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摩登3平台首页_安富利:物联网安全的困境与破局之道

物联网已然走入了人们的日常生活,成为业务洽谈中时常被提起的高频率词汇。也正因为如此,未来几年,物联网市场规模预计将出现快速增长。据IDC发布的数据,2019年,全球在物联网软硬件方面的支出为7,260亿美元,预计到2023年将增长至1.1万亿美元。在中国,十三五以来,物联网市场也稳步增长。根据赛迪顾问发布的《2019-2021年中国物联网市场预测与展望数据》,预计中国物联网市场规模将保持20%以上的增长速度,到2021年,市场规模将达到26,251.3亿元。 毋庸置疑,物联网的日益普及给人们带来了切实的益处和诸多便利,但我们同样也不能忽略伴随着物联网落地应用而带来的各种安全风险。 物联网设备很智能,但也存在漏洞,许多设备都缺乏抵御黑客攻击的必要“安全堤坝”。这些安全漏洞让它们很容易遭受恶意攻击,可能引发严重的后果。比如,猖獗一时的Mirai僵尸网络曾发动了史上规模最大的DDoS攻击,让包括Twitter和CNN在内的许多网站都陷入了瘫痪。 尽管这样重大的网络安全事件并不是每天都在上演,但它们却给全行业一再敲响了警钟,让有意采用物联网技术的企业谨慎评估从一开始就构建安全体系的重要性。 物联网设备支出VS回报,永恒的博弈 从采集数据,到进行数据分析和价值挖掘,进而提高运营效率和客户体验,使用物联网设备简化业务运营所带来的优势是不言而喻的。它在无形中推动了互联设备的变革,这一点毋庸置疑。但是,物联网设备存在着显而易见的缺陷,也就是它们的安全漏洞,这对各种规模的企业来说,都意味着重大的安全隐患。在微软的调研中,几乎所有的受访者(97%)都表示,在部署物联网时有安全方面的担忧,但公司仍然在未采取必要安全举措的前提下采用了该技术。 出现这种情况的原因很简单,企业急于拥抱物联网设备带来的机遇和诸多益处,却并未充分考虑将这些设备应用到业务运营中可能隐藏的风险。尽管物联网安全事件日益增多,但很多企业还是没有意识到物联网安全的重要性,仍顾虑在IoT网络中构建安全体系的短期成本投入,并选择将其忽略,根本没有充分考虑长期的潜在回报。 其他企业也许考虑到了物联网的安全性问题,但也只是事后诸葛亮,在网络攻击事件发生之后,才亡羊补牢,选择为其IoT网络构筑安全“防火墙”, 实则为时已晚。据Trend Mirco(趋势科技)在2018年开展的一项调查分析显示,43%的IT高管承认,由于流程的复杂性、前期成本投入以及缺乏通用标准等因素,在部署物联网时并未充分考虑安全性问题。 但是,在物联网实施过程中,从一开始就应该注重安全性,并将其作为规划布局中的关键任务之一。从初始阶段就在系统中加入安全设计,比在开发周期接近尾声时或者在漏洞已经出现或公开之后再采取措施,更加经济有效。 物联网安全,挑战无处不在 企业也许会发现,要确保物联网设备的安全是个不小的挑战,这点其实可以理解。物联网的迅速增长和商用普及,导致IoT市场出现碎片化困局,缺乏明确、统一的标准。而定义IoT设备的标准和架构,要通过数十项持续、不同的举措来进行,企业自然会疲于应对眼前出现的挑战。 企业面临的另一个挑战来自于对物联网安全缺乏深入的了解。由于物联网技术相对来说比较新,因而缺乏拥有物联网技术专长的IT高管,这也意味着很多公司内部根本没有懂得专业技术和知识的人,来评估和推行针对物联网设备的安全举措。 最后,由于过程的复杂性或者成本投入高等原因,企业可能难以部署安全补丁。许多边缘物联网设备都在低功耗的状态下运行,有些甚至是用电池或太阳能供电,这就意味着安全补丁需要满足易于无缝部署的要求。再加上成本等因素的考量,让情况变得更加复杂。边缘物联网设备通常成本很低,这就要求安全解决方案必须具备成本效益且尺寸灵活,才能让企业在实际部署环节采用。 那么企业如何才能应对物联网安全挑战呢?尽管安全性和成本之间很难权衡取舍,但是对于企业而言,从一开始就将安全性作为标准去实行,而绝非事后才弥补,是非常必要的。企业应当力求将安全性作为一个必不可少的过程去评估,而不是将其作为一款产品的一个可有可无的选项来对待;与此同时,需要在规划预算时优先考量安全性建设方面的投入,这样才能真正从实施IoT中获益。 物联网安全的复杂性是一大挑战,同时拥有这方面技术专长的人作为一种紧俏资源又很难获得,面对这种两难的境地,企业该如何破局?或许,可以将安全软件库作为给物联网设备提供安全保障的选项之一。通过咨询拥有专业技术和丰富经验的合伙伙伴,安全软件库在硬件安全和软件安全之间提供了一种折中的方法,允许企业利用端到端的安全解决方案对边缘设备进行重点管理。 通过这种方式,企业或许能够以较低的价格、大规模地创建他们的物联网架构,成功应对物联网部署所带来的严重安全风险,从而获得丰厚的回报。Mirai僵尸等网络攻击事件暴露出了这样一个问题:仅仅是物联网设备中存在的一个漏洞就能让整个企业的网络处于危险之中。随着物联网变得越来越普及,企业愈发需要采取积极的措施来保护物联网架构的安全。

摩登3娱乐怎么样?_千呼万唤!12月上海EP电力展 即将举行

由中国电力企业联合会主办、香港雅式展览服务有限公司协办,一年一度的中国国际电力设备及技术展览会(EP电力展)以”新基建、新技术、新机遇”为题,将在2020年12月3-5日一连三日于上海新国际博览中心(N1-N4馆)召开, 展出规模达55,000平方米, 1,000家中外电力电工设备领军品牌将全面展示电力市场于各个领域上的新突破。现向大家介绍本届EP电力展五大看点: 看点一 展会规模达55,000平方米 龙头企业重磅回归 展会规模维持4个馆,达55,000平方米,约1,000家中外电力电工设备领军品牌将全面展示电力市场于各个领域上的新突破。国际电力知名参展商及品牌 – 国网、南网、许继、南瑞、山东电工、施耐德、ABB、日立ABB电网、正泰、良信电器、七星电气、默飓、安科瑞、中电科安、珠海康晋、双杰、史陶比尔,洛凯、海普锐、晨星电气、雄威智能,顾德益,标领、高机、力建、高松电子,长城开关、电管家等等云集,覆盖电力行业全产业链的新技术,新产品以及智能制造设备,打造一站式的商贸平台。 *部分连年参展展商,排名不分先后 看点二 – 9场大品牌新品发布会 含金量十足 作为电力界的年度盛事, EP电力展为业内人士集齐各大龙头企业的新产品, 包括(按出场顺序) 日立ABB电网、珠海康晋、施耐德电气、上海良信、ABB、正泰、维拉萨及杜邦等,带来各个热门应用领域先进技术的发布会,干货满满, 业内人士可于N2馆新产品荟萃廊免费参加: 看点三 –连场高峰论坛 探讨发展趋势及机遇 EP展就现有行业热点,加入多场同期活动, 例如中国能源电力”十三五”成就与”十四五”展望专题主论坛,深入探讨关于确立新的能源安全观,以能源革命保障能源安全、构建清洁低碳安全高效的能源体系、中国“碳中和”与能源转型、如何做能源转型排头兵,有哪些机遇和挑战、电力行业、能源装备、能源、煤炭、石油行业”十四五”高质发展展望等。 另外还组织了电力贸促会输配电专家委员会成立大会暨输配电海外市场机会与挑战专题论坛、新基建背景下电能质量技术的新发展、医疗建筑电气设计高峰论坛及杜邦 ™Nomex® 赞助 -第二届变压器年度创新大奖-“海上风电”, 展示各领域的发展趋势及机遇。 看点四 – 中国能源电力”十三五”成就与”十四五”展望专题展及电力物联网 / 新基建 – 电网数字化专区 EP电力展同期配合了“中国能源电力’十三五’成就总结与’十四五’发展展望”论坛及专题展,参展企业包括国网、南网、国家能源集团、国电投、电建、内蒙古电力、中国核电、华能、华电、京能等,专题展将设于N4馆,欢迎莅临参观。 另外,EP电力展与CDCE2020国际数据中心及云计算产业展联动,布局“新基建 – 电力物联网 / 电网数字化主题展区”,致力于打造电力物联网、数字化、特高压、数据中心、云计算等新基建的主题一站式平台,全面提供电力数据上的新技术及潮流趋势,向观众传达行业的新动向,替展商发挖新机遇。 看点五 – 现场礼品停不了 有机会得小米电视机、任天堂游戏机 EP电力展一如既往的送大礼, 展会现场游戏区扫一扫大奖停不了,每天送出各种家电及电子产品,总值超过二万元!温馨提示,今年展会实名制入场,预先登记免却现场填信息需时, 也请记紧带好身份证到场。12月3-5期待您的光临,电力行业需要您。 安全办展,安心观展 在当前疫情防控常态化背景下,主办方将积极响应政府的指导意见,严格落实各项防疫措施,力争力保安全办展。 关于。

摩登3新闻554258:_贸泽电子新品推荐:2020年11月,率先引入新品的全球分销商

2020年12月1日 – 致力于快速引入新产品与新技术的业界知名分销商贸泽电子 (Mouser Electronics),首要任务是提供来自1100多家知名厂商的新产品与技术,帮助客户设计出先进产品,并加快产品上市速度。贸泽旨在为客户提供通过全面认证的原厂产品,并提供全方位的制造商可追溯性。 贸泽上月发布了超过387种新品,这些产品均可在订单确认后当天发货。 贸泽上月引入的部分产品包括: · Renesas Electronics RA6M4 32位微控制器 Renesas RA6M4微控制器拥有采用Arm TrustZone®技术的200 MHz Arm® Cortex®-M33内 核,可为应用提供先进的性能以及卓越的安全性和连接性。 · ams TMD2755接近传感器模块 ams TMD2755接近传感器模块在窄小轻薄的封装中整合了低功耗VCSEL 发射器(带集成式驱动器)、IR光电探测器以及环境光传感器。 · Amphenol Air LB圆形军规连接器 mphenol Air LB圆形军规连接器能够满足军事、航空航天以及工业应用要求。 OSRAM Opto Semiconductors SFH 4737是市面上超小的光谱应用近红外LED (NIRED)。

摩登3娱乐登录地址_嵌入式开发中常见3个的C语言技巧,很实用!

1.指向函数的指针 指针不光能指向变量、字符串、数组,还能够指向函数。在C语言中允许将函数的入口地址赋值给指针。这样就可以通过指针来访问函数。 还可以把函数指针当成参数来传递。函数指针可以简化代码,减少修改代码时的工作量。通过接下来的讲解大家会体会到这一点的。 /*函数指针简单讲解 *通过指向函数的指 *针调用比较两个数 *大小的程序 */#include  using namespace std;/*比较函数声明*/int max(int,int);/*指向函数的指针声明(此刻指针未指向任何一个函数)*/int (*test)(int,int);int main(int argc,char* argv[]){  int largernumber;/*将max函数的入口地址赋值给 *函数指针test */  test=max;/*通过指针test调用函数max实 *现比较大小 */  largernumber=(*test)(1,2);  cout< endl;    return  0;       } int max(int a,int b){     return (a>b?a:b);   } 通过注释大家应该很容易理解,函数指针其实和变量指针、字符串指针差不多的。如果大家理解了这个小程序,那么理解起下面这个有关Nand flash的源代码就好多了。 typedef struct {    void (*nand_reset)(void);    void (*wait_idle)(void);    void (*nand_select_chip)(void);    void (*nand_deselect_chip)(void);    void (*write_cmd)(int cmd);    void (*write_addr)(unsigned int addr);    unsigned char (*read_data)(void);}t_nand_chip;static t_nand_chip nand_chip;/* NAND Flash操作的总入口, 它们将调用S3C2410或S3C2440的相应函数 */static void nand_reset(void);static void wait_idle(void);static void nand_select_chip(void);static void nand_deselect_chip(void);static void write_cmd(int cmd);static void write_addr(unsigned int addr);static unsigned char read_data(void);/* S3C2410的NAND Flash处理函数 */static void s3c2410_nand_reset(void);static void s3c2410_wait_idle(void);static void s3c2410_nand_select_chip(void);static void s3c2410_nand_deselect_chip(void);static void s3c2410_write_cmd(int cmd);static void s3c2410_write_addr(unsigned int addr);static unsigned char s3c2410_read_data();/* S3C2440的NAND Flash处理函数 */static void s3c2440_nand_reset(void);static void s3c2440_wait_idle(void);static void s3c2440_nand_select_chip(void);static void s3c2440_nand_deselect_chip(void);static void s3c2440_write_cmd(int cmd);static void s3c2440_write_addr(unsigned int addr);static unsigned char s3c2440_read_data(void);/* 初始化NAND Flash */void nand_init(void){#define TACLS   0#define TWRPH0  3#define TWRPH1  0    /* 判断是S3C2410还是S3C2440 */    if ((GSTATUS1 == 0x32410000) || (GSTATUS1 == 0x32410002))    {        nand_chip.nand_reset         = s3c2410_nand_reset;        nand_chip.wait_idle          = s3c2410_wait_idle;        nand_chip.nand_select_chip   = s3c2410_nand_select_chip;        nand_chip.nand_deselect_chip = s3c2410_nand_deselect_chip;        nand_chip.write_cmd          = s3c2410_write_cmd;        nand_chip.write_addr         = s3c2410_write_addr;        nand_chip.read_data          = s3c2410_read_data;        /* 使能NAND Flash控制器, 初始化ECC, 禁止片选, 设置时序 */        s3c2410nand->NFCONF = (1<<15)|(1<<12)|(1<<11)|(TACLS<<8)|(TWRPH0<<4)|(TWRPH1<<0);    }    else    {        nand_chip.nand_reset         = s3c2440_nand_reset;        nand_chip.wait_idle          = s3c2440_wait_idle;        nand_chip.nand_select_chip   = s3c2440_nand_select_chip;        nand_chip.nand_deselect_chip = s3c2440_nand_deselect_chip;        nand_chip.write_cmd          = s3c2440_write_cmd;#ifdef LARGER_NAND_PAGE        nand_chip.write_addr         = s3c2440_write_addr_lp;#else        nand_chip.write_addr         = s3c2440_write_addr;#endif        nand_chip.read_data          = s3c2440_read_data;        /* 设置时序 */        s3c2440nand->NFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4);        /* 使能NAND Flash控制器, 初始化ECC, 禁止片选 */        s3c2440nand->NFCONT = (1<<4)|(1<<1)|(1<<0);    }        /* 复位NAND Flash */    nand_reset();} 这段代码是用于操作Nand Flash的一段源代码。首先我们看到开始定义了一个结构体,里面放置的全是函数指针。他们等待被赋值。然后是定义了一个这种结构体的变量nand_chip。 然后是即将操作的函数声明。这些函数将会被其他文件的函数调用。因为在这些函数里一般都只有一条语句,就是调用结构体的函数指针。接着往下看,是针对两种架构的函数声明。然后在nand_init函数中对nand_chip进行赋值,这也就是我们刚刚讲过的,将函数的入口地址赋值给指针。 现在nand_chip已经被赋值了。如果我们要对Nand进行读写操作,我们只需调用nand_chip.read_data()或者nand_chip.write_cmd()等等函数。这是比较方便的一点,另一点,此代码具有很强的移植性,如果我们又用到了一种芯片,我们就不需要改变整篇代码,只需在nand_init函数中增加对新的芯片的判断,然后给nand_chip赋值即可。所以我说函数指针会使代码具有可移植性,易修改性。 如果大家想对函数指针有更深的理解建议看一下这篇博文:http://www.cnblogs.com/CBDoctor/archive/2012/10/15/2725219.html 写的超赞,博主很佩服^_^ 2.C语言操作寄存器 在嵌入式开发中,常常要操作寄存器,对寄存器进行写入,读出等等操作。每个寄存器都有自己固有的地址,通过C语言访问这些地址就变得尤为重要。 #define GSTATUS1        (*(volatile unsigned int *)0x560000B0) 在这里,我们举一个例子。这是一个状态寄存器的宏定义。首先,通过unsigned int我们能够知道,该寄存器是32位的。因为要避免程序执行过程中直接从cache中读取数据,所以用volatile进行修饰。 每次都要重新读取该地址上的值。首先(volatile unsigned int*)是一个指针,我们就假设它为p吧。它存储的地址就是后面的0x560000B0,然后取这个地址的值,也就是p,所以源代码变成了((volatile unsigned int *)0x560000B0),接下来我们就能直接赋值给GSTATUS1来改变地址0x560000B0上存储的值了。 /* NAND FLASH (see S3C2410 manual chapter 6) */typedef struct {    S3C24X0_REG32   NFCONF;    S3C24X0_REG32   NFCMD;    S3C24X0_REG32   NFADDR;    S3C24X0_REG32   NFDATA;    S3C24X0_REG32   NFSTAT;    S3C24X0_REG32   NFECC;} S3C2410_NAND;static S3C2410_NAND * s3c2410nand = (S3C2410_NAND *)0x4e000000;volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2410nand->NFSTAT; 有时候,你会看到这样一种情况的赋值。其实这和我们刚刚讲过的差不多。只不过这里是在定义了指针的同时对指针进行赋值。这里首先定义了结构体S3C2410_NAND,里面全部是32位的变量。 又定义了这种结构体类型的指针,且指向0x4e000000这个地址,也就是此刻s3c2410nand指向了一个实际存在的物理地址。s3c2410nand指针访问了NFSTAT变量,但我们要的是它的地址,而不是它地址上的值。所以用&取NFSTAT地址,这样再强制转换为unsigned char型的指针,赋给p,就可以直接通过p来给NFSTAT赋值了。 3.寄存器位操作 #define GPFCON      (*(volatile unsigned long *)0x56000050)GPFCON &=~ (0x1<<3);GPFCON |= (0x1<<3); 结合我们刚刚所讲的,首先宏定义寄存器,这样我们能够直接给它赋值。位操作中,我们要学会程序第2行中的,给目标位清0,这里是给bit3清0。第3行则是给bit3置1。 -END- 直接来源 | 嵌入式大杂烩 原文:https://www.cnblogs.com/CrazyCatJack/p/6080266.html | 整理文章为传播相关技术,版权归原作者所有 | 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

摩登3官网注册_2010年英特尔将控制55%图形芯片市场

  据Barclays Capital公司金融分析师发表的新的研究报告称,英特尔在下降的图形芯片市场中提高了市场份额,削弱了Nvidia的市场份额。这篇稿预测,到2010年,英特尔将控制整个图形芯片市场大约55%的份额,而Nvidia的市场份额将下降到大约24%。   据Barclays Capital上星期五(3月20日)发表的报告称,2009年全球图形芯片销售量将下降17%,2010年的销售量将持平。今年图形芯片价格预计将下降5%,从而使今年的图形芯片销售收入下降22%,降到58亿美元。   英特尔在图形芯片市场的状况要好于平均水平,因为英特尔在图形芯片市场占统治地位,占有市场最大的份额并且将是销售下降比较温和的一家公司。例如,英特尔占有笔记本电脑图形芯片市场份额的76%。这个市场是2009年小幅增长的少数几个市场之一。   相比之下,Nvidia在单独的图形芯片市场占统治地位,占市场份额的62%。这个市场2009年的销售将下降大约32%。这篇报告预测,AMD的市场份额将小幅度增长,使AMD在整个图形芯片市场的份额在2010年提高到20%,仅增加一个百分点。      一家市场研究公司最近预测,到2013年,单独的图形芯片将将消亡,因为图形芯片将集成到PC处理器中。     英特尔今年将推出代号为“Westmere”的32纳米集成的图形芯片。Barclays说,这种产品将进一步影响图形芯片市场。AMD预计也将发布类似的产品,不过,在2011年之前也许不会发布。   有推测称,Nvidia也许会跟随这个潮流开发自己的x86内核。但是,Barclays表示,Nvidia很可能与台湾的威盛等二流的x86厂商合作。   这篇报告称,随着市场的过渡,厂商正在把重点放在手机、上网本和高性能计算等新的机会方面。

摩登3测试路线_Microchip 宣布收购HI-TECH Software

  单片机和模拟半导体供应商——Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布收购总部位于澳大利亚布里斯班的世界一流嵌入式系统开发工具供应商HI-TECH Software。HI-TECH Software以拥有高性能ANSI C编译器而享誉业界。该编译器采用优化的全程编译技术,具有全知代码生成功能。在过去十多年间,HI-TECH Software一直是Microchip 8位、16位和32位PIC单片机(MCU)和dsPIC数字信号控制器(DSC)C编译器的首选第三方供应商。   Microchip开发工具部副总裁Derek Carlson表示:“随着HI-TECH Software的加入,Microchip现可提供一整套非常高效的编译器,用以支持Microchip从最小的8位PIC10单片机到最大的32位PIC32单片机的所有器件。收购HI-TECH增强了Microchip在编译技术领域的领导地位,客户可以选择使用Mac OS X和Linux操作系统开发其C代码。”   HI-TECH首席执行官Clyde Stubbs表示:“HI-TECH S oftware致力于Microchip器件的高性能编译,现在更是如虎添翼。Microchip客户在进行单片机开发时将获得更为强大和易于使用的开发工具。”   该收购案的具体条款尚处于保密阶段,预计收购将会使Microchip的收入立即增长。

摩登3官网注册_中国风能市场乘风破浪,未来五年复合年度增长率44.9%

据iSuppli公司,2009年风能源占中国能源市场新增装机容量的将近三分之一,增加到22.7MKW,而2008年是12.1MKW。中国风能源市场2007年规模只有6.1MKW,2009年扩张惊人。最近五年中国风能源市场每年都翻一番,在2009年超过西班牙,成为第三大风能源提供者。 未来将加强管理 虽然中国能源局原来计划到2010年把风能源容量提高到20MKW,但这个目标2009年就实现了。因此,未来将采取更有力的措施来引导这个迅速增长的市场。同时,政府将推行一系列计划,包括提供补贴、为风电费确定基准价格、缓和风电供应商与电网公司之间的关系。政府肯定认识到,除非监管机构加强管理和协调,否则该市场难以扩张。 由于在上网传输方面具有明显优势,海上风能源电厂将比内陆风能源电厂更有前途。海上风能源电厂的最佳地点是在长江以北的潮间带。长江是世界最长河流之一,横贯中国腹地。未来10年内,海上风能源电厂设施在总体市场中的份额将达到10%,目前占2%。 到2009年底,中国的423个风能源电厂总发电量达516千瓦时,而且今后三年预计风能源每年将创造9亿美元以上的新生意。 下图所示为iSuppli公司对2009-2014年中国风能源市场平均增长率的预测。     iSuppli公司预测,到2014年,中国风能源创造的营业收入将达到39亿美元,而2009年只有3.609亿美元。2009-2014年复合年度增长率为44.9%。2010年,风能源营业收入将增长近一倍,达到6.069亿美元。

摩登3注册登录网_小尺寸背光荧幕的电源管理技术瓶颈探讨

      David Brown:确实存在不少挑战。第一个挑战与第一部份所提到的讨论相关,设计人员必须在系统需求、电力来源和电路架构之间取得平衡,方可选择适当的LED驱动电路结构。因此,设计人员必须依据最终成品,来权衡可用的预算。       另外,大小和高度也造成另一种技术限制。具备高转换频率的电荷帮浦及电感式DC/DC升压解决方案,才可以使用体积更小的外部元件。特别是以电荷帮浦为基础的LED驱动电路,因为电荷帮浦和并联式LED电源仅需极小的外部电容器,所以会使用并联式LED电源来缩减外部元件的大小。不论是要缩减电荷帮浦还是电感型解决方案的外部元件大小,最主要的考量还是LED驱动电路的转换频率。       例如,智能型手机通常是比较轻薄短小的装置,因为需要较小的元件,所以可以容许较高的成本。相较之下,笔记型计算机的成本较低廉而且体积较大,有足够的空间可以容纳较大的元件。

摩登3注册登录网_SEMI:全球在建晶圆厂LED类过半 中国占大部分

  国际半导体设备材料产业协会(SEMI)预测,2010年全球晶圆厂前段制程设备支出规模,将较2009年成长133%,并在2011年再度取得18%的成长率。而全球已建置晶圆厂产能,包括分立元器件厂在内,估计在2010年成长7%,并在2011年将再成长8%。   这份World Fab Forecast报告并预期,2010年全球晶圆厂建设支出规模将成长125%,2011年还将再成长22%。SEMI的数据指出,在2010与2011年,将有超过150座晶圆厂兴建计划,总支出估计830亿美元;该估计数字是根据各晶圆厂兴建计划与设备支出计划所做成,追踪对象涵盖大/小产能晶圆厂,以及生产微机电系统(MEMS)、LED、分立元器件的晶圆厂。   该报告指出,在2010年总计有54个晶圆厂兴建计划正在进行,建设支出总计在45亿美元左右;在这些计划中,有五成是LED晶圆厂,而且大部分位于中国。将在2011年执行的晶圆厂兴建计划虽然较少,但规模却比较大,建设支出总计约55亿美元。   SEMI估计,2010年全球半导体设备支出将成长133%,达到340亿美元规模;而在2008年,全球半导体设备支出则是成长27%。该协会并预测2011年全球半导体设备支出将再成长18%,达到390亿美元的规模,超越2007年的水平。   至于在2010年开始营运的晶圆厂数量大约为22座,其中也有超过五成都是LED厂;另外明年则预计有28座晶圆厂即将开张,包括4座内存厂。到2010年底,全球已建置晶圆产能(不包括分立元器件),估计达到每月1,440万片8寸约当晶圆,2010年该数字则可望成长8%,来到每月1,580万8寸约当晶圆。   SEMI指出,内存厂是占据全球已建置晶圆产能的最大宗,所占比例在2010与2011年约为41%;晶圆代工厂则居次,所占据比例将由2009年的24%,在2011年成长到26%左右。

摩登3娱乐怎么样?_台积电大举进军LED照明产业影响分析

  2010年3月25日台积电于新竹科学园区举行LED照明技术研发中心暨量产厂房动土典礼,为跨入绿色能源新事业写下重要里程碑。   台湾台积电于竹科建LED厂正式宣示跨入LED生产,势必对于台湾LED产业投下不少变量,本文将针对投入LED产业后可能造成的影响以及未来台湾LED产业可能的变化进行分析。此LED厂第一期厂房设施及生产设备的投资额为新台币55亿元,初期放置至少十台MOCVD机台,预计2010年第四季完工装机,并于2011年第一季开始量产;至于第二期工程,则将依据未来的发展需求择期进行。未来台积电将由Epi/Chip至封装一贯生产,并将光、电、热处理整合于硅基板上,以光引擎模块方式出货,提供照明产品所需组件,开辟B2B的企业客户应用市场。   影响分析   (一) 垂直整合 提高产业资金及市场进入障碍   台湾LED产业发展至今已有30年历史,过去产业一直以专业分工为主,晶电、璨圆、泰谷、广镓等专注于磊晶及晶粒制造,亿光、光宝、东贝等厂商专注于LED封装制造,直到近2~3年奇力、隆达以及台积电相继投入之后才逐渐打破专业分工的产业结构,更在台积电投入之后开始规划生产制造LED模块,将电、光、热同时解决,以利于下游厂商应用。   在奇力、隆达以及台积电投入之后,台湾LED产业开始走向垂直整合,若垂直整合经营模式可以成功,未来将会使得LED产业进入门坎提高,其中包括资金及市场。资金方面,由于垂直分工使得厂商若选择进入其中一端,所需资金相对于垂直整合少,因此未来新进入者在资金门坎上将大幅提高,也将使得台湾LED产业持续迈向大者恒大的局面。   透过垂直整合可以使责任厘清更加明确及有助于技术提升。垂直整合后将可以解决过去因专业分工所造成的问题,专业分工时,若LED出现问题则较无法厘清责任归属,垂直整合后,由于皆属厂商内部制造,由上游磊晶、晶粒及封装都属该家公司负责生产,使得产品质量控制及责任归属上将更加明确。另外垂直整合后对于技术提升上也将有相当大的帮助,举例而言,若某种荧光粉需要搭配特殊规格的蓝光芯片,才能达到最好的发光效率,但碍于过去专业分工,将使得磊晶厂未必愿意制造特殊规格蓝光芯片,但垂直整合后,因磊晶、晶粒及封装都一贯生产,内部势必可以支持特殊规格产品,以追求更好的发光效率。   (二) 改变技术特性 由工艺型转为标准化制程(技术导向转管理导向)   LED产业在过去一直被定位为工艺型产业,需借由工程师设备经验,将机台调整至最佳状态,但由于每位工程师经验不同,使得LED制造过程中一直无法大幅提高规格良率。   在台积电投入LED产业后,势必会将台积电在半导体有效率的管理制程导入LED产业中,并将制程朝向标准化及自动化生产,降低人为因素的干扰;以台积电目前规模,资金实力雄厚,若此举可以成功的话,将会使得台湾LED产业由过去工艺型产业,朝向标准化/自动化生产,一举解决LED规格良率问题,将有机会使LED规格良率大幅提升。   若LED规格良率真可以大幅提高,有效产能将会大幅提高,将使得LED价格得以持续下滑,对于应用市场推广将有相当大帮助。若台积电真能大幅提高有效产能,既有厂商竞争力将也可能转变,若既有厂商无法跟着提高有效产能,将使得竞争力下滑;且由于目前规格品良率不高,使得厂商只能借由扩充厂能来生产所需产品,因此若规格品良率真能大幅提高,是否意谓着以目前产能状况可能足以供给市场需求,未来是否还需要持续扩厂,值得大家注意。   (三) 发展硅封装基板   台积电在未盖厂之前已有转投资采钰科技从事LED硅基板封装技术的开发,日前采钰科技发表8吋晶圆级LED硅基封装技术,被业界视为高功率LED封装的新突破;采钰的8吋晶圆级LED硅基封装技术,是运用专利的微型化半导体微机电制程,透过硅晶穿孔、铸模透镜以及均匀荧光材料涂布等独家技术,整片封装再进行切割,可大量生产并降低成本;在单晶LED封装产品热阻可望降至2℃/W,并大幅降低接口温度(junction temperature《50℃ at Ta=25℃)。   传统LED结构的封装方式,芯片散热往往被低热传系数的蓝宝石基板所局限。蓝宝石基板的热传系数只有40 W/mK,而且蓝宝石基板的厚度通常在数十微米左右,更增加整体热传的困难度,因此传统的芯片键合结构并不是一个效率好的散热设计。目前覆晶式的芯片封装很吸引人们的目光,因为能提供一个较好的散热系统,主动发光层产生的热可由下方大面积的焊料凸块向外传导,进而提高LED发光的效率。   (四) LED光引擎(Light Engine)发展,降低组件至系统端的沟通成本,加速LED照明发展   台积电欲发展的硅基板除热传导系数佳,热传导系数可达80~150W/mK之外,也可以将电路也整合进去,形成LED光引擎模块,使得下游应用厂商在使用上将更加便利统,对于未来下游LED照明应用扩展有相当大帮助,有机会加速LED照明应用发展。   LED组件价格持续下滑似乎是产业不变的现象,因此台积电目前以LED光引擎模块为未来公司出货目标,借此希望能提高产品附加价值。不过,LED整组灯具除光源部分之外,还包括光学设计(Optic)、散热(Thermal and Metal Bending)、电源(Power Supply)、零组件(Assembly),然而在LED产业中可以发现,虽然LED技术不断进步,但由于LED应用广泛,因此就算有100 lm/W产品商品化,但过去亮度不高的产品仍有其它应用市场,如玩具、圣诞灯串等市场仍可以销售,以致于新产品不断被开发出来,但旧有产品也不容易被淘汰,价格仅有持续下跌的空间,毛利难以维持。   此外,根据美国DOE在2009年4月与6月分别召开的两次工作会议中指出,针对LED灯具成本此一项关键议题,从LED灯具成本发展蓝图可以得知,DOE预期在2015年的LED灯具整体成本仅为现在的1/4左右,其中以LED组件下降幅度最大,可见于未来LED价格持续下滑是必然的趋势。因此未来台积电以全球第一大半导体制造厂商跨足LED制造,是否能利用半导体制造相关经验,大幅提升LED制程良率,借此提高LED毛利,将是值得观察的重点。