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摩登3平台登录_物联网技术在变电站在线监测中的应用研究

变电站作为电力系统的重要节点,负担着电能变换与电力重新分配的重要责任,对电网的高效、安全运行起着重要作用[1]。目前,变电站在巡检、安全等方面的管理方法或者设备故障诊断分析的智能化程度与智能电网对智能变电站的要求还存在一定差距,如巡检手工笔录的工作方式易出错且不利于数据共享。 对物联网技术在变电站中设备状态的在线监测[2]、资产全生命周期管理 [3]、安全工器具管理 [4] 等方面的应用已有不少研究,但在设备编码、数据格式等方面还没有一个统一的标准,形成了数据孤岛,不利于数据共享。本文针对站多人少、状态检修程度不高、数据孤立等现实存在的问题,充分发挥物联网技术的优势,提出了物联网技术在变电站应用的四层架构体系,并对其在设备状态监测、巡检管理等方面的实现方法进行研究。 1 物联网技术 物联网是建立在计算机、互联网基础之上,利用先进的传感技术和通信技术等实现对物体的智能化识别、定位、跟踪、监控和管理,将现实世界和网络空间进行连接的一种网络[5,6]。从信息的采集到应用,将物联网应用架构分为智能感知层、网络传输层和高级应用层[7-9]。但将物联网技术应用到变电站监测中还需解决一些关键问题。 1.1 智能传感器技术 智能传感器作为物联网架构体系的底层,起着物体识别与状态感知的作用。鉴于智能变电站中的电磁环境比较复杂、测量对象和参数种类多、测量精度要求高等问题,传感器需 (1) 抗干扰能力强,抵抗电磁干扰; (2) 集成化、小型化,集多功能于一体,减小体积; (3) 低功耗,解决无线传感器的电池寿命问题。 1.2 标识与编码技术 现有电力行业中的条形码类标识容易损坏,且在编码上还存在差异,不利于电力设备的管理、信息共享。目前设备标识中使用较多的是条形码,但存在一定缺陷,尤其是处在恶劣环境中的电力设备,标识比较容易损坏,给仪器的识别带来困难 [10]。这两个问题分别用以下方法解决: (1) 标识。使用 RFID(射频识别)技术不仅可以解决上述问题,还可以借用RFID的通信距离进行大致定位,实现巡检的管理等。 (2) 编码。借用现有的智能变电站的架构划分,按照变电站(1~6位)-> 间隔(7~9位)-> 电压等级(10位)-> 设备(11~13位)的标准编号,对其中一些安防等设备可以归到一个间隔进行编号。 1.3 通信技术 智能变电站所需通信终端的数量多,数据传输量大,所处环境复杂,因此需要通信设备具有低功耗,无线设备自组网, 汇集节点能够适应IEC61850 等变电站通信标准,兼容现有通信接口等。 1.4 电源技术 电源的可靠、长期运行是物联网各部分长期、可靠工作的重要保障。电源技术可以从以下几方面考虑: (1) 电能的来源主要有蓄电池、光伏、风能、热电偶发电等方式; (2) 高效的拓扑结构,在纹波要求不高的数字电路部分 (3) 电源应具有自我诊断、修复或者告警功能。 2  基于物联网技术的变电站在线监测架构体系 借鉴物联网技术的三层架构体系以及智能变电站三层两网的架构体系,为解决通信接口的异构性问题,满足数据共享的需要,形成了物联网技术在变电站在线监测应用中的四层架构体系。该四层架构体系从下往上依次为感知层、装置层、数据层、应用层。其体系结构如图 1 所示。 2.1 感知层  智能感知层和物联网智能感知层的功能相似,主要利用 温湿度传感器、超声波传感器、振动传感器、RFID 电子标签 等对变压器、电容器、电感器、线路等一次设备以及测控装 置等二次设备的运行状态、周边环境状态、地理位置、自身 属性信息等各种状态与属性进行感知,为供电局、监控主站以 及本站的应用层提供必要的数据信息基础。 2.2 装置层  装置层具有解决通信接口异构性问题的能力。变电站设 备众多,且各自所处的环境不一样,而选择 UART、CAN 、 ZigBee、LoRa 等有线和无线通信方式中的某一种则造成了通 信接口的异构性,例如测量母线机械振动时,由于绝缘等原因 宜采用无线通信方式 ;测量变压器参数时,其电磁环境比较 复杂,可能会对无线通信产生干扰,宜采用有线通信方式。 2.3 数据层  数据层是为了数据共享而分解出来的一个数据服务器, 应用层、监测主站以及供电局等可以直接通过 Web 访问申请 数据。数据整合存储层主要有如下作用: (1)对数据进行整合处理,将数据分类及进行必要的格 式处理等,将其标准化,可主动向高级应用上传数据 ;  (2)存储数据 ;  (3)作为高级应用的数据源,上级监测中心、监控后台 等在需要数据时向其发起数据请求以获取数据,达到数据共 享的目的。 应用层中主要对站内所有设备实现在线监测、故障诊断、状态评估、辅助决策与资产管理以及变电站的安全管理等高级应用[11]。应用层的软件架构采用B/S 形式,不仅可以在站内后台观测,也可以在供电局、监测主站等远程终端上使用浏览器直接进行远程监测。 3 物联网技术在变电站在线监测中的应用 基于物联网技术的变电站在线监测系统如图 2 所示。关键部分应具有如下功能: (1) 应用后台:应用软件架构采用 B/S模式,可在远端通过浏览器直接访问应用并获取结果。 (2) 数据服务中心 :实现对数据的持久化存储;具有服务器的功能,后台或者远端可以使用HTTP协议与其直接建立连接和通信;能够对数据进行整合处理,响应并返回远端请求的数据。 (3) IED装置 :实现异构通信网络的接口统一;对感知层上传的数据进行处理,正常数据直接上传到数据服务中心, 异常数据向应用后台上传。 目前,电力设备的维护通常是使用定期预试和检修的方法,在一定程度上能够解决设备的部分缺陷,但这种定期预试和检修方式不能反映运行中设备的各种状态,无法提前预知突发性故障[12]。目前,电力系统的规模越来越大,人们对电力的要求也越来越高,原有的检修方法已不适应未来的需求。为了适应未来的需要,应实现电力设备从 到期必修 向 应修必修 转变[13]。要实现这种方式的转变就要利用先进的物 3.2 变电站巡检管理 目前大多数变电站的巡检基本还采用以手工笔录为主的巡检模式,这种巡检方式主要存在以下缺点: (1) 手工记录容易出错,而且没有照片等更能反映设备详细缺陷信息的佐证材料; (2) 不易于记录的查找,阻碍了信息与相关负责人或其他检修人员的及时共享; (3) 缺乏有效的监督,存在监督方面的漏洞,容易出现由于主观或者客观原因而造成的漏检或没有按时进行巡检等问题。 鉴于目前大多数变电站仍采用人工巡检的模式,且难以实现从人工巡检到无人巡检的转变,因此有必要研究从人工到无人巡检的过渡过程。在设备上装有 RFID标签与手持终端部分。通过手持终端可以即时查看相应设备的信息,同时利用RFID的通信距离能够确保巡检人员到一定范围进行巡检。具体巡检管理的实现流程如图 3所示。 首先进行登记,领取巡检任务和手持终端;然后开展巡检业务,巡检过程使用手持终端进行记录拍照等,记录会即时上传到巡检管理后台;最后巡检结束归还手持终端,并确认巡检结束。在巡检过程中手持终端会提示下一个巡检地点和项目,指定路线上如果存在漏检,则会告警提示。 4 结…

摩登3测速登陆_意法半导体推出首款STM32无线微控制器模块,提升物联网产品开发效率

· 降低完整射频电路设计工作量,加快新产品上市时间 · 优化无线连接性能,低功耗,尺寸紧凑 · Bluetooth ® LE、Zigbee®和OpenThread认证 · FCC、CE、JRF、KC、SRRC、GOST地区认证 中国,2021年1月12日—— 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出一个新的加快物联网产品上市的解决方案,该方案可利用现成的微型STM32无线微控制器(MCU)模块加快基于Bluetooth® LE和802.15.4新物联网设备的开发周期。 这个7mm x 11.3mm的 STM32WB5MMG模块让缺少无线设计能力的产品研发团队也能开发物联网产品。为开发层数最少的低成本PCB电路板而设计,新模块集成了直到天线的整个射频子系统。用户还可以免费使用意法半导体的STM32Cube MCU开发生态系统工具、设计向导、射频协议栈和完整软件库,快速高效地完成开发项目。 意法半导体部门副总裁兼微控制器产品总经理Ricardo de Sa Earp表示:“我们的首个基于STM32的无线模块有助于简化技术难题,为智能物联网设备市场带来激动人心的发展机会。作为一个现成的单封装的完整射频子系统,STM32WB5MMG是一个开箱即用的射频性能出色的无线解决方案,并已通过Bluetooth、Zigbee和OpenThread规范认证。” 此外,该模块还支持意法半导体的独树一帜的共存双协议模式,用户可以将任何基于IEEE 802.15.4射频技术的协议(包括Zigbee 3.0和OpenThread)直连任何低功耗蓝牙BLE设备。 得益于意法半导体的STM32WB55超低功耗无线微控制器的所有功能,该模块可用于智能家居、智能建筑和智能工厂设备的各种应用场景。用户可以利用MCU的双核架构将射频和应用处理分开,处理性能不会被任何因素影响;兼具大容量存储器存放射频应用代码和数据,及最新的网络安全功能保护设备安全。 STM32WB5MMG现已开始上市。 STM32WB5MMG可以应对各种层面的应用机会,包括成本敏感的高度小型化设备。优化的引脚让设计人员可以开发简单的低成本PCB电路板,并利用现有的STM32WB55 MCU固件库和工具链开发产品。此外,意法半导体还专门创建了一个应用笔记,为模块用户提供额外的设计指南。 该模块集成了与接收电路正确匹配的微型天线、内部开关电源(SMPS)电路和频率控制组件。通过支持无晶体USB全速接口,该模块使用户可以最大程度地降低物料清单成本,并简化硬件设计。 在网络保护功能中,无线下载(OTA)等安全软件更新可保护品牌和产品设备的完好性,客户密钥存储和专有代码读取保护(PCROP)可保护开发者的知识产权,公共密钥验证(PKA)支持功能支持用密码加密技术保护软件代码和数据通信。 高射频性能与低功耗兼备,新模块确保无线连接可靠稳定,并有助于延长电池续航时间。

摩登3新闻554258:_倒计时1天!维科杯·OFweek 2021物联网与人工智能大会暨展览会观展指南

在新冠疫情的影响下,一方面,物联网加速落地,占据了更多市场份额;另一方面,人工智能技术突飞猛进,不管是谷歌、亚马逊、微软、IBM、ARM等国际巨头,还是BAT、商汤、旷视、云天励飞等国内巨头/独角兽,都忙着抢滩布局人工智能产业,力图抓住人工智能时代的主动权。 为充分推进行业市场的发展,不断提高行业的研发能力和产业创新能力,推动产业高速发展,由高科技行业门户OFweek维科网主办,OFweek物联网、OFweek人工智能网承办的OFweek 2021(第六届)物联网与人工智能大会暨展览会将于2021年9月28日~30日在深圳福田会展中心举行。 本次大会将以“智联万物·AI赋能·共筑未来”为主题,邀请国内外院士及政府高层、科研专家、业内领军企业高层等领袖100多位作为本次大会的重要嘉宾,同时邀请行业相关人士2万余人共度一堂,深度剖析当下产业发展现状,共同探讨行业的未来发展前景、市场趋势,行业落地及技术革新等热门话题。 展会亮点 名企汇聚 此次展会阵容庞大,集中讨论前瞻性和时效性的热点议题,涵盖物联网网络安全、芯片、5G通信、区块链、智能家居、车联网、人工智能等众多热点议题,吸引了百家全球知名企业参展。 部分参展名单:阿里云、百度、腾讯云、联想、中移物联网、博智林机器人、海柔创新、电目科技、移柯通信、华正信息、优博讯、大族、优必选、高灯计算机、云从科技、极视角。 行业把脉 此次大会以广阔的视角从推动行业的发展出发,聚焦行业及各细分领域,解读最新的国家政策,分享行业的最新技术及研究成果,把脉产业风向,提前布局未来大市场。 年度评选 大会同期将举办“维科杯·OFweek 2021(第六届)物联网行业与人工智能年度评选颁奖典礼”,评选活动倍受业界广泛关注,已成为高科技领域最具专业性、影响力和代表性的行业评选之一。 大咖云集 此次大会汇集两院院士及国际院士、政府高层、科研院所专家、业内领军企业高管、行业协会等物联网和人工智能各细分领域专业人士,建立业内优势人脉资源。 高效参会 大会全程开启直播交流,图片和声音即时互动,从线上到线下打造营销闭环,嘉惠会场以外的行业人士,近距离体验行业蓬勃发展气氛。 参会须知 同期会议时间 第一天:OFweek 2021(第六届)人工智能产业大会 9月28日13:0017:20 第二天:OFweek 2021(第六届)物联网产业大会 9月29日9:00~17:00 入场要求 应疫情防控政策要求,所有进入场馆的嘉宾和观众,一律持国务院绿色行程码,不符合要求者禁止入场。 中高风险地区人员或28天内又前往高风险地区的人员禁止入场。 入馆前请自觉接受安检,严禁携带危险及违规物品进入馆内。 观战期间请全程佩戴口罩,场内严禁吸烟及明火。 请注意爱护展品,如有损坏,责任自负。 全球属于专业性展会,18岁以下未成年人谢绝参观。 以下小程序可以申请行程码或者健康码: 示意图如下: 入场方式 凭借2021全球数字经济产业大会电子票据或OFweek 2021(第六届)物联网与人工智能大会暨展览会分会场电子票据入场。 根据疫情防控政策要求,本届大会实行实名登记入场制度入场前请出示本人身份证原件核验入场。 门票注册 长按识别立即登记 按页面提示填写基本信息提交注册 现场凭“电子入场码”核验入场 展会期间均凭“电子入场码”直接进场参观 交通指南 线路1:自驾或者打车(导航输入):深圳福田会展中心北门(6号馆) 线路2:会展中心地铁1号线、4号线枢纽站E、D出口即达会展中心北广场。 出示大会报名信息免费检测,请提前一天进行检测 1、检测地址:福田会展中心北门(会展中心5号馆旗杆区)如下图 2、检测时间:9月2629日上午8点12点,下午14点17点。 9月2830日 深圳会展中心(福田) 等您来赴约!

摩登3注册开户_HOLTEK新推出BH45B1525增强型24-Bit A/D IC

Holtek新推出增强型24-bit A/D IC BH45B1525,适合各式高精度量测应用,例如重量测量、压力测量、温度测量等等。 BH45B1525整合低杂讯可程式增益放大器(PGA)、高精度24-bit A/D与SINC4滤波器电路。输出数据速率范围支持10Hz~1280Hz可选择,有效位数(ENOB)最高可达22.8 bit。具有高精度、高抗RF干扰与高抗抖动等特性优势。可透过内建RC或外接Crystal振荡器与I²C/SPI介面搭配不同MCU进行数据的通讯。 BH45B1525提供20-pin SSOP小型封装,适合各式小体积的量测应用。

摩登3官网注册_NVIDIA为阿贡国家实验室Polaris超级计算机提供1.4 Exaflops超强AI性能

– NVIDIA今日宣布,美国能源部阿贡国家实验室(Argonne National Laboratory)最强大的基于 GPU的超级计算机将在NVIDIA加速计算平台上运行。 位于该实验室 ALCF (Argonne Leadership Computing Facility)的Polaris超级计算机将为用户的算法和科学领域的超级规模的研究和探索提供支持。在2240个NVIDIA® A100 Tensor Core GPU的加速下,该系统能够实现近每秒1.4百亿亿次浮点(exaflops)的理论AI性能和约每秒44千万亿次浮点(petaflops)的峰值双精度性能。 由慧与建造的Polaris搭载560个总节点并且每个节点配备4个NVIDIA A100 GPU。这台超级计算机通过处理数据密集型和AI高性能计算工作负载,将模拟和机器学习相结合。 NVIDIA副总裁兼加速计算总经理Ian Buck表示:“E级AI时代将实现巨大的科学突破,为社会带来巨大的利益。NVIDIA的GPU加速计算平台为像ALCF一样的先锋们的新一代超级计算机(如Polaris)提供了前所未有的性能,帮助研究人员实现科学探索的突破。” ALCF总监Michael E. Papka表示:“Polaris是一个帮助我们的用户进入E级AI时代的强大平台 。数量庞大的NVIDIA A100 GPU将对我们的数据密集型和AI高性能计算工作负载产生直接影响,使Polaris能够在全球范围内解决复杂的科学问题。” 该系统将加速革命性的科学探索,例如推进癌症治疗、探索清洁能源、推动粒子碰撞研究以发现新的物理学方法等。它将把ALCF带入E级AI时代,使研究人员能够针对阿贡实验室即将启动的E级系统——Aurora更新他们的科学工作负载。 通过ALCF的评审分配和应用计划,Polaris也将对学术界、政府机构和行业的研究人员开放使用。Polaris对于推动AI在科学和工程领域的研究突破和落地应用可谓具有里程碑式的意义。

摩登3注册开户_大滞后系统中单神经元PID控制器设计

引 言 PID控制器具有算法简单、鲁棒性较好、可靠性高的特性,因而被广泛运用于各种各样的工业控制中[1],特别在被控对象是线性时不变且方便建立数学模型的控制系统的情况下。然而在工业实际生产过程中,完全的线性时不变系统是不存在的,一般都是非线性时变系统,并且难以建立数学模型, 参数整定困难,运用一般的PID控制器控制系统很难达到理想效果。因此本文以研究最基本的神经网络PID控制和单神经元 PID控制为主,辅助研究 BP神经网络。 1 PID控制的原理和算法 1.1 基于单神经元的 PID控制原理 由具有自学习和自适应能力的单神经元构成的单神经元 智能 PID 控制器,不但结构简单,而且能适应环境变化,有 较强的鲁棒性。单神经元结构 PID 控制本质是用单神经元的 权系数来代替 PID 控制器的三个参数 [2]。单神经元 PID 自适 应控制,是将单神经元与 PID 相结合,单个神经元具有自适 应和自学习能力,PID 控制采用增量式 PID 控制算法,因此可 用单神经元实现 PID 控制,其原理结构图如图 1 所示。 1.2 基于单神经元的 PID 控制算法 单神经元 PID 控制器,是通过在线对加权系数地调整来 整定 PID 的三个参数,实现自适应、自组织的功能。考虑到 加权系数应和神经元的输入、输出和输出偏差的相关函数有 关,因此按有监督的 Hebb 学习规则来实现权值的调整。Rin(k) 为设定值,Yout(k)为被控对象的输出,经微积分模块计算的三个量 X 为神经元学习和控制所需的状态量,其控制及学习 算法为 : 为神经元的比例系数,K>0。为了对各个权系数分别进行在线 调整,给积分 I、比例 P 和微分 D 选用不同的学习速率 ηP,ηI, ηD。可以通过增大 ηI 来加快响应速度,但是与之同时超调量 也将增大 ;当超调量增大时可以通过增大 ηP 来减小超调,但 是响应速度将会变慢,调节时间将会增加 ;增大 ηD 可以进一 步的减小超调,但是调节时间会延迟 [3]。 K 值的选择非常重要。K 越大,快速性越好,但超调量大, 甚至可能使系统不稳定。但是当被控对象延时增加时,必须 减少 K 值,来保证系统稳定。K 值选择过小,会使系统的快 速性变差。 实践表明,在大量的实际应用中,在线学习修正 PID 参 数主要与 e(k)和Δe(k)有关。因此将单神经元自适应 PID 控制算法中的加权系数学习修正部分进行修改,将其中的 xi(k) 改为 e(k)+Δe(k)[4]。 2 仿 真 2.1 大滞后系统 在一些如热工、化工等工业控制中,由于能量或者物料的传输延迟,很多被控对象都具有纯滞后特性。例如,蒸汽 控制水温的控制系统,蒸汽量的改变是一个过程量,需要经 过一个长度为 S 的路程才能反映出来。这样,水温要想改变 就需要一个滞后时间 t。但是附加了纯滞后的被控对象可控度 会明显降低,使系统的稳定性下降。一般,当过程的纯滞后 时间与过程的主导时间常数之比超过 0.5 时,该过程被称为大 滞后过程。采用常规的 PID 控制,要达到维持系统稳定的目的, 就必须将控制作用变弱,因而在很多地方都不能达到满意的 控制效果 [5]。 设二阶被控对象为 : 考虑到工程实际,取采样时间为…

摩登3平台首页_基于S3C2440平台的USB_WiFi驱动移植

引 言 随着科技的进步,基于 802.11 系列协议的WiFi 无线保真通信技术迅猛发展,使得WiFi 技术能够应用在多种不同的嵌入式设备上,并方便的连接运营商提供的接入点。WiFi 与其他无线通信技术相比,拥有组网灵活,数据传输速度快,传输距离远的特性。在已部署WiFi 网络的范围内搭建WSN 网络非常灵活而且组网成本不高。 1 WiFi技术和平台介绍 1.1 硬件平台总体设计 如图 1 所示, 能达到本文需求的无线传输系统由S3C2440 控制器、WiFi 无线网卡和上位机组成。测试系统将输入的数据传输给中心处理芯片S3C2440,S3C2440 将得到的数据储存到存储器,并对数据进行处理,然后由USB 接口将封装的数据通过WiFi 网络建立起的无线通信链路,传送到远端上位机。 1.2 USB 接口电路设计 S3C2440 处理器通过USB 接口与Atheros AR9271 无线网卡的USB 接口连接,实现数据的传输和接收。其中,数据的发送端是S3C2440。针对设备对系统资源需求的不同,在USB 规范中规定了4 种不同的数据传输方式, 这里使用实时传输方式。这种传输方式可以连续不断地在 S3C2440 与USB 设备之间传输数据。S3C2440 的DN0、DP0 引脚分别与AR9271 的 DM、DP 引脚相连接 ;DN 与 DP 输出的是一对差 分信号。 2 WiFi 驱动程序移植 2.1 WiFi 驱动体系结构 AR9271无线网卡正常工作所需要的驱动程序主要包括两 部分 :WLAN 驱动和 USB 接口驱动。WLAN 驱动的作用在 整个数据接收和传输的过程中非常重要,它既要接收从应用 层传来的数据,把数据从USB 接口转发到 S3C2440 平台 ;又 要响应 S3C2440 平台传过来的中断,借助 USB 驱动程序注册 的接口函数,读取硬件缓冲区的数据流,传递数据到应用层。 内核启动后,会自动加载 AR9271 的固件 htc_9271.fw,它在 S3C2440 平台根文件系统的 /lib/firmware 目录下。它的主要作 用是控制 WiFi 硬件上的接口,完成 802.11 数据帧和 802.3 数 据帧之间的转换和实现数据缓冲。由此可见,WiFi 无线网卡 设备在 Linux 中是被当作一般的以太网设备来识别。 2.2 USB 接口驱动分析  USB 接口初始化函数由 ath9k_hif_usb_init 入口,ath9k_ hif_usb_exit 出口。ath9k_hif_usb_init 所做的工作,就是通过 usb_register 函数将 ath9k_hif_usb 驱动挂入到内核 USB 驱动 链中。 ath9k_hif_usb_probe 函数是最重要的,主要用于设备的 探测以及所需内核资源的初始化。ath9k_hif_usb_suspend 和 ath9k_hif_usb_resume 主要是处理电源管理相关工作,如收到 suspend 时以怎样的低功耗工作,以及 resume 如何恢复等。…

摩登3注册登录网_揭秘半导体制造全流程(中篇)

第四步:刻蚀 在晶圆上完成电路图的光刻后,就要用刻蚀工艺来去除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。要做到这一点需要利用液体、气体或等离子体来去除选定的多余部分。 刻蚀的方法主要分为两种,取决于所使用的物质:使用特定的化学溶液进行化学反应来去除氧化膜的湿法刻蚀,以及使用气体或等离子体的干法刻蚀。 湿法刻蚀 使用化学溶液去除氧化膜的湿法刻蚀具有成本低、刻蚀速度快和生产率高的优势。然而,湿法刻蚀具有各向同性的特点,即其速度在任何方向上都是相同的。这会导致掩膜(或敏感膜)与刻蚀后的氧化膜不能完全对齐,因此很难处理非常精细的电路图。 干法刻蚀 干法刻蚀可分为三种不同类型。第一种为化学刻蚀,其使用的是刻蚀气体(主要是氟化氢)。和湿法刻蚀一样,这种方法也是各向同性的,这意味着它也不适合用于精细的刻蚀。 第二种方法是物理溅射,即用等离子体中的离子来撞击并去除多余的氧化层。作为一种各向异性的刻蚀方法,溅射刻蚀在水平和垂直方向的刻蚀速度是不同的,因此它的精细度也要超过化学刻蚀。但这种方法的缺点是刻蚀速度较慢,因为它完全依赖于离子碰撞引起的物理反应。   最后的第三种方法就是反应离子刻蚀(RIE)。RIE结合了前两种方法,即在利用等离子体进行电离物理刻蚀的同时,借助等离子体活化后产生的自由基进行化学刻蚀。除了刻蚀速度超过前两种方法以外,RIE可以利用离子各向异性的特性,实现高精细度图案的刻蚀。 如今干法刻蚀已经被广泛使用,以提高精细半导体电路的良率。保持全晶圆刻蚀的均匀性并提高刻蚀速度至关重要,当今最先进的干法刻蚀设备正在以更高的性能,支持最为先进的逻辑和存储芯片的生产。 针对不同的刻蚀应用,泛林集团提供多个刻蚀产品系列,包括用于深硅刻蚀的DSiE™系列和Syndion®系列、关键电介质刻蚀产品Flex®系列、用于导体刻蚀的Kiyo®系列、用于金属刻蚀的Versys® Metal系列。在行业领先的Kiyo和Flex工艺模块的基础上,泛林集团还于去年3月推出Sense.i®系列,其高性能表现能够满足前述生产过程所需的精确性和一致性要求,适合各种关键和半关键性刻蚀应用。 第五步:薄膜沉积 为了创建芯片内部的微型器件,我们需要不断地沉积一层层的薄膜并通过刻蚀去除掉其中多余的部分,另外还要添加一些材料将不同的器件分离开来。每个晶体管或存储单元就是通过上述过程一步步构建起来的。我们这里所说的“薄膜”是指厚度小于1微米(μm,百万分之一米)、无法通过普通机械加工方法制造出来的“膜”。将包含所需分子或原子单元的薄膜放到晶圆上的过程就是“沉积”。 要形成多层的半导体结构,我们需要先制造器件叠层,即在晶圆表面交替堆叠多层薄金属(导电)膜和介电(绝缘)膜,之后再通过重复刻蚀工艺去除多余部分并形成三维结构。可用于沉积过程的技术包括化学气相沉积 (CVD)、原子层沉积 (ALD) 和物理气相沉积 (PVD),采用这些技术的方法又可以分为干法和湿法沉积两种。 ①化学气相沉积 在化学气相沉积中,前驱气体会在反应腔发生化学反应并生成附着在晶圆表面的薄膜以及被抽出腔室的副产物。 等离子体增强化学气相沉积则需要借助等离子体产生反应气体。这种方法降低了反应温度,因此非常适合对温度敏感的结构。使用等离子体还可以减少沉积次数,往往可以带来更高质量的薄膜。 ②原子层沉积   原子层沉积通过每次只沉积几个原子层从而形成薄膜。该方法的关键在于循环按一定顺序进行的独立步骤并保持良好的控制。在晶圆表面涂覆前驱体是第一步,之后引入不同的气体与前驱体反应即可在晶圆表面形成所需的物质。 ③物理气相沉积  顾名思义,物理气相沉积是指通过物理手段形成薄膜。溅射就是一种物理气相沉积方法,其原理是通过氩等离子体的轰击让靶材的原子溅射出来并沉积在晶圆表面形成薄膜。 在某些情况下,可以通过紫外线热处理 (UVTP) 等技术对沉积膜进行处理并改善其性能。 泛林集团的沉积设备均具备出色的精度、性能和灵活性,包括适用于钨金属化工艺的ALTUS®系列、具有后薄膜沉积处理能力的SOLA®系列、高密度等离子体化学气相沉积SPEED®系列、采用先进ALD技术的Striker®系列以及VECTOR® PECVD等。 下一期,我们将为大家介绍半导体制造中的最后三个重要步骤——互连、测试和封装,敬请期待!

摩登3娱乐怎么样?_贸泽电子联手安森美半导体推出全新资源网站 探索高功率电源转换策略与解决方案

– 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 联手致力于推动能源效率创新的知名半导体解决方案供应商安森美半导体,共同推出专门介绍超高密度电源转换解决方案的全新资源平台。 电源转换、充电和电源管理是电动汽车、5G电信网络和太阳能逆变器等下一代技术不可或缺的功能。贸泽联手安森美半导体打造的全新高功率电源转换资源网站为用户提供了一站式资源,包括开发可靠电源转换解决方案所需的深入见解、学习视频和产品信息。该平台涵盖了20多篇文章、视频和产品链接,为高性能汽车和电源应用提供了全面的资源。每篇文章或视频下方都提供了一个相关的安森美半导体解决方案快捷链接,便于设计人员轻松快速地找到适合其用例的产品。 贸泽拥有丰富的安森美半导体产品,包括MOSFET、碳化硅 (SiC) 器件和大电流栅极驱动器。安森美半导体的Trench8 MOSFET为电动汽车充电器、电机驱动和高性能DC-DC转换器的电源转换提供了更好的散热性能。其宽禁带SiC器件为太阳能升压转换器和逆变器、不间断电源和电信电源,提供了更高的可靠性和卓越的开关性能。