在电子产品设计中，PCB布局布线是重要的一步，PCB布局布线的好坏将直接影响电路的性能。 现在，虽然有很多软件可以实现PCB自动布局布线。但是随着信号频率不断提升，很多时候，工程师需要了解有关PCB布局布线的基本的原则和技巧，才可以让自己的设计完美无缺。 下面涵盖了PCB布局布线的相关基本原理和设计技巧，以问答形式解答了有关PCB布局布线方面的疑难问题。 PCB布局布线的相关基本原理和设计技巧 1、[问] 高频信号布线时要注意哪些问题？ [答 ] 信号线的阻抗匹配； 与其他信号线的空间隔离； 对于数字高频信号，差分线效果会更好。 2、[问] 在布板时，如果线密，过孔就可能要多，当然就会影响板子的电气性能，请问怎样提高板子的电气性能？ [答] 对于低频信号，过孔不要紧，高频信号尽量减少过孔。如果线多可以考虑多层板。 3、[问] 是不是板子上加的去耦电容越多越好？ [答] 去耦电容需要在合适的位置加合适的值。例如，在你的模拟器件的供电端口就进加，并且需要用不同的电容值去滤除不同频率的杂散信号。 4、[问] 一个好的板子它的标准是什么？ [答] 布局合理、功率线功率冗余度足够、高频阻抗阻抗、低频走线简洁。 5、[问] 通孔和盲孔对信号的差异影响有多大？应用的原则是什么？ [答] 采用盲孔或埋孔是提高多层板密度、减少层数和板面尺寸的有效方法，并大大减少了镀覆通孔的数量。 但相比较而言，通孔在工艺上好实现，成本较低，所以一般设计中都使用通孔。 6、[问] 在涉及模拟数字混合系统的时候，有人建议电层分割，地平面采取整片敷铜，也有人建议电地层都分割，不同的地在电源源端点接，但是这样对信号的回流路径就远了，具体应用时应如何选择合适的方法？ [答] 如果你有高频>20MHz信号线，并且长度和数量都比较多，那么需要至少两层给这个模拟高频信号。一层信号线、一层大面积地，并且信号线层需要打足够的过孔到地。这样的目的是： 对于模拟信号，这提供了一个完整的传输介质和阻抗匹配； 地平面把模拟信号和其他数字信号进行隔离； 地回路足够小，因为你打了很多过孔，地又是一个大平面。 7、[问] 在电路板中，信号输入插件在PCB左边沿，mcu在靠右边，那么在布局时是把稳压电源芯片放置在靠近接插件（电源IC输出5V经过一段比较长的路径才到达MCU），还是把电源IC放置到中间偏右（电源IC的输出5V的线到达MCU就比较短，但输入电源线就经过比较长一段PCB板）？或是有更好的布局？ [答] 首先你的所谓信号输入插件是否是模拟器件？如果是是模拟器件，建议你的电源布局应尽量不影响到模拟部分的信号完整性．因此有几点需要考虑： 首先你的稳压电源芯片是否是比较干净，纹波小的电源．对模拟部分的供电，对电源的要求比较高； 模拟部分和你的ＭＣＵ是否是一个电源，在高电路的设计中，建议把模拟部分和数字部分的电源分开； 对数字部分的供电需要考虑到尽量减小对模拟电路部分的影响。 8、[问] 在高速信号链的应用中，对于多ASIC都存在模拟地和数字地，究竟是采用地分割，还是不分割地？既有准则是什么？哪种效果更好？ [答] 迄今为止，没有定论。一般情况下你可以查阅芯片的手册。 ADI所有混合芯片的手册中都是推荐你一种接地的方案，有些是推荐公地、有些是建议隔离地。这取决于芯片设计。 9、[问] 何时要考虑线的等长？如果要考虑使用等长线的话，两根信号线之间的长度之差不能超过多少？如何计算？ [答] 差分线计算思路：如果你传一个正弦信号，你的长度差等于它传输波长的一半是，相位差就是180度，这时两个信号就完全抵消了。 所以这时的长度差是值。以此类推，信号线差值一定要小于这个值。 10、[问] 高速中的蛇形走线，适合在那种情况？有什么缺点没，比如对于差分走线，又要求两组信号是正交的？ [答] 蛇形走线，因为应用场合不同而具不同的作用： 如果蛇形走线在计算机板中出现，其主要起到一个滤波电感和阻抗匹配的作用，提高电路的抗干扰能力。计算机主机板中的蛇形走线，主要用在一些时钟信号中，如PCI-Clk,AGPCIK,IDE,DIMM等信号线。 若在一般普通PCB板中，除了具有滤波电感的作用外，还可作为收音机天线的电感线圈等等。如2.4G的对讲机中就用作电感。 对一些信号布线长度要求必须严格等长，高速数字PCB板的等线长是为了使各信号的延迟差保持在一个范围内，保证系统在同一周期内读取的数据的有效性（延迟差超过一个时钟周期时会错读下一周期的数据）。 如INTELHUB架构中的HUBLink，一共13根，使用233MHz的频率，要求必须严格等长，以消除时滞造成的隐患，绕线是惟一的解决办法。一般要求延迟差不超过1/4时钟周期，单位长度的线延迟差也是固定的，延迟跟线宽、线长、铜厚、板层结构有关，但线过长会增大分布电容和分布电感，使信号质量有所下降。 所以时钟IC引脚一般都接;” 端接，但蛇形走线并非起电感的作用。相反地，电感会使信号中的上升沿中的高次谐波相移，造成信号质量恶化，所以要求蛇形线间距少是线宽的两倍。 信号的上升时间越小，就越易受分布电容和分布电感的影响。 蛇形走线在某些特殊的电路中起到一个分布参数的LC滤波器的作用。 11、[问]在设计PCB时，如何考虑电磁兼容性EMC/EMI，具体需要考虑哪些方面？采取哪些措施？ [答] 好的EMI/EMC 设计必须一开始布局时就要考虑到器件的位置, PCB 叠层的安排，重要联机的走法， 器件的选择等。 例如时钟产生器的位置尽量不要靠近对外的连接器，高速信号尽量走内层并注意特性阻抗匹配与参考层的连续以减少反射，器件所推的信号之斜率(slew rate)尽量小以减低高频成分，选择去耦合(decoupling/bypass)电容时注意其频率响应是否符合需求以降低电源层噪声。 另外，注意高频信号电流之回流路径使其回路面积尽量小(也就是回路阻抗loop impedance 尽量小)以减少辐射， 还可以用分割地层的方式以控制高频噪声的范围，适当的选择PCB 与外壳的接地点。 12、[问] 请问射频宽带电路PCB的传输线设计有何需要注意的地方？传输线的地孔如何设置比较合适，阻抗匹配是需要自己设计还是要和PCB加工厂家合作？ [答] 这个问题要考虑很多因素．比如PCB材料的各种参数，根据这些参数建立的传输线模型，器件的参数等。 阻抗匹配一般要根据厂家提供的资料来设计。 13、[问] 在模拟电路和数字电路并存的时候，如一半是FPGA或单片机数字电路部分，另一半是DAC和相关放大器的模拟电路部分。各种电压值的电源较多，遇到数模双方电路都要用到的电压值的电源，是否可以用共同的电源，在布线和磁珠布置上有什么技巧？ [答] 一般不建议这样使用．这样使用会比较复杂，也很难调试。 14、[问] 您好，请问在进行高速多层PCB设计时，关于电阻电容等器件的封装的选择的，主要依据是什么？常用那些封装，能否举几个例子。 [答] 0402是手机常用；0603是一般高速信号的模块常用；依据是封装越小寄生参数越小，当然不同厂家的相同封装在高频性能上有很大差异。 建议你在关键的位置使用高频专用元件。 15、[问] 一般在设计中双面板是先走信号线还是先走地线？ [答] 这个要综合考虑．在首先考虑布局的情况下，考虑走线。 16、[问] 在进行高速多层PCB设计时，应该注意的问题是什么？能否做详细说明问题的解决方案。 [答] 应该注意的是你的层的设计，就是信号线、电源线、地、控制线这些你是如何划分在每个层的。 一般的原则是模拟信号和模拟信号地至少要保证单独的一层。电源也建议用单独一层。 17、[问] 请问具体何时用2层板，4层板，6层板在技术上有没有严格的限制？（除去体积原因）是以CPU的频率为准还是其和外部器件数据交互的频率为准？ [答] 采用多层板首先可以提供完整的地平面，另外可以提供更多的信号层，方便走线。 对于CPU要去控制外部存储器件的应用，应以交互的频率为考虑，如果频率较高，完整的地平面是一定要保证的，此外信号线要保持等长。 18、[问] PCB布线对模拟信号传输的影响如何分析，如何区分信号传输过程中引入的噪声是布线导致还是运放器件导致。 [答] 这个很难区分，只能通过PCB布线来尽量减低布线引入额外噪声。 19、[问] 近我学习PCB的设计，对高速多层PCB来说，电源线、地线和信号线的线宽设置为多少是合适的，常用设置是怎样的，能举例说明吗？例如工作频率在300Mhz的时候该怎么设置？ [答] 300MHz的信号一定要做阻抗仿真计算出线宽和线和地的距离；电源线需要根据电流的大小决定线宽，地在混合信号PCB时候一般就不用“线”了，而是用整个平面，这样才能保证回路电阻，并且信号线下面有一个完整的平面。 20、[问] 请问怎样的布局才能达到的散热效果？ [答] PCB中热量的主要有三个方面： 电子元器件的发热； P…

【2020 年 11 月 26 日 | 美国德州普拉诺】Diodes 公司今日宣布推出的 PI3WVR628 3 通道 2:1 切换器，尺寸仅 1.7mm x 2.4mm x 0.5mm。这款符合 MIPI® 标准的切换器，支援 CSI/DSI、D-PHY 和 C-PHY 模组的高速 (HS) 及低功耗 (LP) 连接。PI3WVR628 具备领先业界的小巧外形，适用于任何整合多个镜头模组的装置，像是智慧型手机、平板电脑、笔记型电脑及显示器。 消费性装置制造商不断整合更多镜头模组，对设计搭配 MIPI 模组的多工器需求不断增加，而可用的 PCB 空间依然有限。小巧的 PI3WVR628 缩小切换器的尺寸，以支援这种设计模式。 PI3WVR628 整合六个频宽为 6GHz 的单轴双切 (SPDT) 切换器，以控制叁个通道，分别为 D-PHY 模组时的两个资料通道与一个时脉通道，以及 C-PHY 模组的两个通道。它还有选择和输出功能，以便使用整合控制逻辑进行输入。 小巧的 PI3WVR628 对符合 C-PHY 标准的模组，可支援高达 3.5Gsps 的资料速率，而对符合 D-PHY 标准的模组可支援高达 4.5Gbps 的资料速率。小巧的 PI3WVR628 支援这两种格式以提供设计弹性，让制造商在使用任何一种介面时都能带来益处。 使用从 1.5V 至 3.6V 的电源运作时，PI3WVR628 的静态电流为 11μA (典型值)，而处于高阻抗模式时，降至最大 1μA。 现已上市的 PI3WVR628 采用 24-X1-LGA2417-24 (XB) 封装。 MIPI® 为 MIPI Alliance 的注册商标。

CEVA，全球领先的无线连接和智能传感技术的授权许可厂商宣布其RivieraWaves 低功耗蓝牙(Bluetooth®Low Energy(LE)) 5.2平台已获得蓝牙技术联盟(SIG)认证。作为第一家获得低功耗蓝牙 5.2认证的IP公司，CEVA可让获授权许可方降低其产品开发风险，加快产品上市速度和最终产品认证流程。 CEVA副总裁兼无线物联网业务部门总经理Ange Aznar表示：“我们很荣幸凭借RivieraWaves低功耗蓝牙 5.2平台再次成为世界上第一家通过蓝牙技术联盟(SIG)认证的IP供应商。蓝牙标准5.2版本引入了同步通道，可满足业界对高性能和低功耗无线耳塞以及其它音频外围设备(包括耳机、智能扬声器和条形音箱)日益增长的需求。我们将与获授权许可方合作，向市场推出更多CEVA使能的蓝牙设备。” 低功耗蓝牙上的同步通道(ISO)是低功耗Audio的基础。借助低功耗蓝牙 5.2支持的ISO，可以设置几个低延迟的同步通道，从而通过低功耗蓝牙将音频流传输到多个接收器，例如无线耳塞。与Classic Audio相比，功耗可以大大降低，并且带来更丰富的音频体验。新的LC3 CODEC带来了更高的音频质量，同时还可以通过“音频共享(Audio Sharing)”功能将音频流传输到无限数量的设备，使得人们在公共区域时可以从附近的电视或监视器中获取音频流。 CEVA的RivieraWaves蓝牙IP平台为低功耗蓝牙和蓝牙双模连接提供了全面的解决方案。每个平台均由一个硬件基带控制器和一个功能丰富的软件协议栈组成。这些平台具有灵活的无线电接口，可以配合RivieraWaves RF或各种合作伙伴的RF IP，从而实现弹性的代工厂和工艺节点选择。RivieraWaves蓝牙IP平台支持所有最新的蓝牙功能，包括LE Audio的同步通道ISO、测向(AoA / AoD)、随机广告信道索引、定期广告同步传输、GATT缓存和其他增强功能。迄今为止，RivieraWaves蓝牙IP平台已用于超过20亿台出货设备和数十家授权许可厂商，获得许多世界领先的半导体企业和OEM厂商广泛部署在消费产品和物联网设备中，包括智能手机、平板电脑、无线扬声器、无线耳机和耳塞、助听器和其他可穿戴设备。

宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年12月1日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，公司荣获印度电子科技杂志BISinfotech颁发的2020年度BIS卓越技术创新奖(BETA)。 年度BETA奖设立两个奖项：卓越奖和技术创新奖。卓越奖表彰以市场领先产品推动行业发展的电子半导体公司，技术创新奖授予采用先进电子半导体技术的产品和解决方案。今年，在卓越奖评选中，Vishay荣获“全球分立半导体和无源元件解决方案年度供应商”称号。 10月30日，BETA奖举行颁奖仪式。Vishay印度和南盟地区分销经理Vinod Tarale代表公司领奖。 Tarale表示：“创新需要刻苦努力、百折不挠、直面挑战、富于冒险精神。创新绝非易事，勇于创新者是真正的英雄。我倍感荣幸能够代表Vishay领奖。”

从1990年的2.7%至2010年的19.8%，中国制造业在全球的占比节节攀升，中国制造随处可见，庞大的体量铸就了“世界工厂”的地位。 随着制造产量的不断上升，提质增效成了制造的下一步。美国、德国等纷纷进入制造业的下一轮革命，中国制造的“排头兵”们也已接收到改革的信号，开始了拥抱科技的新路线，而中国制造业急需的是更大范围的数字化转型。 制造创新峰会（2021MIS）因势而谋，以促进行业发展为使命，携手不同产业，共同推进制造业的变革。 会议时间：2021.01.21 会议地点：上海 嘉宾范围覆盖工程机械、汽车及零部件、服装纺织、物流运输、核心信息技术等不同产业集群，或是数字化转型标杆企业代表；或是CDO、CIO、IT部门总监等技术发展推动者；或是创新生产部门、流程处负责人，多方对话、共同前行才能行稳致远。 峰会以数据互联·智造无界为会议主题，着重探讨制造产业互联、技术创新以及数据安全相关的议题，宏观分析与具体实践并重，为制造企业破解局面。 创新解决方案征集： 要制造更要智造。 传统的解决方案已经不足以满足行业转型需求，我们特此征集创新解决方案，以满足制造业的特殊行业性质。 我们需要创新的想法，更需要对症下药。 数据，从来不缺； 技术，自有积淀。 需要的，是连接。 当科技拥抱制造，1+1远大于2。 2021制造创新峰会已就位，只等各方登场。

分析好整个电路原理以后，就可以开始对整个电路进行布局布线，下面，给大家介绍一下布局的思路和原则。 1、首先，我们会对结构有要求的器件进行摆放，摆放的时候根据导入的结构，连接器得注意1脚的摆放位置。 2、布局时要注意结构中的限高要求。 3、 如果要布局美观，一般按元件外框或者中线坐标来定位(居中对齐)。 4、 整体布局要考虑散热。 5、 布局的时候需要考虑好布线通道评估、考虑好等长需要的空间。 6、 布局时需要考虑好电源流向，评估好电源通道。 7、 高速、中速、低速电路要分开。 8、强电流、高电压、强辐射元器件远离弱电流、低电压、敏感元器件。 9、 模拟、数字、电源、保护电路要分开。 10、 接口保护器件应尽量靠近接口放置。 11、 接口保护器件摆放顺序要求：(1)一般电源防雷保护器件的顺序是：压敏电阻、保险丝、抑制二极管、EMI滤波器、电感或者共模电感，对于原理图 缺失上面任意器件顺延布局;(2)一般对接口信号的保护器件的顺序是：ESD(TVS管)、隔离变压器、共模电感、电容、电阻，对于原理图缺失上面任意器件顺延布局;严格按照原理图的顺序(要有判断原理图是否正确的能力)进行“一字型”布局。 12、电平变换芯片(如RS232)靠近连接器(如串口)放置。 13、 易受ESD干扰的器件，如NMOS、 CMOS器件等，尽量远离易受ESD干扰的区域(如单板的边缘区域)。 14、 时钟器件布局：(1)晶体、晶振和时钟分配器与相关的IC器件要尽量靠近;(2)时钟电路的滤波器(尽量采用“∏”型滤波)要靠近时钟 电路的电源输入管脚;(3)晶振和时钟分配器的输出是否串接一个22欧姆的电阻;(4)时钟分配器没用的输出管脚是否通过电阻接地;(5)晶体、晶振和时钟分配器的布局要注意远离大功率的元器件、散热器等发热的器件;(6)晶振距离板边和接口器件是否大于1inch。 15、开关电源是否远离AD\DA转换器、模拟器件、敏感器件、时钟器件。 16、开关电源布局要紧凑，输入\输出要分开， 严格按照原理图的要求进行布局，不要将开关电源的电容随意放置。 17、 电容和滤波器件 ：(1)电容务必要靠近电源管脚放置，而且容值越小的电容要越靠近电源管脚;(2)EMI滤波器要靠近芯片电源的输入口;(3)原则上每个电源管脚一个0.1uf的小电容、一个集成电路一个或多个10uf大电容，可以根据具体情况进行增减; END 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

作者：piaolingtear 来源：http://blog.csdn.net/u011833609/article/details/46834203 本代码基于无操作系统的STM32单片机开发，功能强大，可申请到地址空间连续的不同大小的内存空间，且用户接口简单，使用方便。直接贴代码： memory.h： #ifndef __MEMORY_H__#define __MEMORY_H__ #include "stdio.h"#include "string.h"#include "includes.h"//用户使用typedef struct{    void    *addr;      //申请到的内存的起始地址    uint32_t size;      //申请到的内存的大小，按照块大小分配，大于等于申请大小    uint16_t  tb;       //申请表序号，申请内存时分配，释放内存时使用，用户不使用}DMEM; //若返回空，则申请失败DMEM *DynMemGet(uint32_t size);void DynMemPut(DMEM *pDmem); #endif //__MEMORY_H__ memory.c： #include "memory.h" #define DMEM_BLOCK_SIZE         256      //内存块大小为128字节#define DMEM_BLOCK_NUM          20       //内存块个数为40个#define DMEM_TOTAL_SIZE         (DMEM_BLOCK_SIZE*DMEM_BLOCK_NUM)    //内存总大小 typedef enum{    DMEM_FREE   = 0,    DMEM_USED   = 1,}DMEM_USED_ITEM; typedef struct{    DMEM_USED_ITEM   used;       //使用状态    uint16_t         blk_s;      //起始块序号    uint16_t         blk_num;    //块个数}DMEM_APPLY; typedef struct{    DMEM_USED_ITEM  tb_blk[DMEM_BLOCK_NUM];    DMEM            tb_user[DMEM_BLOCK_NUM];        //用户申请内存信息    DMEM_APPLY      tb_apply[DMEM_BLOCK_NUM];       //系统分配内存信息    uint16_t        apply_num;      //内存申请表占用数目    uint16_t        blk_num;        //内存块占用数目}DMEM_STATE; static uint8_t DMEMORY[DMEM_TOTAL_SIZE];static DMEM_STATE DMEMS = {0};DMEM *DynMemGet(uint32_t size){    uint16_t loop = 0;    uint16_t find = 0;    uint16_t blk_num_want = 0;    DMEM * user = NULL;    DMEM_APPLY *apply = NULL;        //申请内存大小不能为0    if(size == 0)               {   return NULL;    }    //申请内存不可超过总内存大小    if(size > DMEM_TOTAL_SIZE)  {   return NULL;    }    //申请内存不可超过剩余内存大小    if(size > (DMEM_BLOCK_NUM - DMEMS.blk_num) * DMEM_BLOCK_SIZE)   {   return NULL;    }    //申请表必须有空余    if(DMEMS.apply_num >= DMEM_BLOCK_NUM)   {   return NULL;    }        //计算所需连续块的个数    blk_num_want = (size + DMEM_BLOCK_SIZE - 1) / DMEM_BLOCK_SIZE;        //寻找申请表    for(loop = 0; loop < DMEM_BLOCK_NUM; loop++)    {        if(DMEMS.tb_apply[loop].used == DMEM_FREE)        {            apply = &DMEMS.tb_apply[loop];                  //申请表已找到            user = &DMEMS.tb_user[loop];                    //用户表对应找到            user->tb = loop;                                //申请表编号记录            user->size = blk_num_want * DMEM_BLOCK_SIZE;    //分配大小计算            break;        }    }        //没有找到可用申请表，理论上是不会出现此现象的，申请表剩余已在上面校验    if(loop == DMEM_BLOCK_NUM)  {   return NULL;    }        //寻找连续内存块    for(loop = 0; loop < DMEM_BLOCK_NUM; loop++)    {        if(DMEMS.tb_blk[loop] == DMEM_FREE)        {//找到第一个空闲内存块            for(find = 1; (find < blk_num_want) && (loop + find < DMEM_BLOCK_NUM); find ++)            {//找到下一个空闲内存块                if(DMEMS.tb_blk[loop + find] != DMEM_FREE)                {//发现已使用内存块                    break;                }            }            if(find >= blk_num_want)            {//寻找到的空闲内存块数目已经够用                user->addr = DMEMORY + loop * DMEM_BLOCK_SIZE;  //计算申请到的内存的地址                apply->blk_s = loop;                            //记录申请到的内存块首序号                apply->blk_num = blk_num_want;                  //记录申请到的内存块数目                for(find = 0 ; find < apply->blk_num; find++)                {                    DMEMS.tb_blk[loop + find] = DMEM_USED;                }                apply->used = DMEM_USED;                        //标记申请表已使用                DMEMS.apply_num += 1;                DMEMS.blk_num += blk_num_want;                                return user;            }            else            {//寻找到的空闲内存块不够用，从下一个开始找                loop += find;            }        }    }        //搜索整个内存块，未找到大小适合的空间    return NULL;} void DynMemPut(DMEM *user){    uint16_t loop = 0;    //若参数为空，直接返回    if(NULL == user)    {   return; }        //释放内存空间    for(loop = DMEMS.tb_apply[user->tb].blk_s; loop < DMEMS.tb_apply[user->tb].blk_s + DMEMS.tb_apply[user->tb].blk_num; loop++)    {        DMEMS.tb_blk[loop] = DMEM_FREE;        DMEMS.blk_num -= 1;    }    //释放申请表    DMEMS.tb_apply[user->tb].used = DMEM_FREE;    DMEMS.apply_num -= 1;} 免责声明：本文来源网络，免费传达知识，版权归原作者所有。如涉及作品版权问题，请联系我进行删除。 5、最后 以上就是本次的分享，如果觉得文章不错，转发、在看 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

中国，2020年12月10日——产品阵容不断扩大的意法半导体抗辐射加固(rad-hard)型集成功率产品新增一款QML-V认证7A负载点(PoL) DC/DC变换器。意法半导体的抗辐射加固功率产品具有能效高、适合要求非常苛刻的空间应用的特点。 RHRPMPOL01是一款功能完整的PoL电流变换器，组件包括N沟道功率MOSFET和自举二极管，具有欠压、过压、过热和可配置过流等保护功能，采用密封紧凑的Power FLAT-28A陶瓷封装，结至外壳的热阻非常低，可以最大程度地提高散热效率。 这款认证器件符合微电路图(SMD) 5962-28208标准，抗辐射加固保证等级(RHA)高达100krad(Si)电离总剂量，单粒子锁定(SEL)和单粒子快速反向(SESB)阈值高达70Mev.cm2/mq。单粒子翻转(SEU)和单粒子功能中断(SEFI)标定在7V工作电压。 RHRPMPOL01支持同步操作和电流共享，使其成为FPGA、微处理器和ASIC等最苛刻负载的理想配套芯片。同步操作功能允许对多个PoL点进行移相处理，把应用板卡的峰值电流和变换器输出纹波降至最低，确保输出高精度的电流。同步功能让变换器可以使用独立的输出引脚为需要不同电压值的负载供电，还可以把输出引脚连在一起，利用高精度的电流共享功能驱动大电流负载。 RHRPMPOL01的最大绝对额定电源电压高达14V，输入电压范围3.0V至12V，输出电压在0.8V至输入电压值的85%之间可调。最低0.8V的输出电压允许转换器为低电源电压的先进设备供电。 峰值电流模式控制配合外部组件，可以使RHRPMPOL01轻松地保持稳流输出，并确保负载瞬态响应快速。开关频率可以设定在100kHz至1MHz之间，可设置的软启动时间和延迟均允许设计人员限制涌流。使能引脚可简化电源排序，电源良好引脚可报告有关输出电压状态的实时信息。 意法半导体的BCD6s SOI工艺技术可输出极佳的的抗单粒子效应，整合了该项技术的RHRPMPOL1，在产品研发过程中得到了欧洲航天局(ESA)和法国航天局CNES的技术支持。 RHRPMPOL01现已经投产，配套开发生态系统资源丰富，其中包括EVAL-RHRPMPOL01评估板和用户指南、PSpice模型，以及包括辐射报告在内的文档。询价，索取样片，请联系意法半导体当地办事处。

总体 vs. 硬件 PCB：“尼玛，你又要改方案？兄弟我才把器件布局好。” 总体：“原来的方案真的要变，考虑到散热，需要改封装。你现在的布局需要修改啊！” PCB：“这板子根本布局放不下去！” 总体：“我自己放过了，可以的。” PCB：“你考虑过走线吗？这么布线需要多层板，要埋盲孔。” 总体：“不能使用多层板，要考虑到成本。现在做板子的钱还不能够报销。” PCB：“You Can You Up, No Can No BB.” 总体：“你不服，咋地？” 机械结构 vs. 硬件 结构：”如果车模上的结构可以随意变大，我难道不会给你搞个足够大的吗？” PCB：”如果电路元器件都像搭积木一样随便积极，我不会给你搞个足够小的吗？” 结构：”听说你们PCB设计，跟那乳沟一样，挤挤就有了。你克服一下。” PCB：“你…..我…….” 软件 vs. 硬件 软件：“你这电路板有问题，调不通！” 硬件：“毛？你最好重查你的代码，绝逼有错！” 软件：“屁！就那么点代码还能出错？” 硬件：“扯！这条线路总共就几条线，我都查过了好几遍，有错我能不知道？” 软件：“别和老子扯犊子。就是你电路有问题。” 硬件内心：“滚！我送你离开，千里之外。” 总体 vs. 硬件 总体：“你选的这个电源方案怎么样？” 硬件：“性能没问题，面包板上测试过了。” 总体：“好！把它布局在30×15mm的电路板内！” 硬件：“布不下，需要考虑到器件散热和干扰问题。” 总体：“别瞎BB。如果布不下，就把你布进去！快点。” 硬件：“It is up to you!”  热设计 vs. 硬件 硬件：“我们刚刚出了一个新方案，你帮助再热仿真一下吧。” 热设计：“过不了！” 硬件：“你仿过了吗？” 热设计：“我用脑袋仿过了。你过不了，需要降规格！” 硬件：“你是不是非要哥哥我用热风枪给你脑袋加热你才能仿那？” 热设计：“你这个散热过不了。” 硬件：“你就加一个散热器呀。” 热设计：“你这个尺寸，散热器标准库中没有合适的呀。” 硬件：“加个铜皮不就可以吗？” 热设计：“铜皮？库里面更没有了，我怎仿那？” 采购 vs. 硬件 PCB：“终于盼到器件买回来了。我把器件的封装建好，刚刚布完了线。” 采购：“商家说原来封装的器件没了，我就买回来另一个封装同型号的。” PCB：“大哥，换封装，你就不能早告诉我一声？” … vs. X vs. Y vs. Z vs. … 领队：“你这个EMC措施太复杂！这么多防护和步骤，现场比赛很容易出问题。” EMC：“没办法。不搞这么多，干扰无法解决。这主要是PCB结构设计有问题，器件拥挤，方位错乱。” PCB：“如果我能够有足够空间布板的话，我才不会费劲将这些器件拥挤在一起呢。这主要是机械结构给我留的空间太小了!” 结构：“车模就那么大，还需要放那么多的传感器。哪有空间留给你布电路板那？这主要是设计传感器的问题，非要安装这么多传感器及其支架，少一点不行吗？” 传感器：“就这些传感器，搞控制算法的还嫌不够呢！本来还可以通过选择小的传感器减低体积，但搞算法的嫌弃小的传感器精度不够啊！” 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

2020 年 12 月 16 日，日本东京/中国长春讯 – 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团与先进汽车制造商中国第一汽车股份有限公司(FAW)宣布，于2020年12月1日在中国长春成立了联合实验室，展开深度合作，助力中国一汽打造其智能驾驶自主开发平台，共同开发自动驾驶、智能座舱、动力总成、车身控制等车载电控系统解决方案，并将首先应用于一汽旗舰品牌红旗车型中。 一汽致力于开发符合未来网联化、自动化、服务化、电动化需求的下一代智能网联车型，以车规级中央计算单元为基础，打造智能驾驶开发平台，不断提升自主研发能力。瑞萨电子不仅在半导体的性能和可靠性方面值得信赖，而且在如今备受关注的智能出行解决方案方面也拥有行业前瞻力和雄厚技术实力。此次双方建立联合实验室，基于瑞萨RH850 MCU、R-Car SoC等数字芯片，以及功率器件、PMIC等模拟芯片，为一汽提供符合功能安全，信息安全等汽车行业标准的集成式产品方案，并深入参与，共同开发一汽红旗控制器平台。 瑞萨电子汽车解决方案事业本部高级副总裁、瑞萨电子中国董事长真冈朋光表示：“瑞萨自2006年起就与中国代表性自主品牌一汽集团建立起长期的技术合作关系，是最早与中国进行技术合作、IP共享的全球半导体解决方案供应商。此次，双方在长期互信合作的基础上建立联合实验室，我感到非常荣幸。我相信双方将进一步深化合作，并共同推动中国汽车产业技术的创新发展。” 中国一汽研发总院副院长、智能网联开发院院长李丹表示：“一汽致力于强化新型智能网联车的自主研发。此次与拥有卓越技术积累的瑞萨进行深度合作，无疑将丰富我们智能驾驶开发平台的选型空间，加强我们针对中国汽车消费场景定义汽车架构及需求的能力。希望联合实验室担负起控制器开发领域的技术研究与成果转化任务，力求为用户带来极致驾乘体验。”