宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年1月11日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET® MOSFET—SQJ211ELP，用以提高汽车应用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不仅是业内首款鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件，而且10 V条件下其导通电阻仅为30 mW，达到业内优异水平。 日前发布的新款汽车级MOSFET与最接近的DPAK和D2PAK封装竞品器件相比，导通电阻分别降低26 %和46 %，占位面积分别减小50 %和76 %。SQJ211ELP低导通电阻有助于降低导通功耗，从而节省能源，10 V条件下优异的栅极电荷仅为45 nC，减少栅极驱动损耗。 这款新型MOSFET可在+175°C高温下工作，满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外，SQJ211ELP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测(AOI)功能，消除机械应力，提高板级可靠性。 器件100 V额定值满足12 V、24 V和48 V系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。此外，作为p沟道MOSFET，SQJ211ELP可简化栅极驱动设计，无需配置n沟道器件所需电荷泵。 MOSFET采用无铅(Pb)封装、无卤素、符合RoHS标准，经过100 % Rg和UIS测试。 SQJ211ELP现可提供样品并已实现量产，供货周期为14周。

在成功的电源设计中，电源布局是其中最重要的一个环节。但是，在如何做到这一点方面，每个人都有自己的观点和理由。事实是，很多不同的解决方案都是殊途同归；如果设计不是真的一团糟，多数电源都是可以正常工作的。 当然，这其中也有一些通用性规则，例如： 不要在快速切换信号中运行敏感信号。换言之，不要在开关节点下运行反馈跟踪。 确保功率载荷跟踪和接地层大小足以支持当前的电流。 尽量保持至少一个连续的接地层。 使用足够的通孔（通常以每个通孔1A开始），将接地层相连。 除了这些基本的布局规则，笔者通常首先会识别开关回路，然后确定哪些回路具有高频开关电流。图1所示为针对降压电源（原理图和布局）的简化功率级的一个示例。 图1 降压电源原理图和布局 降压电源中存在两种状态（假定连续传导模式）：控制开关（Q1）接通时和控制开关断开时。当控制开关接通时，电流从输入流至电感器。当控制开关断开时，电流继续在电感器流动并流经二极管（D1）。电流连续输出。 但是存在输入脉冲电流，这是在布局中需要关注的部分。在图1中，此回路被标记为“高频回路”，并以蓝色显示。布局的首要目标是将Q1、D1和输入电容与最短、最低电感回路连接。该回路越小，开关产生的噪声便越低。如果忽略这一点，电源将不能有效工作。 识别开关回路的规程适用于所有的电源拓扑结构。规程的各个步骤分别是： 在接通状态确定电流通路。 在断开状态确定电流通路。 找到连续电流的位置。 找到断续电流的位置。 尽量减少断续电流环路。 下面列出了给定功率级配置的关键回路： 降压——输入电容回路。 升压——输出电容回路。 反相降压 -升压——输入和输出电容回路。 反激——输入和输出电容回路。 Fly-Buck——输入电容回路。 SEPIC——输出电容回路。 Zeta——输入电容回路。 正激、半桥、全桥——输入电容循环。 电源布局正如一种艺术形式一般，每个人都有自己的方式，而且很多时候也会起效。需要确保的一点是，在确定功率级的零件位置时，首先确定高频开关回路；这样便可为自己节约时间、免除烦恼。 END 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

二极管是电子电路中很常用的元器件，非常常见，二极管具有正向导通，反向截止的特性。 在二极管的正向端（正极）加正电压，负向端（负极）加负电压，二极管导通，有电流流过二极管。在二极管的正向端（正极）加负电压，负向端（负极）加正电压，二极管截止，没有电流流过二极管。这就是所说的二极管的单向导通特性。下面解释为什么二极管会单向导通。 二极管的单向导电性 二极管是由 PN 结组成的，即 P 型半导体和 N 型半导体，因此 PN 结的特性导致了二极管的单向导电特性。PN 结如图 1 所示。 图 1 ：PN 结示意图 　　 在 P 型和 N 型半导体的交界面附近，由于 N 区的自由电子浓度大，于是带负电荷的自由电子会由 N 区向电子浓度低的 P 区扩散；扩散的结果使 PN 结中靠 P 区一侧带负电，靠 N 区一侧带正电，形成由 N 区指向 P 区的电场，即 PN 结内电场。内电场将阻碍多数载流子的继续扩散，又称为阻挡层。 PN 结详解 二极管的单向导电特性用途很广，到底是什么原因让电子如此听话呢？它的微观机理是什么呢？这里简单形象介绍一下。 　　 假设有一块 P 型半导体（用黄色代表空穴多）和一块 N 型半导体（用绿色代表电子多），它们自然状态下分别都是电中性的，即不带电。如图 2 所示。 图 2 ：P 型和 N 型半导体 　　 把它们结合在一起，就形成 PN 结。边界处 N 型半导体的电子自然就会跑去 P 型区填补空穴，留下失去电子而显正电的原子。相应 P 型区边界的原子由于得到电子而显负电，于是就在边界形成一个空间电荷区。为什么叫“空间电荷区”？是因为这些电荷是微观空间内无法移动的原子构成的。 　　 空间电荷区形成一个内建电场，电场方向由 N 到 P，这个电场阻止了后面的电子继续过来填补空穴，因为这时 P 型区的负空间电荷是排斥电子的。电子和空穴的结合会越来越慢，最后达到平衡，相当于载流子耗尽了，所以空间电荷区也叫耗尽层。这时 PN 结整体还呈电中性，因为空间电荷有正有负互相抵消。如图 3 所示。 图 3 ：PN 结形成内建电场 　　 外 加正向电压，电场方向由正到负，与内建电场相反，削弱了内建电场，所以二极管容易导通。 绿色箭头表示电子流动方向，与电流定义的方向相反。 如图 4 所示。 图 4 ：正向导通状态 　　 外加反向电压，电场方向与内建电场相同，增强了内建电场，所以二极管不容易导通。如图 5 所示。当然，不导通也不是绝对的，一般会有很小的漏电流。随着反向电压如果继续增大，可能造成二极管击穿而急剧漏电。 图 5 ：反向不导通状态 　 图 6 是二极管的电流电压曲线供参考。 图 6 ：二极管电流电压曲线 　　 图 7 形象的展示了不同方向二极管为什么能导通和不能导通，方便理解。 图 7 ：不同方向导通效果不同 　　 生活中单向导通的例子也不少，比如地铁进站口的单向闸机，也相当于二极管的效果：正向导通，反向不导通，如果硬要反向通过，可能就会因为太大力“反向击穿”破坏闸机了。 END 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

我国幅员辽阔，地质结构多样复杂带来了各种地质灾害，随着城乡快速发展，在居民住宅和通用建筑领域，数量庞大的老旧楼宇日趋陈旧，导致连年出现楼宇危害的事故发生。 如广东深圳居民楼倾斜倒塌、江苏无锡公路桥坍塌和广东虎门大桥异常晃动等事件都严重地危害到人民群众的生命财产安全，或者在社会上造成了巨大的影响。建筑的结构安全事关重大，成为了政府和群众所关注的焦点。 利用物联网和智能化手段对民居、通用建筑和交通设施进行监测成为必然，而LoRa的低功耗、长距离及灵活性成为了这种物联网应用最好的通信手段之一。通过采用LoRa+传感器以及专业的分析系统和软件，博立信等LoRa生态伙伴在相关领域提供了完整的安全性监测方案。 2019年10月8日，中华人民共和国司法部发布了《建设工程抗震管理条例 (征求意见稿)》，在该文件的第三章，针对建筑的抗震性能鉴定、加固与维护，明确提出了要建立建设工程抗震性能鉴定制度，并规定了对存在严重抗震安全隐患的建设工程进行安全监测，并在加固前采取停止或者限制使用等措施。 2020年7月20日，国务院办公厅对外发布《关于全面推进城镇老旧小区改造工作的指导意见》，该文件明确提出：2020年新开工改造城镇老旧小区3.9万个，涉及居民近700万户;到“十四五”期末(2025年底)，结合各地实际，力争基本完成2000年底前建成的需改造城镇老旧小区改造任务。 近来，有关监管部门进行了及时管理，开展危楼监测专业事项的招标，按照国标标准进行了大规模、多级别的危楼评定。而在交通设施和公用设施等大型建筑的安全性监控管理等领域内，对诸如桥梁、隧道和水坝坝体等监控标准和要求也在不断落实和提升。 作为为市场提供基于跨界与模式创新的“传感器+”物联网技术、服务、产品和端到端解决方案的领先供应商，博立信在建筑物结构安全领域拥有丰富的经验，具有安全隐患的危楼危房是博立信关注的重点市场之一，而老旧居民楼则是国内建筑物结构监测最为重要的应用场景。 为解决传统方案中的诸多问题，博立信推出了基于LoRa®的建筑物结构安全监测场景使用方案。在建筑物结构监测场景中，LoRa智能物联终端以每小时上报一次数据的频率，常年监测楼宇结构裂缝与楼宇结构倾斜(详见下图：倾斜监测终端安装示意图 – 图1，裂缝监测终端安装示意图 – 图2)。 图1 倾角传感器安装示意图 图2 裂缝位移传感器安装示意图 每栋楼宇的智能终端通过LoRa网关数据透传，并以4G上行的方式，向博立信数据中心提报监测数据。数据中心的iView物联网数据管控平台，筛选记录有效数据，转换符合国标的应用描述。采用多级报警的预警机制，客户端呈现与APP展示等方式，每月产出监测数据，为监管部门的下一阶段决策，提供有力依据。 由于采用了LoRa技术，相比于传统方案，该方案运用了物联网技术手段，通过感、传、知、用，将智能物联终端采集到的数据通过LoRa低功耗无线通讯方式传输至物联网标准PaaS平台并根据需求施以运用。解决了传统方案安装走线、供电方式的困扰，以及设备信息孤岛，数据展示调用困难等问题。 该方案具有以下功能特性： · 低成本：基础建设、运营成本低。 · 低功耗：LoRa通讯使电池供电成为可能，可支持终端正常工作3-5年。 · 长距离：LoRa通讯在城市内信号传输距离能到2-3公里。 · 广覆盖：单个LoRa网关可承载上万个智能终端。 博立信科技首席执行官吴云桥说道：“博立信在建筑物结构安全领域的丰富经验，加上LoRa技术在物联网方面的成熟能力，使其成为智能解决方案的完美匹配。对于建筑物结构安全监测来说，老式的非物联网方案不但成本极高，而且维护困难，LoRa技术的实时数据可以在建筑物发生结构变化时及时进行数据反馈和预警。2017年以来，博立信的解决方案已在海外及江苏、浙江、广东等省成功进行大规模部署。” 博立信的智能检测方案也是对国家新基建规划的积极响应。通过利用物联网技术实时、远程监测建筑物结构的安全性和完整性。除了应用于通用建筑物的结构安全性监测，博立信和其他LoRa生态系统成员的LoRa+传感器+监控系统解决方案还可以应用于桥梁、隧道、道路边坡和水坝坝体等设施的监测，并可以带动高精度北斗等GNSS设备的应用，具有重大的社会效益。 Semtech中国区销售副总裁黄旭东表示：“我们很高兴看到博立信推出基于LoRa的建筑物结构安全智能监测方案，为民众的生命财产安全带来一定保障。作为一种领先的物联网技术，LoRa可为各类设施提供灵活、易用、低功耗和广覆盖的连接，并可以与北斗高精度等国内自主技术完美融合。Semtech将与LoRa生态伙伴们共同努力，通过使用物联网和智能技术助力打造更安全的建筑和城市。”

PCB层叠结构设计对产品成本、产品EMC的好坏都有直接的影响。板层的增加，方便了布线，但也增加了成本。设计的时候需要考虑各方面的需求，以达到最佳的平衡。 图1 在完成元器件的预布局后，一般需要对PCB的布线瓶颈处进行重点分析。 结合其他EDA工具分析电路板的布线密度；再综合有特殊布线要求的信号线如差分线、敏感信号线等的数量和种类来确定信号层的层数；然后根据电源的种类、隔离和抗干扰的要求来确定内电层的数目。 层叠选择因素考虑 电路板的层数越多，特殊信号层、地层和电源层的排列组合的种类也就越多。 信号层应该与一个内电层相邻（内部电源/地层），利用内电层的大铜膜来为信号层提供屏蔽。 内部电源层和地层之间应该紧密耦合，也就是说，内部电源层和地层之间的介质厚度应该取较小的值。 电路中的高速信号传输层应该是信号中间层，并且夹在两个内电层之间。这样两个内电层的铜膜可以为高速信号传输提供电磁屏蔽，同时也能有效地将高速信号的辐射限制在两个内电层之间，不对外造成干扰。 避免两个信号层直接相邻。相邻的信号层之间容易引入串扰，从而导致电路功能失效。在两信号层之间加入地平面可以有效地避免串扰。 多个接地的内电层可以有效地降低接地阻抗。例如，A信号层和B信号层采用各自单独的地平面，可以有效地降低共模干扰。 兼顾层结构的对称性。 表1 常见的叠层设计 1）四层板叠层结构 图2 2）六层板叠层结构 表2 3）八层板叠层结构 表3 表4 一到八层电路板的叠层设计方式 单面板和双面板的叠层 对于双层板来说，由于板层数量少，已经不存在叠层的问题。 控制EMI辐射主要从布线和布局来考虑； 单层板和双层板的电磁兼容问题越来越突出。造成这种现象的主要原因就是信号回路面积过大，不仅产生了较强的电磁辐射，而且使电路对外界干扰敏感。要改善线路的电磁兼容性，最简单的方法是减小关键信号的回路面积。 关键信号：从电磁兼容的角度考虑，关键信号主要指产生较强辐射的信号和对外界敏感的信号。能够产生较强辐射的信号一般是周期性信号，如时钟或地址的低位信号。对干扰敏感的信号是指那些电平较低的模拟信号。 单、双层板通常使用在低于10KHz的低频模拟设计中： 在同一层的电源线以辐射状走线，并最小化线的长度总和； 走电源、地线时，相互靠近；在关键信号线边上布一条地线，这条地线应尽量靠近信号线。这样就形成了较小的回路面积，减小差模辐射对外界干扰的敏感度。当信号线的旁边加一条地线后，就形成了一个面积最小的回路，信号电流肯定会取道这个回路，而不是其它地线路径。 如果是双层线路板，可以在线路板的另一面，紧靠近信号线的下面，沿着信号线布地条地线，一线尽量宽些。这样形成的回路面积等于PCB线路板的厚度乘以信号线的长度。 四层板的叠层 推荐叠层方式： SIG－GND（PWR）－PWR（GND）－SIG GND－SIG（PWR）－SIG（PWR）－GND 对于以上两种叠层设计，潜在的问题是对于传统的1.6mm（62mil）板厚， 层间距将会变得很大，不仅不利于控制阻抗，也不利于层间耦合及屏蔽； 特别是电源地层之间间距很大，降低了板电容，不利于滤除噪声。 对于第一种方案，通常应用于板上芯片较多的情况。这种方案可得到较好的SI性能，对于EMI性能来说并不是很好，主要通过走线及其他细节来控制。注意：地层放在信号最密集的信号层的相连层，有利于吸收和抑制辐射；增大板面积，体现20H规则。 六层板的叠层 对于芯片密度较大、时钟频率较高的设计应考虑六层板的设计。 推荐叠层方式： SIG－GND－SIG－PWR－GND－SIG； 这种叠层方案可得到较好的信号完整性，信号层与接地层相邻，电源层和接地层配对，每个走线层的阻抗都可较好控制，且两个地层都是能良好的吸收磁力线，在电源、地层完整的情况下能为每个信号层都提供较好的回流路径。 GND－SIG－GND－PWR－SIG－GND； 该种方案只适用于器件密度不是很高的情况，这种叠层具有上面叠层的所有优点，并且这样顶层和底层的地平面比较完整，能作为一个较好的屏蔽层来使用。 需要注意的是电源层要靠近非主元件面的那一层，因为底层的平面会更完整。因此，EMI性能要比第一种方案好。 小结：对于六层板的方案，电源层与地层之间的间距应尽量减小，以获得好的电源、地耦合。但62mil的板厚，层间距虽然得到减小，还是不容易把主电源与地层之间的间距控制得很小。对比第一种方案与第二种方案，第二种方案成本要大大增加。因此，我们叠层时通常选择第一种方案。设计时，遵循20H规则和镜像层规则设计。 八层板的叠层 八层板通常使用下面三种叠层方式： 1）由于电磁吸收能力差且电源阻抗较大，导致这不是一种好的叠层方式，它的结构如下： Signal 1 元件面、微带走线层 Signal 2 内部微带走线层，较好的走线层（X方向） Ground Signal 3 带状线走线层，较好的走线层（Y方向） Signal 4 带状线走线层 Power Signal 5 内部微带走线层 Signal 6 微带走线层 2）是第三种叠层方式的变种，由于增加了参考层，具有较好的EMI性能，各信号层的特性阻抗可以很好的控制。 Signal 1 元件面、微带走线层，好的走线层 Ground 地层，较好的电磁波吸收能力 Signal 2 带状线走线层，好的走线层 Power 电源层，与下面的地层构成优秀的电磁吸收 Ground 地层 Signal 3 带状线走线层，好的走线层 Power 地层，具有较大的电源阻抗 Signal 4 微带走线层，好的走线层 3）最佳叠层方式，由于多层地参考平面的使用具有非常好的地磁吸收能力。 Signal 1 元件面、微带走线层，好的走线层 Ground 地层，较好的电磁波吸收能力 Signal 2 带状线走线层，好的走线层 Power 电源层，与下面的地层构成优秀的电磁吸收 Ground 地层 Signal 3 带状线走线层，好的走线层 Ground 地层，较好的电磁波吸收能力 Signal 4 微带走线层，好的走线层 对于如何选择设计用几层板和用什么方式的叠层，要根据电路板上信号网络的数量、器件密度、PIN密度、信号的频率、板的大小等许多因素。对于这些因素我们要综合考虑。 对于信号网络的数量越多，器件密度越大，PIN密度越大，信号的频率越高的设计应尽量采用多层板设计。为得到好的EMI性能，最好保证每个信号层都有自己的参考层。 在设计多层PCB电路板之前，工程师们首先要根据单路规模、电路板尺寸以及电磁兼容性（EMC）的需求来确定电路板的层叠结构。 在确定层数之后再确定内电层放置位置以及信号的分布，所以层叠结构的设计尤为重要。 END 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

【2021年01月08日，北京】1月8日，在与中科院计算所和中科院计算所南研院的通力合作基础上，北京中科睿芯科技集团有限公司(简称中科睿芯)正式发布了一款图神经网络加速芯片的IP核(即制备芯片的知识产权核)，并宣布面向全球开展商用授权。据该团队介绍，目前市场上尚无任何类似IP核可供授权。因此，该IP核是全球首款图神经网络加速IP核，专注于高效加速图神经网络的推断阶段。 适合图神经网络的算力 此款图神经网络加速IP核代号为“GCU Zero”，主要研究人员之一是中科院计算所特别研究助理严明玉博士，其毕业于中科院计算所，曾在美国加州大学圣巴巴拉分校 SEAL 实验室访学，主要从事图计算和图神经网络加速结构研究。严明玉介绍说，“Zero”寓意着团队从0号“认知智能”芯片开始，期望实现机器与人类在智能上的“零差距”;“G”和”U”取图处理单元(Graph Unit)之义，代表满足图神经网络特殊算力需求的计算单元，而“C”则表示计算单元赋予机器认知智能(Cognitive Intelligence)。 GCU Zero Homosapiens系列 基于混合结构设计思想，GCU Zero分别为图神经网络的两个主要执行阶段——图遍历阶段和神经网络变换阶段设计相应的加速引擎，并流水两个引擎的执行。这一设计思路可匹配图神经网络对算力的特殊要求，大幅提升图神经网络的执行效率。 例如，在为图神经网络中的一个重要分支——图卷积神经网络的执行进行加速的过程中，GCU Zero可提供低延迟独立执行模式(低延迟模式)和高并发融合执行模式(高并发模式)两个工作模式，具有“四高三低四少”的优点。 “四高”是指高可配性(面向不同应用场景配置不同执行模式)、高可拓展性(可多个IP核互联执行更大规模的图神经网络)、高并发(可数十个图节点处理任务同时并发执行)、高能效(比传统处理器能效更高);“三低”是指在低延迟模式下，用所有资源共同执行单个图节点的处理任务，能实现低延迟、低开销、低能耗;“四少”是指在高并发模式下，多个图节点的处理任务同时执行，并且两个主要的阶段可流水，能够减少中间数据的计算和访存，从而实现更少计算、更少访存、更少功耗、更少运行时间。 开启图神经网络加速时代 图神经网络被认为是推动“认知智能”发展强有力的推理方法，有望解决深度学习无法处理的关系推理、可解释性等一系列问题，让机器“能理解、会思考”。 不过，尽管目前在国际学术界已有团队开展了基于图神经网络加速的相关研究，工业界也有了基于图神经网络的落地应用，但目前图神经网络加速芯片在国际上还是一片“无人区”。 2020年初，严明玉博士在国际计算机体系结构顶会 HPCA 上发表了国际第一个图神经网络的加速结构设计“HyGCN”。严明玉称，GCN即图卷积神经网络 (Graph Convolutional Network, GCN为其缩写)，作为图神经网络最重要的一个分支，GCN将深度学习算法和图计算算法相融合，对搜索、推荐、风险控制在内的等诸多重要领域有着更优的认知与问题处理等能力;HyGCN寓意向图神经网络的加速说“Hi”，寓意图神经网络加速的时代即将开启。 “GCU Zero IP核是我们Homosapiens系列的首个IP。”严明玉博士透露，面向高性能和超高性能的图神经网络训练和推断，Homosapiens系列在今明两年陆续还会有新产品发布。 Homosapiens取自生物学上的“智人”，得益于高度发展的大脑带来的推理与语言能力，智人最终在残酷的生存竞争中成为万物之灵。将图神经网络系列芯片命名为Homosapiens，表明了研究团队将“认知智能”赋予机器的信念和决心。 当前，人工智能正从由数据驱动的“感知智能”阶段迈入由数据与知识双驱动的“认知智能”阶段。在“认知智能”阶段，机器被期待获得基于知识的逻辑推理能力。而图神经网络技术的发展和应用就是关键之匙，其效果也在工业界已有的落地应用中得到了验证。接下来，人们期待可直接用于图神经网络计算的加速器件。 严明玉介绍，GCU Zero IP核在基于台积电先进的12 nm制程工艺下，运行频率可达1.2 GHz。在Reddit 数据集和GraphSage图神经网络模型下，GCU Zero IP基于64 GB/s的片外存储带宽，在10毫秒内完成的图节点处理任务数是英伟达最先进人工智能推理GPU TESLA T4的两倍以上。他进一步透露，基于GCU Zero，该研究团队设计了完整的芯片并计划投片，将在今年第二季度搭载在中科睿芯“金刚”高通量计算机上。

这个四足蜘蛛机器人以树莓派作为「大脑」，身躯和四肢由 3D 打印。无需定制电路板，初学者即可完成组装。不仅如此，教程还包含一段将近一个小时的组装视频。这对于想了解树莓派、Python 编程的朋友来说是非常不错的上手项目。 组件清单 Raspberry Pi 3B+/4B × 1500万像素 OV5647 Pi 摄像头模块 × 1POWERADD 5000mAh 电源 × 1PCA9685 16 通道 12 位 PWM 伺服电机驱动 × 1LM2596 降压转换器 DC-DC 降压模块 × 1MG90S 伺服电机 × 123.7v 锂电池（700mAh） × 4拨动开关 × 1跳线 × 若干M3螺母和螺栓 × 若干 3D 打印组件 需要打印的零件清单：1 x Body（身体）1 x Joint 1（关节1）1 x Joint 2（关节2）1 x Joint 3（关节3）1 x Joint 4（关节4）1 x Thigh 1（大腿1）1 x Thigh 2（大腿2）1 x Thigh 3（大腿3）1 x Thigh 4（大腿4）1 x Calf 1（小腿1）1 x Calf 2（小腿2）1 x Calf 3（小腿3）1 x Calf 4（小腿4）1 x 树莓派摄像头支架1 x 上盖4 x 足尖（粘）4 x 足尖（光滑） 每条腿由三个部分组成：关节、大腿、小腿。为了便于组装，STL 文件都做了命名和编号。可在本项目文件库下载：https://make.quwj.com/project/349 使用 PLA 材料，3D 打印所有的文件。你可以一次打印所有关节的零件，大腿和小腿也可以一起打印，如图所示。而打印身体、关节、大腿、摄像头支架在打印时需要支撑。 安装树莓派 推荐使用 2GB 内存以上的树莓派 + Raspberry Pi OS 桌面版。为树莓派安装好系统，参考：https://shumeipai.nxez.com/2019/04/17/write-pi-sd-card-image-using-etcher-on-windows-linux-mac.html 通过配置 WiFi，让树莓派接入网络，参考：https://shumeipai.nxez.com/2017/09/13/raspberry-pi-network-configuration-before-boot.html 开启 SSH，使用 PuTTY 登录树莓派终端。传输文件和电影可以通过 SFTP，使用 FileZilla 即可。 开启 VNC 并使用…

2021年1月7日，中国北京——是德科技公司宣布与全球最大的移动运营商中国移动合作推进以太无损网络测试方案。是德科技是一家领先的技术公司，致力于帮助企业、服务提供商和政府客户加速创新，创造一个安全互联的世界。 以太无损网络(RoCE)是IBTA(InfiniBand Trade Association)定义的标准协议，支持通过以太网络更高效率地传输数据。此技术被广泛用于数据中心的数据传输，可以显著提高吞吐量并减少端到端时延。 是德科技与中国移动合作开发了一种新的测试方案，该解决方案可提高无损网络(RoCE)性能的测试效率和可靠性。 是德科技大中华区网络应用与安全事业部总经理修向鹏表示：“将是德科技的IxLoad软件与高性能DCS(Data Center Storage)测试单板相结合，创建精确且可重复的测试环境，从而显著提高测试执行效率以及结果的一致性和准确性。” 中国移动在有线和无线网络平台上使用是德科技的测试解决方案来加快网络服务部署，其中包括是德科技的5G测试解决方案，用于验证和优化5G NR设备、基站以及无线接入网络(RAN)、核心网和数据中心基础架构。 中国移动研究院测试中心杨海俊主任表示：“我们很高兴与是德科技合作以支持以太网发展。RoCE技术是数据中心、融合存储区域网络(SAN)和云计算的理想传输技术。是德科技的高性能RoCE测试方案使我们能够加速在全球数字经济中的创新。” 是德科技在2020年11月21日在广州举行的2020中国移动全球合作伙伴大会上与中国移动研究院(CMRI)联合发布了《统一的以太无损网络测试技术白皮书》和《以太无损网络测试方法学》。 白皮书详细介绍了新的RoCE测试方案如何基于是德科技的IxLoad软件以及DCS硬件，来改善统计指标和测试稳定性。是德科技RoCE测试方案已实现部分替代现有的服务器测试解决方案。

配图来自Canva可画 业界普遍认可，VR/AR是5G时代最核心的应用场景，也将会是智能手机之后的下一代主流移动计算平台。 2021年开年伊始，VR产业传来喜讯。1月4日，爱奇艺孵化的VR厂商——爱奇艺智能宣布完成由屹唐长厚基金、清新资本共同投资的B轮数亿元人民币融资，创下2020年至今国内VR领域单笔融资最高纪录。开年即迎来大额融资，蓄势待发中的VR产业备受鼓舞。 VR产业再次复苏 在刚刚过去的2020年，VR产业迎来了一波突破性的发展。 底层芯片方面，高通发布的骁龙XR2专用芯片平台在2020年得以正式量产商用，并且实际表现亮眼；在技术应用方面，6Dof和4K技术的普及应用，大大提升了用户视觉和交互体验；在内容生态方面，《Half-Life：Alyx》和其他VR游戏的发布，让PC VR游戏收入有望从2019年的8610万美元增长至2020年的1.89亿美元，同比增长119%。 在产业各方面均取得长足进步背后，可以看到VR相关技术生态和内容生态已经初步形成。清新资本合伙人胡宇晨表示，“在经历两次产业泡沫后，我们认为消费者级VR的硬件与内容已初步成熟。”实际上，技术和内容生态初步形成，即使VR产业发展步入正轨，不同于前两次产业泡沫的显著区别；也是VR产业即将迎来蓬勃发展，并快步走向成熟的明显标志。 VR技术和内容生态的形成，正在为产业的高速发展奠定坚实基础。多家权威数据机构预测，VR产业未来几年将会呈现爆发式增长。IDC在《2020全球AR/VR市场季度跟踪报告》中预计，2020年全球AR/VR头显出货量接近710万台，2024年将达到7670万台，复合年增长率达81.5%。Super Data预测，VR产业在2020年的全球收入将会达到29亿美元，2023年就会增长至57亿美元。 种种迹象表明，VR产业的全面复苏已经到来，并且产业提速增长的基础已经奠定。从全球范围来看，为抢占“下一代移动计算平台”的战略机遇期，VR这片蓝海正吸引Facebook、HTC，以及爱奇艺、华为等越来越多国内外科技弄潮儿扎身其中。 中美科技企业形成对峙 全球VR产业的发展脉络和智能手机相近，美国科技企业们率先开始探索试错，中国科技企业们紧随其后，并且怀有后发先至的野心。 美国企业们在技术创新和内容生态方面，确实已经取得了一定的先发优势。 技术创新方面，美国企业在某些领域拥有显著领先优势。比如，当前的全球XR芯片市场，完全可以说是高通一家独大。华为海思虽然2020年中也发布了XR专用芯片平台，不过大规模量产恐怕会遇到一些困难。 内容生态方面，国内发展相比美国同行也略有不足。视频、游戏和社交是VR的三个核心应用场景，现阶段最适合推动VR普及的无疑就是游戏，而这个领域美国企业先天优势更大。举例来说，由于在2020年3月份发布了《Half-Life：Alyx》，仅仅两个季度，Valve的收入超过了所有PC VR游戏在2019年的总和。当前，能够做出类似品质VR游戏大作的国内企业并不多见。 不过尽管国内企业与美国同行相比，在技术和内容上拥有一定的差距，但这个差距并不大，而且还有机会迅速进一步缩小。 首先，5G、AI与VR技术的结合，中国企业有先天优势。AI技术和VR的结合，是推动VR技术创新的重要途径。比如颠覆用户体验的6DoF的出现，很大程度上就归功于计算机视觉（CV）技术的引入。而在AI技术应用层面，中国企业较美国同行更易取得优势。5G商用是推动VR复兴的根本动力之一，作用无需赘言。在新基建大潮下，国内5G商用普及加速，对国产VR企业而言，长远来看这也将会是一项重大利好。 其次，国产企业在产业链基础方面拥有显著优势。和智能手机相似，VR设备所需的每一种部件和材料，在国内很容易就能找到合适的供应商。所以相比外国同行，国产VR企业同样享有显著的本土供应链优势。 最后，国产VR企业享有的市场优势，足以令对手称羡。与智能手机相似，中国VR市场容量同样保持世界领先。IDC数据，2020中国VR市场占全球市场份额38.3%，为支出规模第一的国家，其次才是是美国、西欧和日本。对于立足本土市场的国产VR公司而言，不用进行复杂的本地化适应，庞大的中国市场就已经对其敞开了怀抱，这将带来的好处不言而喻。 行业定鼎之战硝烟初见 尽管在中国市场，Oculus Quest 2及《Half-Life：Alyx》这类美国企业产出的软硬件产品已经相继受到国内消费者的热捧。不过就现实情况而言，因为全球VR产业前不久才开始复苏，整体依然处于市场开拓阶段，所以中美两方企业的对峙虽然已经开始出现，但真正意义上的竞争还远未到来。简而言之，当前阶段，中美两国VR企业的主要竞争者，都是本国同行。 中国VR产业，现在的入场者大致可以分为三类： 第一类，熬过两次产业泡沫的VR创业公司。小鸟看看（Pico）、大朋、3Glasses这些创业公司当年怀着对未来的热忱杀入VR行业，时至今日，经历过几轮惨烈淘汰后，他们在技术创新和内容创新方面或多或少都已经有所建树。 第二类，重视VR发展的互联网内容公司。优爱腾包括乐视、暴风影音等视频平台都曾对VR寄予厚望，时至今日还在不断加大投入的，就只剩下爱奇艺旗下独立运营的爱奇艺智能。不过伴随着VR产业的再次复苏，相信这类玩家未来会再次变多。 第三类，以华为、小米为代表的智能手机巨头。智能手机巨头当然不会轻易放弃“下一代移动计算平台”的机遇，事实上这些年华为、小米、OPPO等巨头始终保持着对VR/AR的高度关注。其中华为尤其突出，不仅发布了XR专用芯片，VR/AR也是其“1+8+N”战略中的关键组成部分。 VR产业未来注定会呈现高度集中状态。毕竟从前景来看，VR/AR将会是智能手机之后的下一代主流移动计算平台；同时就难度而言，无论是技术创新还是内容生态搭建，VR明显都要比做智能手机更难。 VR领域必然会高度集中，而参与其中的三类玩家都不是弱者。同时VR产业的竞争，一定会是同时考验技术应用和内容创意的综合竞争。所以伴随着VR产业的迅速复苏，可以预见的是，相关领域将要展开的龙争虎斗已经不可避免。 而这场大战的胜利者，或许可以初步确立的行业格局中，取得先手优势。

【2021年1月8日，德国慕尼黑讯】根据市场调研机构 Omdia报告指出，英飞凌科技股份有限公司已成功登上 MEMS 麦克风市场的领导地位。根据报告中MEMS 芯片销售量显示，英飞凌的市场份额已然跃升至 43.5%，使其成为市场龙头，领先第二名将近4%，甚至远超第三名37%以上。如此积极的发展速度，归功于英飞凌在 MEMS 麦克风设计和大批量生产方面的长期经验，为市场带来无与伦比的消费者体验。 现在，英飞凌推出新一代模拟MEMS 麦克风──XENSIV™ MEMS 麦克风 IM73A135可提供更好的效果。麦克风设计人员必须经常在高信噪比 (SNR)、小封装、高声学过载点、低功耗，以及 MEMS与ECM麦克风之间做出取舍。因此，需要最高性能麦克风的应用在以前可能仍会采用ECM，而非MEMS。但现在有了 IM73A135，设计人员从此不再需要妥协。 IM73A135 麦克风具备了 73 dB 的 SNR 和较高的声学过载点 (135 dB SPL)，使其拥有高动态范围，且体积小巧 (仅 4 x 3 x 1.2 mm3)，亦具有紧密的频率曲线匹配功能，可实现最有效的音频信号处理，并达到业界最低的 170 μA 功耗。IM73A135 可使设计人员达到 ECM 独有的高水准音频性能，同时兼具 MEMS 技术的固有优势。 英飞凌新款 MEMS 麦克风具有出色的特性，可增强耳机的主动降噪功能。预计到 2025 年，该市场将增长至约 2.5 亿个设备，年复合增长率将达到 16%*2。此外，IM73A135 具有的低自噪声特性，特别适用于会议系统、摄影机或录音机所需的高品质音频撷取，这也是另一个预期将大幅增长的市场。 适用于可穿戴设备的全新数字低功耗技术 英飞凌不仅在持续扩展其品牌 MEMS 麦克风的产品组合，同时也通过推出最新的低功耗数字ASIC 技术来扩大其领先地位。这项展现最低功耗的技术将广泛用于“Infineon-inside”麦克风合作伙伴网络所制造并拥有自有品牌的各种新一代数字麦克风中。该技术具有领先业界的低功耗模式，耗电量仅 110µA，非常适合智能手表、健身手环等在内的可穿戴设备市场。由于对产品美观的需求不断增长，为了更能满足消费者的日常需求，预计到 2025 年，该市场将增长到约 6.5 亿个设备，在 2020 年至 2025 年预测期间内，年复合增长率将接近 20%*3。 XENSIV MEMS 麦克风 IM73A135 将于 2021 年 3 月在分销市场上市。适用于可穿戴设备的全新 MEMS 麦克风技术将在接下来的几个月由“Infineon-inside”合作伙伴推出。