2021年8月10日 — 全球领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布 ，已推出FET-Jet CalculatorTM 的升级版，这个新版本 (第二版) 显著简化了 SiC FET 和肖特基二极管的选择过程以及所有功率相关结果的分析。该简单易用、免注册的在线工具于 3 月首次推出，极大地方便了设计人员在不同电源应用和 26 种独特的拓扑结构中进行选择和性能比较。凭借更多可用的拓扑架构，FET-Jet CalculatorTM现在可支持更广泛的功率应用，无论是首次使用 SiC器件的工程师，还是正在为自己的设计寻求最适合和最佳 SiC 器件的经验丰富设计师，都可以方便使用UnitedSiC FET器件。

新版本FET-Jet CalculatorTM能够帮助工程师在 AC/DC、DC/DC 和 DC/DCiso 电源设计中确定最佳 UnitedSiC 器件，同时添加了代表损耗和效率数据的即时条形图示结果，还能够显示最佳栅极驱动器和缓冲器建议。最后，一旦确定了首选SiC解决方案，所有输入/输出设计信息都能够以 pdf 格式轻松下载。

新版FET-Jet CalculatorTM与第一版类似，用户可选择应用功能和拓扑架构，输入设计参数详细信息，之后该工具会自动计算开关电流、效率和损耗，并可按传导、导通和关断分类。UnitedSiC的所有 FET和肖特基二极管都可以从可分类表中选择，其中包括最新的第 4 代 750V器件。如果选择不合适，该工具还会发出警告，让工程师能够快速找到理想的设计解决方案。

UnitedSiC 工程副总裁 Anup Bhalla 介绍说：“FET-Jet CalculatorTM 的目标一直是帮助用户尽可能轻松地选择正确的功率拓扑架构和正确的器件。通过这次更新，我们将能够继续消除业界转向 SiC器件的障碍。新版本有一个直观的用户界面，能够简单即时地显示最重要的性能数据，这样可以通过快速忽略不合适的器件来加快研发速度。”