了行业数字化的五个阶段,分别是: 第一阶段:任务效率:通过基础联接,通过提升沟通效率,来跟踪单项任务的完成率。 第二阶段:功能效率:利用ICT技术实现计算机化或自动化,可同时处理多项任务,提高信息的共享。 第三阶段:系统效率:推动核心系统功能数字化,实现系统高效运作。在这一阶段,企业需要更广的联接,并对云服务提出需求。 第四阶段:组织效率与敏捷:企业的内部流程实现了数字化,应用普遍上云,且所有的系统都能有效集成,并能够借力于高覆盖的网络、云应用的普及,AI和物联网的部署,实现实时的数据分析与洞察。 第五阶段:生态系统效率与韧性:整个生态系统都会实现数字化,并能快速响应市场变化,且支持利益相关方的自动协调与跨界合作。5G、物联网、机器人等技术将成为这一转型的典型代表,为新商业模式、新工作方式和新产品创造新的机会。 华为ICT基础设施业务首席营销官张宏喜表示:“随着ICT技术进入到各行各业,数字化转型已经成为国家和千行百业的普遍共识,我们首次尝试将研究的视角从国家维度延展到行业维度,尝试为处于不同阶段的国家和企业,提供数字化转型的路径参考,构建面向未来的发展韧性”。 GCI旨在为政策制定者和经济领域的利益相关方提供有价值的洞察,推动数字经济更快增长。 GCI 2020评估的79个国家占全球GDP总量的95%,占全球人口的84%。

摩登3平台开户_增量式PID是什么?不知道你就落伍了

目录 1 什么是增量式PID? 2 举个例子 2.1 位置式PID 2.2 增量式PID 3 伪算法 4 C语言实现 5 总结 在之前一篇博客中(  简易PID算法的快速扫盲 )简单介绍了 PID算法的基本原理和 位置式算法的实现过程,由于部分推导过程已经在上一篇文章做过介绍,所以推导过程本文不再赘述,重点将对离散增量式PID的算法进行实现。 1 什么是增量式PID? 先看一下 增量式PID的离散公式如下: :比例系数 :积分系数 :微分系数 :偏差 对于所谓的 位置式, 增量式的算法,这两者只是在算法的实现上的存在差异,本质的控制上对于系统控制的影响还是相同,单纯从输入和输出的角度来比较,具体如下表所示; 这里简单的说明一下; 位置式:位置式算法较为简单,直接输入当前的偏差 ,即可得到输出 ; 增量式:增量式算法需要保存历史偏差, , ,即在第 次控制周期时,需要使用第 和第 次控制所输入的偏差,最终计算得到 ,此时, 这还不是我们所需要的PID输出量;所以需要进行累加; 不难发现第一次控制周期时,即 时; 由以上公式我们可以推导出下式; 所以可以看出,最终PID的输出量 ,满足以下公式; 可见增量式算法,就是所计算出的PID增量的历史累加和; 2 举个例子 2.1 位置式PID 下面从一个简单的例子中去理解一下增量式 PID,这里依然举一个不是很恰当的例子;如果是 位置式PID算法的话: 隆哥对一个直流电机进行调速,设定了转速为 1000; 这时由于反馈回来的速度和设定的速度偏差为 ; 经过 位置式PID计算得到 ; 作为 Process的输入值(可以是 PWM的占空比),最终 Process输出相应的 PWM驱动直流电机; 反馈装置检测到电机转速,然后重复以上步骤; 整体框图如下所示; 2.2 增量式PID 对于增量式PID来说; 隆哥对一个直流电机进行调速,设定了转速为 1000; 这时由于反馈回来的速度和设定的速度偏差为 ,系统中保存上一次的偏差 和上上次的偏差 ,这三个输入量经过 增量PID计算得到 ; 系统中还保存了上一次的 PID输出的 ,所以 加上增量 ,就是本次控制周期的 PID输出—— ; 作为 Process的输入值(可以是 PWM的占空比),最终 Process输出相应的 PWM驱动直流电机; 反馈装置检测到电机转速,然后重复以上步骤; 整体框图如下所示; 所以这里不难发现,所谓 增量式PID,它的特点有: 需要输入历史的偏差值; 计算得到的是PID输出增量,因此每一次需要累加历史增量最为当前的PID输出; 下面简单介绍一下如何实现 增量式PID算法; 3 伪算法 previous02_error :=  0   //上上次偏差 previous01_error :=  0   //上一次偏差 integral :=  0    //积分和 pid_out :=  0    //pid增量累加和 //循环  //采样周期为dt loop:   //setpoint 设定值  …

摩登3登录网站_中国研制的“空中出租车”在韩试飞,可垂直起降

日前,据媒体报道,韩国首尔市政府11日在首尔汝矣岛上空开展了“空中出租车”无人试飞活动,一款中国研制的自动驾驶飞行器参加试飞。 -End- 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

摩登3注册登录网_利用集成型GaN FET实现效率和功率密度更大化

宽禁带的第三代半导体材料成为今年半导体行业的主要关键词之一,究其历史,第一代以Si、Ge为代表、第二代以GaAs、InPIII-V族化合物为代表、第三代以GaN、SiC为代表。第三代半导体材料用其优异的材料物理特性,为电子器件性能功耗和尺寸提供了更多的发挥空间。 GaN和SiC作为“三代目”,主要的特性包括更宽的带隙、更高的临界击穿电压、更快的电子速度、更高的导热系数、更高的电子迁移率等。利用两个材料制作的器件则主要是GaN FET和SiC FET。 提到器件,GaN和SiC本身的特性与开关电源可以说是“天生一对”,能够实现更快的开关速度,正因为开关过程中会产生功率、功耗和热损失,因此更快的速度能够有效减少功率、功耗和过冲。 TI(德州仪器)作为电源管理IC界的翘楚,在今年7月就提到过自己的GaN的规划,当时TI表示TI早就在过去十年拥有了很好的GaN经验积累,不仅实现速度翻倍、功耗减半、拥有超过4000万可靠性小时的实验资料,还会在自己的工厂和供应链上生产,以保证支持客户的不间断业务。 11月10日,TI正式宣布推出面向面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),与此同时并对TI的GaN FET技术进行了详细的剖析,21ic中国电子网记者受邀参加此次发布会。 本次发布会上有两款GaN相关产品发布,一款是针对汽车市场的650V GaN FET,另一款则是针对工业市场的600V GaN FET。需要注意的是,型号中带有Q1的为650V GaN FET产品,没有带有Q1的则是600V GaN FET产品。发布会现场,德州仪器高压电源应用产品业务部应用工程师张奕驰为记者介绍这两款产品的详细参数和性能。 01、650V汽车GaN FET:LMG3525R030-Q1 根据张奕驰的介绍,这款产品是基于预测汽车未来市场所推出的,利用GaN技术可为汽车带来更快的充电时间、更高的可靠性和更低的成本。 LMG3525R030-Q1是一款集成驱动和保护功能的650V汽车GaN FET,可以提高系统长期稳定性并缩短充电时间。 张奕驰表示,这款产品与现有的硅基和碳化硅方案相比可以减小车载充电器50%的体积,这主要得益于高达2.2-MHz的切换频率和集成驱动所发挥的优势。他强调,离散解决方案无法达到如此高速的切换频率和如此大的压摆率。 目前来说,这款产品可以按照要求提供所需的评估模块和资料,与这款产品配套的评估模块型号为LMG3525R030-Q1EVM。张奕驰表示,这块评估模块使用了两款LMG3525 30mΩ GaN FET并在半桥中配置了所有必需的偏置电路和逻辑/功率电平转换功能。 值得一提的是,经过他本人测试之下,该评估模块在使用散热板的情况下可以转换高达5000W的功率,通过冷却液甚至可以达到6000-7000W的功率等级。另外,评估模块上测量点很多,方便测量压摆率或实现非常高的开关频率。加之插座式外部连接,可以轻松与外部功率级连接。 02、600V工业GaN FET:LMG3425R030 张奕驰表示,这款产品则在工业中拥有广泛的应用,诸如充电桩、5G、电信、服务器等。 LMG3425R030是一款功率密度加倍,且所需器件更少的600V工业级GaN FET。特别需要强调的是,该产品达到了99%的效率,在成本方面极具竞争力。传统应用中,在效率、功率密度、成本中必须有所取舍,而这款产品则无需这种抉择和担心。 简单来说,LMG3425030是TI最快的集成栅极驱动器,与硅基MOSFET相比功率密度翻倍;也是同类产品中功耗最低的产品,能够达到99%效率。另外,拥有集成化设计、高速保护和数字温度报告功能,不仅可以监测电流,对电源单元(PSU)进行有源电源管理和热监测,也可在过流或短路时,启动自我保护。 同样,这款产品也可以提供评估模块和资料,与之配套的评估模块型号为LMG3425EVM-043,张奕驰强调该款产品的新的应用手册将随之发布。 值得一提的是,这款新产品集成了全新的智能死区自适应功能,GaN可以根据负载电流自动调节死区时间,实现效率最大化。 第三代半导体材料拥有两款,从特性上来说,虽然SiC偏向大功率(650V-3.3kV),GaN偏向射频、通信、消费(80V-650V),但实际上两款产品也有一定交集,主要在600V/650V电压级别上,为什么TI偏偏选择GaN? TI告诉记者,与市场上其他技术相比,功率为600V/650V的硅基GaN提供了更高的效率和更低的解决方案成本,这对于诸如AC/DC PSU之类的应用尤为重要。 GaN和SiC FET可以给汽车应用提供类似的电压和导通电阻额定值。GaN具有更加快速开关的优势,可提高效率和功率密度。此外,TI的GaN构建在硅基板上,可降低系统成本。TI致力于将重点放在宽带隙技术上。对于SiC,仍然会提供各类优化的分立式、隔离式栅极驱动器,以用于诸如汽车牵引逆变器之类的终端设备。 那么又为什么通过600V和650V区分工业和汽车市场?这是因为在汽车方面有一些应用所需要的母线电压会更高;另外一个非常重要的区别则在于650V汽车GaN FET为顶部散热,600V工业GaN FET为底部散热。所以,当汽车顶部散热就提供了更多可能性,可以让客户通过散热板、水冷和其他散热方式更高效的进行散热。 从衬底上来说,虽然GaN器件有采用SiC、Si和金刚石的几种。TI主要是从成本容量上考虑,采用一种低成本、高容量的Si基板,可让产品解决方案实现更大效率和功率密度。“TI在GaN上采取的是硅基氮化镓(GaN-on-Si),我们将驱动集成在了硅基层上,这使得TI可以提供更可靠、更具成本优势、更加实用的GaN解决方案。”德州仪器高压电源应用产品业务部氮化镓功率器件产品线经理Steve Tom在发布会上如是说。 在分立器件和模块器件中,TI选择了集成化更高的模块器件,这是因为TI专注于更大限度地提高器件对工程师的价值,尤其是使效率、功率密度和可靠性实现更大化,同时更大程度地降低解决方案成本。与分立方法相比,TI将先进的硅栅极驱动器与高性能GaN FET相集成的方法通过提供更快的压摆率和开关速度,使工程师能够实现效率和功率密度更大化。此外,驱动器集成通过更大程度地减小GaN FET栅极上的电压过应力来提高系统可靠性。具体可以实现以下功能: ● 先进的电源管理,包括集成的短路保护 TI的智能死区自适应功能可在更佳时间开启FET 第三象限运行 温度报告可通过PWM信号向微控制器报告GaN FET裸片温度 TI在今年提出了电源管理行业的几个前沿趋势(高功率密度、低EMI、低Iq、低噪声高精度、隔离),笔者认为在GaN FET上则直接体现了这几个目标。Steve Tom 告诉记者,TI在集成GaN FET主要拥有几种特性: 1、功率密度加倍:提供大于150V/ns和大于2.2MHz的业界更快切换速度。与离散解决方案相比,集成化可减少59%的功率磁性元件以及10多个组件需求。2、PFC中效率最高:TI的智能死区自适应功能最大程度地减少了停滞时间、固件复杂性和开发时间,同时将PFC中的第三象限损耗至多降低了66%。3、超冷却封装:与水平最接近的市场同类产品封装相比,可减少23%的热阻抗。底部和顶部冷却的封装可实现散热设计灵活性。4、可靠性和成本优势:凭借4,000多万小时的器件可靠性测试和超过5 Gwh的功率转换应用测试,可为工程师提供足以应对任何市场需求的可靠的使用寿命。 从功率密度上来讲,电源管理企业近年来主要“拼杀”的点便是这一关键参数。因为只有在功率密度保持减少的同时再减少空间占用和功耗的全方位发展之下对于客户来说才是真正有意义的。由此,应用产品的客户既可以享受更好的系统成本,也可在更小的体积下实现更多的系统功能。TI的GaN FET与分立方法相比,是将先进的硅栅极驱动器与高性能GaN FET相集成的方法通过提供更快的压摆率和开关速度,使工程师能够实现效率和功率密度更大化。此外,驱动器集成通过更大程度地减小GaN FET栅极上的电压过应力来提高系统可靠性。 从PFC(功率因数校正)来说,开关电源实际上是一种电容输入型电路,电流和电压间相位差会造成交换功率损失,因此便需要PFC电路提高功率因素。TI在GaN FET上特别提出了此项参数,其实PFC除了改善了功率因数,EMI也会随着减小。 从封装上来讲,因为TI在GaN FET上目前针对的对象包括了汽车,汽车对于散热和耐热上拥有更高的要求。正是因为在GaN FET的功率密度和体积上的优化,为获得良好的热管理设计,仍然需要将温度保持在系统要求之内。为解决这个问题,TI GaN器件应用创新的低电感封装,可帮助设计工程师更大程度地降低散热挑战。另外还提供两种封装以提高灵活性;一种封装的电源板位于器件底部,另一种封装的电源板位于器件顶部。 从可靠性和成本上来讲,首先一方面TI在GaN技术上本身拥有4000万小时的可靠性测试经验积累;另一方面,本身使用硅基氮化镓,相比碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)本身优势明显,加之功率密度和效率提升,使得成本再次削减。 在新技术和新应用增加之下,市场拥有了在更小空间内获得更大功率的需求。特别是,EV/HEV车载充电器、用于企业计算的AC/DC电源单元、数据中心、电信整流器和5G都受益于GaN在这些高压电平下提供的更高效率和功率密度。TI认为,包括可再生能源双向转换器在内的电网基础设施应用将继续转向GaN,以获得相同收益。 远观5-10年发展,TI认为必须注重工程师所关心的功能,包括效率、功率密度、可靠性和解决方案成本。TI将继续致力于将硅驱动器与GaN FET相集成,以优化这些关键设计问题。 此前笔者曾强调,很多情况下电源的运作并非依赖单器件,而是从完整的解决方案出发。无论从功耗、成本、尺寸上来讲,还是系统的精简方面来讲,完整的解决方案远比单器件更加出色。 在此之上,TI也将提供了更好的成本优化,并搭配了C2000微控制器和整体电源管理产品组合来进一步提高功率密度和效率,借由效率提升进一步压缩成本。 此次发布两款产品,充分展现了TI在GaN技术的成熟度。因此,TI预计产量在近期会有强劲增长。