- 减少了高达30％的成本，降低了100倍以上的功耗，为低密度PLD设计人员提供了令人鼓舞的新优点-
中国北京- 2010年11月10日 -莱迪思半导体公司（NASDAQ： LSCC）今天宣布推出其新的MachXO2™ PLD系列，为低密度PLD的设计人员提供了在单个器件中前所未有的低成本，低功耗和高系统集成。嵌入式闪存技术采用了低功耗65纳米工艺，与MachXO™ PLD系列相比，MachXO2系列提供了3倍的逻辑密度、10倍的嵌入式存储器、降低了100倍以上的静态功耗并减少了高达30％的成本。此外，在低密度可编程器件应用中的一些常用的功能，如用户闪存（UFM）、I2C、SPI和定时器/计数器已固化到MachXO2器件中，为设计人员提供了一个适用于大批量、成本敏感设计的“全功能的PLD”。
观看MachXO2 PLD系列的视频演示可以访问：
英文- http://www.latticesemi.com/xo2videoen
中文 – http://www.latticesemi.com/xo2videocn
日文 – http://www.latticesemi.com/xo2videojp
MachXO2 PLD系列的图片可以在这里浏览和下载：
www.latticesemi.com/xo2images
“通过65纳米嵌入式闪存技术的使用，为我们计算机，工业和电信基础设施市场的用户降低了成本，并增加了功能，同时为消费者设备的设计人员大大降低了功耗，”低密度和混合信号解决方案营销总监Gordon Hands说道。 “许多早期用户已经在评估MachXO2器件，并在广泛的应用中用MachXO2器件进行设计。”
三款器件选择提供了最大的设计灵活性
MachXO2系列提供了三种最大的灵活性选择。MachXO2 ZE器件拥有256到7K查找表（LUT），工作电源电压标称值为1.2V，并支持高达60MHz的系统性能。可提供低至19uW的功耗和小至2.5mmx2.5mm封装，MachXO ZE器件专为成本敏感、低功耗的消费类应用设计而优化，如智能电话、GPS和PDA等。
MachXO2 HC器件拥有256到7K查找表（LUT），工作电源电压标称值为3.3V或2.5V，并支持高达150MHz的系统性能。提供多达335个用户I/O和强大的设计解决方案（瞬时上电、非易失性、输入迟滞和单芯片），这些器件是控制型可编程逻辑器件应用在终端市场的理想选择，如电信基础设施、计算、工业和医疗设备。
MachXO2 HE器件拥有2K到7K查找表（LUT），工作电源电压标称值为1.2V，并支持高达150MHz的系统性能。这些器件专为功耗敏感的系统应用而优化。
