据韩联社(Yonhap)今日引述未具名消息人士的话报导称，面对当前半导体需求转弱的情况，SK海力士董事会已于6月底决定暂缓清州(Cheongju)园区扩产方案，并考虑将2023年的资本支出削减25%至122亿美元。资料显示，SK海力士今年5月时计划在韩国清州新建一座全新的NAND Flash芯片制造工厂M17，预计2023年初动工，最快2025年竣工。

但是，最新的消息显示，鉴于经济前景高度不确定性，以及半导体市场需求转弱，所以SK海力士搁置了计划。

Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写”HY”。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。2019年9月5日，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。另外，海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率，2006年更创下半导体行业世界第七位，步入纯利润2万亿韩元的集团等，正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力，完成其使命，同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业，将尽心尽责，全力以赴。

在2012年，半导体产业的缩减投资趋势下，公司不顾亏损状态，比前一年大幅提升10%以上的投资，在当年年末成功扭亏为盈。此后，在市场不透明的情况下，SK海力士为了应对即将到来的存储器半导体繁荣期，在2015年果断做出建设利川M14的决定，最终从2017年开始两年间创下了历史最高业绩。

2012年并入SK集团的SK海力士以2015年宣布的“未来展望”为中心，持续了10年的投资。其内容是从2014年开始共投资46万亿韩元，包括利川M14在内共追加建设3个工厂。公司在2018年和2021年分别竣工清州M15和利川M16，提早实现了未来展望。

三星和SK海力士这两家韩国厂商合力拿下了全球52.9%的市份额，进一步强化了韩国在闪存领域的实力。虽然美国西部数据也13.2%的市场份额，但是其产能来源于与日本铠侠的合资工厂，这些工厂均位于日本。同样，美光虽然也拥有10.9%的市场份额，但其闪存工厂也并不在美国本土。因此，我们可以看到，在美国芯片法案签署生效之后，美光开始积极规划在美国本土建新的产能。近日，美国已宣布未来10 年内投资约150亿美元，在总部爱达荷州博伊西(Boise)建造存储芯片厂，这将是20 年来美国本土首家存储芯片厂。

据金融时报当地时间8月3日报道，受美国芯片法案限制条款及美国持续限制大陆半导体产业发展的背景之下，韩国三星电子和SK海力士开始重新评估中国大陆投资案。目前三星在中国西安拥有投资额超百亿元的存储芯片工厂，SK海力士则在收购英特尔闪存业务之后，接手了其在大连的闪存工厂。

报道称，一位资深韩国官员表示，随着时间过去，韩国在中国的数项芯片投资案可能会遭“放弃”，“要是中方不开心，得去跟美国谈”，这显示美国力促芯片大厂脱中转美的努力，初见成效。