科研进展
微电子学院周鹏教授团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管（GAA，Gate All Around），实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一，为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径。
相关成果以《0.6/1.2纳米沟道厚度的高驱动低泄漏电流多桥沟道晶体管》（High Drive and Low Leakage Current MBC FET with Channel Thickness 1.2nm/0.6nm）为题在第66届国际电子器件大会（IEDM，International Electron Device Meeting）上北京时间12月16日在线发布。IEDM是微电子器件领域的国际顶级会议，是国际学术界和顶尖半导体公司的研发人员发布先进技术和最新进展的重要窗口。
双桥沟道晶体管示意图及其性能图
研究背景
随着集成电路制造工艺进入到5纳米技术节点以下，传统晶体管微缩提升性能难以为继，技术面临重大革新。采用多沟道堆叠和全面栅环绕的新型多桥沟道晶体管乘势而起，利用GAA结构实现了更好的栅控能力和漏电控制，被视为3-5纳米节点晶体管的主要候选技术。现有工艺已实现了7层硅纳米片的GAA多桥沟道晶体管，大幅提高驱动电流，然而随着堆叠沟道数量的增加，漏电流也随之增加，导致的功耗不可忽视。
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