《商业周刊》网络版周三刊文指出，AT&T、Verizon和T-Mobile三家移动运营商正在筹建移动支付平台，这是美国历史上移动运营商进行的最大规模的移动支付系统推广行动，不久的将来有望取代美国市场上的10多亿张银行卡。 　　智能手机可能迅速取代美国市场上的10多亿张信用卡和借记卡，知情人士称，AT&T、Verizon和T-Mobile计划成立一家合资公司，开发移动支付系统。毫无疑问，这将对维萨(Visa)和万事达(MasterCard)构成严重威胁。 　　知情人士称，上述三家移动运营商计划在亚特兰大等四座美国城市的商场部署该套系统。尽管具体的时间尚未透露，但这将是美国历史上最大规模的推广移动支付系统行动。加州Crone咨询公司顾问理查德·克洛恩(Richard Crone)称：“运营商是处理支付方面的行家，这绝对是一场打破格局的行动。” 　　通过该服务，用户只要将手机对准商场的电子识别设备即可完成支付。交易将通过美国第四大支付网络Discover金融服务公司(DFS)进行处理，而伦敦巴克莱银行(Barclays)将帮助管理帐户。 　　对于零售商而言，由于与维萨和万事达在交易费用上存在分歧，他们可能更急于部署竞争对手的网络服务。代表沃尔玛、家得宝和Target等商家的零售业领导人协会(RILA)发言人布莱恩·道奇(Brian Dodge)称：“我们一直认为，当前的支付市场缺乏真正的竞争。安全可靠的竞争网络的出现，可以满足消费者对移动支付系统的需求，并削减零售商的成本费用，这一系统的出现是个好消息。” 　挑战重重 　　波士顿联邦储备银行此前曾在一份报告中称，新的支付系统可能面临一系列障碍，从而阻止其迅速普及。该报告称：“在获得足够商家支持前，消费者不会急于使用移动支付系统。而在消费者认可移动支付之前，商家也不会轻易部署该系统。” 　　报告还称，为部署电子识别设备，商家每台要付出约200美元。此外，升级手机，在手机中嵌入芯片，将导致每部手机成本增加10美元至15美元。如果允许通过识别设备向用户手机发送促销信息，也许会对商家产生吸引力。 　　此外，维萨和万事达也正投资打造自己的移动支付系统。多年来，万事达一直与全球多个国家的运营商、手机厂商和银行合作，开发移动支付技术。万事达CEO彭安杰(Ajay Banga)本周二曾表示，尽管目前移动支付模式尚未普及，但对其未来充满信心。  　　支付趋势 　　由于越来越多的消费者开始放弃使用纸币和支票，转而使用银行卡和电子支付，这让维萨和万事达受益匪浅。调研公司尼尔森数据显示，对于美国个人消费者，他们通过银行卡和电子支付进行的消费额占总消费额的50%以上。 　　去年，美国消费者通过银行卡消费的总金额为3.1万亿美元，而维萨和万事达处理了2.45万亿美元，占79%。波士顿咨询公司Mercatus预计，在未来5年内，50%以上的美国消费者将使用移动支付。对于18岁至34岁年龄段人群，使用该服务的比例将高达80%。 　

      德州仪器（TI）周一宣布，公司成为第一家ARM授权使用下一代Cortex-A系列处理器的公司，这款芯片被称为“Eagle”，拥有较上一代更强大的性能和仅为0.25W的功率，采用28-22nm制程。       Tolbert说，这种双核芯片将给移动设备带来1080p高清视频重放等功能。这种处理器的时钟速度最多可达到1GHz，耗电量比它以前的产品减少50%。       Tolbert说，这种芯片的许多改进来自于在OMAP4430芯片中采用的一种新的处理器设计。这种芯片以ARM最新的Cortex-A9处理器设计为基础。而德州仪器以前的OMPA3芯片是以Cortex-A8处理器设计为基础的。例如，摩托罗拉最近发布的Droid X手机就是采用基于Cortex-A8设计的Cortex OMAP3630处理器。       配置这种双核芯片的设备将能够播放10个小时的1080p高清视频，而配置Cortex OMAP3630处理器的设备只能播放4个小时的720p视频。新的双核芯片能够播放15个多小时的720p视频。       德州仪器正在准备让这种双核芯片在今年晚些时候开始应用在设备中。但是，Tolbert不愿意说出采用这种芯片的客户的名字。摩托罗拉过去曾说它打算在未来的智能手机中采用双核芯片，但是，没有提供发布这种设备的日期。       OMAP4430芯片将采用45纳米工艺制造。但是，德州仪器打算在将来事业28纳米工艺生产这种芯片。这将进一步改善这种芯片的节能性能。       德州仪器在2009年6月签署授权协议，并一直在协助ARM开发其低功耗的SoC芯片。不过目前TI并没有公布使用Eagle ARM核心的产品。       TI和ARM早在1993年就开始合作，其合作产物OMAP1510在市场上长盛不衰，大量Windows CE和Symbian设备采用，目前最新成果1GHz的OMAP处理器正在被摩托罗拉Droid X使用。       将被授权使用Cortex-A芯片的厂商还有苹果、高通、三星等智能手机、平板和芯片厂商。       德州仪器OMPA智能手机业务部门产品管理经理Robert Tolbert说，这种名为OMAP4430的芯片将提供比目前的OMAP3系列芯片强大一倍的性能。这种芯片将使应用程序在移动设备上运行的速度更快。  

　　9月25日消息，据国外媒体报道，日立公司24日宣布，该公司已经成功研发出融合了触摸面板及液晶面板特性于一体的新型触摸液晶显示屏。新型触摸液晶显示屏在厚度上较市场原有显示屏变薄了30%，上述新型显示屏计划在2011年下半年开始实现量产，预计将广泛应用于更轻薄的移动手机以及新型智能手机当中。 　　新型显示屏厚度从原有老式显示面板的2毫米厚度减少到1.5毫米以下，原有显示屏的触屏部分厚度也从0.5毫米减少到0.1毫米的程度。由于把以前分开独立编排生产的液晶面板与触摸面板结合在一体进行生产，从而成功地去除掉生产触摸面板时必需的玻璃基板之类的零部件，降低了显示面板的厚度。 　　另一方面，由于触屏变薄，如果错误操作很容易引起电磁噪音，此次新型显示面板采用了设置抑制电磁噪音装置的新技术，有效消除了液晶面板生成的电磁噪声酿成的干扰，同时在触碰显示屏时，使得检测误差控制在正负1毫米以下的程度。

　　据国外媒体报道，传闻称，苹果的iPhone 5（iPhone 5G）智能手机将会变得更加轻薄，运行也将更加快速。 　　现如今，iPhone 4已经在全球各地大卖，外界对于iPhone 5的好奇心也就越发强烈。今天，为大家总结了下，具体如下： 　　1、iPhone 5的发布日期是夏天 　　按照苹果的惯例，该公司会在6月底或者是7月初对外发布iPhone的新机型。因此，iPhone 5的发布日期也很有可能会定在6月底或者7月初。 　　2、iPhone 5的发布日期可能会提前 　　来自iLounge网站的消息称，由于iPhone 4智能手机存在天线问题，苹果iPhone 5智能手机的发布日期将会提前，很有可能会被定于2011年1月份。 　　3、iPhone 5规格中很有可能会包含一个数字钱包 　　种种揣测认为，苹果很有可能会在iPhone 5中添加近距离无线通讯（NFC）技术，使其变成一种借记/信贷卡。 　　不过，Techeye.net网站指出，苹果公司早前就已经研究过近距离无线通讯（NFC）技术，但是并未成功。由此看来，iPhone 5中是否会包含数字钱包功能还尚未可知。 　　4、苹果很有可能推出Verizon版iPhone 5 　　长期以来，外界一直盛传苹果将会推出Verizon版iPhone智能手机，如今这一传闻即将变成现实。 　　消息称，苹果很有可能会在iPhone 5中采用高通的芯片组，而高通则负责美国地区的Verizon和Sprint的CDMA网络。 　　虽然目前尚未确定苹果是否会推出Verizon版的iPhone 5智能手机，但是Slashgear称双模芯片组将会使得iPhone 5之于Verizon网络更加友好。 　　5、iPhone 5的规格将与iPhone 4相似 　　来自中国经济日报的消息称，iPhone 5的基频芯片组供货商由英飞凌改为高通，但是其规格与iPhone 4相似。 　　6、iPhone 5的规格将进化，但不是革命性的 　　外界用户预计，iPhone 5的基本规格将会有质的飞跃：更多的内存、更快的处理器、更多的存储空间。而根据DVICE的内部报价单显示，iPhone 5将会配备一个新的天线、一个1.2GHZ的处理器、一个更大的显示屏（由3.5英寸上升至3.7英寸）。 　　7、iPhone 5的规格将包含LTE支持 　　外界分析师认为，苹果iPhone 5将会添加LTE支持，也就是极高速的移动宽带支持，这将使得iPhone 5成为苹果的首个4G手机。按照AT&T的计划，该公司将于2011年推出LTE服务。 　　目前，HTC的Evo手机在美国地区已经率先成功地利用了4G移动宽带。 　　8、iPhone 5的价格将不会改变 　　如果iPhone 5较iPhone 4有着革命性的改变（就像是iPhone 3GS较iPhone 3那样），那么它的价格很有可能会有所上浮，但是事实显然并非如此。外界分析师认为，苹果iPhone 5智能手机的价格将会与iPhone 4持平，但由于增值税上浮的影响，英国地区的iPhone 5价格很有可能会上升。

　　根据分析暨咨询顾问公司Ovum的分析，LTE在2012年后将步上正轨，预计到了2015年将有超过3亿个用户，占全球整体31亿6千1百万个行动宽带上网用户的9.5%。现有技术如TD-SCDMA、TD-HSPA、HSPA、EVDO以及WiMAX都有机会升级为TD-LTE。 　　Ovum亚太区研究院士暨咨询总监张智华表示：中国行动电信产业的竞争非常激烈，中国的TD-SCDMA国家标准需要长时间的充分发展，所以需要其他生态系统的利益相关者积极参与TD的持续发展。 　　中国移动正和它的合作伙伴Verizon和Vodafone一同计划TD-LTE的大型网络测试和端对端的业务商业化。许多欧洲，美国和亚洲的营运商（例如Clearwire、NTT DoCoMo、Softbank、Orange等）都加入了他们的行列。中国移动已经获得工业和信息化部（MIIT），芯片组（例如设计FDD / TDD的芯片组的高通QualComm）、网络设备、终端设备和行动装置等国际大厂的支持。目标是共同努力缩短与FD-LTE的差距。 　　海峡两岸合作打造TD-LTE的价值链和生态系统的综效将会加速这一进程。海峡两岸经济合作架构协议（ECFA）的贸易框架消除了中国大陆和台湾之间的双边贸易障碍。这将有助于加速协力创造TD的价值链和经济规模 ─ 利用台湾成熟的芯片组、终端设备和系统ODM / OEM能力，并透过大陆供货商和劳动市场的支持发展中国巨大的移动TD-SCDMA市场商机。 　　台湾已经展示它在全球WiMAX价值链的独到实力。它们提供全球近80%的WiMAX设备。台湾经济部最近宣布未来4年内投资2.2亿美元继续推动WiMAX产业的发展。TD-LTE和WiMAX有很多共通的核心技术。 　　其他TD-LTE的关键成功因素列举如下： 　　需要中国政府明确的电信频谱政策和计划来支援中国内地尽早推出TD-LTE的商用 　　台湾政府需要对TD–LTE有更明确的政策和资金支持 　　在手机方面，需要低阶和中阶的TD智能型手机或终端设备的大量普及；和兼容TD/FD的终端设备；确立「voice over LTE」的标准，尽早推出基于语音通话为核心的手机，帮助TD-LTE在新兴市场的部署，创造不同价值定位的服务和产品。 　　尽早启动ECFA后续的详细贸易措施，和中国营运商发展台湾市场的对等贸易协定，以深化两岸合作 　　中国内地（例如基础电信营运的自由化）和台湾（例如第一类电信和第二类电信规范的自由化）的电信监管改革；以及资源管理等相关监管议题 （例如电信编码）的改革；基础设施的共享等等，大力推动基于电信基础设施与电信业务的竞争。

　　为了让现今的无线蜂窝网络满足日益增长的无线数据处理需求，全球加速向LTE/4G迁移的趋势已经日益明显。LTE或3.9G通过采用更有效的传输技术来提升数据速率，下一步，4G要提升到更高数据率，LTE、4G基础设施给半导体供应商提出的挑战是要用数字信号处理器（DSP）来满足更高的数据处理需求，这些新型DSP的性能要比我们今天所用的DSP高出几个数量级！ 　　全球移动设备供应商协会（GSA）2010年4月的报告指出，全球已有31个国家承诺将部署64个LTE网络，预计到2010年底将有22个LTE网络交付使用，截止2011年年底将有39个或更多LTE网络交付使用；总计88个运营商已经承诺将在42个国家部署LTE系统，有的已经开始进行测试或进行其他规划活动。 　　半导体产业商机巨大但挑战并存，LTE的性能需求是现今3G网络性能需求的100到1000倍！相比目前在3G使用的CDMA无线技术，LTE采用的OFDMA技术采用多天线信号处理可以实现更高的频谱效率，并可以支持更宽的频谱。不过，OFDMA技术也更为复杂，需要的计算量比CDMA技术大得多。如图1所示，从GSM迁移到UMTS/HSDPA再迁移到LTE，计算量需求要提升4、5个数量级――从大约10个MOPS（每秒百万次运算）提高到10万甚至1百万MOPS，如此才可以提供LTE所要求的10到100 Mbps数据传输性能。 　　 　　图1、从GSM迁移到UMTS/HSDPA再到LTE，计算量需求要提升4、5个数量级。 　　LTE还采用了先进的多天线信号处理技术，涉及到两种最流行的技术MIMO（多输入多输出）编程和波束形成，同样，这也都是高度密集计算型应用，需要新一代优化的专用DSP解决方案。  

　　北京时间11月18日早间消息，东芝半导体业务主管小林清志表示，东芝将关闭一些较老的工厂，并外包一些半导体制造工作，以提升效率。东芝目前是全球第二大闪存芯片厂商。 　　小林清志表示，东芝将在下月底之前关闭位于日本中部四日市的2号工厂，停止生产用于存储卡等产品中的低端芯片。东芝还将于明年外包一些逻辑芯片的生产，以削减成本。东芝半导体业务目前仅仅维持盈亏平衡。 　　小林清志从5个月前开始负责东芝的半导体业务。东芝目前致力于为苹果iPhone等智能手机生产存储芯片，而此次的举措是这一战略的一部分。iSuppli预计，全球市场闪存芯片的销售明年将增长25%，至225亿美元。   　　小林清志表示：“2011年，市场对闪存芯片的需求将保持稳定。目前的挑战在于如何更多地销售高利润率产品。”今年到目前为止，东芝股价已经下跌18%，高于日经225指数7%的跌幅。 　　东芝2号工厂的约1000名员工将被转移至其他部门，包括一个正在建设中，将于明年夏季投入使用的工厂。东芝四日市工厂主要生产8英寸硅片，于1996年投入生产。 　　东芝此前计划在明年6月之前关闭这一工厂，不过小林清志决定将关闭日期提前至12月底。东芝最早将于下一财年外包下一代系统LSI芯片的生产。东芝表示，系统LSI芯片对今年东芝芯片业务1.2万亿日元总销售额的贡献将达到30%。

　　昨天，LG电子宣布该公司将实施大规模重组计划，明年将撤销商业解决方案部门，将部门总数降至4个，并且用韩国人替换全部5名外籍高管。据悉，由于本财年净利润下滑，LG电子不得不面临改进运营效率的压力。 　　根据外媒报道，LG电子发言人Oh Sea-chun称，所有的5名外籍高管将全部离开。负责营销、采购和供应链管理的3位首席官员的工作合同将不再续约。人力资源和战略方面的两位首席官员的工作合同将提前取消。据悉，今年9月份，因业绩经营不善，LG公司前任CEO南镛引咎辞职，接任南镛的是LG集团创始家族成员具本俊。LG此举意在增强在新的首席执行官领导下的内部控制。LG方面昨天还表示，将撤销商业解决方案部门，并将重点放在提升高技术开发和加强新业务上。

　　随着全球汽车产量的不断提高，汽车尾气对环境的污染日趋严重，各国研究人员一直在寻找治理汽车尾气的方法。而美国研究人员正在开发一种发电机，它可以使汽车“吃掉”自己排放的尾气。 　　据美国《大众科学》杂志近日报道，美国普渡大学的研究人员正与通用汽车联合开发一种利用温差产生电流的热能发电机，这种发电机可将汽车尾气中的热量转化成电能，从而达到“吃掉”汽车尾气的目的，并节省燃料。 　　从今年1月份开始，这个研发团队一直设法在汽车三元触媒转换器后安装一个由金属芯片构成的初始模型，该模型可以从温度高达700摄氏度的废气中收集热量。 　　领导这项研究的普渡大学机械工程系教授徐先凡解释说，因为热能转化为电能的过程中会出现巨大的温差，而且只有使这种温差持续才能产生电流，所以这种金属必须能够经受住巨大的温差——一面要接触高温气体被加热，而另一面则必须保持低温。 　　研发团队目前最大的挑战之一是寻找一种导热很差的金属，这样汽车尾气中的热量就不会从一面传到另一面了。 　　通用汽车的研究者们目前正在测试一种名为“方钴矿”的金属，它是含有钴、砷化物、镍和铁的混合物，如再加进含铈的稀土元素合金，还可使这种方钴矿的导热性再次降低。 　　热电转化技术不仅可以为车辆提供电力，还可对家庭和发电场的废热进行回收利用，以及用于新型太阳能电池。 　　美国国家科学基金和能源部已向该项目提供了总额达140万美元的资金支持。

　　１　引言 　　电力系统中大功率电力电子装置的开关元件主要是晶闸管和ＧＴＯ。但是，随着近年来双极功率晶体管及功率的问世以及生产技术的成熟，这些开关元件凭借自身优越的性能逐渐替代了晶闸管和ＧＴＯ，并朝着节能、轻便、小型化的方向迅速发展。ＩＧＢＴ－ＩＰＭ？Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ Ｐｏｗｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ）智能模块正是其中的代表之一，它将ＩＧＢＴ单元、驱动电路、保护电路等结合在一个模块之中，利用这些优越的特性可极大地提高实际应用系统的稳定性？同时可简化设计的难度？缩小装置的体积。 　　２　ＩＧＢＴ智能模块的主要特点 　　与过去ＩＧＢＴ模块和驱动电路的组合电路相比，ＩＧＢＴ－ＩＰＭ内含驱动电路且保护功能齐全，因而可极大地提高应用系统整机的可靠性。本文将要介绍的是富士电机最新推出的Ｒ系列ＩＰＭ智能功率模块７ＭＢＰ１００ＲＡ－１２０的主要特点和使用情况。它除了具有体积小、可靠性高、价格低廉等优点以外，还具有以下主要功能： 　　●内含驱动电路。该模块同时具有软开关特性，可控制ＩＧＢＴ开关时的ｄＶ／ｄｔ和浪涌电压；用单电源驱动时，无需反向偏压电源；并可防止误导通。关断时，ＩＧＢＴ栅极低阻抗接地可防止噪音等引起ＶＧＥ上升而误导通；模块中的每个ＩＧＢＴ的驱动电路都设计了最佳的驱动条件。 　　●内含各种保护电路。每个ＩＧＢＴ都具有过流保护（ＯＣ）、负载短路保护（ＳＣ）、控制电源欠压保护（ＵＶ）和过热保护（ＯＨ）等功能。 　　●内含报警输出功能。当出现上述保护动作时，可向控制ＩＰＭ的微机系统输出报警信号。 　　●包含有制动电路。内含制动单元的ＩＰＭ模块，用此单元可以抑制ＰＮ端子间的电压升高。 　　图１为该ＩＧＢＴ－ＩＰＭ智能模块的内部结构图，图中的前置驱动部分包括驱动放大、短路保护、过流保护、欠压闭锁、管心过热保护等功能电路。图中，各个引脚和端子的标号列于表１。 　　表1 IGBT-IPM智能模块的脚及端子标号 端子标号 内     容 P,N 经过整流变换平滑滤波后的主电源Vd的输入端子。P：+端，N：-端 B 制动输出端子：再生制动电阻电流的输出端子。不用时，建议接到P或N上 U，V，W 模块的3相输出端子 (1)GND U,(3)Vcc U U相上臂控制电源Vcc输入。Vcc U:+端；GNDU：-端 (4)GND V,(6)Vcc V V相上臂控制电源Vcc输入。Vcc V:+端；GNDV：-端 (7)GND W,(9)Vcc W W相上臂控制电源Vcc输入。Vcc W：+端；GNDW：-端 （10）GND，（11）Vcc 下臂公用控制电源Vcc输入。Vcc：+端；GND：-端 （2）U，（5）V，（8）W 下臂U，V，W相控制信号输入 （13）X，（14）Y，（15）Z 下臂X，Y，Z相控制信号输入 （12）DB，（16）ALM DB为下臂相控制信号输入，ALM为保护电路动作时的报警信号输出