美国芯片公司Marvell表示，公司基于台积电 3 纳米 (3nm) 工艺打造的数据中心芯片正式发布。

据Marvell介绍，公司在该节点中的业界首创硅构建模块包括 112G XSR SerDes(串行器/解串行器)、Long Reach SerDes、PCIe Gen 6 / CXL 3.0 SerDes 和 240 Tbps 并行芯片到芯片互连。

按照Marvell所说，SerDes 和并行互连在芯片中充当高速通道，用于在chiplet内部的芯片或硅组件之间交换数据。与 2.5D 和 3D 封装一起，这些技术将消除系统级瓶颈，以推进最复杂的半导体设计。

SerDes 还有助于减少引脚、走线和电路板空间，从而降低成本。超大规模数据中心的机架可能包含数以万计的 SerDes 链路。

根据他们提供的数据，新的并行芯片到芯片互连可实现高达 240 Tbps 的聚合数据传输，比多芯片封装应用的可用替代方案快 45%。

换句话说，互连传输速率相当于每秒下载 10,000 部高清电影，尽管距离只有几毫米或更短。

Marvell 将其 SerDes 和互连技术整合到其旗舰硅解决方案中，包括Teralynx开关_,PAM4和相干DSP,Alaska 以太网物理层 (PHY)设备，OCTEON处理器_,Bravera存储控制器,Brightlane汽车以太网芯片组和定制 ASIC。

而转向 3nm 工艺使工程师能够降低芯片和计算系统的成本和功耗，同时保持信号完整性和性能。