在如今大数据时代，NAND闪存无疑是数据存储的奠基者。不管是手机、电脑、家电还是汽车、安防等行业，都少不了NAND闪存的身影，其重要性可见一斑。
因此，NAND闪存逐渐从二维平面向三维堆叠结构过渡，3D NAND把解决思路从单纯提高制程工艺转变为堆叠多层，成功解决了平面NAND在增加容量的同时性能降低的问题，实现容量、速度、能效及可靠性等全方位提升。
除了技术限制外，制造成本也是推动闪存颗粒走向3D结构的关键。
全球闪存市场原本有六大原厂，分别掌握在美国、日本及韩国公司手中，美国就占了三家，韩国两家，日本一家，随着Intel闪存业务被SK海力士收购，现在变成了五大原厂，其中三星+SK海力士合计份额超过50%。
根据集邦科技发布的Q2季度闪存报告，三星在Q2季度营收59.8亿美元，环比下滑5.4%，市场份额33%，位列第一。
SK海力士收购Intel闪存业务之后成立了合资公司Soldigm，两者合计贡献36.15亿美元营收，环比增长12.1%，市场份额19.9%。
SK海力士+Soldigm的合并改变了市场格局，不仅超越铠侠成为第二，还与三星两家公司在闪存市场上的份额合计达到了53%，使得韩国公司在控制内存市场之后再次控制了闪存市场。
其他厂商中，铠侠营收28.32亿美元，环比大跌16.3%，之后是西数及美光，二者的营收比较接近，分别是24亿、22.88亿美元，份额13.2%、12.6%。
留给其他厂商的份额之后5.6%，这里面显然有部分是国产的长江存储，只不过份额相比五大原厂太低，仍需不断提升。
片实现量产，这也是全球首款突破200层大关的固态存储芯片。
据韩国媒体Business Korea报道，当前全球最大的存储芯片制造商三星电子，计划在本月新设立一个研发中心，负责研发更先进的NAND闪存。并且三星已经完成了第八代V-NAND技术产品的开发，堆栈层数达到了236层，有望年内进行量产。
三星电子之所以设立研发更先进NAND闪存的研发中心，是因为其竞争对手已研发出先进产品，SK海力士已宣布研发出了238层NAND闪存，预计明年上半年大规模量产;美光也开始了232层NAND闪存的量产，NAND闪存研发领域竞争激烈。
从研究机构的数据来看，三星电子目前在NAND闪存市场的份额，远高于其他厂商，就今年一季度而言，三星电子的份额高达35.3%，第二大厂商铠侠的份额为18.9%，SK海力士的份额则为18%。
三星曾在2013年时凭借24层V-NAND闪存领先竞争对手数年之久，当时的SK海力士和美光也是花了好长时间才追上三星的步伐。如果三星未来要想在NAND闪存市场继续占有优势，势必就需要不断研发更先进的产品。目前已知三星的NAND闪存为第七代V-NAND技术，堆栈层数为176层，不仅落后SK海力士和美光，甚至长江存储基于Xtacking3.0技术的第四代3D TLC闪存堆栈层数也达到了200+。
众所周知，今年的存储芯片行情真不好，搞得三星、SK海力士、美光等存储芯片巨头们苦不堪言。
拿DRAM内存来说，库存周转天数已经高达9-12周了，是最近几年以来最高值，同时价格从6月份开始就大跌了，按照媒体的报道称，部分DDR4的内存条，其合约价与成本价已经相差无已了，再跌就是亏本卖了。
事实上，不仅是DRAM内存大跌，像NAND闪存，也大跌了。
按照TrendForce 发布的报告称，目前NAND闪存也处于严重供过于求的状态，从第三季度开始，各大闪存厂商，就在极力的去库存。
3季度NAND闪存价格跌幅高达30-35%，而第四季度还会下跌，预计跌幅在15-20%，也就是下半年NAND闪存的价格，可能直接腰斩。
而使用NAND闪存制作的SSD，也即将成为白菜价，按照TrendForce的报告，目前众多的SSD产品，较去年同期，已经跌了50%以上。
甚至有些SSD产品，早就跌破成本价，特别是一些厂商在高位时进口的NAND闪存颗粒，成本就比较高，现在跌50%后，已经是亏本处理了，但由于库存过高，还不得不亏着处理掉。
目前全球NAND闪存领域，5大巨头占了90%+的份额，而NAND闪存价格大跌，估计这5大巨头也是损失惨重。
不过，这些巨头们虽然营收、利润会大幅度下跌，但由于实力强大，抗风险能力也是很强的，所以虽然影响大，但还能够挺下去。
反而那些小厂商，因为设备折旧周期长，导致成本更高，再加上资本不够雄厚，抗风险能力弱，所以很可能在下行过程中，影响更大，比如那些国产存储芯片厂商们。
据Business Korea报道，三星已经完成了采用第八代V-NAND技术产品的开发，将采用236层3D NAND闪存芯片，预计会在今年内实现批量生产。此外，三星还计划在本月开设一个新的研发中心，将负责开发更先进的NAND闪存产品。
在NAND闪存市场里，三星的市场份额是最高的，到达了35%。不过目前三星的NAND闪存还停留在176层，采用的是第七代V-NAND技术，层数不但低于SK海力士，也落后于美光，这迫使三星加快了新型NAND闪存的开发步伐，以保证竞争优势。
在如今大数据时代，NAND闪存无疑是数据存储的奠基者。不管是手机、电脑、家电还是汽车、安防等行业，都少不了NAND闪存的身影，其重要性可见一斑。
在此趋势下，全球NAND Flash存储容量持续保持增长，2020年存储容量达到5300亿GB，预计2022年将达6110亿GB。
随着存储容量的不断增长，NAND Flash存储原厂的产品生产工艺也在不断发展，存储晶圆工艺制程、电子单元密度、闪存堆叠层数等都经历了较大的技术迭代和发展。
发展至今，目前全球NAND Flash市况如何?各大玩家取得了哪些进展?以及在提升NAND闪存密度方面，行业厂商正在进行哪些努力，市场未来又将走向何方?
为了提升密度，闪存厂商做了哪些努力?
2D NAND转向3D NAND，层数升级
20世纪80年代，2D NAND技术诞生并实现商业化。
在2D NAND闪存时代，随着晶体管尺寸不断微缩，NAND闪存的存储密度持续提高。当密度提高至一定程度，NAND闪存中存储的电荷数量受限，读写容量也难以进一步提升。而对于存储阵列来说，耦合效应和干扰也是个问题。
因此，NAND闪存逐渐从二维平面向三维堆叠结构过渡，3D NAND把解决思路从单纯提高制程工艺转变为堆叠多层，成功解决了平面NAND在增加容量的同时性能降低的问题，实现容量、速度、能效及可靠性等全方位提升。
除了技术限制外，制造成本也是推动闪存颗粒走向3D结构的关键。
分析机构Objective Analysis董事长兼资深分析师Jim Handy指出，“3D NAND是NAND存储厂商克服当前困难的一个方式，存储厂商已经没有办法在原有2D NAND存储的基础上降低成本，因此他们选择了用3D技术来‘节流’。”
回顾3D NAND闪存的发展历程，东芝最早在2007年提出了此概念，并表明NAND闪存未来的发展趋势将集中于降低单位bit成本。2013年，三星推出了全球首款V-NAND闪存，并投入量产，代表着3D NAND闪存从技术概念走向了商业市场。
三星第一代V-NAND闪存采用了三星电子独创圆柱形3D CTF和垂直堆叠技术，虽然只有24层，但却突破了平面技术的瓶颈。反观东芝，其第一款3D NAND(48层)量产产品比三星晚了整整三年。
有数据统计，2019年，3D NAND的渗透率为72.6%，已远超2D NAND，且未来仍将持续提高，预计2025年3D NAND 将占闪存总市场的97.5%。
自从NAND闪存进入3D时代，芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点，堆栈层数犹如摩天大楼一样越来越高。在3D NAND技术赛跑中，存储厂商从最初的24层、32层，一路堆到了128层、176层，甚至200+层。层数越高，NAND闪存可具有的容量就越大，增加层数以及提高产量也是衡量技术实力的标准。
前不久，美光宣布其232层NAND闪存芯片实现量产，这也是全球首款突破200层大关的固态存储芯片。
