iPhone（手机上网）从2007年推出后，经历三年的市场磨练，成为名副其实的全触控手机之王，苹果也仅以这一款手机之力在北美市场“兴风作浪”，令RIM和Palm这些老对手不敢有丝毫怠慢。 　　iPhone快速占领市场的一个重要砝码是技术和设计上的革新，比如多点触控、开创性的UI和操控方式等等。三年来，iPhone产品已经发展到第五代，但是技术上的革新却显得有些“小气”。iPhone凭什么继续引领市场潮流？通过最新曝光的专利图纸，让我们来揭秘iPhone OS未来的5大新技术。 　　一、实景识别技术 　　这项技术与诺基亚最近也在测试的“Point & Find”相似，手机可识别现实中的事物，并反馈响应的信息。说起来有些复杂，举个例子，如果你将手机对准前面的一辆宝马汽车，摄像头捕获真实场景中的图像后，可以快速反馈给你这款汽车的具体型号、价钱等信息。 　　 　　图纸中iPhone这项实景识别技术可以通过摄像头识别、射频或者条码扫描来获取原始信息。同时，用户可以设定不同的场景模式，比如在博物馆、餐馆或者电子产品商店等等。  

　　中国8亿多手机用户中，95%还没有用上3G，而电信运营商们已经瞄准了4G。 　　工业和信息化部近日正式批复同意TD-LTE规模试验总体方案，将由中国移动主导在上海、杭州、南京、广州、深圳、厦门6个城市组织开展TD-LTE规模技术试验，相关工作预计将在今年一季度正式启动。 　　“中移动现在迫切推动TD-LTE，是希望在4G格局确定之前，形成有利的形势。”电信分析师付亮表示，移动希望通过自己的积极推进，吸引巨头加入，形成良性循环。 　　根据规划，TD-LTE规模试验将以形成商用能力为目标，通过进一步扩大部署和应用的规模，进而实现端到端产品达到规模商用的成熟度。另外一个重要目的是带动国际运营商选择和部署TD-LTE。 　　与3G时代初期TD-SCDMA的“孤军奋战”不同，中移动有望在向4G演进的过程中，通过TD-LTE在国内的先发优势拉到更多的同盟方。 　　中移动6城市抢跑 　　由于中国3G起步较晚，自主TD-SCDMA标准相对于其他3G标准缺少产业链的支持，导致发展难度更大，运营商也只有中移动一家。因此，中移动迫切希望在4G时代扭转这一局面。 　　据移动方面介绍，当前正值全球选择和部署4G移动通信技术的关键阶段，我国启动TD-LTE规模试验将影响和带动国际运营商选择TD-LTE，从而有望形成TD-LTE在全球应用和部署的产业新格局。 　　据统计，目前明确表示有意或计划采用TD-LTE的国际运营商已有十多家，其中日本和印度的两个新兴运营商已确定2011年部署商用，沃达丰、SKT等已开始TD-LTE试验网建设。 　　2010年11月，波兰运营商AERO2宣布启动TD-LTE产品商业选型工作，并将在2011年部署和商用TD-LTE网络，成为全球第一个TD-LTE商用部署计划。另外，全球已经建设了15个TD-LTE试验网，还将有9个试验网在2011年初建成。 　　“TD-SCDMA只有移动一家做，TD-LTE有海外运营商支持的原因主要有三点。”中移动内部人士表示，第一是因为LTE的两个演进方向TDD和FDD在设备芯片等方面可以共享；第二是因为在一些频谱资源稀缺的国家，选择TDD成为新兴运营商的出路；第三是TD-LTE相对来说具有非对称传输的优势，更适应数据业务的需求。 　　付亮认为，移动做LTE的时间比较早，并没有以前像3G时代的TD与WCDMA等成熟标准之间那么大的时间差。  

　　意法半导体公司推出一系列惯性传感器，极具诱惑力的价格配合卓越的产品性能，让意法半导体迅速扩大了在消费电子MEMS传感器市场的份额。公司在MEMS技术特性上实现了两全其美：更小尺寸、更低价格、更高性能、更多功能（技术推动）与更具创新力的设计方法（设计推动的创新） ，使最终的MEMS器件更适合消费电子市场的需求［1］。 　　这个战略已经取得巨大成功，意法半导体因此而迅速崛起，成为世界最大的MEMS器件制造商。目前意法半导体的MEMS产品被世界知名的消费电子产品选用，如任天堂的Wii游戏机、苹果的iPhone手机和iTouch播放器以及其它产品［2］。例如，任天堂的Wii游戏机的遥控器“魔棒”（图1a）使用意法半导体的惯性传感器检测玩家的动作，如打网球、高尔夫球或其它游戏，使玩家能够沉浸在游戏之中并参与屏幕上的人物运动。这个功能促使先进的计算机游戏取得巨大飞跃，从纯粹的被动活动转化为令人兴奋的主动的游戏参与者。同样地，苹果的iPhone采用意法半导体的MEMS传感器检测手持通信设备相对于用户视野的方向，然后相应地调整屏幕的显示方向（横向或纵向），从而为用户提供更多的使用灵活性和功能 （图1b）。 　　 　　（a） （b） 　　图 1：这两张图片中的产品采用意法半导体的惯性传感器技术，在消费电子产品中为客户提供全新的功能 　　（来源：iSuppli市调公司）。 　　意法半导体的MEMS惯性传感器基于意法半导体的微致动器和加速计的厚外延层制程（THELMA），如图2 ［3］所示。THELMA是一个非集成化的MEMS制造程，比多晶硅表面微加工制程略复杂，但是拥有独特的优点，准许实现较厚的结构，这对电容式惯性传感器极其有用。虽然THELMA制程用于实现电容式惯性传感器，但是这项技术非常灵活，还可以用于制造加速计、陀螺仪和其它的MEMS器件。 　　这个制程的第一个步骤是在晶圆上生成一层2.5μm厚的热二氧化硅（图2a）。第二步是用LPCVD沉积一个多晶硅层（多晶硅层1）。在这个多晶硅层上做版图然后蚀刻，制成埋入式电连接结构，用于传感器向外部传递电位和电容信号（图2b）。根据器件的设计，这个多晶硅层还可用于制造薄多晶硅微加工器件的结构层。然后，用PECVD沉积一层1.6μm厚的二氧化硅层。这个PEVCD氧化层与2.5μm厚的热二氧化硅构成一个4.1μm厚的复合氧化层，用作THELMA制程中的牺牲层。然后，在PECVD沉积氧化物层上做版图和蚀刻，用作厚多晶硅器件的锚定区，稍后制成锚定组件（图 2c）。下一步，用外延沉积法沉积一层厚多晶硅 （图2d）。这个层的厚度可以根据器件设计做相应的调整，厚度范围是15μm到50μm。通过沉积、版图和蚀刻工艺，制作一个连接传感器的金属导电层（图2e）。随后，用深反应离子蚀刻方法（DRIE）在厚多晶硅层上做图和蚀刻，一直到底部的氧化层（图2f）。DRIE方法准许在厚多晶硅层上制作纵横比很大的结构。最后用氢氟酸蒸汽去除牺牲层，释放多晶硅结构层（图2f）。 　　

　　全国能源工作会议今天（6日）在京召开。“十二五”能源发展将以转变能源发展方式、大力调整能源结构、合理控制能源消费总量为指导思想，推动能源生产和利用方式变革。 　　这次能源工作会议的主要任务是：深入贯彻党的十七届五中全会精神，认真落实中央经济工作会议和全国发展改革工作会议部署，总结“十一五”能源工作，明确“十二五”发展思路，安排2011年重点任务。国家发展改革委主任张平到会作重要讲话。国家发展改革委副主任、国家能源局局长张国宝，在会上作了题为《转变能源发展方式 增强供应保障能力 构建安全稳定经济清洁的现代能源产业体系》的工作报告。 　　会议指出，“十一五”是我国能源发展史上非常重要的时期。随着国民经济持续快速增长，我国迅速发展为世界能源大国，在国际能源事务中的影响力和话语权明显提升。这五年，开工建设了一大批重大能源工程，建成了一批重要的能源基地，安全供应能力显著增强。新能源和可再生能源异军突起，能源结构和生产布局明显优化。科技创新能力进一步提高，能源装备水平取得长足进步。沉着应对国际金融危机，危中寻机，能源“走出去”取得历史性突破。抗击特大自然灾害，保障能源应急供应，显示了能源行业急国家之所急的社会责任感和众志成城的战斗力，给世人留下了深刻印象。能源行业管理得到加强，科学发展的理念日益深入。我国能源发展无论是在量上，还是在质上，都取得了举世瞩目的成就，全面完成了“十一五”规划确定的各项目标和任务。 　　会议强调，“十二五”能源发展的指导思想是：以科学发展为主题，以转变能源发展方式为主线，合理控制能源消费总量，大力调整能源结构，积极开展能源国际合作，加强科技创新能力建设，推动能源生产和利用方式变革，构建安全稳定经济清洁的现代能源产业体系，为全面建设小康社会提供坚实的能源保障。 　　做好“十二五”能源工作，要始终坚持把转变能源发展方式贯穿于能源工作的各个方面，把大力调整能源结构作为转变能源发展方式的主攻方向，把合理控制能源消费总量作为转变能源发展方式的重要着力点，把扩大能源国际合作作为转变能源发展方式的重要内容，把科技创新作为转变能源发展方式的重要支撑，把深化改革作为转变能源发展方式的强大动力，把改善民生作为转变能源发展方式的根本出发点和落脚点。 　　一是推动传统能源清洁高效利用。建设大型煤炭基地、大型油气基地，合理布局火电，通过“上大压小”、热电联产等，实现火电优化发展。  

　　引言 　　各种集成化单片数字信号处理器（DSP）以其功能强、集成度高、应用灵活、性价比高等优点，在信号处理和系统控制中的主导性地位日益明显。许多信号处理和控制需要运用除法运算。一般的数字信号处理器中没有现成的除法指令。十多年前诞生的浮点DSP，由于其用硬件完成浮点数的运算，在数据处理和运算能力上大大超出定点DSP，处理除法运算也比定点DSP更为简单。但是定点DSP每器件产品的价格更低，这对大规模的大众市场应用而言是相当重要的优势，也是定点器件至今仍是业界主流的主要原因。所以，讨论定点DSP中除法的实现仍不失其意义。在定点DSP中虽然已经有人给出除法的算法，但是由于其运算的复杂和精度难以如愿，致使一些带有除法的好的算法在信号处理中难以得到应用。 　　为了提高运算结果的精度，本文在已有除法算法的基础上进行了一些改进，最大限度地保证了结果的精度。最后在TI公司的TMS320C5416芯片里具体实现并验证了这一高精度除法。 　　1 经典算法 　　DSP中没有现成的除法指令，除法是靠被除数与除数之间的移位相减来实现的。在C54X系列里利用减法指令SUBC和循环指令RPT实现2个16位数的相除。下面以C54X为例来具体实现经典的除法： 　　C54X提供的SuBC指令仅对无符号数进行操作，所以在移位相减开始之前必须先将被除数和除数取绝对值，仅考虑2个正数的除法。此时除法运算有两种情况： 　　当|被除数|《|除数|时，将|被除数|存放在累加器的高16位，然后用SUBC完成15次移位相减，相减之后在累加器A的低16位中存放商的绝对值。根据运算前被除数和除数的符号是否相同来决定是否要改变所得结果的符号。 　　当|被除数|≥|除数|时，将|被除数|存放在累加器的低16位，然后用SUBC完成16次移位相减，相减之后在累加器A的低16位中存放商的绝对值。根据运算前被除数和除数的符号是否相同来决定是否要改变所得结果的符号。 　　从实现的过程分析，当|被除数|《|除数|时，移位相减开始时|被除数|和|除数|的小数点位置正好相差一位。第一次相减后在累加器A的O位最低位存进的数值正是商的最高位，该位为商的小数点后第一位。在15次移位相减之后，累加器A低16位所得的结果为Q值为15的小数。当|被除数|≥|除数|时，在第l6次相减时，|被除数|位于A的高16位（30～15位）上，小数点位在A的15位后，和|除数|的小数点位正好对齐，则此次相减后在A的 0位加上的值正好是商的最低有效整数位，相当于十进制数中的个位。所以在16次移位相减之后，累加器A低16位所得的结果为Q值为0的整数。以此分析，当商的精确值不是整数，或者超出Q值15所表示的范围时，此算法所得结果就达不到16位数据所能表达的精确度。 　　表1中任取几组数据来说明。 　　

　　高速数字设计人员面临的一个挑战就是处理其电路板上的过冲、下冲、错配阻抗振铃、抖动分布和串扰问题。这些问题都可归入信号完整性范畴。许多高速设计人员都使用输入/输出缓冲信息规范 （IBIS） 建模语言来预见并解决信号完整性问题。该建模语言自 20 世纪 90 年代以来便得到广泛的运用，并已发展成为一种正式的标准：EIA-ANSI 656-B。IBIS 论坛2008 年 8 月发布的第 5 版标准仍然盛行。IBIS 使用电流-电压 （I-V） 和电压-时间 （V-t） 数据表来描述某个器件的 I/O 引脚特性。厂商们通过仿真或测量其器件 I/O 单元生成这些表。 　　对于那些现在高达 20 Gbits/秒时钟频率的高速设计来说，我能够理解对于这类系统仿真工具的需求。IBIS 使得 SPICE 仿真选项显得不那么重要，因为仿真时间大大缩短，并且拥有同样的准确度。我所说的 IBIS 仿真时间更短，是相对于一个大型 PCB 系统需要数天或数周时间来完成一次晶体管级 SPICE 仿真而言的，其执行一次 IBIS 仿真只需数分钟或几小时的时间。通过一次 IBIS 仿真，您可以生成许多传输线响应和眼图。 　　IBIS 格式已经表明了其在高速应用行业中的价值。然而，它让我真正感到吃惊的地方是广大客户现在正要求提供对更低频率器件（例如：低于 40 MHz 的时钟器件）的 IBIS 支持。最初，我以为组件工程师们一直试图标准化其校验表。现在，我并不那么确定了。即使在更低频率下，我们也面临许多信号完整性问题，这是因为数字信号边缘速率。这些快速边缘速率负责振铃的时钟信号，从而引起一条命令甚至 ADC 突发 2 增益的错译。IC 厂商拥有非常成熟的 SPICE 仿真宏模型，可用于精密器件，但是他们正紧跟我们的 IBIS 数字 I/O 模型库。图 1 描述了一个 IBIS 模型仿真非常有效的例子。 　　 　　图1:ADC处理器时钟信号（CH3）和处理器上ADC的数据信号（CH12）。 　　图1中，设计人员并未注意线路阻抗。该图显示了系统中 ADC 的测得结果。ADC和处理器均位于其各自的板上，设计人员只是简单地通过一条 1 米长的 CAT-5 双绞线将两块板连接到一起。在图 1 中，处理器的时钟信号频率 （CH3） 为 2.25 MHz。该 ADC 使用这一信号来将数据传输同步回处理器 （CH2）。 　　最初，设计人员认为这两个器件之间的慢时钟速度不会引起端接问题。然而，时钟和数据信号端接方法会形成许多超出规定高电平和低电平阈值（过冲和下冲）的信号，存在错误边缘（振铃）的信号并降低操作余量（弱化眼图）的信号。 　　IBIS 仿真来帮忙！在您将电路实现为硬件以前可节省时间并降低成本。在进行原型设计以前，您对某种设计进行仿真时，厂商提供的 IBIS 模型以及您电路板的模型都是您工具箱中有用的东西。信号完整性问题对您的高速系统和低速系统都会产生影响。利用早期阶段的仿真电路分析，您可以给您的系统施加许多不同的条件，以防止并检测常见信号完整性问题。

　　据国外媒体报道，援引不具名可靠消息人士的话报道称，苹果将不再在iPhone手机和iPad平板电脑中使用英飞凌的芯片组，而是将使用高通的芯片组。 　　苹果可能不希望像生产两个版本的iPhone那样生产两个版本的iPad。当前的iPhone只支持GSM标准。苹果将于2月10日发售一款支持CDMA标准的iPhone。对于苹果而言，使用同时支持GSM、CDMA标准的芯片组是明智的。 　　很长时间以来，一直有传言称苹果将发售一款双模式iPhone。有媒体报道称，第五代iPhone将同时支持GSM和CDMA标准。

　　电子工程网讯：据当地消息，英特尔公司即将重新使用其莱克斯利普的晶圆生产基地14，拟投资额约5亿美元。该基地将在两年后竣工，届时将为当地提供200多个技术工作岗位。更重要的一点，就是该投资有望确保目前已经运营中的三个晶圆基地工作岗位的稳定。 　　Fab 14在2009年夏季关闭，减少298个工作岗位，同时英特尔公司在爱尔兰拥有的晶圆生产基地缩减至三个；分别为Fab 10、Fab 24以及Fab 24-2。2010年2月，英特尔公司停止了Fab 14的运作。 　　如果莱克斯利普基地被选为下一代微处理器中心基地，那么该5亿美元的投资将带引发新一轮的投资热浪。也有人认为，莱克斯利普基地在英特尔准备生产450mm晶片的过程中作用重大。 　　爱尔兰时报引用英特尔公司爱尔兰副总裁兼运营总经理，Eamonn Sinnott的话，他指出，“我们能够说服Paul 英特尔总裁欧德宁先生，没有别的地方能比莱克斯利普更能创造利润了。不管成本多高、生产率如何、质量怎样，唯一要做的就是为客户服务。” 　　推进投资 　　英特尔爱尔兰管理层多年来一直在忙于推动在当地进行的投资。没有此次的投资，莱克斯利普生产基地将走向其尽头。 　　至于爱尔兰投资发展局（IDA Ireland）此次会给予英特尔多大的援助，目前还不得而知。 　　爱尔兰投资发展局总裁Barry O‘Leary先生指出，“全球领先企业如英特尔，已经在爱尔兰的投资而已达70亿美元，还继续选择在此处投资约5亿美元，这对爱尔兰作为全球投资竞争地来说，意义重大。英特尔是全球的一个领头羊，此次投资对爱尔兰来说是一次意义重大的战略性投资。仅从此次投资在接下来的两年内给建筑行业、合同行业以及全职工作带来的超过1000多个工作岗位来说，就足够让人欣慰了。” 　　他还指出，“高端制造业将继续作为爱尔兰经济未来发展的一个重要的战略性因素；此类资本投资加上训练以及技能提高类的联营投资，将使爱尔兰经济得到真正的转型。”

　　3G版iPad国内入网获批 　　一款苹果3G设备近日获批，或将近期在国内上市，业界推断其极有可能就是苹果3G版iPad。其获批材料显示，设备支持3G格式为中国联通（行情，资讯）（5.78，0.09，1.58%）的WCDMA制式，分析人士认为这将吸引3G版iPad客户主要集中涌向中国联通。 　　据工信部无线电管理局网站显示，该局于2010年12月29日核准通过了一款苹果WCDMA/WLAN数据终端，设备型号为A1337，有效期5年。 　　根据网上流传的美国正式上市的3G版iPad截图，背面显示编号恰为A1337；苹果发言人卡洛琳·吴此前表示，公司计划在中国销售具有3G和Wi-Fi功能的iPad，种种信号指向苹果3G版iPad国内上市有望。 　　去年9月，苹果公司在中国市场先于联通发布了WiFi版iPad，引发国内“苹果迷”的热烈追捧，苹果专卖店外的排号长龙曾成为一景。 　　随后苹果官网上曾发出3G版iPad即将上市的信息，但其在中国市场销售要通过包括入网许可证在内的多项审批。 　　据业内人士介绍，鉴于WiFi属于局域网，其在理想状态的使用范围不超过半径100米的空间，此外WiFi在国内的商用范围也十分有限，覆盖范围远不如传统通信方式完整；最重要的，WiFi网络在移动应用方面的性能也不稳定，使得目前国内通行的WiFi版iPad存在较大制约。 　　而此次，随着3G版iPad入网获批，政策障碍已基本清除，其支持3G制式为WCDMA。 　　上海证券分析师张涛表示，苹果3G版iPad如顺利引入，其WCDMA制式必会利好中国联通。张涛表示，此前通过捆绑iPhone4，中国联通已经顺利“迁移”了部分中国移动的高端用户；此次苹果3G版iPad引入，不是对移动通话业务用户的“瓜分”，而是更多指向新增上网用户的开拓。而鉴于iPad对于部分应用软件的流量要求，3G版iPad将吸引上网用户更多流向支持WCDMA制式的联通。“如果联通制定了相应的套餐，这种导向性还会加剧。”张涛表示。  

美国国家半导体突破性改革传感器系统设计方案 可配置的传感器模拟前端电路可简化设计流程，缩短产品上市时间 　　二零一一年一月二十五日 — 中国讯 — 美国国家半导体公司（National Semiconductor Corp.）（美国纽约证券交易所上市代码：NSM）宣布推出两款可配置的传感器模拟前端（AFE）集成电路，两款产品采用美国国家半导体的独创技术，并获得多款全新设计工具的支持，令系统设计工程师可以使用各大厂商生产的各类传感器产品完成信号路径设计，将产品快速推向市场。 　　系统设计工程师只要采用这两款可配置的传感器模拟前端电路，即可利用WEBENCH®传感器模拟前端电路设计工具（WEBENCH® Sensor AFE Designer）完成传感器信号路径设计。换言之，工程师可以利用这套设计工具挑选传感器，进行设计，配置解决方案并将配置参数下载至传感器模拟前端电路。目前一个典型的传感器应用需要数块电路板及多达25颗元器件，而采用美国国家半导体的方案，则只需一颗芯片即可。同样，以往设计一个传感器系统，需要几周甚至几个月的时间，而采用美国国家半导体的新产品和设计工具，设计时间则可缩短至几分钟。 　　目前传感器系统已被广泛用于各个主要行业，如临界监控系统，这类监测系统的体积越趋小巧，且要求更少的耗电量及更高的可靠性。 　　美国国家半导体精密系统业务部总监 Anita Ganti表示：“基于传感器的系统的电路设计不仅耗时且极为复杂，还需要针对每个系统开发专用的设计。目前为止，很多工程师都要花费几星期甚至几个月的时间才能成功开发出一款定制的模拟传感器解决方案，但现在美国国家半导体可以帮助他们以更快的速度将产品推向市场。” 　　美国国家半导体的两款全新传感器模拟前端芯片是可配置传感器模拟前端电路产品系列的头两款产品。这两款芯片各有特点，适用于不同的传感器系统，这些特点包括可编程的电流源、自选参考电压以及可调整的采样率。LMP91000芯片是业界首款可全面配置的低功耗恒电位仪，可在传感器与模拟/数字转换器（ADC）间提供一个高度集成的完整信号路径。LMP90100芯片则是业界首款可真正连续校准背景信号并做出诊断的24位、多通道、低功耗传感器模拟前端电路，适用于高性能收发器及变频器系统。 　　美国国家半导体WEBENCH传感器模拟前端电路设计工具兼容多种技术规格，可以支持数百款温度、压力及化学传感器。其数据库涵盖了 Omega Engineering.、Honeywell Sensing & Control、Tempco Electric Heater及All Sensors 等公司的众多传感器产品。 　　美国国家半导体LMP90100芯片 技术规格 　　美国国家半导体LMP90100芯片是业界首款可真正连续校准背景信号并做出诊断的24位、多通道、低功耗传感器模拟前端电路，适用于高性能收发器及变频器系统。美国国家半导体专利的背景信号校准技术可以有效消除随着时间及温度变化而出现的漂移，并在不干扰被侧信号的基础上，确定偏移及增益误差。LMP90100除了内置24位的 Sigma-delta ADC外，还采用灵活的输入（多路复用器）配置，因此可以支持任意比例的差分或单端输入。每个传感器的信号增益（包括1、2、4、8、16、32、64和128）、采样率及诊断参数均可编程，该芯片还提供两个匹配的驱动电流实现传感器的驱动。LMP90100芯片的平均耗电低于平均值0.7mA，在 -40 ºC至 +125 ºC的温度范围内可确保正常工作，上述特性令这款芯片理想用于温度收发器或 4mA 至 20mA系统。 　　美国国家半导体 LMP91000芯片 技术规格 　　美国国家半导体LMP91000芯片是业界首款可全面配置的低功耗恒电位仪，可在传感器与ADC间提供一个高度集成的完整信号路径。。这款可配置的模拟前端电路适用于微功耗的化学物质及气体检测应用，如三极单一气体传感器及双端氧气传感器等。LMP91000芯片测量恒电位仪中的电流，其大小与测量气体的含量成正比。通过跨阻抗放大器，LMP91000生成与这一电流成正比的输出电压，从而推算出气体含量。LMP91000允许用户通过I2C兼容接口自行设置跨阻抗增益值， 因此能够支持对含量介于0.5nA/ppm与9.5nA/ppm间的有毒气体作出灵敏反应。此外，LM91000的功耗极低，因此适用于电池供电系统以及4mA至20mA的收发器系统。这款芯片的恒电位仪电压和输出增益都可根据设计要求自行设置，这令工程师可以探测更多的气体种类，或者探测不同的气体浓度，并确保设备的总系统功耗可低至10µA（平均值）。工程师也可通过I2C接口验证传感器性能，而内置的温度传感器则可提供附加输出，以进行温度监控。LMP91000芯片的工作电压范围在2.7V至5.5V之间 　　美国国家半导体 WEBENCH传感器模拟前端电路设计工具简介 　　WEBENCH传感器模拟前端电路设计工具是美国国家半导体屡获殊荣的WEBENCH系列网络设计工具的最新成员。系统设计工程师现可通过硬件接口使用离线版设计工具进行设计和测试，从而缩短设计时间，加快建模评估。工程师还可利用离线测试系统将设计的配置参数下载到传感器模拟前端电路，将传感器置入系统后，即可进行仿真测试。 　　价格及供货情况 　　美国国家半导体LMP90100芯片采用28引脚TSSOP封装，采购以1，000颗为单位，单颗售价为4.95美元，现已批量供货。LMP91000芯片采用14引脚LLP封装，采购以1，000颗为单位，单颗售价为3.95美元，同样已经批量供货。目前美国国家半导体正面向更高速率、更高性能的传感器系统开发多款传感器模拟前端电路，该公司也计划进军医疗设备等产品市场，预计这些新产品将于明年推出。 　　美国国家半导体公司简介 　　美国国家半导体是一家位居领导地位的电源管理技术开发商，一直致力为市场提供各种易于使用的模拟集成电路，而且拥有世界级的供应链管理技术及经验，备受业界推崇。该公司的高性能模拟产品可以提高系统的能源效率，因此极受客户欢迎。美国国家半导体的公司总部位于美国加州圣塔克拉拉（Santa Clara），2010 年财年的营业额达 14.2 亿美元。有关美国国家半导体公司的其他资料，可浏览网页www.national.com。