引 言 上世纪 20 年代在 Westinghouse 实验室， 发明家 John Kermode“异想天开”地想对邮政单据实现自动分检，最后， 一个当时令所有人感到新奇的条形码识别技术诞生了，并在之后的半个世纪在全球掀起了一场技术革命。时至今日，条码技术无处不在，几乎所有商品都有条形码的烙印。进入 21 世纪， 工业化、自动化快速发展，条形码已经不再满足诸多情况中的实际需求，于是人们开始思考一项更加自动化、智能化的新型技术——RFID 非接触射频识别技术。这又是一场新的技术革命，并用其惊人的速度席卷全球。目前RFID 技术以其震撼功能，在物流、安保、资产追踪、电子支付、环境检测、交通运输、设备管理等多个领域被广泛应用。 1 RFID技术在图书馆的应用现状 2002 年新加坡国家图书馆率先将RFID 技术应用于图书馆后，美国、日本、澳大利亚等多国图书馆也开始尝试，使得RFID 技术在图书馆的应用迅速走向成熟。2006 年我国厦门集美大学诚毅学院图书馆率先应用RFID 技术，拉开了国内智能图书馆建设的序幕 ；2008 年国家图书馆二期正式引入RFID 技术，此举成为智能图书馆在国内迅速蔓延的拐点。天津理工大学陈志辉等人在研究报告中提到，截止 2014 年，我国应用RFID 技术的图书馆至少有 367 家，其中公共图书馆占60%，高校图书馆占 40%[1]。 RFID 技术使得图书馆的工作效率得到成倍增长，馆员的工作强度大幅减少，读者满意度也得到了极大的提高。但具体实施 RFID 项目是个复杂的工程，制约因素颇多，其中最重要的一项便是项目经费问题。2012 年深圳图书馆在RFID 建设项目上的经费高达 1 124.8 万元，这对一般图书馆来说是难以接受的。2006 年时，美国市场最低的电子标签价格是 20 美分/ 个，标签和设备昂贵的价格使许多图书馆望而却步。但随着物联网技术的快速发展和普及，国内出现了一批 RFID 图书馆设备供应商如深圳远望谷、上海阿法迪、宁波博一格、常州科晶、沈阳慧博升等。电子标签和设备的大规模生产使得国内市场的价格不断下降。目前市场上UHF 标签的市场价格已经降到1元 / 个，HF 的价格为 1.4 元 / 个，这样的价格让更多的图书馆对引入RFID 技术跃跃欲试。 2 高频和超高频 RFID技术比较 2.1 HF和UHF工作原理比较 目前国内图书馆应用RFID 技术有HF 和UHF 两大类别。高频（HF）范围为 3 ～30 MHz， 典型的工作频率为 13.56MHz，该频率的波长约为 22 m。ISO/IEC 15693 规定了疏耦合IC 卡，最大的读取距离为 1 m，采用电感耦合的方式从阅读器辐射场获取能量，该频率的波长可以穿过大多数材料， 能够产生相对均匀的读写区域。它具有防碰撞特性，可以同时读取多个电子标签，并将数据信息写入标签中。 超高频（UHF）范围为 300 MHz ～3 GHz，3 GHz 以上为微波范围。图书馆采用的典型工作频率为 860 MHz ～ 960MHz，频率波长约为 30 cm。通过电磁耦合方式同阅读器通信，识别速度可以达到 1 ～100 m/s。通信距离一般大于 1 m，典型情况为 4 ～ 6 m，最大可超过 10 m。超高频频段的电波不能通过许多材料，特别是水、灰尘、雾等悬浮颗粒物质。超高频阅读器有很高的数据传输速率，在很短的时间内可以读取大量的电子标签。 2.2 HF和UHF电子标签的特点 标签（Tag）是由耦合元件、IC芯片及微型天线组成的超微型小标签。每个标签内部存有唯一的电子编码，用来表示目标对象。标签可根据是否有内置电源分为有源及无源标签， 图书馆应用的RFID标签以无源为主。RFID标签具有很多突出的优点，如不需要人工干预，不需要直接接触、不需要光学可视即可完成信息输入和处理，可在各种恶劣环境中工作，同时识别多个电子标签，具有免接触操作、应用便捷、使用寿命长等特点[2]。因此高频和超高频段的无源 RFID 标签在国内图书馆领域得到了越来越广泛的应用。 在图书馆实际应用中RFID 标签附着在待识别的图书或书架表面，标签中保存有约定格式的电子数据，存储在芯片中的数据可以由阅读器以无线电波的形式非接触读取，并通过阅读器处理器进行信息解读和管理。由于高频和超高频工作原理不同，故标签的存在形状不同。HF 图书标签主要是正方形、圆形，一般面积较大，其外观如图 1 所示。UHF 图书标签形状可以做成类似于图书磁条样的细长条状，其外观如图 2 所示。 3 HF和 UHF技术在图书馆中的应用比较…

其中台积电表示，他们将会在2022年量产3nm工艺，不过，他们仍会选择FinFET晶体管技术，而三星则已经选择GAA技术，并且还成功流片，这也意味着他们离量产又近了一步。 据外媒报道，三星电子装置解决方案事业部技术长Jeong Eun-seung在此前的一场技术论坛中透露，三星能够抢先在台积电之前完成GAA技术的商业化。他表示：“我们开发中的 GAA 技术，领先主要竞争对手台积电。一旦巩固这项技术，我们的晶圆代工事业将可更加更进一步。” 据了解，GAA技术是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET，该技术可以显着增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。三星表示，与5nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积将会提高35%以上，在性能提升30%的同时，功耗降低50%。有消息称，三星GAA技术的3nm工艺有可能2024年才能量产，这将会与台积电2nm工艺竞争。 8月27日消息，据国外媒体报道，上周曾有报道称，研究机构预计三星电子的3nm制程工艺，不太可能在2023年之前量产，量产的时间可能会晚于台积电的3nm工艺。 而英文媒体最新的报道显示，采用全环绕栅极晶体管(GAA)技术的三星3nm制程工艺，目前在研发方面仍有挑战，还有关键技术问题尚未解决。 英文媒体是援引产业链人士的透露，报道三星3nm工艺的研发仍面临挑战的。 这名产业链的消息人士还透露，就成本和芯片的性能来看，采用全环绕栅极晶体管(GAA)技术的三星3nm制程工艺，竞争力可能低于采用鳍式场效应晶体管技术(FinFET)的台积电3nm工艺。 在芯片制程工艺方面，三星电子虽然实力强劲，但他们已有多代制程工艺的量产时间晚于台积电，7nm和5nm就是如此，他们也已连续多年未能获得苹果A系列处理器的代工订单，在芯片代工市场的份额，也远不及台积电，他们对3nm工艺也寄予厚望。 三星此前宣布最早将于2022年量产3nm，这个3nm制程是3GAE版本，也就是3nm gate-all-around early，三星把这个版本称为先行试错版。 至于可能在2023年正式量产的3nm版本则是3GAP，即3nm gate-all-around plus，也就是3nm工艺的强化版本，二者在量产率和性能上有所差别。关于两种3nm版本，三星则表示一直在与客户进行沟通，保证3nm工艺能在2022年如期量产，希望就此赢得更多的客户。 3GAE和3GAP两个3nm版本，最早是三星在2019年5月份提出，当时三星表示与7nm LPP工艺相比，3GAE的性能提高35%，功耗降低50%，面积减少45%。 对于三星3nm的真正实力，国外Digitimes网站也给出了详细的数据分析，结合台积电和英特尔发布的标准参数可知，台积电的3纳米工艺可以做到2.9亿颗/平方毫米，三星的3纳米工艺只有1.7 亿颗/平方毫米，参数上甚至连英特尔的7nm工艺都比不上。 今年6月底，三星宣布旗下采用全环绕栅极架构(Gate-All-Around FET，GAA)的3纳米制程技术已正式流片，本次流片是与新思科技合作完成的，目的在于加速为 GAA 架构的生产流程提供高度优化的参考方法，使其在功率和性能上均实现最大化。 三星在旗下3nm制程的宣传上，一直把GAA架构作为主要优势和卖点，三星表示，采用全环绕栅极架构(Gate-All-Around FET，GAA)的3纳米制程技术性能要优于台积电，后者3nm采用的是鳍式场效应架构(FinFET)。GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。 据韩媒Business Korea最新报道，三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung在8月25日的一场网络技术论坛中透露，三星能够抢在主要竞争者台积电之前，宣布GAA技术商业化。 他直言：“我们开发中的GAA技术，领先主要竞争者台积电。一旦巩固这项技术，我们的晶圆代工事业将可更加成长。” 据悉，GAA是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管)，该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。 根据三星的说法，与5nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。 三星早在2019年就公布了3nm GAA工艺的PDK物理设计套件标准，当时三星预计3nm GAA工艺会在2020年底试产，2021年量产，但现在显然不能实现这个计划了。 需要注意的是，有消息称三星3nm GAA工艺如果拖到2024年量产，将会直接与台积电2nm竞争，到时候鹿死谁手还犹未可知。 台积电计划在今年下半年开始试产3nm工艺芯片，预计2022年量产。三星如果想要赶上台积电的步伐，估计需要在2022年或2023年推出3nm GAA技术。一旦推迟到2024年，那会直接撞上台积电2nm工艺，那时候就没有任何优势可言。 很多人对三星3nm GAA技术报以怀疑态度，因为三星的制程工艺一直都落后于台积电，即便是同一代产品，其性能和功耗表现也相差甚远，从去年的5nm工艺上就能看出差距。所以，很多人觉得即便三星3nm GAA技术真的成了，估计也就相当于台积电5nm工艺水平，甚至还不如。 目前，三星3nm GAA工艺尚未量产，实际表现如何也没办法判断。即便只能达到台积电5nm工艺的水准，只要价格上有优势，应该也会很受欢迎。隔壁台积电昨天刚宣布芯片代工报价上涨20%，如果三星报价更便宜，估计订单也不会少。

从实用到舒适：欧司朗Ostune® E1608和E3030具有从2700K到6500 K的宽色温范围，并且CRI 超过 90，是高效能且节省空间的汽车内部照明选择。儒卓力在电子商务平台www.rutronik24.com.cn提供欧司朗Ostune系列。 只需调节色温，用户就可以改变汽车内部氛围，从功能性工作空间转变为有如客厅般的舒适环境。 自定义选择白光色调 E1608和E3030具有广泛的色温范围，并可从许多小色条中进行选择，可简单又准确地将内部照明定义为跨车辆设计元素。E1608和E3030分别具有非常紧凑的1.6mm x 0.8mm x 0.6mm和3.0mm x 3.0mm x 0.65mm外形尺寸，方便灵活的使用。 Ostune E1608 的亮度范围较低，略高于 7 流明;而 Ostune E3030 的亮度范围较高，超过70 流明。两者的CRI性能超过90，均高于平均水平，能够为内部白光环境照明(例如镜子、车内、底部空间或阅读灯)提供最佳显色效果。

2021年9月2日 – 致力于快速引入新产品与新技术的业界知名分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)，首要任务是提供来自1100多家知名厂商的新产品与技术，帮助客户设计出先进产品，并加快产品上市速度。贸泽旨在为客户提供全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。 2021年7月，贸泽总共新增了超过2370个物料，均可在订单确认后当天发货。 贸泽此次引入的部分产品包括： · Analog Devices LTC7811三路输出降压/降压/升压控制器 Analog Devices LTC7811是一款高性能三路输出(降压/降压/升压)DC/DC开关稳压器控制器，可驱动各种N沟道功率MOSFET级。 · Crowd Supply WallySci E3K生物传感平台 Crowd Supply WallySci E3K生物传感平台提供了经济实惠、完全开源的无线框架，可通过直观的方式了解源自人类心脏、肌肉和大脑的生物信号。 · Phoenix Contact Axioline Smart Element Phoenix Contact Axioline Smart Element是Axioline F输入/输出 (I/O) 系统的扩展模块，提供适合自动化应用的紧凑型数字、模拟和功能模块。 KEMET Electronics采用其KONNEKT高密度封装技术的C0G电容器具有高达940nF的电容，电压范围为50V至3000V。

引 言 近年来，随着物联网技术的发展和生活水平的提高，人们对居住环境的要求越来越高，智能家居随之成为物联网技术领域的一个重要研究课题，而家居系统的智能控制是其中的一个重要研究方向。低功耗蓝牙（Bluetooth Low Energy， BLE）是 2010 年推出的最新蓝牙版本，BLE 相对于传统蓝牙最大的特点是超低功耗，并且目前 BLE 的硬件成本已经降到一个合理水平，非常适合应用于智能家居系统控制领域，据Bluetooth SIG 高级市场总监柯瑞德分析，2013 年至 2018 年， BLE 的最大市场增长空间将会出现在智能家居系统领域。笔者研究了Android 手机 BLE 应用及智能家居控制，以智能插座为例，设计了一套基于 Android 智能手机的BLE 智能家居控制系统，实现对智能设备的实时控制功能。 1 Android系统中的 BLE Bluetooth SIG 于 2010 年 6 月发布了蓝 牙 4.0 技术标准， 而 Android 智能手机全面支持 BLE 是在 2013 年 7 月Android4.3 系统发布后。相较于传统蓝牙，BLE 运行和待机功耗极低，一颗标准纽扣电池可以使其连续工作一年到几年时间。BLE 与传统蓝牙协议及开发差别较大，以下对BLE 通信协议及Android 中的BLE 开发做简单介绍。 1.1 BLE通信协议 低功耗蓝牙协议栈由控制器（Controller），主机（Host）和应用程序（Apps）组成，其协议栈如图 1 所示。各层的各种规范都基于 GATT 制定，它规定了发送和接收设备的各种属性值的方法。BLE 通信把各种属性表示为服务（Service）的集合，而每个Service 都由多个特征值（Characteristic）组成， Characteristic 可以理解为一个数据类型，它包括一个 value 和 0 至多个对此value 的描述（Descriptor）。BLE 在连接建立过程中可以分为中心设备（Central）和外围设备（Peripheral） 两个角色，Central 负责 scan advertisement，而 Peripheral 负责 make advertisement。在 BLE 连接建立后，两个连接的设备又可分为服务端（GATT server）和客户端（GATT client），发送数据的设备为Server，接收数据的设备为Client。 1.2 Android中BLE的开发 Android 平台的BLE 开发常用类如表 1 所列，开发主要包括以下步骤： (1) BLE授权，为使应用能使用手机 BLE 功能，需要在AndroidManifest.xml 中进行授权。 <uses-permission android ：name=”android.permission.BLUETOOTH”/> <uvses-permission android ：name=”android.permission.BLUETOOTH_ADMIN”/> (2) 检查并启动BLE功能，验证手机是否支持BLE。如果支持， 通过蓝牙适配器 BluetoothAdapter来查看蓝牙是否已经开启， 也可以通过 Intent传递ACTION_REQUEST_ ENABLE参数调出蓝牙开启界面。 (3) 搜 索 BLE 设 备 ， 使 用 BluetoothAdapter 的startLeScan方法配合 BluetoothAdapter.LeScanCallback回调参数进行BLE 广播搜索，搜索需要设置时间上限并在发现设备后停止搜索以减少电量消耗。如果只想搜索某些设备，可以加入一个 UUID…

2021年8月**日，中国上海讯——国产EDA行业的领军企业芯和半导体发布了前所未有的“3DIC先进封装设计分析全流程”EDA平台。该平台联合了全球EDA排名第一的新思科技，是业界首个用于3DIC多芯片系统设计分析的统一平台，为客户构建了一个完全集成、性能卓著且易于使用的环境，提供了从开发、设计、验证、信号完整性仿真、电源完整性仿真到最终签核的3DIC全流程解决方案。 随着芯片制造工艺不断接近物理极限，芯片的布局设计——异构集成的3DIC先进封装(以下简称“3DIC”)已经成为延续摩尔定律的最佳途径之一。3DIC将不同工艺制程、不同性质的芯片以三维堆叠的方式整合在一个封装体内，提供性能、功耗、面积和成本的优势，能够为5G移动、HPC、AI、汽车电子等领先应用提供更高水平的集成、更高性能的计算和更多的内存访问。然而，3DIC作为一个新的领域，之前并没有成熟的设计分析解决方案，使用传统的脱节的点工具和流程对设计收敛会带来巨大的挑战，而对信号、电源完整性分析的需求也随着垂直堆叠的芯片而爆发式增长。 芯和半导体此次发布的3DIC先进封装设计分析全流程EDA平台，将芯和2.5D/3DIC先进封装分析方案Metis与新思 3DIC Compiler现有的设计流程无缝结合，突破了传统封装技术的极限，能同时支持芯片间几十万根数据通道的互联。该平台充分发挥了芯和在芯片-Interposer-封装整个系统级别的协同仿真分析能力;同时，它首创了“速度-平衡-精度”三种仿真模式，帮助工程师在3DIC设计的每一个阶段，能根据自己的应用场景选择最佳的模式，以实现仿真速度和精度的权衡，更快地收敛到最佳解决方案。 ：“在3DIC的多芯片环境中，仅仅对单个芯片进行分析已远远不够，需要上升到整个系统层面一起分析。芯和的Metis与新思的 3DIC Compiler的集成，为工程师提供了全面的协同设计和协同分析自动化功能，在设计的每个阶段都能使用到灵活和强大的电磁建模仿真分析能力，更好地优化其整体系统的信号完整性和电源完整性。通过减少 3DIC 的设计迭代加快收敛速度，使我们的客户能够在封装设计和异构集成架构设计方面不断创新。”

引 言 近年来，屡有针对片式膜电阻器在使用过程中因过电应力[1] 失效的案例，其中 80% 以上与用户选型使用不当有关。因此，有必要开展片式膜电阻器在不同环境条件下进行过电应力试验，研究其过电应力（系指超过电阻器额定电压（额定功率） 的电应力）失效模式及失效机理，为指导用户正确选用片式膜电阻器提供参考，提高片式膜电阻器的使用可靠性。 1 研究过程 1.1 试验步骤 (1 )抽取片式膜电阻器典型代表型号 RM3216型厚膜、薄膜各2个共 4个规格样品，其中：片式厚膜—510Ω、3300Ω，阻值精度 ±1%，额定功率 0.25 W；片式薄膜—470 Ω、3 900 Ω，阻值精度±0.1%，额定功率 0.25 W。 (2) 样品经回流焊接在PCB板上后，用酒精清洗，50℃ 烘干 6小时，备用。 (3) 抽取样品，在常温（25℃ ±5℃）下按短时间过载试验方法[2]，分别施加 2倍、2.5 倍、3倍、3.5 倍、4倍、4.2倍、4.6倍、4.8倍额定电压保持 5S。通过外观检查和数据处理，分析片式膜电阻器过电应力试验后阻值变化趋势，估计片式膜电阻器临界失效（阻值变化率超标）电压、极限失效 [3]（阻值开路或电阻体断裂）电压。 （4）抽取样品，分别在低温（－50℃、－ 70℃）、高温（70℃、 100℃、150℃）及热真空（70℃、6×10-3Pa）条件下，施加临界失效电压。通过数据处理，分析片式膜电阻器过电应力试验后阻值变化趋势。 1.2 试验结果 1.2.1 常温过电应力试验 (1) 试验后外观检查 ：随着试验电压倍率逐渐增大，样品外观形貌随之发生变化，当样品出现极限失效时，其形貌发生显著变化，片式膜电阻器过电应力试验极限失效样品典型形貌在 30 倍显微镜下的变化如图 1 所示。 (2) 数据处理 ：通过对 4个规格样品过电应力试验数据进行计算、分析处理，绘制样品阻值随试验电压倍率变化的趋势图如图 2所示。 (3) 通过对不同倍率过电应力试验后的样品进行外观检查和数据处理，得出片式膜电阻器临界失效和极限失效的阈 1.2.2 低温、高温条件下过电应力试验 将样品分别保持在－ 50℃、－ 70℃、70℃、100℃、150℃环境条件下 30分钟后，对样品施加临界失效电压（即 3.5 倍额定电压）。通过数据处理，分析片式膜电阻器过电应力试验后阻值变化趋势，绘制不同温度条件下过电应力试验后的典型样品阻值变化趋势图如图 3所示。 图 3 不同温度条件下过电应力阻值变化趋势 由图 3 可以看出，当环境温度不超过 70℃时，样品经临界失效过电应力试验后，阻值变化不明显，符合规范要求； 当环境温度高于 70℃时，样品经临界失效过电应力试验后， 阻值出现大幅变化，阻值变化率超出规范要求，样品失效。但是，片式厚膜电阻器阻值呈变大趋势，而片式薄膜电阻器阻值呈变小趋势，相关机理将在后续章节进行分析。 图 3 所述的试验结果也验证了GJB1432B-2009《片式膜固定电阻器通用规范》规定的片式膜固定电阻器额定温度条件为 70℃的合理性。 1.2.3 热真空条件下过电应力试验 将样品保持在 70℃、6×10-3Pa 热真空条件下 30 分钟后， 对样品施加临界失效电压（即3.5 倍额定电压）。通过数据处理， 分析片式膜电阻器过电应力试验后阻值变化趋势，以确定热真空条件对片式膜电阻器耐电应力能力的影响。 试验结果表明，热真空条件下，样品经临界失效电压过电应力试验后，外观形貌和阻值变化率与常温条件下试验结果基本一致，说明热真空条件对片式膜电阻器耐电应力能力影响甚微。 2 机理分析 2.1 阻值变化的机理 片式膜电阻器阻值功能层内部结构示意如图 4 所示。 图 4 中沿导电链的单结电阻可以看成是由导电颗粒的电阻 Rm 和颗粒之间的势垒电阻 Rb 构成。当片式膜电阻器受到过电应力时，内部导电链中较薄的玻璃层（图中 Rb）因局部受热而击穿，局部开路，使电流路径变长，根据公式 R ＝ρL/S 可知，导致电阻器阻值变大。 图 4 片式膜电阻器阻值功能层的内部结构示意图 片式薄膜电阻器在临界失效电压点附近出现的阻值变小以及高温条件下施加临界失效电压后阻值变小的机理在于： 片式薄膜固定电阻器的电阻功能材料为镍铬或铬硅合金，正常情况下，镍铬或铬硅合金呈无序非晶格状态。当片式膜电阻器受到过电应力时，电阻器功能层发热，局部温度上升，镍铬或铬硅合金材料由无序非晶格状态向有序晶格状态转化，形成导电性能良好的晶相，导致电阻器阻值变小，环境温度越高， 阻值变小幅度越大。其后，当试验电压倍率进一步提高，内部导电链中较薄的玻璃层（即图 4 中 Rb）因局部受热而击穿， 局部开路，使电流路径变长，根据 R ＝ρL/S 可知，导致电阻器阻值变大。…

引 言 目前，国内外现有网球发球机大部分没有智能控制功能， 部分国外先进的网球发球机虽有简单的智能控制，但不能进行人机互动 ；只能进行单一技战术训练和动作强化训练，也无法同步实现对训练对象的训练效果的反馈与评价；更不可能实现对某些高水平球员的技战术进行有效的针对性训练。这样的发球机对于高级水平网球选手的训练效果很不理想。随着科学技术的飞跃发展、不断创新，计算机智能控制技术在提高体育运动训练效果中，已显得愈发重要，计算机智能控制技术在体育运动训练中的应用，在二十一世纪已然成为不可分割的一部分。 本文研究的目的是应用最新的计算机技术，使用计算机与计算机的通讯，也就是上位机与下位机的通讯，从而达到网球发球机的可随机控制性和智能性，模拟出各世界级球员击球的技战术套路 ；再运用遥感测控技术对参训对象的击球效果进行及时的反馈与评价，从而提高网球运动的训练水平， 提升网球运动员的比赛能力。 1 新型智能网球发球机的开发原理 1.1 计算机技术与智能化体育设备的研制路线和系统组成 本研究的设计原则是使所研制的智能化体育设备具有科学性、先进性、智能性、完备性和实用性。该计算机技术与智能化体育设备的研制路线和系统组成如图 1 所示。 1.2 硬件设备 本系统在最初的设计原则中就确定了其必须考虑到既能 1.3 软件系统  此软件系统是以 Windows 系统作为平台，在此基础上搭 建 VB 软件操作界面，应用计算机串口通讯技术，实现了体育 设备（网球发球机）的高智能化。利用 VB 软件中的 mscomm 控件对下位机——网球发球机进行通讯，数据交换，在编程 之前，首先确定通讯协议。将网球发球机的发球速度、频率、 方向以及上旋和下旋等参数预先放置在计算机里，在训练过 程中通过在计算机中输入对应于训练要求的相对应指令，然 后将参数通过串口传输给网球发球机，使网球发球机处理计 算机传输过来的数据，发球机开始执行教练员的此次训练指 令，发球机将依次发出直线、斜线、底线球、浅球等不同的 线路，同时球也有上旋、下旋、左旋、右旋等不同的旋转和 节奏。软件系统的控制界面（即人机界面）操作非常简单，如 图 3、图 4 所示，图 3 是选择组数对话界面，教练员可以通过 鼠标点击若干个组号，每次鼠标点击组号时会弹出一个显示发 球机该组球的出球状态、节奏和线路的对话界面。如图 4 所示， 在图4界面里可以设计每一球的落点、上旋和下旋等技术参数， 被选中的组号自动按鼠标点击的顺序排列，最后点击发送框， 教练员的训练计划就传送到发球机的控制系统中，断开数据 连接线打开发球机的运行开关，发球机就会按照教练员的训 练计划将球依次发出。 根据不同的运动员进行针对性训练，每个运动员都有自 己的特点，利用计算机模拟网球场地，根据运动员的特长设 计训练计划，每组 6 ～ 12 个球，直线、斜线、底线球、浅球 等不同的线路和落点，同时球也有上旋、下旋、左旋、右旋 等不同的旋转和节奏，最多连续 32 组，组与组之间不同（也 可以相同）而且节奏有不规律变化。 2.1 利用计算机智能控制技术，可以模拟出不同优秀球员的击球技战术特点和套路，使训练者对其进行针对性的适应训练 比赛是检验教学与训练效果的最佳方式，网球运动员需要长期参加很多次不同层次的比赛，才能丰富比赛的经验和提升比赛的能力。中国女子网球在短时间的异军突起，主要因素就是参加了大量国际性的网球比赛，在比赛中适应各球员不同的打发特点。但是参加大量的国际网球赛，需要大量的资金投入。利用计算机智能控制技术就可以实现对不同球员的模拟训练，从而达到节省比赛费用，提升网球运动员的比赛适应能力的目的。 2.2 通过计算机智能控制技术，可以实现人机互动，发挥教练员的主观能动性，对网球运动员进行有效的针对性训练 首先，教练员可以利用计算机，把多种训练方法、模式进行编程设计，然后对智能网球发球机发布指令，使其出球达到教练员的设计效果，对不同的运动员进行有针对性的强化训练，以达到弥补运动员的劣势技术，强化其优势技术的目的。 其次，教练员也可以即时遥控智能网球发球机，通过对键盘或遥控键的操控，根据队员场上的位置，对智能网球发球机发布指令，智能网球发球机就犹如一个高水平的网球运动员和队员在球场上对打，象“打电子游戏”一样，用教练员的意念对运动员进行训练和比赛。 3 结 语 综上所述，计算机智能控制技术在其它领域应用非常广泛。我们通过研究和借用计算机智能控制技术，把这项技术应用于网球训练中，可以模拟出不同优秀球员的击球技战术特点和套路，使训练者对其进行针对性的适应训练 ；可以实现人机互动，发挥教练员的主观能动性，对网球运动员进行有效

引 言 DTM（数字地形模型）的定义为“以数字形式存储的地球表面上所有信息的总和，是描述地面特征空间分布的数值的集合，是地形表面形态等多种信息的一种数字表示，是描述地形特征空间分布的有序数值阵列。”数字地形模型不仅包通过航、卫片的立体像对生成的高程数据，还包括公路、建筑物、河流等存在于地形表面的地物数据。地形可视化概念自形成以来，国内外学者就针对不同的目的对数据模型、相关算法以及理论进行不断研究，如今依托于计算机技术已经成功建立起多种可视化模型。1997 年，Mark 等人提出了 ROAM（实时优化适应网格）算法，ROAM 算法规则是对传统 LOD（层次细节技术）算法的改进，优化后的的ROAM 算法可以极大地提高地形数据的运算效率，尤其适合应用于大规模地形数据，因为它可以根据视点的位置实现对模型细节层次的动态计算。通过近年来的研究，我国学者提出一种基于地形特征和参数的地形生成方法，研究者将地形视为一个随机统计过程，并综合应用了实用回归、分形几何模型等多种技术。另外， 有学者将三角网地形生成方法与传统的分割 – 合并法融合在一起，提出了基于不规则三角网模型的自适应分块思想以及相应的地形简化过程。 1 改进的 Delaunay三角网法算法 数字地面模型从数据结构的角度可以分为 2 大类，即TIN（不规则三角网模型）和 Grid（不规则网格模型），TIN是针对离散点数据，其具有数据冗余小的优点，而且可以充分顾及到地形特征，能够将地形各种复杂的细节特征有效反映出来，但该方法的算法比较复杂，所以在实现方面存在一定难度，而且存储以及空间操作上也很不方便 ；Grid是基于规则分布数据点，该方法拓扑关系简单，算法容易实现，存储以及空间操作都非常方便，但其数据冗余较大，不能有效地对地形结构和特征进行描述。TIN是地形生成算法的基础， 本文着重讨论TIN的算法。三角网相对于TIN 和 Grid算法比较简单，而且图形灵活多变，改进的Delaunay三角网法可以有效提高 TIN的建网效率，下面就对Delaunay的改进算法的相关研究。 利用数据分块建网再合并技术对Delaunay 算法进行优化处理，因为 Delaunay 算法的原则同样适用于TIN 建网和合并， 所以基于该方法的建网效率与采样点增长呈线性递减分布，使得Delaunay 三角网的生成速度得到大幅度提高。Delaunay 改进算法处理过程如下： 2 处理原始数据（切分采样点） 图 1所示是采用数据切分的过程图，图中的“A为原始采样点。首先对原始采样点 A插入二叉树根节点，并根据采样点的地理位置置入叶子节点，如果叶子节点中采样点的最终数量大于三角网采样点的最大允许数量值，将该叶子节点作成根节点形成两个叶子节点，此时形成了两部分数据，实现了区域二分，反复进行此操作模式直到数据插入完毕”。图 1中采样点处理完毕后一共形成 4个三角网，各个三角网的合并好结合其在二叉树中的位置进行， 其中有父节点相同时先合并。图 1中 11由110和 111 合并而成，1由10和 11合并而成，完整的Delaunay 三角网最终由1 和 0 合成。 3 基本三角网的生成 首先要生成初始三角网，然后逐个插入其余点，并采用 LOD 对初始三角网的形成以及数据插入过程进行优化，以保 证形成有效的 Delaunay 三角网。初始三角网的形成过程 ：一 是根据采集的原始采样点特征构造凸壳 ；二建立用于逆时针 存储凸壳形成过程中各个点的链表；三是 将链表中的 P0 点（凸 壳上最小的点）以及后续点 P1、P2 构成第一个三角形 ；四是 从P2开始重复步骤三的操作，形成新的三角形，直到链表头部， 整体过程采用 LOD 进行优化。初始三角网形成后，再逐点插 入所有数据，以形成完整的 Delaunay 三角网。之后就可完成 基本三角网的合并。 3 三维地形可视化系统的实现  3.1 系统设计  地形表面网格模型的构建根据 DEM 数字高程模型，以 实现三维地形可视化系统的设计，并利用光照、立体视觉技术 以及纹理映射等实现地形地貌的真实再现。三维地形建模的 流程如下图 2 所示。  3.2 系统设计结构  本 研 究 的 基 础 设 施 为 Windows XP 操 作 系 统 以 及 VC++6.0、OpenGL，基于以上系统和软件进行开发，三维地 形可视化系统用到的关键数据结构可根据三角形面片使用单 链表形式定义，代码如下：（来自 DEM 文件的数据多通过面 向对象方法设计出的 Cterrain 类来处理，这里不再详细介绍）。 “Typedef struct triangle { Int…

—日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新款2020外形尺寸器件— IHLP-2020CZ-8A，扩充其耐高温汽车级IHLP®超薄大电流电感器。Vishay Dale IHLP-2020CZ-8A可在+180 °C高温下连续工作，高度仅为3 mm，节省汽车发动机舱使用环境下的空间。 日前发布的器件符合AEC-Q200标准，适用于DC/DC转换器储能，频率可达2 MHz。同时，电感器在自谐振频率(SRF)范围内大电流滤波应用中具有出色的噪音衰减性能。器件可在高温条件下工作，适用于汽车引擎和传控单元、燃油喷射驱动、高级驾驶辅助系统、尾气循环泵、娱乐/导航系统、以及发动机噪声抑制、雨刷器、电动后视镜和座椅、HID和LED照明、加热通风机的滤波和DC/DC转换。 高效IHLP-2020CZ-8A典型DCR为3.95 mΩ至195 mΩ，电感值为0.22 µH至15.0 µH。器件额定电流达18 A，可无饱和处理高瞬变电流尖峰。电感器符合RoHS标准，采用100 %无铅(Pb)屏蔽复合结构，噪声降至非常低的水平，具有高抗热冲击、耐潮湿、抗机械振动能力。 器件规格表： IHLP-2020CZ-8A现可提供样品并已实现量产，供货周期为10周。