摩登3咨询:_今年的存储芯片行情真不好,搞得三星、SK海力士、美光等存储芯片巨头们苦不堪言 原创

在如今大数据时代,NAND闪存无疑是数据存储的奠基者。不管是手机、电脑、家电还是汽车、安防等行业,都少不了NAND闪存的身影,其重要性可见一斑。

因此,NAND闪存逐渐从二维平面向三维堆叠结构过渡,3D NAND把解决思路从单纯提高制程工艺转变为堆叠多层,成功解决了平面NAND在增加容量的同时性能降低的问题,实现容量、速度、能效及可靠性等全方位提升。

除了技术限制外,制造成本也是推动闪存颗粒走向3D结构的关键。

全球闪存市场原本有六大原厂,分别掌握在美国、日本及韩国公司手中,美国就占了三家,韩国两家,日本一家,随着Intel闪存业务被SK海力士收购,现在变成了五大原厂,其中三星+SK海力士合计份额超过50%。

根据集邦科技发布的Q2季度闪存报告,三星在Q2季度营收59.8亿美元,环比下滑5.4%,市场份额33%,位列第一。

SK海力士收购Intel闪存业务之后成立了合资公司Soldigm,两者合计贡献36.15亿美元营收,环比增长12.1%,市场份额19.9%。

SK海力士+Soldigm的合并改变了市场格局,不仅超越铠侠成为第二,还与三星两家公司在闪存市场上的份额合计达到了53%,使得韩国公司在控制内存市场之后再次控制了闪存市场。

其他厂商中,铠侠营收28.32亿美元,环比大跌16.3%,之后是西数及美光,二者的营收比较接近,分别是24亿、22.88亿美元,份额13.2%、12.6%。

留给其他厂商的份额之后5.6%,这里面显然有部分是国产的长江存储,只不过份额相比五大原厂太低,仍需不断提升。

片实现量产,这也是全球首款突破200层大关的固态存储芯片。

据韩国媒体Business Korea报道,当前全球最大的存储芯片制造商三星电子,计划在本月新设立一个研发中心,负责研发更先进的NAND闪存。并且三星已经完成了第八代V-NAND技术产品的开发,堆栈层数达到了236层,有望年内进行量产。

三星电子之所以设立研发更先进NAND闪存的研发中心,是因为其竞争对手已研发出先进产品,SK海力士已宣布研发出了238层NAND闪存,预计明年上半年大规模量产;美光也开始了232层NAND闪存的量产,NAND闪存研发领域竞争激烈。

从研究机构的数据来看,三星电子目前在NAND闪存市场的份额,远高于其他厂商,就今年一季度而言,三星电子的份额高达35.3%,第二大厂商铠侠的份额为18.9%,SK海力士的份额则为18%。

三星曾在2013年时凭借24层V-NAND闪存领先竞争对手数年之久,当时的SK海力士和美光也是花了好长时间才追上三星的步伐。如果三星未来要想在NAND闪存市场继续占有优势,势必就需要不断研发更先进的产品。目前已知三星的NAND闪存为第七代V-NAND技术,堆栈层数为176层,不仅落后SK海力士和美光,甚至长江存储基于Xtacking3.0技术的第四代3D TLC闪存堆栈层数也达到了200+。

众所周知,今年的存储芯片行情真不好,搞得三星、SK海力士、美光等存储芯片巨头们苦不堪言。

拿DRAM内存来说,库存周转天数已经高达9-12周了,是最近几年以来最高值,同时价格从6月份开始就大跌了,按照媒体的报道称,部分DDR4的内存条,其合约价与成本价已经相差无已了,再跌就是亏本卖了。

事实上,不仅是DRAM内存大跌,像NAND闪存,也大跌了。

按照TrendForce 发布的报告称,目前NAND闪存也处于严重供过于求的状态,从第三季度开始,各大闪存厂商,就在极力的去库存。

3季度NAND闪存价格跌幅高达30-35%,而第四季度还会下跌,预计跌幅在15-20%,也就是下半年NAND闪存的价格,可能直接腰斩。

而使用NAND闪存制作的SSD,也即将成为白菜价,按照TrendForce的报告,目前众多的SSD产品,较去年同期,已经跌了50%以上。

甚至有些SSD产品,早就跌破成本价,特别是一些厂商在高位时进口的NAND闪存颗粒,成本就比较高,现在跌50%后,已经是亏本处理了,但由于库存过高,还不得不亏着处理掉。

目前全球NAND闪存领域,5大巨头占了90%+的份额,而NAND闪存价格大跌,估计这5大巨头也是损失惨重。

不过,这些巨头们虽然营收、利润会大幅度下跌,但由于实力强大,抗风险能力也是很强的,所以虽然影响大,但还能够挺下去。

反而那些小厂商,因为设备折旧周期长,导致成本更高,再加上资本不够雄厚,抗风险能力弱,所以很可能在下行过程中,影响更大,比如那些国产存储芯片厂商们。

据Business Korea报道,三星已经完成了采用第八代V-NAND技术产品的开发,将采用236层3D NAND闪存芯片,预计会在今年内实现批量生产。此外,三星还计划在本月开设一个新的研发中心,将负责开发更先进的NAND闪存产品。

在NAND闪存市场里,三星的市场份额是最高的,到达了35%。不过目前三星的NAND闪存还停留在176层,采用的是第七代V-NAND技术,层数不但低于SK海力士,也落后于美光,这迫使三星加快了新型NAND闪存的开发步伐,以保证竞争优势。

在如今大数据时代,NAND闪存无疑是数据存储的奠基者。不管是手机、电脑、家电还是汽车、安防等行业,都少不了NAND闪存的身影,其重要性可见一斑。

在此趋势下,全球NAND Flash存储容量持续保持增长,2020年存储容量达到5300亿GB,预计2022年将达6110亿GB。

随着存储容量的不断增长,NAND Flash存储原厂的产品生产工艺也在不断发展,存储晶圆工艺制程、电子单元密度、闪存堆叠层数等都经历了较大的技术迭代和发展。

发展至今,目前全球NAND Flash市况如何?各大玩家取得了哪些进展?以及在提升NAND闪存密度方面,行业厂商正在进行哪些努力,市场未来又将走向何方?

为了提升密度,闪存厂商做了哪些努力?

2D NAND转向3D NAND,层数升级

20世纪80年代,2D NAND技术诞生并实现商业化。

在2D NAND闪存时代,随着晶体管尺寸不断微缩,NAND闪存的存储密度持续提高。当密度提高至一定程度,NAND闪存中存储的电荷数量受限,读写容量也难以进一步提升。而对于存储阵列来说,耦合效应和干扰也是个问题。

因此,NAND闪存逐渐从二维平面向三维堆叠结构过渡,3D NAND把解决思路从单纯提高制程工艺转变为堆叠多层,成功解决了平面NAND在增加容量的同时性能降低的问题,实现容量、速度、能效及可靠性等全方位提升。

除了技术限制外,制造成本也是推动闪存颗粒走向3D结构的关键。

分析机构Objective Analysis董事长兼资深分析师Jim Handy指出,“3D NAND是NAND存储厂商克服当前困难的一个方式,存储厂商已经没有办法在原有2D NAND存储的基础上降低成本,因此他们选择了用3D技术来‘节流’。”

回顾3D NAND闪存的发展历程,东芝最早在2007年提出了此概念,并表明NAND闪存未来的发展趋势将集中于降低单位bit成本。2013年,三星推出了全球首款V-NAND闪存,并投入量产,代表着3D NAND闪存从技术概念走向了商业市场。

三星第一代V-NAND闪存采用了三星电子独创圆柱形3D CTF和垂直堆叠技术,虽然只有24层,但却突破了平面技术的瓶颈。反观东芝,其第一款3D NAND(48层)量产产品比三星晚了整整三年。

有数据统计,2019年,3D NAND的渗透率为72.6%,已远超2D NAND,且未来仍将持续提高,预计2025年3D NAND 将占闪存总市场的97.5%。

自从NAND闪存进入3D时代,芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点,堆栈层数犹如摩天大楼一样越来越高。在3D NAND技术赛跑中,存储厂商从最初的24层、32层,一路堆到了128层、176层,甚至200+层。层数越高,NAND闪存可具有的容量就越大,增加层数以及提高产量也是衡量技术实力的标准。

前不久,美光宣布其232层NAND闪存芯片实现量产,这也是全球首款突破200层大关的固态存储芯片。