6月2日，华为发布多款搭载HarmonyOS 2的新产品，包括HUAWEI Mate 40系列新版本、Mate X2新版本、HUAWEI WATCH 3系列、HUAWEI MatePad Pro等手机、智能手表、平板产品。同时带来了新一代半开放主动降噪无线蓝牙耳机HUAWEI FreeBuds 4和两款高端显示器HUAWEI MateView和MateView GT。 发布上展示了HarmonyOS 2全新的系统架构、革命性的分布式技术、全新的原子化服务、全新的卡片设计、极致的系统性能。此外，华为Mate 40系列、Mate 30系列、P40系列、Mate X2、nova 8系列等近百款设备将陆续升级HarmonyOS 2。 华为常务董事、消费者业务CEO余承东表示：“万物互联时代，没有人会是一座孤岛，每个人、每个设备都是万物互联大陆的一部分。我们希望与更多合作伙伴、开发者共同繁荣鸿蒙生态，为全球消费者提供更好的体验、更好的产品、更好的服务。” HarmonyOS全新交互：操控更方便，体验更智能 HarmonyOS创新的多设备交互，让消费者操控多个设备像操作一台设备一样简单。全新的多设备控制中心，创造了简约直观的连接方式，手机、平板、电脑、音箱、耳机一拉即合，让用户在控制多设备时，也如同控制单设备一样简单。 全新的HarmonyOS桌面简洁有序，上滑APP生成万能卡片，在桌面即可呈现更丰富的信息。卡片内容实时更新，只需一瞥即可获取所需信息，省去了打开APP的时间。卡片可大可小、可藏可显，还能够个性化定制，让每个桌面独一无二。同时，卡片也是原子化服务的载体，在服务中心可以轻松获取、随时分享，无需下载、安装，一步到位获取各种服务。 创新交互的精彩还藏身于美学设计的细节之中：特别设计的HarmonyOS黑体、自然流畅的引力动效，无论用户使用哪款设备，都能获得视觉和操控上的一致体验。 HarmonyOS系统流畅度全面提升，手机在使用36个月后剩余空间极小的情况下，依然拥有接近新手机一样的读写速度。HarmonyOS优化了后台应用的保活能力，让任务持久在线，即使用了再多应用，也能实现状态恢复。比如，网购时临时回复微信消息、打开搜索APP查找资料，返回购物APP时可以直接回到上次浏览的界面。 此外，HarmonyOS还能让手机续航更持久：使用搭载HarmonyOS的Mate40 Pro进行《和平精英》游戏，续航时间可达5.1小时，比同等条件下搭载EMUI11的Mate40 Pro提升0.4小时。

电子自动化软件(简称EDA)全球市场规模不足百亿美元，净利润更是低于15%。而且，由于EDA行业存在很高技术壁垒的缘故，很多公司都不愿意进入这一领域，这导致我国EDA市场长期被海外厂商霸占。不过，近两年半导体产业规模不断扩大，EDA作为中国解决芯片产业短板的关键所在，也受到资本的高度重视。 电子设计自动化(英语：Electronic design automation，缩写：EDA)是指利用计算机辅助设计(CAD)软件，来完成超大规模集成电路(VLSI)芯片的功能设计、综合、验证、物理设计(包括布局、布线、版图、设计规则检查等)等流程的设计方式。 在电子设计自动化出现之前，设计人员必须手工完成集成电路的设计、布线等工作，这是因为当时所谓集成电路的复杂程度远不及现在。工业界开始使用几何学方法来制造用于电路光绘(photoplotter)的胶带。到了1970年代中期，开发人应尝试将整个设计过程自动化，而不仅仅满足于自动完成掩膜草图。第一个电路布局、布线工具研发成功。设计自动化研讨会(Design Automation Conference)在这一时期被创立，旨在促进电子设计自动化的发展。 电子设计自动化发展的下一个重要阶段以卡弗尔·米德(Carver Mead)和琳·康维于1980年发表的论文《超大规模集成电路系统导论》(Introduction to VLSI Systems)为标志。这一篇具有重大意义的论文提出了通过编程语言来进行芯片设计的新思想。如果这一想法得到实现，芯片设计的复杂程度可以得到显著提升。这主要得益于用来进行集成电路逻辑仿真、功能验证的工具的性能得到相当的改善。随着计算机仿真技术的发展，设计项目可以在构建实际硬件电路之前进行仿真，芯片布局、布线对人工设计的要求降低，而且软件错误率不断降低。直至今日，尽管所用的语言和工具仍然不断在发展，但是通过编程语言来设计、验证电路预期行为，利用工具软件综合得到低抽象级(或称“后端”)物理设计的这种途径，仍然是数字集成电路设计的基础。 光刻机是半导体制造的关键设备，同芯片精度直接相关，有着无可替代的重要性。而作为芯片设计工具的EDA，是芯片设计方案同半导体物理世界的连接，重要性比肩光刻机。 芯片设计的复杂性、精细性，使得手工绘制芯片完全无法实现。EDA工具成为了不可忽视的存在，甚至被称为“工业之母”。 然而，全球EDA的市场规模却同其重要性严重不符，不过百亿美元，净利润不足15%。 同时，全球EDA市场被Candence、Synopsys与Mentor Graphics三大巨头所占据。中国90%左右的EDA市场，也被这三大巨头垄断在手中。 此外，EDA软件有着极高的技术门槛，是业界公认最难攻克的工业软件之一。 最近几天，有关于EDA软件又被大家推至了风口浪尖上。起因是华为轮值董事长徐直军的一席话，他表示离开了国外的EDA三巨头，芯片肯定是能够设计的，只是芯片设计的效率低了，没那么轻松了。 不过他同时也表示天下并不都是它们的，这句话明显是大有深意的。在我看来，那就是表示国产EDA中也有佼佼者，能够一定程度上取代国外的EDA软件。 对华为来说，2019年5月17日注定是一个难忘的日子。北京时间当天凌晨，华为突然被美国商务部列入“实体清单”，受到美国的第一轮打压。第一轮的打压手段主要是两个：断供美国芯片和软件，断供芯片设计必需的EDA(电子设计自动化)工具。 在中国“缺芯”之痛里，除了广为人知的光刻机，EDA工具也是命门之一。这是一种对芯片进行自动设计的工具，特别是目前一颗芯片集成了几亿甚至几十亿的晶体管，肉眼难见，人工已经无法完成时，EDA自动化设计工具更是不可或缺。而目前国内85%的EDA市场份额被美国Synopsys、Cadence、Mentor三大巨头垄断。 自华为被制裁后，国产EDA工具进入战时状态。按照惯例，一个EDA工具签订购买合同，一般授权3年。事实上，被美国制裁后，华为内部也制定了一个EDA工具3年替代的方案。 如今两年已经过去，AI财经社获悉，国产EDA在单点上取得突破，但还不能像美国巨头那样提供覆盖全部设计流程的平台。如果把国内所有企业的能力加起来，它们能覆盖的芯片设计流程在10%以内。 近几年中国在半导体芯片制造领域一直受到西方国家的打压，而这也间接地激励了中国进一步的发展，现在中国芯片顺利崛起，国产EDA获得了8nm工艺技术认证。如今不少外国媒体纷纷开始担忧，难道中国现在已经能够摆脱美国控制了吗? 据报道，国内著名的EDA软件厂商正式宣布，他们投入大量资金所研发的EM仿真套件已成功通过三星晶圆厂的8nm低功耗(LPP)工艺技术认证，这也意味着我国在芯片制造领域迎来了一个新的阶段，我国芯片制造将迎来崭新的发展。 此次国内EDA成功突破的消息一经传出，就引起外国媒体展开热议，他们纷纷表示现如今中国已经成功突破了研制高端芯片产业链的最后一步，可以说现在“中国芯片”拼图已经完成了最后一步，这也意味着我国想要彻底实现自主化芯片产业链指日可待。 而一旦我国成功实现自给自足，西方国家将彻底失去限制我国的工具，换句话说我国的实力越强大，底气就会越足，其他国家也越不敢对中国轻易动手。这也是美国为什么试图在中国芯片发展初期阶段就遏制中国的主要原因之一，不过现在中国已经彻底摆脱了这种限制，迎来崭新的发展。 而国产EDA工具不断升级、更新，也会打破海外Synopsys、Cadence、Mentor三巨头厂商垄断EDA工具市场的局面，促进中国半导体产业，乃至国际半导体产业发展。 但必须要承认的是，在高端市场，国产EDA工具和海外三巨头的EDA工具还是有着明显差距。 综合来看，大量人才回国振兴EDA市场的确是个好消息，但也要知道，打破海外巨头对高端EDA市场的垄断并非是一朝一夕的事情。 目前，海外EDA巨头的技术积累和研发投入都要高于国内企业。中国想要在EDA领域实现突破，反哺半导体产业链，就必须在EDA市场持续加注。 你认为国内芯片设计厂商使用国产EDA工具设计高端芯片还要等多久?

锐龙5000之后，AMD的处理器策略有些迷，到底有没有Zen3 Refresh，消息反反复复。AMD 的 Zen3 锐龙上市已经半年多了，按照惯例此时关于下一代产品的消息已经开始陆续爆出来了，可是今年却让人完全没有头绪。 现在已经确定的是今年肯定没有 5nm 制程的 Zen4 锐龙了，先传的下一代是升级版 Zen3+，改进一下变为锐龙 6000，后来又有新消息是锐龙 6000 取消，变成锐龙 5000 XT。 此前有人就发现两颗 B2 新步进的 Zen3 架构锐龙 5000 Vermeer 处理器，疑似分别为锐龙 9 5950XT 3.4-5.0GHz、锐龙 5 5600XT 3.7-4.6GHz，与现有产品相比，区别在于加速频率提升了 100MHz。于是就有媒体就咨询了 AMD，其表示作为持续扩充产能的一部分，AMD 会在未来六个月内，逐步将锐龙 5000 系列桌面处理器转移到 B2 步进 ( 现在是 B0 ) 。新步进在功能、性能方面没有任何变化，也不需要新版 BIOS。 不过，靠谱度颇高的爆料人Patrick Schur发现了两颗B2步进(当前是B0步进)的Zen3架构Vermeer处理器。规格方面，疑似锐龙9 5950XT基频3.4GHz，加速频率5GHz，16核32线程。疑似锐龙5 5600XT的处理器6核12线程， 基频3.7GHz，加速频率4.6GHz。 可做对比的是，现款锐龙9 5950X的加速频率是4.9GHz，锐龙5 5600X则没变，同样是3.7/4.6GHz。 可能是为了配合这批处理器，X570S主板也将同步登场，由于去掉了南桥的主动散热风扇，实现被动散热压制，整体噪声减少了。 之前之所以集成南桥风扇，主要原因还是支持PCIe 4.0后的高发热量，X570上市至今，只有少数高端主板达成了被动散热。 AMD去年底推出了锐龙5000系列桌面处理器，升级了7nm Zen3架构，IPC性能大涨19%，再加上频率改进，单核性能提升26%，所以一直很受欢迎。但是锐龙5000系列发布之后，一方面是需求高，另一方面也遇到了全球性的缺芯危机，很快就开始缺货，价格也一路上涨。锐龙5000系列中涨价较多的主要是锐龙5 5600X、锐龙9 5900X，这两款最受欢迎，售价很快就远超建议价。 好消息是，这两三个月以来锐龙5000系列的价格已经稳步下降，以锐龙9 5950X为例，目前Mindfactory电商上的价格只要818欧元了，已经非常接近官方建议价799欧元了。其他锐龙5000系列处理器的价格也全数下滑，锐龙9 5900X跌到了549欧元，锐龙7 5800X只要389-399欧元，锐龙5 5600X也只要309欧元了，距离299欧元价格就差一步了。 目前来看，锐龙5000系列在海外电商上的价格逐步合理，非常接近原价了，供应情况比早前明显改善。 看了下国内的情况，锐龙9 5900X这样的热门处理依然要4899元，依然高出800元，不过现在是现货了，也算是好现象了。 此前AMD发布了锐龙9 6900H处理器的代号为“Rembrandt”，在工艺上，锐龙9 6900H处理器很有可能采用的是Zen 3+架构，此外基于的是台积电6nm制程工艺，相比较目前的7nm工艺在能耗比上有一定的提升，因此频率以及性能都有所增加。更为重要的是，AMD锐龙9 6900H处理器将会采用最新的RDNA 2架构，最高核心单元为12个CU，也就是768个流处理器，相比较目前的锐龙9 5900HS的Vega 8有很大的性能提升，考虑到老对手英特尔Xe核显在图形性能上的巨大飞跃，预计RDNA 2核显同样能够取得相当满意的图形成绩，从而满足主流电竞游戏的流畅运行。当然现在关于这些处理器的参数还没有更多的消息，而在今年的台北电脑展上，AMD很有可能推出的是基于Zen 3架构的线程撕裂者处理器，至于这颗6nm处理器什么时候能够能和大家见面，预计要到今年下半年或者明年年初了，届时Intel也将推出12代酷睿处理器，对于AMD来说也是一个不小的挑战。 总结来说，虽然大家喊AMD Yes主要是在锐龙这边，但AMD这三年来最大的奇迹实际上是在服务器CPU市场上，份额增长了10倍，几乎从零开始收复失地，而且这是利润最丰厚的市场。 8.9%的份额也是2006年之后AMD的最高水平了，不过这还不是巅峰，之前靠着皓龙处理器，AMD只用了18个月，在服务器CPU市场上的份额就从5%提升到22%，这也是AMD近期的目标——恢复皓龙时期的荣耀。

全球疫情持续，2021 COMPUTEX Taipei台北国际电脑展受到最新新冠疫情影响，取消线下展览改为在线，Intel、AMD、NVIDIA三家公布出席之后，ARM确定参与举办新品发布会。 台北国际电脑展(COMPUTEX Taipei)是仅次于德国汉诺威的 CEBIT的全球第二大电脑展，同时也是亚洲最大的电脑展。展览会由台湾对外贸易协会主办。展出地点在台湾台北世界贸易中心，展览周期为一年一届。因疫情的原因，2020 年台北电脑展(COMPUTEX 2020)取消。 Intel发表主题演讲：台北电脑展开幕主题演讲的时间是5月31日10:00~10:30，将会阐述新任CEO Pat Gelsinger的策略，并说明急速加速的数字化转型如何塑造创新的新纪元，将会分享Intel创新如何通过扩大技术潜力来帮助扩大人的潜力，这包括与业务伙伴合作，从数据中心和云端到网络、人工智能、AI边缘运算，来推动整个科技生态系统的创新。 广告 AMD发表主题演讲：6月1日星期二上午10点(美国东部时间5月31日晚上10点)： AMD首席执行官Lisa Su博士将在2021年线上Computex(台北国际电脑展)上发表主题演讲。主题将以“AMD加速-高性能计算生态系统”为主题，并将涵盖AMD最近的消费创新，包括为PC爱好者和游戏玩家提供的CPU和GPU。 NVIDIA 将带来系列精彩的演讲。届时，观众将会聆听到 AI、云、数据中心以及游戏行业的最新创新成果。北京时间 6 月 1 日上午 11 点在未来汽车论坛上发表题为 “借助 AI 推动运输业转型” 的演讲。北京时间 6 月 2 日上午 11 点带来题为 “数字化转型前景：融合 AI 力量的工业系统如何崛起以迎接挑战” 的演讲。北京时间 6 月 3 日下午 2点30 分在 AIoT 论坛上发表题为 “元宇宙的起点：NVIDIA Omniverse 与共享世界的未来” 的演讲。 继Intel、AMD和NVIDIA三家后，ARM也公布了此次出席台北电脑展2021的安排。其中CEO Simon Segars将亲自主持讲演活动，主题是未来计算以及后疫情时代的产业恢复等，时间是5月31日下午14点。此外，ARM IP事业部的总裁Rene Haas也将于6月2日下午15点探讨加速无处不在的智能场景。 大胆猜测，ARM可能会借此机会公布基于ARM v9指令集的全新Cortex-A CPU、Mali-G GPU架构，比如新的超级大核X2、标准大核A79、大核GPU G79等。 其实，ARM很早之前就预览了X1/A78之后的两代CPU架构，分别代号Matterhorn(马特洪峰，是阿尔卑斯山脉最为人所知的山峰)和Makalu(马卡鲁峰，海拔8463米)。峰值性能方面，2022年的Makalu预计将比Cortex-A78提升30%。 ARM仍是全球智能手机和平板电脑GPU市场最大的供应商，但市场份额不断下滑。 美国当地时间5月18日，市场调研机构Strategy Analytics最新报告显示，ARM、高通、苹果、Imagination 和英特尔占据2020年智能手机和平板电脑GPU市场的前五名。 其中，ARM作为市场龙头，占据了39%的份额，但与上一年相比有所下降，并且这种趋势可能会持续下去。 ARM得益于移动CPU市场的垄断地位，在被戏称“买CPU送GPU”的方式下成为GPU IP的最大提供商。在2019年，ARM的市场份额超四成以上。 Strategy Analytics手机元件技术服务副总监Sravan Kundojjala表示，ARM的市场份额在2016年达到顶峰，此后一直稳步下降。“关键客户海思受到美国制裁，以及来自苹果和Imagination的竞争，影响了ARM的GPU品牌Mali的出货量和市场份额。” ARM的另一客户三星也将在2021年采用基于AMD GPU的Exynos芯片，从而进一步削减Arm的份额。 2019年，三星与AMD达成协议，获得其GPU技术授权，将其集成在Exynos处理器中。这也是AMD GPU首次进入手机市场。 目前，世界上设计手机芯片所使用的架构大部分来自于英国ARM公司，如华为麒麟系列、苹果A系列，以及高通骁龙系列等。据第三方机构公布的数据显示，ARM公司垄断着世界上95%以上的手机芯片设计架构市场。 然而，由于美国对华为的制裁，ARM公司并没有向华为授权最新的芯片设计架构。 前不久，ARM公司正式发布V9架构，并明确表示，最新V9架构完全不受美国管控，可以授权任一一家中国企业使用，但从ARM公司公布的厂商背书名单中，我们并没有看到华为的名字。基于此，我们可以断定，ARM公司或许已经做出了拒绝向华为授权V9架构的决定。

引言 预计到2027年，全球电动汽车充电站市场规模将从2020年估计的2,115,000单位增长至30,758,000单位，复合年均增长率高达46.6%。该报告的基准年为2019年，预测期为2020年至2027年。(来源：Markets and Markets，2021年2月) 从地理上来看，亚太地区(尤其是中国)电动汽车销量的迅速增长推动了全球电动汽车充电站市场的增长。预测期内欧洲有望成为第二大市场。 考虑到各种充电等级类型，3级充电(即DC快速充电)预计在预测期内增长最快。鉴于30分钟内即可将电动汽车快速充满的便利性，3级充电的增长速度最快。意法半导体产品可支持这一市场/应用。将在以下章节中介绍主要系统架构以及主要适用的意法半导体产品。 架构与意法半导体产品 DC快速充电站的功率范围为30-150kW，该技术采用基于15-30 kW子单元的模块化方法(图1)，并通过将子单元堆叠来形成功率更高的DC充电系统。该方法提供了一种灵活、快速、安全且实惠的解决方案。 图1 – 充电站子单元可堆叠解决方案 意法半导体产品涵盖了每个子单元(图2)中所包含的主功率和控制单元/驱动级。 图2 – 子单元框图 对于功率级(PFC + DC-DC部分)，设计效率为关键，对于功率范围为15-30kW的子单元，意法半导体为PFC、DC-DC和控制单元/驱动级提供合适且高效的智能产品，如以下几节所述。 PFC级 对于3相输入，功率因数校正(PFC)级可通过几种配置来实现，并通常使用Vienna整流器拓扑(图3，类型1或类型2)。 图3 – PFC Vienna整流器拓扑 根据设计和/或客户需求，意法半导体提供多种开关(图3，器件T)： · 第二代SiC MOSFET(650V系列SCT*N65G2)基于宽带隙材料的先进性和创新性，凭借单位面积极低的导通电阻以及出色的开关性能，可实现高效且紧凑的设计。特别是，具有18mΩ RDS(on)的4引脚SCTW90N65G2V-4可在100℃下轻松处理90 A的漏极电流。 · IGBT HB2系列(650V系列STGW*H65DFB2)可在中至高频率下工作的应用中确保更高的效率。结合较低的饱和电压(1.55 V典型值)和较低的总栅极电荷，该IGBT系列可确保应用在关断期间具有最低的过冲电压并具有较低的关断能耗。特别是，得益于将电源路径与驱动信号隔开的Kelvin引脚，STGW40H65DFB-4可实现更快的开关。 · 功率MOSFET MDMesh™ M5系列(650V系列，STW*N65M5)采用创新的垂直工艺，具有更高的VDSS额定值和高dv/dt性能、出色的导通电阻 x面积以及卓越的开关性能。 在输入级中，可通过以下器件来控制浪涌电流： · SCR晶闸管 TN*50H-12WY(图3，Vienna 1，器件DA)是一款经AEC-Q101认证的整流器，具有优化的功率密度和抗浪涌电流能力，可实现1200V的阻断能力。从而就可避免使用限制系统效率与寿命的无源元件。 · 输入桥整流器，STBR*12 1200系列(图3，Vienna1，器件DB)具有低正向压降，可提高输入桥的效率，并符合最严苛的标准。该产品非常适用于混合桥配置以及意法半导体的SCR晶闸管。 就二极管而言，新型SiC二极管650/1200V系列拓扑结合了最低的正向电压与最先进的正向浪涌电流稳健性。设计人员可以选择低额定电流二极管而不牺牲转换器的效率水平，同时提高高性能系统的经济效益。 · Vienna 1型为650V(STPSC*H65)(图3，器件DC) · Vienna 2型为1200V(STPSC*H12)(图3，器件D) DC-DC级 在DC/DC转换级中，由于其效率、电流隔离和较少的器件，全桥谐振拓扑(图4)通常为首选。 图4 – FB-LLC谐振拓补 对于Vout= 750-900V的3相PFC转换器以及400V-800V的高压电池，意法半导体为FB-LLC谐振转换器提供： · 第二代SiC MOSFET 1200V系列SCT*N120G2(图4，器件T) · SiC二极管1200V STPSC*H12(图4，器件D) 控制单元与驱动级 根据设计需求，意法半导体提供MCU和数字控制器： · 最适合功率管理应用的32位微控制器为STM32F334(来自STM32F3系列)和STM32G474(来自STM32G4系列)。STM32F3 MCU系列结合使用了工作频率为72 MHz的32位ARM® Cortex®-M4内核(采用FPU和DSP指令)、高分辨率定时器、复杂波形生成器及事件处理器。工作频率为170 MHz的STM32G4系列32位ARM® Cortex®-M4+内核为STM32F3系列的延续，它在应用层面降低了成本、简化了应用设计并为设计人员提供了探索新的细分领域和应用的机会，从而在模拟技术方面保持领先地位。 · STNRG388A数字控制器的核心为SMED(状态机事件驱动)，它使器件能够采用最高分辨率为1.3 ns的六个可独立配置的PWM时钟。每个SMED均可以通过STNRG内部微控制器来配置。一组专用外设完善了STNRG器件：4个模拟比较器、具有可配置运算放大器和8通道定序器的10位ADC以及可实现高输出信号分辨率的96 MHz 的锁相环。 新型STGAP2SICS为设计用于驱动SiC MOSFET的6kV电流隔离单栅极驱动器。它具有4A灌/拉电流能力、短传输延时、高达26V的供电电压、优化的UVLO和待机功能以及SO8W封装。 意法半导体几乎为所有应用均提供了合适的系统评估板，其可直接在最终系统或子系统上测试意法半导体产品的功能。对于DC充电站，也提供一些评估板和相关固件。 STDES-VIENNARECT评估板(图5-a)采用15 kW的三相Vienna整流器，该整流器支持功率因数校正(PFC)级的混合信号控制。 SCTW35N65G2V 650V SiC MOSFET(70 kHz)的高开关频率、STPSC20H12 1200V SiC二极管的采用以及多级结构可实现接近99%的效率，并能在尺寸与成本方面优化无源功率元件。STEVAL-VIENNARECT采用混合信号控制，并通过STNRG388A控制器进行数字输出电压调节。专用模拟电路提供高带宽连续导通模式(CCM)电流调节，可在总谐波失真(THD<5%)和功率因数(PF>0.99)方面实现最高功率品质。 图5 – 面向DC充电站的PFC解决方案 STDES-PFCBIDIR评估板(图5-b)在功率因数校正(PFC)级中采用15 kW、三相、三级有源前端(AFE)双向转换器。电源侧采用SCTW40N120G2VAG 1200V SiC MOSFET，可确保高效率(接近99%)。控制基于STM32G4系列微控制器，并具有用于通信的连接器以及用于测试和调试的测试点与状态指示器。开关器件的驱动信号由相应的STGAP2S栅极驱动器来管理，以确保独立管理开关频率与死区时间。 STEVAL-DPSTPFC1 3.6 kW无桥图腾柱升压电路(图5-c)通过数字浪涌电流限制器(ICL)来实现数字功率因子校正(PFC)。它有助于您通过以下最新的意法半导体功率套件器件来设计创新拓扑：碳化硅MOSFET (SCTW35N65G2V)、晶闸管SCR(TN3050H-12WY)、隔离式FET驱动器(STGAP2S)和32位MCU(STM32F334)。

2021 年 1 月 19 日，日本东京讯 – 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团今日宣布，扩大其通用64位微处理器(MPU)RZ/G2产品群，为广泛的应用提供更强大的AI处理能力。扩展后的产品阵容包括三款基于最新Arm® Cortex®-A55内核打造的全新入门级MPU型号：RZ/G2L、RZ/G2LC和RZ/G2UL。加上现有中高端RZ/G2E、RZ/G2N、RZ/G2M和RZ/G2H MPU，共有七款RZ/G2 MPU提供从入门级到高端设计的卓越扩展性。 全新RZ/G2L MPU基于Cortex-A55 CPU内核搭建，处理性能相比之前使用Cortex-A53内核的产品提升约20%，在AI应用的基本处理中速度提升约6倍。此外，新款MPU集成了摄像头输入接口、3D图形引擎和视频编解码器，为人机界面(HMI)应用的复杂功能(如多媒体处理、GUI渲染和AI图像处理)提供更经济高效的支持。此外，MPU还具有Cortex-M33内核，无需外部微控制器(MCU)即可对传感器数据采集等任务进行实时处理，从而降低整体系统成本。 瑞萨电子高级副总裁、物联网及基础设施事业本部SoC事业部负责人新田启人表示：“将64位MPU用于AI和图形HMI的处理已变得越来越普遍，这也增加了对易用且高性能MPU的需求。通过在RZ/G2中增加全新入门级产品，瑞萨正在加速Linux操作系统在高性能MPU上的应用，并在降低整体成本的同时助力创新，在HMI设备中提供更佳性能和增强功能。” Arm公司汽车及物联网事业部高级副总裁兼总经理Dipti Vachani表示：“随着AI对日常生活带来的变革，需要更强大的设备运算能力才能为数十亿个物联网端点提供实时洞察。瑞萨电子将Arm技术整合至其最新的64位MPU中，使更高性能的物联网设备可进行更多智能化处理，从而加速端点AI的普及。” 作为RZ/G系列的一部分，全新入门级RZ/G2L具备针对片上存储器和外部DDR存储器的数据错误检查与纠正(ECC)保护功能，还提供经过验证的Linux软件包(VLP)——该工业级Linux带有民用基础设施平台(CIP)Linux内核，可实现10年以上的支持保证及安全维护，可大幅降低未来的维护成本。此外，对安全功能的支持意味着客户也可放心地将RZ/G2L MPU产品群应用于需要高可靠性和延长使用寿命的工业应用，从而加快产品上市。 对于可能需要更复杂AI功能的场景，瑞萨计划通过其专有的AI加速器DRP-AI来增强RZ/G2L产品群的功能与性能。瑞萨将持续推出拥有更好引脚兼容性和软件可复用性的产品，以减轻客户在将来向其产品线中添加新产品版本时的开发负担。 RZ/G2L产品群的关键特性 · Cortex-A55和Cortex-M33 64位CPU内核 – RZ/G2L和RZ/G2LC：双核或单核Cortex-A55(1.2 GHz)及Cortex-M33 – RZ/G2UL：单核Cortex-A55(1.0 GHz)及Cortex-M33(可选) · 3D图形功能(Arm MaliTM-G31 GPU)(RZ/G2L和RZ/G2LC) · 视频编解码器(H.264)(RZ/G2L) · CAN接口，支持更快CAN FD协议(RZ/G2L、RZ/G2LC和RZ/G2UL) · 千兆以太网(RZ/G2L和RZ/G2UL双通道，RZ/G2LC单通道) · 数据错误检查与纠正(ECC)(RZ/G2L、RZ/G2LC和RZ/G2UL) · 支持DDR4和DDR3L外部存储器接口(RZ/G2L、RZ/G2LC和RZ/G2UL) · 13mm2(RZ/G2LC、RZ/G2UL)、15mm2(RZ/G2L)和21mm2(RZ/G2L)BGA封装 作为助力快速开发的一系列综合解决方案，即“成功产品组合”的一部分，瑞萨电子还提供可灵活应用于客户特定用例的电源电路参考设计。 全新MPU样片即日起发售，计划于2021年8月依次启动量产。今日起接受评估板预订并发布相关参考设计(电路图和电路板布局数据)，客户可以尽早开始评估RZ/G2L MPU产品群的应用。 此外，瑞萨目前正在开发针对RZ/G2L产品群优化的电源管理IC(PMIC)产品，并计划于2021年晚些时候发布。

出品  21ic论坛  火星国务卿 网站：bbs.21ic.com 首先简单介绍一下TL4242 500-mA LED 恒流驱动IC（参照TI官网datasheet） 该IC最高能驱动500mA的负载，并能通过外部电阻来设定驱动电流的大小，内部具有保护电路，防止在过载情况下损坏设备：过热保护，短路保护，反极性保护(反向最高能承受45V的电压)，超温保护。该IC能具有PWM调光输入功能，可输入外部输入PWM调光脉冲信号，来实现对LED负载的调光控制。该芯片属于High side控制方式 该IC在-40℃到150℃温度条件下正常工作。 简单的原理图如下： IC的各个引脚的定义： NO 1：PWM调光脉冲信号输入引脚，如果不用该功能，将该引脚与NO 8 I 引脚连接。 NO 2：ST   状态输出。集电极开路输出。连接到外部上拉电阻器（RPULLUP≥4.7 kΩ）。 NO 3：GND 接地引脚。 NO 4：REF  参考输入,连接到分流电阻器。 NO 5：D   状态延迟。要设置状态反应延迟，用电容器连接到GND。如果不需要延迟，悬空处理。 NO 6：Q    输出引脚。 NO 7：N/C NO 8：I     输入引脚，使用100nF陶瓷电容器直接连接到尽可能靠近设备的GND。 官方建议的参数设定值： VCC 输入电压4.5-42V VST 状态ST输出电压最高16V VPWM PWM输入电压0-40V CD 状态延迟电容值0-2.2μF REF 参考电阻阻值0-10Ω TJ  芯片TJ正常工作的TJ温度范围为-40℃-150℃ 功能框图： 恒流控制原理： 由图可知，图中红框部分为复合管为NPN型管与PNP型管组成，等效为NPN型三极管，采用复合管后，在信号源提供的输入电流不变的情况下，可以得到高达几安的输出驱动电流，需要注意的是此时应选择中等功率或者大功率管。该电路控制原理为LDO控制，属于线性恒流控制，与一般MOS管做开关不同的是，该内部控制以三极管做开关对负载进行控制，与一般的LDO线性控制原理一样，形成一个闭环反馈控制来保证达到恒流的目的。 闭环回路原理图控制如下： 然后介绍一下TLC555LinCMOS™ 计时器（参照TI DATASHEET） 使用TLC555定时器来产生PWM脉冲电压 调整芯片PWM实现PWM调光功能。 TLC555 是一款采用TILinCMOS™工艺制造的单片计时电路。该计时器与CMOS、TTL 和MOS 逻辑器件 完全兼容，可在高达2MHz 的频率下正常工作。由于输入阻抗较高，此器件可支持比NE555 或LM555 所支持的计时电容器更小的计时电容器。因此，可实现更加准确的延时时间和振荡。在整个电源电压范围内可保持较低功率。 与NE555 类似，TLC555 有一个约等于电源电压三分之一的触发电平以及一个约等于电源电压三分之二的阈 值电平。可使用控制电压端子(CONT) 来改变这些电平。当触发输入(TRIG) 下降至低于触发电平的时候，触发器被设定并且输出变为高电平。如果TRIG 高于触发电平并且阈值输入(THRES) 在阈值电平之上的话，触发器被复位并且输出为低电平。复位输入(RESET)的优先级高于所有其它输入并且可被用来启动一个新的定时周期。如果RESET 为低电平，触发器被复位并且输出为低电平。只要当输出为低电平，在放电端子(DISCH) 和接地(GND) 之间提供一个低阻抗路径。所有未用输入端必须接入合适的逻辑电平以免发生误触发并持较低功耗。 简化的原理图： 各个引脚功能定义： 555定时器的工作原理： 原理图如下图所示： 首先为什么它叫做555定时器呢，是因为它内部存在3个5K欧姆的电阻，内部还包括电压比较器C1,C2，基本RS触发器，放电晶体管T以及缓冲器组成。 3个电阻分别使高电平比较器C1同相比较端和低电平比较器C2的反相输入端 的参考电平为2/3Vcc和1/3Vcc。C1和C2的输出端，控制RS触发器状态和放电 管开关状态。当输入信号输入并超过2/3Vcc时，触发器复位，555的输出端3脚输出_低电平，同时放电，开关管导通;当输入信号自2脚输入并低于1/3Vcc时，触发器置位，555的3脚输出高电平，同时充电，开关管截止。 RD为复位输入端, 当RD为低电平时, 不管其它输入端的状态如何,输出电压为低电平。 当5脚悬空时, 比较器C1和C2的电压分别为(2/3)VCC和(1/3)VCC。 如果在电压控制端(5脚)施加一个外加电压V(其值在0~VCC之间),比较器C1和C2的电压分别为V和(1/2)V; 总结的功能表 如下图所示： 以上是555定时器的基本工作原理，接下来介绍一下555定时器作为多谐振荡器来产生脉冲方波的结构原理： 4引脚为复位引脚，当此引脚接高电平时定时器工作，当此引脚接地时芯片复位，输出低电平。该多谐振荡器的4引脚接高电平VCC，定时器处于工作状态，5引脚为比较器控制阀值引脚，接以0.01μF的电容到地，起到滤波的作用，VTR（2）VTH(6)通过定时电容C接地，同时通过R2与三极管集电极接在一起，或者是MOS管的源极接在一起。三极管集电极输出电压或者是MOS管的源极输出电压通过上拉电阻R1与电源VCC接在一起。 接通电源瞬间，定时电容C上的电压为0，高电平触发端6引脚与低电平触发端2引脚的电压都初始为0，放电管T处于截止的状态，这时候定时电容C开始充电，高电平触发端6引脚与低电平触发端2引脚的电压逐渐升高， 1.      在定时电容C上的电压冲到2/3VCC之前，高电平触发端6引脚上的电压小于2/3VCC，低电平触发端2引脚上的电压大于1/3VCC时，继续保持之前的状态。 2.      电容C继续充电，当定时电容C上的电压超过2/3VCC时，高电平触发端6引脚上的电压大于2/3VCC，低电平触发端2引脚上的电压大于1/3VCC时 定时电容上的电压通过放电管T开始放电。 3.      当定时电容放电后电压小于1/3VCC时，高电平触发端6引脚上的电压小于于2/3VCC，低电平触发端2引脚上的电压小于1/3VCC时，T放电管截止。 电路又开始重新开始充放电的过程，如此不断重复形成振荡，在V0端得到连续的方波，输出PWM脉冲电压。 以上就是555定时器多谐振荡器最终产生PWM脉冲电压的全过程。 TI的555定时器与恒流驱动芯片组成PWM调光电路如下： 电路很简单： 恒流IC： 由于恒流驱动IC没有升压功能，所以设计时要注意输入电压应大于后端LED最大驱动电压。…

中国 北京，2021年1月21日——移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.今日宣布，其 QM28014 蜂窝/卫星/Wi-Fi 天线复用器荣获 ASPENCORE 全球电子成就奖 (WEAA) 中的 2020 年 RF/无线/微波类年度产品奖。这是对 Qorvo 这款独特产品的认可表彰，该产品通过减少所需的天线数量，可实现蜂窝设备的全新工业设计。 Qorvo 移动产品事业部总裁 Eric Creviston 表示：“所有无线设备制造商，尤其是 5G 设备制造商都面临着一个架构问题：随着可用天线面积不断缩小，如何适应不断增加的射频复杂性。天线复用器提供了一个出色的解决方案。此奖项是我们设计团队卓越才能的有力见证，进一步彰显了 Qorvo 在开发创新 RFFE 技术和产品并实现系统性能优化方面的领导地位。” ASPENCORE 的世界电子成就奖旨在表彰为全球电子行业创新和发展做出突出贡献的公司和个人。ASPENCORE 旗下的媒体包括：EETimes、EDN 和 Electronic Products。 Qorvo 的获奖产品 QM28014 MHB、GNSS 和 2.4 GHz Wi-Fi 天线复用器采用 Qorvo BAW 滤波器，与分立式方案相比，整体尺寸缩减了近 50%。这款天线复用器缩短了 GNSS 首次修复时间 (TTFF)，与替代解决方案相比，可减少不匹配、级联滤波器和额外路由导致的整体插入损耗，从而改善了卫星连接性。一些领先的制造商已成功地利用 Qorvo QM28014 消除了额外天线，同时还提高了系统性能。

齐铮表示，新冠疫情给全球政经格局和产业环境带来了诸多挑战和不确定性，但同时也加速了多种数字业态的旺盛需求。作为龙头企业，BOE（京东方）在深入研究半导体显示及物联网市场发展趋势基础上，创新变革，构建基于核心能力和产业价值链延展的多层战略布局，确立了以半导体显示为核心，Mini LED、传感器及解决方案、智慧系统、智慧医工融合发展的“1+4+N”航母事业群，不断深化其在物联网细分应用市场的战略布局。 在实现企业自身发展的同时，BOE（京东方）更是在产业实践的基础上，坚持创新驱动。在产品创新上，基于半导体显示核心优势以及高比例的研发投入，持续推出令人激动的创新产品和服务；在技术创新上，通过工艺技术优化，生产要素融合创新，推动技术和产品高效创新；在商业模式创新上，坚持物联网转型战略，将显示产业资源和核心能力与物联网产业深度融合，提供软硬融合、系统整合的产品和服务，推动并引领产业健康发展。 过去的一年，BOE（京东方）不断修炼内功，通过“四大核心转变”，向物联网转型战略目标实现了跨越式迈进。即业务布局上，从以显示与传感事业为主体向“1+4+N”航母事业群的转变；品牌形象上，逐渐从全球半导体显示龙头向全球物联网创新企业转变；运营管理体系上从矩阵式管控向“三横三纵”组织授权赋能型运营体系转变；企业规模上，正从千亿人民币向营收、市值双千亿美元目标大幅迈进。 与此同时，在过去的一年里，BOE（京东方）智慧创新事业在工业园区、金融零售、商务办公、医疗健康等物联网细分领域取得了诸多突破。在智慧园区领域，BOE（京东方）智慧园区解决方案通过将端口器件与物联网、人工智能、大数据等技术深度融合，打通园区各个子系统，实现人、车、环境等一体化管理运营，助力江西景德镇陶溪川、天津首创光年城示范区等6大城市园区向数字化和智能化运营管理转型。在工业互联领域，BOE（京东方）为智能工厂、工业园区、企业运营提供智能化生产、数字化运维、精益化管理一站式服务，目前已经联合50余家工业互联网生态伙伴，在全国12个区域落地应用，助力企业实现智能化管理运营。此外，BOE（京东方）还为中国工商银行、建设银行、农业银行、中信银行、招商银行等全国1500余家银行网点提供智慧金融解决方案，助力金融服务智能化升级。 齐铮表示，展望未来，时代变局加速而至，站在实体经济与数字经济融合发展的产业风口之上，BOE（京东方）持续将其在半导体显示产业的领先优势与5G、人工智能、大数据等新一代信息技术深度融合，始终秉承“开放两端，芯屏气/器和”物联网战略内核，以创新科技赋能应用场景，推动产业数字化、智能化转型升级，在实现企业跨越式发展的同时，更是将领先技术实力与系统整合能力赋能产业生态，推动全行业的数字化变革进程。

中国，2021年1月21日——横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)宣布任命Rajita D’Souza为公司人力资源与企业社会责任总裁。Rajita D’Souza自2021年1月起任职，直接向公司总裁兼CEO Jean-Marc Chery汇报。Rajita D’Souza同时也是意法半导体执行委员会的成员。 Rajita D ‘Souza将负责领导ST的全球人力资源部门(员工发展、绩效管理、薪酬福利、招聘等)，并将在推动公司可持续发展战略和项目方面(包括ST将于2027年实现碳中和的目标)发挥关键作用。 Rajita D ‘Souza曾担任贝卡尔特(Bekaert)的首席人力资源官，该公司是全球钢丝改造和涂层技术的市场和技术领导者。在此之前，Rajita D ‘Souza的职业生涯始于1993年，在印度孟买Reliance Consultancy Services咨询公司任运营经理。1997年，她加入通用电气，在人力资源部先后担任过各种领导职务，职责范围不断扩大。十年后，D’Souza加入沙特基础工业公司SABIC，担任欧洲区人力资源总监。2011年，她被任命为固特异轮胎橡胶公司EMEA区人力资源副总裁。 Rajita D’Souza于1973年出生于印度孟买，毕业于孟买大学，法学硕士学位，还持有商业管理学士学位。她是六西格码质量认证黑带大师。