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摩登3测试路线_安森美半导体将在上海AMTS展示用于未来汽车的电源和感知方案

2021年7月2日—推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)将在7月7-10日举行的上海国际汽车制造技术与装备及材料展览会(AMTS)上展示其业界领先、用于新能源汽车的最新电源及感知技术。 安森美半导体位列全球前十大汽车行业半导体供应商,将展示其创新的图像感知和激光雷达(LiDAR)方案,以及用于先进驾驶辅助系统(ADAS)/自动驾驶的Strata赋能LED照明方案,以提高安全性和驾驶舒适感。公司还将展示用于更清洁汽车的各种电源模块,包括用于电动汽车(EV)动力总成、车载充电器(OBC)和48 V系统的先进碳化硅(SiC)方案。 观展者在安森美半导体于W4馆#E24的展台将看到以下方案演示: 自动驾驶 AR0144AT驾驶员监测系统具有一个100万像素传感器,对红外(940纳米)LED照明的高灵敏度进行了优化,并具有行业领先的快门效率,实现精确的眼睛/头部跟踪。它的小尺寸使其易于集成到仪表盘和信息娱乐系统中。 LiDAR提供的高分辨率深度数据能在具挑战性的微光条件下实现瞬时和准确的物体识别。作为最新汽车级的硅光电倍增管(SiPM)的参考设计,RDM 1×16阵列实现了高性价比的长距离LiDAR方案,将安全和自动驾驶达到新的水平。 LED照明 即用的Strata 使能 LED照明评估套件(EVK)和像素灯控制器参考设计提供全面的评估经验,以测试、测量和控制LED汽车照明系统中的各种关键设计参数。这有助于设计工程师确定方案是否兼容及适用于其汽车照明应用。 该套件适用于一系列场景,包括仪表板、后组合灯(RCL)、日行灯(DRL)、雾灯、中央高位刹车灯(CHMSL)阵列、转向灯和其他外部调制装置。 EV动力总成 VE TracTM主驱逆变器功率模块包括6组单面直接冷却功率集成模块(PIM)、双面冷却PIM和基于碳化硅(SiC)的模块,是专门设计用于主驱逆变器以驱动现代电动汽车的电动机。这些紧凑的方案经过优化,提供一流的电气和热性能,并解决功率耗散和开关能效等其他挑战。 SiC OBC 6.6千瓦(kW) SiC OBC平台基于高压超结MOSFET,是一个高能效和高功率密度的参考设计,具有交错式功率因素较正(PFC)和全桥LLC。这些先进的、极稳定可靠的元件提高运行效率至95%。三相11 kW OBC PFC+LLC平台结合模块化方法和易用的图型用户界面(GUI),能评估OBC应用中的SiC器件。 OBC评估板6.6 kW图腾柱PFC为多通道交错式无桥拓扑结构提供参考设计,减少元件数量,降低传导损耗,并将效率提高至97%。 安森美半导体还将展示汽车电源模块(APM)。这些高功率密度模块经设计能承受车辆环境中固有的振动和机械压力,具有高能效、可靠和低热阻的特点,使设计师能够更简易地将构件实施于轻混合动力车系统。 此外,安森美半导体大中华区智能感知部市场总监郗蕴侠博士将于7月7日下午3:30在W4馆论坛区举行的“自动驾驶及智能网联开发技术大会”上发表主题为“智能感知传感器助力自动驾驶新需求”的专题演讲。

摩登3注册网址_意法半导体助力利尔达科技开发无线解决方案低功耗蓝牙模块

2021年6月18日,中国 – 服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体宣布,利尔达科技集团股份有限公司的新低功耗蓝牙模块采用意法半导体的STM32WB55* Bluetooth® LE (BLE)微控制器(MCU)。利尔达科技是国内一家提供物联网系统和智能产品解决方案的高科技企业。 利尔达的LSD1BT-STWB5500蓝牙模块采用邮票孔封装,高集成度且抗干扰能力强,已通过Bluetooth LE蓝牙低能耗认证,可让客户更好地管理产品上市时间。模块内部的STM32WB MCU支持多种协议(包括BLE 5.2、Zigbee 3.0和Thread),具有多协议动态或静态共存模式。 利尔达ST业务部总经理Alex Yu 表示:“在当今的智能家电、智能工业、智能消费电子、物联网等行业中,对支持多种无线协议的MCU的需求日益增长。作为ST授权合作伙伴,利尔达在ST最新的STM32WB55 MCU平台上开发了新的低功耗蓝牙模块。为了最大程度地发挥其高集成度、高性能、低功耗等特点,该模块支持多种无线协议和指纹识别算法,并支持客户二次开发。出色的RF性能可帮助客户大大缩短设计周期。” 意法半导体亚太区副总裁兼MDG市场应用部、IoT/AI技术创新中心和数字市场部负责人Arnaud Julienne表示:“蓝牙等2.4GHz协议要求开发者具备软硬件专业知识。因为可以克服设计的复杂性,降低产品认证工作量和成本,模块正成为企业开发无线产品、加快上市时间的关键要素。因此,与利尔达此次合作有助于ST在无线领域更好地服务客户,方便他们使用STM32产品和生态系统。” 利尔达的LSD1BT-STWB5500低功耗蓝牙模块现开始提供样品,2021年6月开始量产。 LSD1BT-STWB5500蓝牙模块还有下列优点,可简化用户设计,提高安全性和可靠性; · 高性能32M和32.768K晶振 · 1 MB闪存/ 256 KB RAM · 64MHzArm®Cortex®-M4和32MHz Cortex-M0 +双核超低功耗MCU · 44个GPIO端口,支持扩展系统 · 集成巴伦,简化射频硬件设计、开发和生产 · 22x19mm封装,节省空间

摩登3注册网站_老工程师谈:BUCK电路的损耗计算

出品  21ic论坛  kk的回忆 网站:bbs.21ic.com 在BUCK降压电路中,效率这个问题是不可避免要谈到的。效率的降低主要是由于损耗的存在,效率=输出功率÷输入功率 [%],一般芯片效率都在90%以上。在产品应用中用到一块TI的DC-DC降压芯片,其中测试到的效率如下: 这其中由于负载电流的不同,尤其是轻载和重载情况下,会产生效率的变化。 从ROMA的官网上,知道同步降压电路的损耗是由六部分组成的,分别是:Pmos是场效应管导通损耗,Psw是场效应管开关损耗,Pdead_time是死区时间损耗,PGATE是MOSFET的栅极电荷损耗,PCOIL是输出电感的DCR、直流电阻带来的传导损耗,PIC是开关电源芯片自身消化的功率。 根据ROMA对其电源芯片的实测可知,场效应管开关损耗在整个损耗中占比是最大的,这个是由于在场效应开启过程存在电压和电流的重叠区,产生较大的功耗。 场效应管如果在米勒平台停留的实际越长,产生的开关损耗也越大。下图的MOS管开关过程通过仿真很容易出现: 从仿真可以看出,MOS管的Vds和电流Id在 mile平台处重叠,会产生功率的消耗。 开关频率越高,这个损耗就会越大的。 对于MOSFET的开关过程,首先考虑器件孤立地,不受任何外部影响。在这些条件下,MOSFET的等效电路可以用下图所示,该MOS管的栅极是由栅极电阻(Rg)和两个输入电容(Cgs和Cgd)组成。利用这个简单的等效电路,可以得到对阶跃电压信号的输出电压响应。电压VGS是栅极的实际电压装置。 利用Matcad写出Igs和Igd的电流,在上图的t1阶段,没有达到Vgs(th)电压的时候,由于Vgs一直增加,所以Vgs/dt增加,Igs电流一直增加。当达到米勒平台电压的时候,Vgs保持不变,Vgs/dt=0,所以Igs=0。此时VDS在降低,VDS/dt增加,Igd电流开始增加。因此通过数学表达式的简要分析,是符合仿真过程的。 在知道了MOS管的开关过程,开关过程的损耗表达式如下。降低开关频率可以有效降低损耗。但是这样就制约了开关电路小型化的目标。提高开关的上升时间也可以降低损耗,但是这样会造成开关过程的谐波过多,对EMC不利,因此需要综合考虑。因此,要想降低开关损耗,必须考虑到开关的过渡时间和开关频率这两种因素。 现在很多电源芯片,使用软开关技术,该电路是在全桥逆变电路中加入电容和二极管。二极管在开关管导通时起钳位作用, 并构成泻放回路, 泻放电流。电容在反激电压作用下, 电容被充电, 电压不能突然增加, 当电压比较大的时侯, 电流已经为0。 由于MOS管开关损耗受到的制约比较多,所以单独拿出来讨论。场效应管导通损耗比较小,对于同步整流电源芯片,是上下桥的MOS管损耗。是受到MOS管的导通内阻内阻Rdc决定,现在的MOSFET的内阻可以做到几个毫欧,所以产生损耗很小。计算公式如下: Pmos=I*I*Rdc*D+ I*I*Rdc*(1-D) 电感线圈的损耗分为直流损耗和交流损耗,直流损耗受电感线圈的直流DCR决定,交流损耗是由电感的磁损和铜损决定,一般交流损耗相对直流损耗比较小,可以忽略。(开关频率和输入电压过高的时候,交流损耗也较大,不能忽略) Pcoil=I*I*DCR 电源芯片的消耗的电流基本就是损耗,这个参数可以在datasheet中查询到: PIC=Vin*I_IC 死区时间损耗Pdead_tine这个主要有开关电源芯片内部控制器决定,一般datasheet是不提供这个参数,可以参考ROMA的公式: PGATE是MOSFET的栅极电荷损耗,如果是外置MOSFET这个参数会提供。会提供输入电容,输出电容,栅源级电荷,栅漏级电荷等等参数。 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

摩登3注册开户_台积电急扩产:在建及规划中的晶圆厂已达12座!

据台媒工商时报报道,面对全球半导体产能供不应求,晶圆代工龙头台积电在6月2日举办的2021年技术论坛上表示,3年1000亿美元投资案已全面启动,现在正以5倍的速度加快扩产脚步,包括将在南科扩建5nm晶圆厂及兴建3nm晶圆厂,以及在竹科兴建研发晶圆厂及2nm晶圆厂。以台积电兴建中及计划中的投资案来看,等于要再盖12座晶圆厂,极紫外光(EUV)产能将大爆发。

摩登3平台首页_Microchip嵌入式控制工程师在线培训课程“Microchip University”现已开放注册

由开发Microchip产品和设计工具的创新专家授课,讲授如何在流行的各类嵌入式系统应用中更好地使用Microchip产品和设计工具 Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布已开放注册面向工程师的在线课程,涵盖从C语言编程和密码学等内容在内的各种嵌入式设计主题,帮助他们更有效地使用Microchip相关产品。Microchip University在线培训课程提供了实现各种系统的最佳实践,如物联网(IoT)、蓝牙、通用串行总线(USB)和控制器区域网(CAN)等通信协议,以及自举程序和使用现场可编程门阵列(FPGA)的高速数据分析。 Microchip技术应用部门全球副总裁Ken Pye表示:“我们的客户现在可以随时随地获得业界最全面的高质量通用嵌入式系统控制设计课程。这些免费课程将教授工程师如何更快、更有效地将新设计推向市场,同时最大限度地利用我们的产品和开发工具。我们一直致力于为客户提供关于我们产品的高质量培训,通过开放在线课程,我们可以帮助各种经验水平的工程师更方便地获得培训机会。” 以往,Microchip只在年度会议期间提供现场的专场培训。如今,Microchip University已将相关培训课程搬到了网上。工程师们可以学习如何使用Microchip的MPLAB®代码配置器(MCC)和独立于内核的外设(CIP),以及创建嵌入式Linux®应用的解决方案。培训课程内容丰富,涵盖了电机控制、电池充电基础知识、电源、安全、模拟系统设计等方面的最佳实践。Microchip University课程覆盖Microchip的全线产品。

摩登3平台首页_仅限整机、价格4800元,Intel Xe独立显卡首次开卖

今年初,Intel正式重返独立显卡市场,首个全新架构Xe LP先后登陆笔记本、服务器、桌面,当然规格不算强,而且桌面版仅供OEM整机,并不零售。目前独显市场基本上还是由NVIDIA和AMD垄断,但Intel已经加入了这场游戏,实际上笔记本上已经有产品搭载Iris Xe Max独显,而华硕与七彩虹也有采用Intel Xe架构的独显,只不过这些卡基本都不零售的,但会被用在整机产品上。在BeatBuy上,CyberPowerPC推出的Gamer Xtreme游戏整机就搭载了Iris Xe独显。 现在,CyperpowerPC上架了一台游戏台式主机“Gamer Xtreme Gaming Desktop”,其中赫然就搭在了Intel Iris Xe独立显卡。 规格方面有80个执行单元、640个核心,搭载4GB LPDDR4X独立显存,带宽68GB/s,不过缺乏细节图,看不清是来自华硕还是七彩虹(Intel曾否认不是七彩虹)。 根据资料,Intel Iris Xe独立显卡代号DG1,10nm SuperFin增强工艺制造,桌面版核心频率1.65GHz,功耗30W,显存位宽128-bit,支持PCIe 4.0 x4。 实测显示,它的性能还不如早年的AMD HD 7850、RX 550,基本相当于NVIDIA GTX 650 Ti。 而移动版规格略高一些,有96个执行单元、768个核心,频率1.35GHz,功耗30W。 再回到CyperpowerPC这台主机,处理器是Intel 11代酷睿家族的i5-11400F,没有集成核显,6核心12线程,主频最高4.4GHz。 其他还有8GB DDR4-3000内存、500GB NVMe固态硬盘、Wi-Fi 5无线网卡、7.1声道声卡等,风冷散热,个性灯效,价格749.99美元,约合人民币4830元——这配置,有点难以接受。 Iris Xe独显采用基于Xe-LP架构的DG1 GPU,拥有80组EU共640个流处理器,并配备128bit 4GB的LPDDR4显存,显存带宽为68GB/s,规格上来看是要弱于笔记本上拥有96组EU的Iris Xe Max的,但不清楚桌面版是否有更为宽松的供电限制,可工作在更高频率提供更好性能。但不管频率怎么高这独显的性能还是有限的,性能大概就RX 550水平,只能在1080p分辨率下运行一些低需求的游戏。 不过Iris Xe独显的性能并不重要,它的存在对于独显市场来说是非常重要的,这表明第三位玩家已经进入了这块市场,而Intel真正面向游戏市场的是DG2系列GPU,Xe-HPG才是面向游戏玩家的,规格和性能都比现在的DG1强得多,预计会在今年内推出,不知道他们会有怎么样的游戏表现。 根据外媒英特尔官方消息,英特尔将于 5 月 30 日在中国台北 COMPUTEX 电脑展期间进行“释放创新”主题演讲。英特尔执行副总裁兼首席风险官 Johnston Holthaus 将与另外两名同事一起,概述英特尔如何通过创新技术来帮助人类实现技术进步。演讲内容将包括:技术生态的创新、数据中心、云技术以及人工智能、智能边缘计算等方面。 英特尔的软硬件技术将为基于5G的工业互联网发展提供持续的技术支撑。对于产品和技术,英特尔致力于为数字化系统的每一个层面提供全栈解决方案。通过构建一体化和通用的技术平台集成和优化不同层面的组件,英特尔会持续为客户创造价值。 同时,英特尔不仅支持包括硬件、软件、应用和服务在内的各类合作伙伴,秉承“水利万物”的精神,服务整个生态系统,还积极拥抱开放体系,大力支持各类开源系统。开放标准和开源软件可以加速创新,有利于赋能生态系统、构建协作模式。通过广泛采用的开放标准和开源软件,一个技术兼容且互通的市场才会逐步成型。在这个市场中,云、5G、AI、数据分析、自动化等技术都会得到长足发展。 5G就在眼前,创新气象万千。站在时代的节点,英特尔领先的技术和产品在5G领域以及数字化转型上所发挥的作用将比以往任何时候都更为关键。英特尔将从履责、包容、可持续和赋能这四个角度出发,以“创造改变世界的科技,造福地球上的每一个人”为宏旨,怀着一如既往的开放心态,与国内所有产业伙伴一起推动技术创新、合作共赢,助力通信产业蓬勃发展,为人们创造美好生活,支持中国成为全球数字经济的领跑者。这也是英特尔新的发展机遇。

摩登3平台开户_iQOO 7智能手机利用NDT 压感技术升级新一代屏下双控压感功能

近日,vivo旗下子品牌iQOO推出了2021款旗舰机型——iQOO 7,作为一贯强调极致性能和用户体验的品牌,iQOO不断地向未知的数字世界突破,以热爱、探索、积极的态度,打造有思想、有情感的产品。 面向手机游戏市场的庞大用户需求,iQOO 7基于NDT(纽迪瑞科技)先进的柔性压感触控技术,升级新一代Monster Touch屏下双控压感功能,并进一步开发全感操控系统、以拓展触觉、视觉、听觉等感知维度,为手机游戏爱好者与职业玩家带来了更沉浸、更自然的旗舰级游戏体验。 图1:iQOO产品线总经理曾昆鹏宣布iQOO 7搭载新一代屏下双控压感 NDT全新升级的屏下柔性压感解决方案具有轻薄、高线性、高精准、高性价比等优势,仅需2颗标准压力传感器即可覆盖整个手机触控面板,赋能iQOO 7实现创新的屏下双控压感功能,支持屏下左右压感区域自定义映射不同游戏功能,进一步丰富了移动端游戏交互,还可实现一键连招,简化游戏操作。升级后的屏下双控压感适用更多游戏类型,游戏操控更加得心应手、体验更加流畅自然。 图2:NDT赋能iQOO 7屏下双控压感功能,实现旗舰级游戏体验 纽迪瑞科技市场销售副总裁Eric Ren表示:“祝贺iQOO 7成功发布!NDT与vivo/iQOO合作已久,NDT见证并伴随着iQOO第一代的出生到最新的iQOO 7,以及vivo高端旗舰NEX 3系列的上市,这些旗舰机型均搭载了NDT的柔性压感触控解决方案。而iQOO也从最初的侧边压感肩键升级为全新的屏下双区域压感,实现了跨越式、新维度的创新游戏交互。这是双方深度合作,专为广大重体验的年轻用户和极客人群打造的诚意之作。” 基于NDT独有柔性压感技术的屏下双控压感,搭配双路线性马达、立体双扬声器,共同构建iQOO 7的全感操控系统,奠定iQOO 7作为KPL官方比赛用机、定义2021年高性能旗舰手机标杆的基石。着眼创新交互维度,压感触控技术正成为各类游戏设备、以及智能终端的创新亮点,赋能多维度的人机交互能力,引领交互的升级与创新。

摩登3平台登录_全新NVIDIA A10和A16提供强大的虚拟化性能

企业依靠GPU虚拟化技术来保持各地员工的生产力。NVIDIA虚拟GPU(vGPU)的性能已成为驱动云和数据中心各种图形与计算密集型工作负载的关键。 现在,各行各业的设计师、工程师和知识工作者可以使用NVIDIA A10和A16 GPU体验加速的性能。 基于NVIDIA Ampere架构的A10和A16可提供更强大的功率、显存和用户密度,大幅增强从图形、AI到VDI等任何工作流程。当与NVIDIA vGPU软件组合时,这两款新的 GPU将大幅提升用户体验、性能和灵活性。 A10提供强大、灵活的虚拟工作站 越来越多的专业人员在工作中使用实时光线追踪、AI、计算、模拟和虚拟现实等先进技术。然而在员工移动性至关重要的今天,为了运行这些工作流程,他们还需要更强大的性能和灵活性才能在任何地点工作。 NVIDIA A10与NVIDIA RTX Virtual Workstation组合后,能够提供高效推动这些复杂工作流程的性能,同时还能确保员工获得最佳用户体验。 借助由A10驱动的虚拟工作站,企业可以通过主流企业服务器中的AI加速应用程序交付增强的图形和视频。 由于A10可以支持虚拟化基础设施上的图形和AI工作负载,数据中心管理员可以灵活调配资源,并运用任何未被充分利用的计算能力来运行AI推理或VDI工作负载。 A10搭载了第二代RT Core和第三代Tensor Core,通过强大的AI来丰富图形和视频应用,专为图形、媒体和游戏开发者工作站打造。与上一代NVIDIA T4 Tensor Core GPU相比,其图形性能提升了2.5倍,推理性能提升了2.5倍以上。 用户还可以在A10上使用NVIDIA AI Enterprise软件运行推理工作负载并达到裸机性能。A10包含全新串流微处理器,高达 24GB GDDR6显存,可实现多功能图形、渲染、AI和计算性能。单宽、全高、全长的PCIe外形设计提高了GPU服务器的密度,在一般情况下每台服务器可使用5到6个GPU。 A16提升远程工作者的VDI用户体验 随着网络会议和视频协作工具的不断普及,远程办公将持续下去。据IDC调查显示,87%的美国企业预计即便解除疫情强制隔离措施,他们的员工仍将继续每周在家工作三天或以上*。 知识工作者使用到多种设备和显示器来高效完成工作。他们还需要方便运用生产力工具和应用,与远程团队成员开展协作。从电子邮件和网页浏览,到视频会议和在线直播,一切都能得益于GPU加速,而NVIDIA A16通过提供新一代VDI带来强大的性能。 对知识工作者而言,A16与NVIDIA vPC软件组合是提供图形丰富的VDI并增强用户体验的理想选择。与上一代M10相比,其用户密度更高,每块板可容纳高达64个并发用户数,总拥有成本降低了20%。 使用由NVIDIA vPC软件和A16驱动的虚拟桌面能够提供足以媲美PC的体验,使得远程工作者可以在办公室和家中无缝衔接工作。 配备A16 和NVIDIA vPC 的GPU加速VDI还提供更高的帧率和更低的终端用户延迟,使得生产力应用和工具的响应速度变得更快,为远程工作人员提供最佳用户体验。 NVIDIA A10将作为NVIDIA认证系统的一部分,在本地部署的数据中心、云和边缘均能得到支持。该产品将于本月开始供应。如欲了解更多关于NVIDIA A10的信息,请观看NVIDIA创始人兼首席执行官黄仁勋先生的GTC大会主题演讲。 NVIDIA A16将于今年晚些时候开始供应。 *数据来源于IDC新闻稿,《根据IDC的研究,到2024年移动工作者将占美国工作者总数的60%》,2020年9月。

摩登3新闻554258:_移相电路:不用仿真也可以计算相位

出品  21ic论坛  kk的回忆 网站:bbs.21ic.com 在电路应用中由于存在电感电容等无源器件,在频率信号作用下,电容充放电,电感储能释放能量的过程,输入输出信号就存在相位的变化。对于电容移相的过程,是由于电容器的充放电引起电路的交变电流。产生电流周期比电压周期超前九十度。而电感则是由于自感电动势始终阻碍自变量的变化的特性,移相情形正好与电容相反。一接通电路,一个周期开始时电感端电压最大,电流最小,一个周期结束时,端电压最小,电流量大,得到的是一个电压超前90度的移相效果。 简单的模拟电路使用的移相电路就是RC移相和LC移相。一般多使用RC的移相电路。下图表示的是RC的积分微分电路,会实现输出信号超前滞后输入的波形。 如果把电容和运放联系起来,也可以得到四种移相电路。 分别是可以实现0-90、270-360、90-180、180-270移相的目的。 那么在不同的输入信号频率f情况下,相移会是多少呢?幅值会是多少呢?对于同样的移相电路对于不同的输入信号频率的移相角度是不同的。如果使用仿真软件是很容易得到Bode图,从而得到幅频曲线和相频曲线的。那么在不绘制伯德图的情况下,应该如何计算?下图是简单的RC低通滤波器: 对于这种低通滤波器,其传递函数为 下面先通过一个简单例子说明,如何计算移相的相位。如果系统的传递函数为: 可以知道系统的响应函数y(t)是由输入x(t)=cos2t和x(t)=cos(10t-50)的激励下得到的。 将s=jw替换,可以得到: 因此传递函数的模为: 传递函数的相位角为: 所以只要知道了传递函数,和输入信号的频率,就可以知道在输入信号的作用下,输出信号衰减的幅值和移动的相位角。 对于上图中的RC低通滤波器,通过计算得知,当输入信号频率f=100Hz的时候,相移是滞后32.142°; 随后通过LTSPICE仿真,可以得到一致的结果; 此种分析对于简单的电路可以快速得到结果,而不用依赖仿真的; 输出信号的幅值可以通过如下公式计算,计算和仿真是接近的,计算得到的是-15.964dB,仿真得到的是-16.03dB. 现在看一个稍微复杂的电路,全通滤波器进行分析。全通滤波器由一阶全通滤波器和二阶全通滤波器组成,只需要一个运放。先看下图的一阶全通滤波器(低通)。 可以通过KCL快速得到传递函数为: 在输入信号作用下输出产生的相移角度为: 从传递函数得到,分子的传函位于第四象限,所以该相移角度可以改写为: 从该结果中可以得到,当输入信号f=0Hz,是没有相移的;输入信号w=1/RC,相移是90;输入信号f是高频的时候,相移是180;利用LTSPICE仿真可以得到输出滞后输入90。利用计算和仿真也能得到一样的结果。 下图也是一阶全通滤波器(高通),由于传递函数不同,所以可以得到和低通不一样的特性。 传递函数可以为如下表述: 在输入信号作用下输出产生的相移角度为: 从传递函数得到,分子的传函位于第二象限,所以该相移角度可以改写为: 从该结果中可以得到,当输入信号f=0Hz,相移超前180;输入信号w=1/RC,相移是超前90;输入信号f是高频的时候,相移是0;仿真结果也是和计算结果一致。 但是这种分析值考虑了电路的移相特性。但是实际应用中会受到运放的带宽受限的,从而对输入信号的幅值进行了不同程度的衰减。如果要使用移相电路,需要对其进行一定的幅度补偿,从而达到设计的要求。 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!