相信笔记本电脑的散热器大家都有吧，哈哈，一招搞定！  贴图看效果：       效果还不错，做硬件，焊电路的要多注意身体。 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

近日，“英特尔&德晟达第三届视频会议行业研讨会暨云会议终端参考设计发布会”通过线上线下结合会议的形式圆满举办。此次发布会上，英特尔与合作伙伴深圳市德晟达电子科技有限公司（以下简称“德晟达”）、上海游密信息科技有限公司（以下简称“游密”）共同发布了能够满足多种视讯会议场景需求的云视频会议终端软硬件一体解决方案，并签署了谅解备忘录。随着谅解备忘录的签署，未来三方将在企业级云视频会议解决方案及产品的协同研发与资源共享等方面展开更为深入的交流与合作。 （英特尔携手德晟达、游密发布云会议终端解决方案） 英特尔公司物联网销售市场部中国区总监谢青山表示：“目前全球视频会议市场呈现井喷式增长态势，前景和机遇十分广阔。在此背景下，会议场景及体验也逐渐朝着多元化与专业化的方向发展。当前，英特尔正凭借其强大的算力和领先的智能边缘技术，广泛携手业内合作伙伴，通过软硬件赋能与协同创新，共同建设强大的视频会议生态系统，提升多种视讯会议场景下用户的使用体验，促进行业的跨越式发展。” 云会议终端产品亮相，专用设备打造极致体验 2020年年初，在新冠疫情爆发的催化作用下，全球网络会议市场规模迎来迅速增长。据Fortune Business Insights数据显示，2019年全球视频会议市场规模为53.2亿美元，而据Valuates预测，这一市场在2020年的规模为125.8亿美元，预计到2025年将达到190.2亿美元。网络会议市场已迅速走向成熟，并在服务与设备提供商间形成了多足鼎立的市场格局。 进入后疫情时代，随着社会生产生活的有序复苏，远程办公与现场办公相结合的混合办公模式日渐为更多企业所采纳，视频会议的市场需求也随之发生变化，这对企业级应用场景下的视频会议服务提出了更高的要求。传统的企业级视频会议解决方案中，部署缓慢、服务单一、体验欠佳，后期维护使用成本过高的短板亟待补足。 此次英特尔联合德晟达、游密共同发布的云会议终端解决方案基于英特尔最新一代低功耗酷睿U系列处理器，支持双路HDMI音视频输入及3路HDMI输出，并可连接扩展坞（子）端，具有强大的兼容性，且部署灵活，可全面覆盖办公桌面、小型、中型至大型会议室等多种视讯会议场景。 利用多云架构，基于英特尔CPU强大算力及专用媒体处理单元，该产品可支持更多用户同时在线，并能够降低时延，保持网络连接高速稳定；得益于身份验证、通讯协议、数据与系统存储等多层级安全策略，能够强化应用安全。 此外，云会议终端产品搭载游密Teampro云会议视频软件，利用英特尔® Media SDK技术实现超高速视频编解码，打造更加流畅清晰的音视频环境，并通过智能会议纪要、互动白板、双向标注等更加丰富便捷的特色功能，有效提升办公效率，为用户带来兼具现场感的优化网络会议体验，以及高清稳定的视讯沟通方式。

关注+星标公众号，不错过精彩内容 作者 | sugar 转自 | MultiMCU EDU 红外遥控我们并不陌生，身边随处可见，最常见的就是家电中的红外遥控，那你知道其中的收发原理吗？ 今天就来分享一篇关于红外解码的文章。 1硬件连接 红外解码只需连3 根线（2 根电源 + 1 根数据）即可，如下图中TSOP382。 2NEC 协议解码 本文所述的红外编解码采用 NEC 协议。通信的数据帧里使用 高电平时间 来区分 0 和 1。 对于按一下然后按住不动的情况，NEC 协议下是这么处理的： 上图中写的“固定重复指令”也叫作“重复引导码”。对于红外通信协议，搜关键词“IR 引导码”会比较容易搜出结果。 NEC 的编码规则非常简单，如下图： 实际用逻辑分析仪抓取的波形如下，可以与上面的规则相互印证： 3Arduino 红外解码 把上图中的代码复制到下面： #include const int irReceiverPin = 2;IRrecv irrecv(irReceiverPin);decode_results results;decode_results res_last;void setup() { Serial.begin(9600); irrecv.enableIRIn();}void loop() { if(irrecv.decode(&results)){ if(res_last.value != results.value){ res_last.value = results.value; Serial.print("irCode: "); Serial.print(results.value, HEX); Serial.print(", bits: "); Serial.println(results.bits); } irrecv.resume(); }} 4STM32 红外解码 1.外部中断方式 参考《江涛带你玩STM32-CubeMX红外NEC解码实战（上）—外部中断方式》 外部中断方式的优点在于：用哪个引脚都可以。因为没有使用片上定时器外设，所以需要使用 CPU 计数方式来算时间。 2.定时器捕获方式 参考《江涛带你玩STM32-CubeMX红外NEC解码实战（下）—定时器TIM捕获方式》 定时器捕获方式需要使用与定时器相关的引脚，优点是 CPU 不参与计时，被解放出来的 CPU 可以做其他的事。 PS 除了 NEC 协议，红外通信还有很多其他的协议，这在 Mixly 图形化编程软件中看得很明显，如下图： 本文选择最简单的 NEC 协议谈红外解码意在简单地体现 IR 通信的应用，所以没有引入 38kHz 载波的概念，如果想深入了解可以参考《STM32之红外遥控信号自学习实现》。 5收、发解码差异 如上图，红外通信比较奇特的一点就是收发数据反相。这就导致虽然从发送方或接收方都能解出正确数据，但必解码时必须注意极性，极性要是反了就解不出或解不对数据。 通信实验： 如上图，作者觉得发与收之间的相位差加强了实验的真实感。作者用了两个单片机，分别是 ATMega 2560 和 ATMega 644，选 Arduino 系单片机的原因是想偷个懒不写软件。 下面放大一个数据，仔细看一看 38KHz 的载波长什么样： 上图的结论是占在“接收方”的角度写的“发送方”的行为。也就是说： 1.想让接收方接到 0，发送方就发 38KHz 的载波； 2.想让接收方接到 1，发送方就停止发送载波。 这里不免有人会问：停止发送载波实际上让接收方收到了 1，那该怎么区分“停止通信”和“通信中的 1”呢？ 这答案就能看出…

游戏直播市场十分火热，为了帮助用户更方便的开直播，许多直播网站还会推出相应的直播软件供大家使用，不过这些软件往往只在PC上起作用，想直播手机游戏的话就麻烦的多。三星可能也考虑到了这个问题，推出了一款名为Game Live的APP。高通公司已经做了一年，现在三星推出了一个软件解决方案-一个名为Game Driver的Android应用程序，“可提供最佳游戏体验”。 目前的安卓手机尽管已经做到了非常高的易用性，但是和 Windows 设备比起来，其驱动更新的方式还比较繁琐，依旧依靠系统更新来完成。 相比于 PC 平台显卡频繁的驱动更新速度，手机系统更新的频率以及效率都远远落后，限制了游戏性能的发挥。三星近日为其 Galaxy S20、N20 手机发布了名为 “Samsung GameDriver”的 App，可以单独更新 GPU 驱动。 这款应用是三星联合谷歌、高通、ARM 联合开发的。三星表示，Samsung GameDriver 这款软件未来将支持更多的手机型号。 相较于三星其他官方APP而言，这个APP倒是非常实用，特别是支持推流到3大平台，相当省事。三星表示，GPU优化是在与Google“以及ARM和Qualcomm等主要GPU供应商”合作之后完成的。该公司承诺，尽管从一开始就支持Game Driver的设备数量有限，但总数很快就会增加。 相信大家对此都是相当关注的，大家对此还有哪些进一步的看法呢?欢迎留言讨论哦!

背景 曾经，我面试的时候有两个最怕的。一怕问算法，二怕问高并发。 算法这个，刷了不少LeetCode，发现还是有套路可循的，虽不敢说算法能力有多强，至少没有以前那么怕了（才怪）。 而第二个，高性能高并发技术，感觉有好多技术要学，东学一点，西学一点，不成体系。直到有一次面试，遇到了一个大牛，问到了这方面，结果被虐的体无完肤。幸运的是，这位大牛不但技术一流，还认真跟我交流了学习心得，怎么样去有体系的系统去梳理这方面的技术知识，而不是瞎学。 CPU 不管什么样的编程语言，什么样的代码框架，最终都是由CPU去执行完成的（当然这么说不太准确，也有GPU、TPU、协处理器等其他情况，当然这不是本文探讨的重点）。 所以要想提高性能，提高并发量，首要问题就是如何让CPU跑的更快？ 这个问题，也是一直以来CPU厂商一直在努力追求的方向。 如何让CPU更快？CPU厂商做了两个方面的努力： 加快指令执行的速度 加快CPU读取数据的速度 对于第一个方向，CPU执行指令的快慢，是跟CPU的主频紧密相关的，如何更快的取指令、指令译码、执行，缩短CPU的指令周期，提升主频在相当长一段时间里都是非常有效的办法。 从几百MHz，到如今到几GHz，CPU主频有了长足的进步，相同时间里能够执行的指令数变的更多了。 对于第二个方向，如何提升CPU读取数据的速度，答案就是加缓存，利用局部性原理将内存中经常会访问的数据搬运到CPU中，这样大大提升了存取速度。 从一级缓存，到二级缓存，乃至三级缓存，CPU缓存的层级和容量也在不断提升，读写数据的时间省了不少。 但随着时间到推移，尤其进入21世纪之后，处理器厂商发现，进一步提升主频变得越来越困难了，CPU的缓存也很难进一步扩容。 怎么办呢？既然一个人干活的速度已经很难再提升，那何不多找几个人一起干？于是，多核技术来了，一个CPU里面有多个核心，众人划桨开大船，CPU的速度再一次腾飞～ 甚至，让一个核在“闲暇时间”，利用“闲置资源”去执行另外的线程，诞生了让一个核“同时”执行两个线程的超线程技术。 上面简单交代了为了提升性能，CPU所做的努力。但是光是CPU快是没用的，还需要我们更好的去利用开发，否则就是对CPU算力的浪费。 上面提到了线程，是的，如何提高性能，提高并发量？使用多线程技术当然是一个非常好的思路。 但多线程的引入，就不得不提到两个跟线程有关的话题： 线程同步 线程阻塞 多个线程协同工作，必然会引入同步的问题，常规解决方案是加锁，加锁的线程一般会进入阻塞。 线程遇到阻塞了，就需要切换，而切换是有一定的成本开销的，不仅是系统调度的时间开销，还可能有CPU缓存失效的损失。 如果线程频频加锁，频频阻塞，那这个损失就相当可观了。为了提升性能，无锁编程技术就出现了，利用CPU提供的机制，提供更轻量的加锁方案。 同时，为了让切换后的线程仍然能够在之前的CPU核心上运行，降低缓存损失，线程的CPU亲和性绑定技术也出现了。 现代操作系统都是以时间片的形式来调度分配给多个线程使用。如果时间片还没用完就因为这样或那样的原因将执行机会拱手相让，那线程也太亏了。 于是，有人提出要充分利用CPU，别让线程阻塞，交出执行权，自己在应用层实现多个执行流的调度，这里阻塞了，就去执行那里，总之要把时间片充分用完，这就诞生了协程技术，阻塞了不要紧，我还能干别的，不要轻易发生线程切换。 内存 与CPU工作相关的第一亲密伙伴就是内存了，二者协作才能唱好一出戏。 提升内存访问的速度，同样是高性能开发话题重要组成部分！ 那如何提升呢？硬件层面程序员是很难改变的，咱们只好从软件层面下功夫。 内存的管理经历了从实地址模式到分页式内存管理，如今的计算机中，CPU拿的的地址都是虚拟地址，这中间就会涉及到地址的转换，在这里就有文章可做，有两个方向可以努力： 减少缺页异常 使用大页技术 现代操作系统，基本上都会使用一个叫换页/交换文件的技术：内存空间有限，但进程越来越多，对内存空间的需求越来越大，用完了怎么办？于是在硬盘上划分一块区域出来，把内存中很久不用的数据转移到这块区域上来，等程序用到的时候，触发访问异常，再在异常处理函数中将其从硬盘读取进来。 可以想象，如果程序访问的内存老是不在内存中，而是被交换到了硬盘上，就会频繁触发缺页异常，那程序的性能肯定大打折扣，所以减少缺页异常也是提升性能的好办法。 从虚拟地址寻址真实的物理内存，这个过程是CPU完成的，具体来说，就是通过查表，从页表->一级页目录->二级页目录->物理内存。 页目录和页表是存在内存中的，毫无疑问，内存寻址是一个非常非常高频的事情，时时刻刻都在发生，而多次查表势必是很慢的，有鉴于此，CPU引入了一个叫TLB（Translation Look- aside buffer）的东西，使用缓存页表项的方式来减少内存查表的操作，加快寻址速度。 默认情况下，操作系统是以4KB为单位管理内存页的，对于一些需要大量内存的服务器程序（Redis、JVM、ElascticSearch等等），动辄就是几十个G，按照4KB的单位划分，那得产生多少的页表项啊！ 而CPU中的TLB的大小是有限的，内存越多，页表项也就越多，TLB缓存失效的概率也就越大。所以，大页内存技术就出现了，4KB太小，就弄大点。大页内存技术的出现，减少了缺页异常的出现次数，也提高了TLB命中的概率，对于提升性能有很大的帮助。 在一些高配置的服务器上，内存数量庞大，而CPU多个核都要通过内存总线访问内存，可想而知，CPU核数上去以后，内存总线的竞争势必也会加剧。于是NUMA架构出现了，把CPU核心划分不同的分组，各自使用自己的内存访问总线，提高内存的访问速度。 I/O CPU和内存都够快了，但这还是不够。我们的程序日常工作中，除了一些CPU密集型的程序（执行数学运算，加密解密，机器学习等等）以外，相当一部分时间都是在执行I/O，如读写硬盘文件、收发网络数据包等等。 所以，如何提升I/O的速度，是高性能开发技术领域一个重要的话题。 因为I/O会涉及到与外设（硬盘、网卡等）的交互，而这些外设又通常是非常慢（相对CPU执行速度）的，所以正常情况下，线程执行到I/O操作时难免会阻塞，这也是前面在CPU部分提到过的。 阻塞以后那就没办法干活了，为了能干活，那就开多个线程。但线程资源是很昂贵的，没办法大量使用，况且线程多了，多个线程切换调度同样是很花时间的。 那可不可以让线程执行I/O时不阻塞呢？于是，新的技术又出现了： 非阻塞I/O I/O多路复用 异步I/O 原来的阻塞I/O是一直等，等到I/O的完成，非阻塞I/O一般是轮询，可以去干别的事，过一会儿就来问一下：好了没有？ 但每个线程都去轮询也不是个事儿啊，干脆交给一个线程去专门负责吧，这就是I/O多路复用，通过select/poll的方式只用一个线程就可以处理多个I/O目标。再然后，再改进一下，用epoll，连轮询也不用了，改用内核唤醒通知的机制，同时处理的I/O目标还更多了。 异步I/O就更爽了，设置一个回调函数，自己干别的事去了，回头操作系统叫你来收数据就好了。 再说回到I/O本身，会将数据在内存和外设之间传输，如果数据量很大，让CPU去搬运数据的话，既耗时又没有技术含量，这是对CPU算力的很大浪费。 所以，为了将CPU从中解放出来，又诞生了一门技术：直接内存访问DMA，把数据的传输工作外包出去，交由DMA控制器来完成，CPU只在背后发号施令即可。 有了DMA，再也不用麻烦CPU去执行数据的搬运工作。但对于应用程序而言，想要把文件通过网络发送出去，还是要把数据在内核态空间和用户态空间来回折腾两次，这两步还得CPU出马去复制拷贝，属于一种浪费，为了解决这个问题，提升性能，又进一步产生了零拷贝技术，彻底为CPU减负。 算法架构 CPU、内存、I/O都够快了，单台计算机的性能已经很难提升了。不过，现在的服务器很少是单打独斗了，接下来就要把目光转移到算法、架构上来了。 一台服务器搞不定，那就用硬件堆出性能来，分布式集群技术和负载均衡技术就派上用场了。 这年头，哪个后端服务没有数据库？如何让数据库更快？该轮到索引技术上了，通过给数据库建立索引，提升检索速度。 但数据库这家伙的数据毕竟是存在硬盘上的，读取的时候势必会慢，要是大量的数据请求都怼上来，这谁顶得住？于是基于内存的Redis、Memcached应运而生，毕竟，访问内存比从数据库查询快得多。 算法架构这一块的技术实在太多了，也是从一个普通码农通往架构师的必经之路，咱们下回再聊。 高性能、高并发是后端开发永恒追求的话题。 每一项技术都不是凭空出现的，一定是为了解决某个问题而提出。我们在学这些技术的时候，掌握它出现的原因，和其他技术之间的关联，在自己的大脑中建立一座技术知识层级图，一定能事半功倍。 长按订阅更多精彩▼ 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

天天都在用电子元器件，里面长什么样？ 想看看吗？ 今天小编带大家看看电子元器件不为人熟知的内部结构~ 小知识  制作元器件的横截面，一般需要经过以下步骤： 1）将元器件使用环氧树脂抽真空浸泡进行固定。 2）使用研磨或者切割去掉元器件表层部分。 3）对剩余部分进行抛光，显示清晰的截面图像。 4）在放大镜或者显微镜下进行拍照观察。 多图预警！！ 下面是元器件经过切割研磨后的横截面照片。 1 表贴电容 2 薄膜电容 3 电解电容 4 瓷片电容 5 钽电容 6 金属膜电阻 7 淡粉电阻 8 色环电感 9 LED 10 二极管 11 三极管 12 按钮 13 滑动单刀双掷开关 14 双排插针 15 干簧管继电器 16 DB9接头 17 电子管 18 网络变压器 19 纽扣电池 20 驻极体MIC 21 七段数码管 22 光耦 23 耳机接头 24 BGA封装 END 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

12月18日，2020重庆Micro LED产业创新论坛暨康佳半导体显示技术及产品发布会盛大开幕。本次活动以“未来芯视界”为主题，由重庆市璧山区人民政府和康佳集团联合主办，汇聚了显示领域的权威专家、学者和产业链上下游企业，共同探讨显示产业的创新发展。 论坛围绕Micro LED的技术变革、量产化进程和产品市场等议题展开讨论，充分肯定了新型显示技术的广阔发展前景和多样化终端场景应用。为进一步推进Micro LED技术实现消费级应用，康佳集团正式发布APHAEA Micro LED未来屏产品矩阵，涵盖点间距从P1.2至P0.12等多形态、多场景小间距产品，加快实现全场景显示应用。 本次发布会上，康佳集团正式发布Micro LED手表APHAEA Watch，其搭载的P0.12 AM-LTPS Micro LED微晶屏，点间距缩小至0.12mm，具备百万级超高对比度和高达1500nits的屏幕亮度，能够呈现更加细腻真实的色彩细节，依托重庆康佳光电技术研究院自主HMT技术，实现多种产品形态，开辟更加多样化的使用场景。 康佳集团发布的玻璃基P0.375 Micro LED显示屏，采用了Flip chip倒装技术和散热性更好、成本更低、功耗更小的玻璃基板材料，成功突破正装芯片的点间距极限，大幅降低产品生产成本，进一步增强市场竞争力，重塑半导体产业生产格局。 发布会现场，P0.49 Micro LED小间距显示屏、P0.9 Micro LED小间距显示屏、P1.2 Micro LED动态柔性显示屏也同步亮相，凭借高亮度、高对比度等突出优势，康佳集团以差异化的小间距产品持续渗透车载显示、智慧商显等多个应用领域，还原世界最本真的色彩体系，刷新用户感官体验。同台展出的还有“次世代电视”，采用75英寸Mini LED屏，具备8K纯彩超高分辨率及5000+多分区控光，让用户体验所见即所得的沉浸感。此外，现场展出的65英寸V1 Pro，采用OLED自发光屏幕，可达到870000:1的动态对比度，充分还原自然的色彩，画面层次更丰富，还全新搭载了AI升降摄像头，支持人脸识别、高清视频通话、运动健身指导等功能，轻松满足用户的智慧交互体验，持续引领智慧屏迭代升级。 康佳集团此次展示的全系产品具备“还原自然，融合生态，突破精晰，普及大屏”四大核心特点。面对显示技术升级趋势，康佳集团持续以科技创新为核心驱动力，通过战略变革、技术创新、生态融合等创新路径，探索产品多元形态，为行业发展注入新生活力，为用户创造更美好的视觉体验，开启未来视界的无限可能。

来源： urlify.cn/I3eyAz 单点登录系统设计思路：采用Spring4 Java配置方式整合HttpClient，Redis ，MySql和SpringBoot的简易教程。在传统的系统，或者是只有一个服务器的系统中。Session在一个服务器中，各个模块都可以直接获取，只需登录一次就进入各个模块。若在服务器集群或者是分布式系统架构中，每个服务器之间的Session并不是共享的，这会出现每个模块都要登录的情况。这时候需要通过单点登录系统（Single Sign On）将用户信息存在Redis数据库中实现Session共享的效果。从而实现一次登录就可以访问所有相互信任的应用系统。 一、整合 HttpClient HttpClient 是 Apache Jakarta Common 下的子项目，用来提供高效的、最新的、功能丰富的支持 HTTP 协议的客户端编程工具包，并且它支持 HTTP 协议最新的版本和建议。首先在src/main/resources 目录下创建 httpclient.properties 配置文件。 #设置整个连接池默认最大连接数 http.defaultMaxPerRoute=100 #设置整个连接池最大连接数 http.maxTotal=300 #设置请求超时 http.connectTimeout=1000 #设置从连接池中获取到连接的最长时间 http.connectionRequestTimeout=500 #设置数据传输的最长时间 http.socketTimeout=10000 然后在 src/main/java/com/itdragon/config 目录下创建 HttpclientSpringConfig.java 文件这里用到了四个很重要的注解@Configuration : 作用于类上，指明该类就相当于一个xml配置文件@Bean : 作用于方法上，指明该方法相当于xml配置中的bean，注意方法名的命名规范@PropertySource : 指定读取的配置文件，引入多个value={“xxx:xxx”,“xxx:xxx”},ignoreResourceNotFound=true 文件不存在时忽略@Value : 获取配置文件的值 package com.itdragon.config; /**  * @Configuration  作用于类上，相当于一个xml配置文件  * @Bean    作用于方法上，相当于xml配置中的* @PropertySource 指定读取的配置文件,ignoreResourceNotFound=true 文件不存在是忽略  * @Value   获取配置文件的值  */ @Configuration @PropertySource(value = "classpath:httpclient.properties", ignoreResourceNotFound=true) public class HttpclientSpringConfig {     @Value("${http.maxTotal}")     private Integer httpMaxTotal;     @Value("${http.defaultMaxPerRoute}")     private Integer httpDefaultMaxPerRoute;     @Value("${http.connectTimeout}")     private Integer httpConnectTimeout;     @Value("${http.connectionRequestTimeout}")     private Integer httpConnectionRequestTimeout;     @Value("${http.socketTimeout}")     private Integer httpSocketTimeout;     @Autowired     private PoolingHttpClientConnectionManager manager;     @Bean     public PoolingHttpClientConnectionManager poolingHttpClientConnectionManager() {         PoolingHttpClientConnectionManager poolingHttpClientConnectionManager = new PoolingHttpClientConnectionManager();         // 最大连接数         poolingHttpClientConnectionManager.setMaxTotal(httpMaxTotal);         // 每个主机的最大并发数         poolingHttpClientConnectionManager.setDefaultMaxPerRoute(httpDefaultMaxPerRoute); return poolingHttpClientConnectionManager;     }     @Bean // 定期清理无效连接     public IdleConnectionEvictor idleConnectionEvictor() { return new IdleConnectionEvictor(manager, 1L, TimeUnit.HOURS);     }     @Bean // 定义HttpClient对象 注意该对象需要设置scope="prototype":多例对象     @Scope("prototype")     public CloseableHttpClient closeableHttpClient() { return HttpClients.custom().setConnectionManager(this.manager).build();     }     @Bean // 请求配置     public RequestConfig requestConfig() { return RequestConfig.custom().setConnectTimeout(httpConnectTimeout) // 创建连接的最长时间                 .setConnectionRequestTimeout(httpConnectionRequestTimeout) // 从连接池中获取到连接的最长时间                 .setSocketTimeout(httpSocketTimeout) // 数据传输的最长时间                 .build();     } } 二、整合 Redis SpringBoot官方其实提供了spring-boot-starter-redis pom 帮助我们快速开发，但我们也可以自定义配置，这样可以更方便地掌控。首先在src/main/resources 目录下创建 redis.properties 配置文件 redis.maxTotal=200 redis.node.host=10.128.15.21 redis.node.port=6379 REDIS_USER_SESSION_KEY=REDIS_USER_SESSION SSO_SESSION_EXPIRE=30 设置Redis主机的ip地址和端口号，和存入Redis数据库中的key以及存活时间。这里为了方便测试，存活时间设置的比较小。这里的配置是单例Redis。在src/main/java/com/itdragon/config 目录下创建 RedisSpringConfig.java 文件。…

同步BUCK降压变化器是应用非常广泛的一种电源结构，其工作频率由早期的低于100KHz，提高到200KHz、300KHz、350KHz、500KHz、1MHz，甚至更高，工作频率的提高带来的好处是电源系统的体积降低，但是，缺点就是开关损耗会增加。 功率MOSFET在进一步减小导通电阻、降低导通损耗的同时，也要降低相应的寄生电容值，以降低开关损耗。开关电源系统高频高效的设计要求，也促使功率MOSFET内部结构不断优化，技术平台不断进步。   寄生电容降低，导致BUCK变化器上管开关速度越来越快。上管的开关速度越快，开关损耗越低，但是，也会产生以下问题：   （1）上管开通速度太快，开关节点的电压尖峰过高，会影响下管长期工作的可靠性；   （2）上管开通速度太快，开关节点的电压变化率dV/dt过大，会产生EMI的问题；同时，会在下管的栅极耦合感应出电压，导致下管误开通。   （3）上管关断速度太快，开关节点负压尖峰过高，对PWM IC驱动部分或驱动IC产生问题，如输入信号逻辑错误，内部ESD等保护器件因为过电流而发生损坏；同时还会导致上管发生过压，影响上管长期工作的可靠性。   开关节点是上、下管以及输出电感的连接点，在系统PCB板上，对应着一块区域，包括上管的源极S、下管的漏极D、输出电感的管脚SW以及连接这些点的PCB的铜皮。   BUCK变换器开关节点的电压尖峰、电压变化率dV/dt、下管的栅极耦合感应电压，和上管的开通速度、下管寄生体二极管的反向恢复特性，以及它们组成的环路都直接相关。   BUCK变化器在实际设计过程中，需要对系统效率、开关节点电压的正向过冲、负向过冲、下管栅极耦合感应电压等因素进行综合考虑，折衷平衡，设计出满足要求的系统。   包含相关寄生元件的BUCK变化器的原理图，如图1所示。图1中，功率MOSFET方框内为其内部的寄生元件，包括封装的寄生电感。主功率回路在PCB板上对应的寄生电感，分别如图1、图2所示。 图1中，包括上管漏极D到输入电容的寄生电感，上管源极S到输出电感的寄生电感，上管栅极G到IC驱动输出的寄生电感，上管源极S到其IC驱动返回端的寄生电感；下管漏极D到输出电感的寄生电感，下管源极S到输入电容负（地）端的寄生电感，下管栅极G到IC驱动输出的寄生电感，下管源极S到其IC驱动返回端的寄生电感。   图1：BUCK变化器原理图   图2：BUCK变化器主功率回路   为了平衡上述设计因素，实际应用过程中，通常要对上管的开关速度进行调整，降低上管开通速度，有下面几种方法。   1、增加上管栅极外部串联驱动电阻RG-H1   图3：上管栅极外加串联驱动电阻   这种方法会同时降低上管的开通、关断速度，增加开关损耗，这也是工程师经常采用的一种方法。   用二极管串联较低阻值的电阻，和RG-H1并联，如图4所示，分别调整开通和关断的速度，使开通速度变慢，关断速度较快，这种驱动电路在ACDC电源系统中经常使用；但是，在Buck变换器中很少采用这种电路，主要的原因是：Buck变换器工作频率高，使用的RG-H1值非常小，不超过5欧姆。   在上管的栅极G、源极S或上管栅极G、漏极D，外加电容，如图5所示，也可以调整开关速度，这种方法产生过大的开关损耗，在Buck变换器中也很少采用这种电路。一些负载开关、热插拔电路，以及电机驱动的应用中，经常采用这样方式，限制浪涌电流，或限制过压尖峰。   图4：使用二极管分别调整开通和关断速度     图5：外加电容调整开关速度   2、上管自举驱动电路外接串联电阻   上管自举驱动电路外加串联电阻的方法，如图6所示，在自举电路中，串联一个电阻RB，就可以降低上管开通的速度；同时，RB不在上管关断的回路中，可以较快的关断上管，不影响关断损耗。   高频的BUCK变换器也经常采用这种方式，它的优点是：降低上管的开通的速度，不影响上管的关断速度。上管开通回路、关断回路的驱动电流路径，如图7、图8所示。 图6：上管自举驱动电路外加串联电阻   图7：上管开通回路   图8：上管关断回路     为了提高开关速度，降低栅极的振荡，电源工程师通常尽可能减小驱动环路，驱动回路的返回端，也是尽可能连接到功率MOSFET的源极S管脚，如图3所示。   如果把上管驱动回路返回端连接到输出电感的管脚，或者直接连接到下管漏极D管脚，这样就增加了上管源极外部串联的PCB引线电感，从而降低上管的开关速度。 具体内容，参考前面文章：同步BUCK降压变换器源极寄生电感对开关性能影响       免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

日前，英飞凌工业功率控制事业部大中华区市场推广总监陈子颖先生和英飞凌科技电源与传感事业部大中华区应用市场总监程文涛先生在媒体采访中就第三代半导体技术价值、产业发展和技术趋势进行了深入解读。 进入后摩尔时代，一方面，人类社会追求以万物互联、人工智能、大数据、智慧城市、智能交通等技术提高生活质量，发展的步伐正在加速。另一方面，通过低碳生活改善全球气候状况也越来越成为大家的共识。 目前全球能源需求的三分之一左右是用电需求，能源需求的日益增长，化石燃料资源的日渐耗竭，以及气候变化等问题，要求我们去寻找更智慧、更高效的能源生产、传输、配送、储存和使用方式。 在整个能源转换链中，第三代半导体技术的节能潜力可为实现长期的全球节能目标做出很大贡献。除此之外，宽禁带产品和解决方案有利于提高效率、提高密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本，因此将在交通、数据中心、智能楼宇、家电、个人电子设备等等极为广泛的应用场景中为能效提升做出贡献。 例如在电力电子系统应用中，一直期待1200V以上耐压的高速功率器件出现，这样的器件当今非SiC MOSFET莫属。而硅MOSFET主要应用在650V以下的中低功率领域。 除高速之外，碳化硅还具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，尤其适合对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件要求较高的应用。 功率密度是器件技术价值的另一个重要方面。SiC MOSFET芯片面积比IGBT小很多，譬如100A/1200V的SiC MOSFET芯片大小大约是IGBT与续流二级管之和的五分之一。因此，在高功率密度和高速电机驱动应用中，SiC MOSFET的价值能够得到很好的体现，其中包括650V SiC MOSFET。 在耐高压方面，1200V以上高压的SiC高速器件，可以通过提高系统的开关频率来提高系统性能，提高系统功率密度。这里举两个例子： · 电动汽车直流充电桩的功率单元，如果采用Si MOSFET，则需要两级LLC串联，电路复杂，而如果采用SiC MOSFET，单级LLC就可以实现，从而大大提高充电桩的功率单元单机功率。 · 三相系统中的反激式电源，1700V SiC MOSFET也是完美的解决方案，可以比1500V硅MOSFET损耗降低50%，提高效率2.5%。 在可靠性和质量保证方面，SiC器件有平面栅和沟槽栅两种类型，英飞凌的沟槽栅SiC MOSFET能很好地规避平面栅的栅极氧化层可靠性问题，同时功率密度也更高。 正是由于SiC MOSFET这些出色的性能，其在光伏逆变器、UPS、ESS、电动汽车充电、燃料电池、电机驱动和电动汽车等领域都有相应的应用。 然而，碳化硅是否会成为通吃一切应用的终极解决方案呢? 众所周知，硅基功率半导体的代表——IGBT技术，在进一步提升性能方面遇到了一些困难。开关损耗与导通饱和压降降低相互制约，降低损耗和提升效率的空间越来越小，于是业界开始希望SiC能够成为颠覆性的技术。但是，这样的看法这不是很全面。首先，以英飞凌为代表的硅基IGBT的技术也在进步，采用微沟槽技术的TRENCHSTOP™5，IGBT7是新的里程碑，伴随着封装技术的进步，IGBT器件的性能和功率密度越来越高。同时，针对不同的应用而开发的产品，可以做一些特别的优化处理，从而提高硅器件在系统中的表现，进而提高系统性能和性价比。因此，第三代半导体的发展进程，必然是与硅器件相伴而行，在技术发展的同时，还有针对不同应用的大规模商业化价值因素的考量，期望第三代器件很快在所有应用场景中替代硅器件是不现实的。 产业化之路 英飞凌1992年开始研发SiC功率器件，1998年建立2英寸的生产线，2001年推出第一个SiC产品，今年正好20周年。20年来碳化硅技术在进步，2006年发布采用MPS技术的二极管，解决耐冲击电流的痛点;2013年推出第五代薄晶圆技术二极管，2014年——2017年先后发布SiC JFET，第五代1200V二极管，6英寸技术和SiC沟槽栅MOSFET。 从英飞凌SiC器件的发展史，可以看出SiC技术的发展历程和趋势。我们深知平面栅的可靠性问题，在沟槽栅没有开发完成之前，通过SiC JFET这一过渡产品，帮助客户快速进入SiC应用领域。从技术发展趋势来看，SiC MOSFET比IGBT更迫切地需要转向沟槽栅，除了功率密度方面的考量之外，更注重可靠性问题。 在产业层面，当时间来到21世纪的第三个十年，整个第三代半导体产业格局相对于发展初期已经发生了巨大的变化。具体而言，碳化硅产业正在加速垂直整合，而氮化镓产业形成了IDM以及设计公司和晶圆代工厂合作并存的模式。这些都显示出，第三代半导体产业已经进入了大规模、高速发展的阶段。 当然，与硅基器件行业相比，第三代半导体产业发展时间相对较短，在标准化、成熟度等方面还有很长的路要走，尤其是在品质与长期可靠性方面，还有大量的研究和验证工作要做。英飞凌在标准化、品质管理和可靠性方面拥有丰富的经验和公认的优势，在第三代器件发展之初就开始持续投入大量的资源，对此进行深入的分析、研究和优化，不断推动第三代半导体行业的稳健发展。为此，英飞凌发表了《碳化硅可靠性白皮书》，论述英飞凌如何控制和保证基于SiC的功率半导体器件的可靠性。 当前，第三代半导体在技术层面值得关注的领域很多。例如碳化硅晶圆的冷切割技术，器件沟道结构优化，氮化镓门极结构优化，长期可靠性模型、成熟硅功率器件模块及封装技术的移植等等，都会对第三代半导体长期发展产生深远的影响。这几个领域也正是英飞凌第三代半导体产品开发过程中所专注和擅长的领域。 具体而言，2018年英飞凌收购了位于德累斯顿的初创公司Siltectra。该公司的冷切割(Cold Split)创新技术可高效处理晶体材料，最大限度减少材料损耗。英飞凌利用这一冷切割技术切割碳化硅晶圆，可使单片晶圆产出的芯片数量翻倍，从而有效降低SiC成本。 在中低功率SiC器件方面，去年英飞凌在1200V系列基础上，发布了TO-247封装的650V CoolSiC™ MOSFET，进一步完善了产品组合。目前贴片封装的650V产品系列正在开发当中。在氮化镓方面，今年五月我们推出了集成功率级产品CoolGaN™ IPS系列，成为旗下众多WBG功率元件组合的最新产品。IPS基本的产品组合包括半桥和单通道产品，目标市场为低功率至中功率的应用，例如充电器、适配器以及其他开关电源。代表产品600V CoolGaN™半桥式IPS IGI60F1414A1L，8×8 QFN-28封装，可为系统提供极高的功率密度。此产品包含两个140mΩ/600V增强型HEMT开关以及EiceDRIVER™系列中的氮化镓专用隔离高低侧驱动器。 在高压方面，碳化硅产品会继续朝着发挥其主要特性的方向发展，耐压更高，2-3kV等级的产品会相继面世。 同时，英飞凌会利用成熟的模块技术、低寄生电感、低热阻的封装技术等，针对不同的应用开发相应产品。比如，低寄生电感封装可以让SiC器件更好发挥高速性能，低热阻的封装技术虽然成本略高，但可以有效提高器件电流输出能力，从而实际上降低了单位功率密度的成本。