二极管最重要的特性是单向导电性，利用这一特性可以设计很多好玩实用的电路，本文主要讲述限幅电路和钳位电路。 本文目录（点击查看大图） ▉ 正限幅电路 正半周时且Vin的电压大于等于0.7V时，二极管导通，Vout会被钳位在0.7V；在负半周和Vin电压小于0.7V时，二极管是截止状态，所以Vout=Vin，即Vout波形跟随Vin波形。 ▉ 负限幅电路 在正半周时，二极管截止，Vout=Vin，即波形跟随；在负半周Vin电压小于等于-0.7V时，二极管会导通，Vout电压会被钳位在-0.7V。 ▉ 双向限幅电路 双向限幅是结合了上面两个电路，用了两个二极管。正半周，通过D1将超出的部分钳位在0.7V，负半周通过D2将超出的部分钳位在-0.7V。 ▉ 正偏压限幅 为了产生不同的限幅电压，有时候会在电路中加入偏置电压Vbias，当Vin的电压大于等于Vbias+0.7V时，二极管导通，Vout被钳位。 ▉ 负偏压限幅 负偏压是一样的道理，Vin电压小于等于-0.7-Vbias时，二极管导通，Vout被钳位。 ▉ 双向偏压限幅 双向偏压限幅是两个二极管加两个偏置电压，正半周大于等于4.7V时，D1导通，超出部分被钳位在4.7V；负半周小于等于-6.7V时，D2导通，超出部分被钳位在-6.7V。 上面几种都是不含有电容的电路，主要是用来限幅。 下面几种是含有电容的二极管钳位电路，以下分析不考虑二极管的导通压降（即二极管正向导通相当于一根导线，反向截止断路），RC时间常数足够大，保证输出波形不失真。 ▉ 简单型正钳位电路 电路原理： 输入Vin在负半周时（Vin上负下正），二极管导通，电流如红色箭头所示，电容充电至+V（左负右正），Vout=0V； 输入Vin在正半周时（Vin上正下负），二极管截止，电流如蓝色箭头所示，Vout电压等于电容电压加上正半周电压，所以Vout=2V； ▉ 偏压型正钳位电路 偏压型钳位电路和限幅电路很类似，在电路中加入偏置电压来提高或者降低钳位值。 Figure a为正向偏压型，所加的偏压与二极管导通方向一致时，波形向上，即钳位值会提高V1。 Figure b为反向偏压型，所加的偏压与二极管导通方向相反时，波形向下，即钳位值会降低V1。 ▉ 简单型负钳位电路 电路原理： 输入Vin在正半周时（Vin上正下负），二极管导通，电流如红色箭头所示，电容两端压差充电至+V（左正右负），Vout=0V； 输入Vin在负半周时（Vin上负下正），二极管截止，电流如红色箭头所示，Vout电压等于负的（电容电压+负半周电压），即Vout=-2V； ▉ 偏压型负钳位电路 偏压型负钳位同偏压型正钳位类似，在电路中加入偏置电压来提高或者降低钳位值。 Figure C为反向偏压型，所加的偏压与二极管导通方向相反时，波形向上，即钳位值会提高V1。 Figure D为正向偏压型，所加的偏压与二极管导通方向相同时，波形向下，即钳位值会降低V1。 ▉ 常见的双向二极管钳位电路 在一些ADC检测电路中会用两个二极管进行钳位保护，原理很简单，0.7V为D1和D2的导通压降，Vin进来的电压大于等于Vmax时，D1导通，Vout会被钳位在Vmax；Vin小于等于Vmin时，Vout被钳位在Vmin，一般D2的正极接地。 今天的文章内容到这里就结束了，希望对你有帮助。 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

众所周知,红外热像仪已经在电力系统、土木工程、汽车、冶金、石化、医疗等诸多行业得到广泛应用,未来的发展前景更是不可限量,但在检测发电厂、配电系统、制造设施等难以到达的狭小空间时,效果不甚理想。为此,菲力尔推出一款红外与可见光视频内窥镜,用来执行难以到达的地下公用设施库的检测工作,有效提升检测工作的安全性和效率! 红外成像+可见光成像,安全排查狭窄区域 FLIR VS290-32是业界新款集红外成像摄像头和可见光摄像头于一身的工业红外可视视频内窥镜,旨在帮助专业人士快速安全地发现不便位置的隐患,尤其是地下配电室。 使用160×120真热像仪和200万像素可见光相机双传感器,支持现场轻松更换相机探头; 电气检测安全等级为CAT IV 600 V级,搭载长达两米的可替换式摄像探头,可在安全距离内检查地下配电室、大型齿轮箱、电机、阁楼、匍匐空间和其他工业应用内部情况; 搭载FLIR专利多波段动态成像(MSX?) 技术,可将内置可见光镜头采集的场景细节抽取出来叠加到完整红外图像上,使用户能在故障发生前发现热点,维持设备正常运行。 快速定位,共享结果 FLIR VS290-32可使用颜色警报(等温线)快速识别问题区域,还可利用内置的SD存储卡或USB-C下载和分享图像和视频。 使用3.5英寸超大彩色显示屏清晰查看结果,搭配FLIR Lepton?红外传感器,可提供热/冷颜色警报或等温线选项,可以在-10℃至400℃的极宽温度范围内快速识别问题区域; 使用随附的SD存储卡保存图像和视频,然后通过USB-C数据线上传至PC; 快速创建并与团队成员分享报告,使用FLIR Thermal Studio安排维修工作。 坚固耐用,功能多样 针对要求最苛刻的使用环境的需要,FLIR VS290-32经过了多重安全等级认证,能便捷且安全地通过狭小入口检测地下内部——无需移除盖板或进入该空间内。 摄像探头和底座的防尘和防水等级分别为IP67级和IP54级; 配备小型探头和高亮LED工作灯,可以在黑暗环境中为多波段动态成像工作提供照明; 使用双位电池充电器和锂离子充电电池,充满电后可连续工作六个小时; FLIR VS290-32红外内窥镜套件 协助您安全、高效地检查狭窄区域 轻松找到潜在问题,无需卸下盖子 甚至不必进入设施当中! 既保证工作人员的安全,也节省检测工作时间 是公用事业、制造、建筑物维护应用等 苛刻环境检测的得力工具! 想要拿到更多产品内部资料吗? 扫码填表获取吧～

挪威奥斯陆–2020年12月29日– Nordic Semiconductor宣布在2020中国两轮出行产业高峰论坛上获得业界领先的共享单车企业哈罗出行颁发“最佳科技协同奖”。这次会议由哈罗出行与中国自行车协会及中国互联网协会在上海共同组织举办。Nordic在150多家供应商中胜出而获得这个奖项，表彰其在低功耗、短距离无线技术和低功耗蓝牙(Bluetooth® Low Energy /Bluetooth LE) 技术方面的领导地位，以及Nordic当地支持团队为哈罗出行提供的出色支持。 在电子商务巨头阿里巴巴的支持下，哈罗出行于2016年面世，现已成为中国最大的单车和电动单车共享平台之一，在全国200多个城市拥有2.3亿用户。该公司称中国每天使用传统自行车和电动单车的骑行次数接近7亿次，而哈罗出行仅在共享电动单车市场就占据了大约80%的份额。 哈罗出行采用超低功耗的Nordic Semiconductor低功耗蓝牙系统级芯片(SoC)技术，在共享单车和用户智能手机之间提供无线连接。 用户可以从智能手机应用程序中找到附近的单车，然后使用Nordic SoC的低功耗蓝牙功能立即将其解锁。Nordic SoC经过精心设计提供超低功耗运行特性，通过全自动电源管理系统将功耗降至最低，同时，Nordic成熟可靠的SoftDevice(蓝牙RF协议软件“堆栈”)确保哈罗出行可以部署共享单车而无需进行持续维护或现场监督。所有Nordic SoC器件都可与最广泛智能手机品牌互操作而为人称道，这使其非常适合面向消费者的应用(例如共享单车平台)。 Nordic Semiconductor大中国区销售经理黄宝泉表示：“哈罗出行是一家专注于科技的企业，通过使用AI、大数据、云基础设施和IoT将共享单车融入中国的公共交通生态系统中。我们获得这样一家具有前瞻性之企业颁发技术合作奖项，令人非常高兴。而且，我们希望双方未来增强合作，为这个领域提供更多的创新技术和产品。” Nordic Semiconductor是业界公认的全球领先低功耗蓝牙半导体芯片企业(以低功耗蓝牙最终产品认证来衡量)，如今已发展成为一家无线物联网企业，能够通过超低功耗、短距离无线技术(例如低功耗蓝牙)或者通过低功耗、长距离无线技术(例如瞄准物联网的最新蜂窝无线技术LTE-M和NB-IoT) 来“连接任何物品”。Nordic最近收购了Imagination Technologies的Wi-Fi开发团队和Wi-Fi IP技术资产以增加其无线专业知识和技术。

在2020年的今天，单项突出的笔记本已经不能满足需求了，人们对笔记本的要求不仅是性能强大，还要满足各种移动场景需求，外观轻薄、超长续航、响应速度快，还要有高速可靠的连接能力。  需求变了 Intel雅典娜、Evo连续出击：重定义笔记本 做为PC行业的带头大哥，事实上Intel过去几年中已经注意到了多元化需求迫切从源头上改变笔记本行业，认为当前的笔记本体验是不完美的，不能只有一两项优点，要当全能王，不再有短板。 为此Intel开始面向未来研发新一代笔记本，并联合了PC行业的数百家合作伙伴，重新定义笔记本需求，然后带动厂商一起革新，2019年率先推出了雅典娜计划，重塑了笔记本体验。 雅典娜计划的笔记本在出厂时就已经充分考虑到用户的各种需求，现在不需要用户自己考虑来考虑去对比各种参数、指标，只要购买雅典娜笔记本就能做到开箱即用。 雅典娜计划只是个开始，2020年Intel又推出了Evo认证笔记本，它依托于雅典娜计划，打造出了更强大的笔记本——如果说以前的笔记本电脑只是从及格提升到了单项冠军的水平，那Evo认证就是百项全能的学霸笔记本。 不偏科的学霸 Evo认证笔记本要做到百项全能 Evo笔记本不只是学霸，而且是不偏科的学霸，几乎每一个主要指标都要达到市面上的顶级水平，包括性能、续航、快充、Wi-Fi、接口、核显、外观等等。这么多优势加起来才炼成了百项全能，确保每一方面都没什么槽点。 今年的Evo认证将笔记本的体验分为三部分，分别是快、长、炫，具体涉及到性能、续航以及外观设计等方面。 其中快，指的是笔记本的速度快，有4个内容，既包括最新的十一代酷睿的CPU性能，也包括只有1秒的快速唤醒能力，Wi-Fi 6网速、Thunderbolt 4（俗称雷电4）的40Gbps传输速度等，各方面体验都追求快速、灵敏。 长，指的是Evo笔记本的续航，最低要求是9小时，是在真实场景下，FHD全高清屏幕下实现的，还得支持快充，充电半小时，工作4小时。  最后一点是炫，一方面指的是新一代Evo认证笔记本的外观设计够炫酷，另一方面则是指Evo笔记本的GPU性能，十一代酷睿全面升级了Xe架构核显，性能比上代处理器几近翻倍，已经可以支撑部分3A游戏大作1080p流畅运行，性能已堪大用，不用独显了。 Evo的快长炫意味着什么？前面说了，以往的笔记本最多是做到一两项优秀，其他方面还是有妥协的，但是Evo不偏科，就好像是体育比赛中的全能比赛一样，比的不是单一比赛，而是多种不同比赛混合而成，总计10种田径比赛。 10个项目至少比赛2天，第一天的项目需要测试速度、爆发力及跳跃技巧，包括100米赛跑、跳远、铅球、跳高等，第二天的则是以耐力、持久力为主，具体包括110米跨栏、撑杆跳、标枪、1500米长跑等。 Evo笔记本就是这样，既要考验性能、网速、接口等性能、爆发力，也要兼顾续航、快充等耐力测试，同时还得规定笔记本的块头——体积小巧、轻薄便携，这么多项目同时做到真的是很不容易。 全能冠军是怎样炼成的？Intel亲自督阵：单项脱靶就淘汰 对笔记本来说，由于机身结构的限制，其本身在电池、重量、散热等方面就存在不足，Intel的Evo现在还要搞百项全能，这可能吗？所以一开始这就不是个轻松的问题，Intel也得亲自下场跟业界伙伴一道攻关各种难题。 首先，Intel投入了大量工程师资源联合厂商制定Evo规范，以前Intel主要负责处理器这一块，但是Evo笔记本中，Intel可以说从头到尾都要参与笔记本研发、测试，从每一个细节着手，制定了可能是最近20多年来最复杂的Evo规范，有79页内容，涉及30多项大类，有百余项指标，Evo笔记本都要满足这个“宝典”的指导与认证才行。   Intel在全球开放了三个实验室，从笔记本厂商的项目预研就参与其中，显示面板，触控屏，ALS传感器，麦克风，喇叭、摄像头、WiFi模组、内存，SSD，电池，充电器，键盘，触摸键盘等关键功能部件都有着明确的要求。   除了研发、设计阶段深度参与之外，Intel还担当了最后的测试认证，这可能是Evo认证中最难的一部分。一方面Intel要解决怎么测试的问题，为此Intel技术部门开发了一套独有的自动化测试工作流工具，能够模拟25项真实使用场景，既有Office办公这样的典型应用，也有现在流行的各类视频会议平台、即时通讯工具、流媒体平台和网页浏览工具等应用场景，基本上覆盖了今年笔记本办公/娱乐所需的方方面面。   解决了如何测试的问题，更关键的是问题是怎么评判——Evo笔记本追求的是百项全能，为此Intel定下要求，只有达到Evo要求的每一个指标才能给认证，有一项指标达不到，那就只能淘汰，哪怕其他几个方面达到甚至超过了Evo要求。   这种单项脱靶就淘汰的要求给了笔记本厂商很大的压力，25项测试中最难的就是续航，FHD屏幕真实体验下不低于9小时的续航很考验笔记本的实力，其中就有某厂商的笔记本在续航测试中不足9小时，但是Intel最终还是拒绝了它的Evo认证，哪怕这款笔记本其他方面非常优秀，性能、外观都很给力。 Intel近乎苛刻的标准下，今年150多款十一代酷睿笔记本中，最终只有40余款拿到了Evo认证，通过率大概就是1/4，多达3/4的型号往往就是某一个指标没有达到Evo标准，被Intel拒之门外。 专才变全才：Intel Evo倒逼笔记本厂商创新 Intel这么“变态”的测试让不少厂商都吃了苦头，但是从另一个角度来说，严格标准之下，不仅Evo笔记本的品质更上一层楼，厂商们也在这样苛刻的要求下开始实质性创新，通过技术升级来满足Evo的要求。 具体来说，大家看到了Evo笔记本这次很重视颜值——高屏占比的全面屏设计成为重点，但是窄边框也会影响笔记本的天线设计，为此Intel跟屏幕供应商通力合作，在天线技术方面进行突破创新，使天线所占空间缩小至原来的 10%，从而解决了屏幕边框的问题，在 13 英寸大小的笔记本上塞入了 14 英寸的显示屏。 还有一个就是主板尺寸，十一代酷睿处理器本身就缩小了PCB面积，可以放在键盘前三排下面，减少空间占用，而有OEM厂商进一步优化，将主板尺寸再缩小18%，同时散热能力提升了28%，续航也提升了20%，这些都是跟Intel亲密合作才实现的。 总之，在Evo证笔记本上，Intel这一次是下了决心了，不仅投入大量工程师资源参与到合作伙伴的笔记本研究、设计过程中，同时还在最后的测试认证中严格把关，苛刻的标准卡了很多笔记本的认证，但通过Evo认证的笔记本犹如鱼跃龙门，体验就完全不一样了，全身几乎没什么短板，可谓是PC界的百项全能冠军！

工作996.生病ICU，在国内频繁爆出程序员连续半个月加班到深夜，把不少打算回国躲避疫情的海外码农纷纷劝退。 华为996“狼文化”广为人知，马云说996是福报。虽然互联网公司的程序员们早就心生怨怼，无奈现实总是残酷，一时的网络热议并不能改变大多数公司要求“超长待机”的现状. 图源网络 当然996不是海归程序员的唯一归宿，国内也不乏一些965不加班，高薪资和福利丰厚的外企公司可供选择。 苏州微软 美国以外最大的site，国内养老好去处 微软中国的知名度似乎不如频频出圈的阿里、腾讯，在中国科技公司中是比较低调的存在，但是能得到共识的是，如果只是想找个地方养老，那么钱多事少的微软是不二选择。 微软中国2020从春到秋都在大张旗鼓的招聘，苏州、上海、北京园区放出了上千个岗位，直到年底还有一些坑位没填满，大家不妨再争取争取。 今年微软官宣，将继续加大在苏州研发投入，第二幢办公大楼即将动工，预计2023年落成交付。 之后微软苏州将会是微软在美国以外最大的site，拥有Bing / Office365 / Sharepoint / Intune等众多业务部门。 BTW，据微软内部员工透露：Office部门很不错，而且几乎没有政治斗争…… 总之就是舒舒服服干活，开开心心拿钱~ 深圳虾皮 股价猛涨9倍，人均5k砸钱抢人 不仅能准时下班，还能实现双休自由，在盛行996的深圳，虾皮就是一家特立独行的公司。 此外，受今年疫情影响，新加坡电商巨头虾皮的母公司Sea的增长势头也十分迅猛，短短几个月股价翻了9倍。 今年在各大互联网公司疯狂抢人时，虾皮的无作为被吐槽“反应迟钝”。 没料到，Shopee随后就给2021年校招人均涨薪5K，已经接了offer的也跟着涨。对于砸钱抢人这个方式，小编只能说：真！香！ 上海/北京PayPal New Grad总包38w+，给上海户口 PayPal不仅是美国移动支付巨头，也是国际的支付巨头。PayPal的团队更坐拥了国内各大985、211高校的成员。试问哪个程序员不愿意接受这样的技术熏陶！ 重点来了：中国的PayPal并不属于美国外包，入职即有机会直接参与/负责Paypal的核心架构和业务。 当然，作为一个合格的外企，PayPal严格同步国内外的福利待遇。 在周边都是996的氛围里，坐拥965的工作时间，每个工作日的餐补累积一年也有7k+，还有年均1w美金的股票。有位New grad第一年不仅总包拿了38w+ ，还直接拿了上海户口！ 上海/杭州Wish 已上市独角兽，高薪加WLB 美版“拼多多”Wish创立数十年，最终还是靠中国卖家发家致富，前不久完成了上市的任务，迅速在电商行业崛起。 虽处在互联网厮杀的时代，但是相比字节和拼多多的11-11-6，Wish中国10-7-5的工作时间就显得十分舒适了。上海分部的 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

作者| Mr.K   整理| Emma 来源| 技术领导力(ID：jishulingdaoli) 老K独家了解到，张勇近期在阿里内网发布文章表示，他对目前阿里的中台并不满意，他直言道，现在阿里的业务发展太慢，要把中台变薄，变得敏捷和快速。 至此，所有争论尘埃落定：阿里彻底拆中台了。 2015年，张勇推出“大中台、小前台”战略。事隔5年，他亲手拆掉自己搭建的中台，这究竟是怎么回事呢？难道中台战略一开始就是个错误吗？听老K来逐一拆解。 阿里“大中台，小前台”已成行业标配 张勇“all in移动”一战成名，推出的手淘App帮助阿里拿到移动互联网时代的头等舱，奠定了他在阿里的江湖地位。 作为阿里一号位，他又提出了“大中台，小前台”战略。推行5年多之后，中台似乎已经成为行业标配，规模稍微大一点的公司都建设了自己的中台。 当初张勇提出中台战略是想打造：统一技术架构、产品支撑体系、数据共享平台、安全体系等等。把整个组织“横”过来，支撑上面多种多样的业务形态。 不可否认阿里的中台，在近5年的发展过程中，有力地支撑了业务的发展。在如此快速的发展之下，每年的双11，从感觉上来说，系统是越来越稳定。中台战略的成效是有目共睹的。 中台解决不了什么问题？ 在“大中台，小前台”战略之后，阿里又提出了“五新战略”，即：新零售、新制造、新金融、新技术、新能源。 以阿里现在的体量，它的战略已经不是停留在“小修小补”的阶段，它要解决的是企业持续增长的问题、第二曲线的问题，所以它要做的是颠覆性创新。 先说结果，阿里“新制造”的代表是犀牛智造，CEO 伍学刚曾表示，要做阿里的服饰新制造平台，张勇给犀牛智造的建议就是，设立独立编制，要有自己的业务、技术、开发、产品，类似于一个独立的公司。尽管阿里有很强的中台，有很多现成的基础资源，但对于还处在起步阶段的业务，去找中台要资源，“效率不够高”。 无独有偶，淘宝特价版，这个被外界看做阿里“打”拼多多的重要项目，也是完全独立的编制，从产品、技术、运营一竿子插到底。其根本原因，就是为了追求创新的深度和创新的速度。 难道说，中台战略不能很好的支持企业创新？ 中台的基因之痛 中台并不是不支持创新，正相反，阿里中台孵化出“盒马鲜生”这样的现象级产品，如果没有中台，不可能半年打造出一整套线上线下新零售系统。 准确的说，中台适合做“组合式创新”，没法做“颠覆式创新”。 为什么这么说呢？因为，组合式创新，是把现有几个能力进行组合，形成新的能力，它强调能力的标准化，这个恰恰是中台所擅长的。以“盒马鲜生”为例，它复用了中台的商品、库存、用户、支付、AI、安全等多个服务能力，经过重新组合，形成了“零售新物种”。 但是，颠覆式创新，是从根上做创新，它要打烂前台、中台、后台，颠覆现有模式和能力。比如智能制造颠覆传统制造、智能手机颠覆传统手机，你没法在现有生产线上去创造，只有打破原有模式。所以，中台不支持颠覆式创新，这是中台的基因所决定的。 阿里的一位中台架构师向老K透露，“现在是要求我们把最抽象的部分留在中台，这样中台就剩下很薄的一层，通过这几年沉淀下来的通用能力来提高效率，可以大大减少人力，释放出来的人去前台做个性化的改造。” 不是中台不行，是场景变了 有人说中台不行了，连阿里都要放弃它了，其实不然。不是中台不行，而是场景变了，。许多大型企业面临的也是这方面的问题，所以中台依然适用。但是BAT、TMD们更多面临的是颠覆式创新、释放组织创造力等深层次的问题。 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

来来来，让我们一起，左手右手一个慢动作。 每一个方向都值得一个人用一生去钻研，每一个步骤都有其自身的魅力。 第一步，做出实体芯片。 单片机一般理解为MCU(Microcontroller Unit，微控制单元)，包含定时器、ALU(Arithmetic Logic Unit,算术逻辑单元)、内存、寄存器、总线等部分。而普通的意义的单片机还包含GPIO、串口（UART）、DMA、协处理器、AD\DA等等。 看懂如下图 前置：计算机组成原理，微机原理。 流水线 前置：数字逻辑电路，集成电路设计及其EDA技术，verilog把各个模块细分为寄存器级，比如移位运算器、节拍器、译码器、存储器等 module minicpu(clk, reset, run, in, cs, pcout, irout, qtop, abus, dbus, out); input clk,reset,run; input [15:0] in; output [1:0] cs; output [15:0] irout, qtop, dbus, out; output [11:0] pcout, abus; wire [15:0] qnext, ramout, aluout; reg [11:0] abus; reg halt, jump, pcinc, push, pop, thru, qthru, dbus2qtop, dbus2ram, dbus2obuf, ir2dbus, qtop2dbus, alu2dbus, ram2dbus, in2dbus; reg pop2, ir2abus, qtop2abus, qnext2abus; reg [11:0] pcout, pcnext; reg [15:0] out; statef statef0(.clk(clk),.reset(reset),.run(run),.halt(halt),.cs(cs)); stackm stackm0(.clk(clk),.reset(reset),.load(dbus2qtop),.push(push),.pop(pop),.pop2(pop2),.thru(qthru),.d(dbus),.dthru(ramout),.qtop(qtop),.qnext(qnext)); alu alu0(.a(qtop),.b(qnext),.f(irout[4:0]),.s(aluout)); dpram #(16,10,1024) dpram0(.clk(clk),.load1(dbus2ram),.addr1(abus),.addr2(pcnext),.d1(dbus),.q1(ramout),.q2(irout)); 物理上是这样的 然后会调试BUG，看时序。前置：时序用MODELSIM，综合用QUARTUS II 等等 然后此时才刚刚开始。继续生成电路网表，时序收敛，如果不对继续返回上述流程继续调试。前置：Synopsys 回顾一下 此时应该生成版图文件，然后根据制造厂商提供的物理器件库进行最后的各种设计规则检查。 前置：集成电路版图设计，软件有Cadence:Virtuoso Layout Editor 送到代工厂， 还要懂元器件 前置：半导体物理，半导体器件物理，固体物理，电介质物理，量子力学，热力学与数理统计。 根据得到的图表设计版图和工艺流程，大概是这样前置：集成电路制造 然后进行电气测试，电磁测试，最后封装。前置：集成电路封装技术 最后不能忘记出片的时候焚香沐浴更衣，朝南拜三拜，祈祷不会有大问题。 第二步，设计系统驱动。 终于得到了物理上的片子我们开始写汇编器，编译器。本质上烧写进ROM的是这样的机器码。 汇编器（把汇编语言变成机器码）前置：perl #!/usr/bin/perl -W//*****************//print "*** LABEL LIST ***\n";foreach $l (sort(keys(%label))){ printf "%-8s%03X\n",$l,$label{$l};}$addr=0;print "\n*** MACHINE PROGRAM ***\n";foreach (@source){…

为减少开发航天器系统的时间、成本和风险，设计人员可以在初始阶段使用商用现货（COTS），随后再将其替换为具有相同引脚分布、采用塑料或陶瓷封装的宇航级等效耐辐射器件。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出一款耐辐射的64兆位（Mbit）并行接口SuperFlash闪存器件，具有卓越的总电离剂量（TID）耐受能力，可在恶劣的太空辐射环境中实现最大的可靠性和耐用性。新产品是Microchip用于航天系统的单片机（MCU）、微处理器（MPU）和现场可编程门阵列（FPGA）的理想配件，为这种可扩展的开发模型提供了构建模块。 Microchip航空航天和国防业务部副总裁Bob Vampola表示：“在使用我们的耐辐射或抗辐射微处理器和FPGA开发航天系统总体解决方案的过程中，SST38LF6401RT SuperFlash产品进一步增强了扩展性，航天系统需要配套的闪存来存储驱动整个系统的关键软件代码或比特流，对数字处理的可靠性要求非常之高，新产品为这一过程提供了关键的保护。” 即使在闪存仍处于供电和运行状态时，SST38LF6401RT器件的辐射耐受能力也高达50千拉德（Krad）TID，该产品能使系统在各种空间应用中运行。在这些应用中，系统无法承受任何代码执行错误，否则可能导致严重缺陷和系统崩溃。新产品是Microchip基于SAMRH71 Arm® Cortex®-M7的抗辐射SoC处理器的理想配件，也可与RT PolarFire® FPGA配合使用，以支持航天器搭载系统的重新配置。新产品与其工业版本具有兼容的引脚分布，以便在印刷电路板（PCB）上轻松替换为宇航级的塑料或陶瓷封装版本。SST38LF6401RT的工作电压范围为3.0至3.6伏（V）。 开发工具和供货 SST38LF6401RT SuperFlash器件现在提供陶瓷封装的样品，可根据要求提供评估板和演示软件。此外，还可以根据要求提供FPGA飞行编程参考案例，演示如何将SuperFlash器件与FPGA和SAMRH71处理器通过支持软件进行集成。 Microchip从COTS到耐辐射产品的工艺 通过改进旗下成熟可靠的汽车或工业标准产品系列中相关器件的硅工艺，Microchip能为这些器件提供增强的保护，使它们免受重离子环境中的单粒子闩锁影响。通过为每个功能块提供专门的辐射报告，这些经过少量修改的器件的辐射性能得到充分的表征。这些器件被广泛应用于运载火箭、卫星组网和空间站等各种应用中。设计人员可以使用易于获取的COTS器件开始系统部署，然后再将其替换为引脚兼容的宇航级器件，这些器件采用高可靠性的塑料或陶瓷封装。 关于世健 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

大家好，我是小牛，今天跟聊一下 BAT 面试 C++ 开发工程师必问的一个考点：智能指针。 小艾：你昨晚面 C++ 去了？ 小牛：对啊，不是这个厂主要技术栈都是 C++ 嘛，我就面去了。 小艾：问了点啥啊？ 小牛：BAT 这 C++ 问的都差不多，又问智能指针了。 小艾：那来讲讲呗。 小牛：来。 智能指针的引入 大家都知道，指针是 C++ 中非常重要的一部分，大家在初期学习 C++ 的时候一定学过类似这样的指针方式。 int *ptr; 这种指针也被称为裸指针。但是使用裸指针会存在一些不足： 如果使用裸指针分配内存后，忘记手动释放资源，会出现内存泄漏。 如果使用多个裸指针指向同一资源，其中一个指针对资源进行释放，其它指针成为空悬指针，如果再次释放会存在不可预测的错误。上图中当 sp1 把资源释放后，sp2 成了空悬指针。空悬指针指的是指针所指向的对象已经释放的时候自身却没有被置为 nullptr。sp1 通过 free/delete释放资源的内存时，内存不会立刻被系统回收，而是状态改变为可被其它地方申请的状态。这时当再次操作 sp2，这块内存可能被其它地方申请了，而具体被谁申请了是不确定的，因此可能导致的错误也是不可预测的。 如果程序异常退出时，裸指针的释放资源的代码未能执行，也会造成内存泄漏。 为了改善裸指针的不足，确保资源的分配和释放是配对的，开发者提出了智能指针。智能指针主要是对裸指针进行了一次面向对象的封装，在构造函数中初始化资源地址，在析构函数中释放资源。 当资源应该被释放时，指向它的智能指针可以确保自动地释放它。 C++ 库中，为智能指针提供了不带引用计数和带引用计数的两种方案。 引用计数用于表示有多少智能指针引用同一资源。不带引用计数的智能指针采用独占资源的方式，而带引用计数的智能指针则可以同时多个指向同一资源。下面介绍一下它们的主要特点和区别。 智能指针的分类 不带引用计数的智能指针 不带引用计数的智能指针包括 auto_ptr、scoped_ptr和 unique_ptr三种指针。 不带引用计数的智能指针 1. auto_ptr: 我们先来看个例子： #include int main() { auto_ptr<int> ptr(new int(6));//定义auto_ptr指针ptr auto_ptr<int> ptr1(ptr); //拷贝构造ptr定义ptr1 *ptr=8;//对空指针ptr赋值会产生不可预料的错误 return 0; } 开始时 ptr 指向资源，一个整型数字6，当用 ptr1 拷贝构造 ptr 时，ptr1 指向资源，而 ptr 则指向 nullptr。下一行程序中如果对空指针 ptr 赋值 8，将会产生不可预料的错误。 下图表示 auto_ptr指针对资源的指向过程。 auto_ptr 使用拷贝构造时，如果只有最后一个 auto_ptr持有资源，其余 auto_ptr持有的资源会被置为 nullptr。 因此需要注意，不能在容器中使用 auto_ptr，当容器发生拷贝时，原容器中 auto_ptr持有的资源会置 nullptr。 下面我们再来看一下 auto_ptr的部分源码和部分解析： template<class _Ty> class auto_ptr { public: typedef _Ty element_type; explicit auto_ptr(_Ty * _Ptr=nullptr) noexcept : _Myptr(_Ptr)//初始化列表 { //构造函数 } auto_ptr(auto_ptr& _Right) noexcept : _Myptr(_Right.release())   { //拷贝构造函数，会调用release()函数 } _Ty * release() noexcept { /*使用拷贝构造时，最后一个auto_ptr持有资源，    其余被置为nullptr*/ _Ty * _Tmp = _Myptr;…

简介： 电子器件是一个非常复杂的系统，其封装过程的缺陷和失效也是非常复杂的。因此，研究封装缺陷和失效需要对封装过程有一个系统性的了解，这样才能从多个角度去分析缺陷产生的原因。 1. 封装缺陷与失效的研究方法论 封装的失效机理可以分为两类：过应力和磨损。过应力失效往往是瞬时的、灾难性的；磨损失效是长期的累积损坏，往往首先表示为性能退化，接着才是器件失效。失效的负载类型又可以分为机械、热、电气、辐射和化学负载等。 影响封装缺陷和失效的因素是多种多样的， 材料成分和属性、封装设计、环境条件和工艺参数等都会有所影响。确定影响因素和预防封装缺陷和失效的基本前提。影响因素可以通过试验或者模拟仿真的方法来确定，一般多采用物理模型法和数值参数法。对于更复杂的缺陷和失效机理，常常采用试差法确定关键的影响因素，但是这个方法需要较长的试验时间和设备修正，效率低、花费高。 在分析失效机理的过程中， 采用鱼骨图（因果图）展示影响因素是行业通用的方法。鱼骨图可以说明复杂的原因及影响因素和封装缺陷之间的关系，也可以区分多种原因并将其分门别类。生产应用中，有一类鱼骨图被称为6Ms：从机器、方法、材料、量度、人力和自然力等六个维度分析影响因素。 这一张图所示的是展示塑封芯片分层原因的鱼骨图，从设计、工艺、环境和材料四个方面进行了分析。通过鱼骨图，清晰地展现了所有的影响因素，为失效分析奠定了良好基础。 2. 引发失效的负载类型 如上一节所述，封装的负载类型可以分为机械、热、电气、辐射和化学负载。 失效机理的分类 机械载荷：包括物理冲击、振动、填充颗粒在硅芯片上施加的应力（如收缩应力）和惯性力（如宇宙飞船的巨大加速度）等。材料对这些载荷的响应可能表现为弹性形变、塑性形变、翘曲、脆性或柔性断裂、界面分层、疲劳裂缝产生和扩展、蠕变以及蠕变开裂等等。 热载荷：包括芯片黏结剂固化时的高温、引线键合前的预加热、成型工艺、后固化、邻近元器件的再加工、浸焊、气相焊接和回流焊接等等。外部热载荷会使材料因热膨胀而发生尺寸变化，同时也会改变蠕变速率等物理属性。如发生热膨胀系数失配（CTE失配）进而引发局部应力，并最终导致封装结构失效。过大的热载荷甚至可能会导致器件内易燃材料发生燃烧。 电载荷：包括突然的电冲击、电压不稳或电流传输时突然的振荡（如接地不良）而引起的电流波动、静电放电、过电应力等。这些外部电载荷可能导致介质击穿、电压表面击穿、电能的热损耗或电迁移。也可能增加电解腐蚀、树枝状结晶生长，引起漏电流、热致退化等。 化学载荷：包括化学使用环境导致的腐蚀、氧化和离子表面枝晶生长。由于湿气能通过塑封料渗透，因此在潮湿环境下湿气是影响塑封器件的主要问题。被塑封料吸收的湿气能将塑封料中的催化剂残留萃取出来，形成副产物进入芯片粘接的金属底座、半导体材料和各种界面，诱发导致器件性能退化甚至失效。例如，组装后残留在器件上的助焊剂会通过塑封料迁移到芯片表面。在高频电路中，介质属性的细微变化（如吸潮后的介电常数、耗散因子等的变化）都非常关键。在高电压转换器等器件中，封装体击穿电压的变化非常关键。此外，一些环氧聚酰胺和聚氨酯如若长期暴露在高温高湿环境中也会引起降解（有时也称为“逆转”）。通常采用加速试验来鉴定塑封料是否易发生该种失效。 需要注意的是，当施加不同类型载荷的时候，各种失效机理可能同时在塑封器件上产生交互作用。例如，热载荷会使封装体结构内相邻材料间发生热膨胀系数失配，从而引起机械失效。其他的交互作用，包括应力辅助腐蚀、应力腐蚀裂纹、场致金属迁移、钝化层和电解质层裂缝、湿热导致的封装体开裂以及温度导致的化学反应加速等等。在这些情况下，失效机理的综合影响并不一定等于个体影响的总和。 3. 封装缺陷的分类 封装缺陷主要包括引线变形、底座偏移、翘曲、芯片破裂、分层、空洞、不均匀封装、毛边、外来颗粒和不完全固化等。 3.1 引线变形 引线变形通常指塑封料流动过程中引起的引线位移或者变形，通常采用引线最大横向位移x与引线长度L之间的比值x/L来表示。引线弯曲可能会导致电器短路（特别是在高密度I/O器件封装中）。有时，弯曲产生的应力会导致键合点开裂或键合强度下降。 影响引线键合的因素包括封装设计、引线布局、引线材料与尺寸、模塑料属性、引线键合工艺和封装工艺等。影响引线弯曲的引线参数包括引线直径、引线长度、引线断裂载荷和引线密度等等。 3.2 底座偏移 底座偏移指的是支撑芯片的载体（芯片底座）出现变形和偏移 如图所示为塑封料导致的底座偏移，此时，上下层模塑腔体内不均匀的塑封料流动会导致底座偏移。 影响底座偏移的因素包括塑封料的流动性、引线框架的组装设计以及塑封料和引线框架的材料属性。薄型小尺寸封装（TSOP）和薄型方形扁平封装（TQFP）等封装器件由于引线框架较薄，容易发生底座偏移和引脚变形。 3.3 翘曲 翘曲是指封装器件在平面外的弯曲和变形。因塑封工艺而引起的翘曲会导致如分层和芯片开裂等一系列的可靠性问题。 翘曲也会导致一系列的制造问题，如在塑封球栅阵列（PBGA）器件中，翘曲会导致焊料球共面性差，使器件在组装到印刷电路板的回流焊过程中发生贴装问题。 翘曲模式包括内凹、外凸和组合模式三种。在半导体公司中，有时候会把内凹称为“笑脸”，外凸称为“哭脸”。 导致翘曲的原因主要包括CTE失配和固化/压缩收缩。后者一开始并没有受到太多的关注，深入研究发现，模塑料的化学收缩在IC器件的翘曲中也扮演着重要角色，尤其是在芯片上下两侧厚度不同的封装器件上。在固化和后固化的过程中，塑封料在高固化温度下将发生化学收缩，被称为“热化学收缩”。通过提高玻璃化转变温度和降低Tg附近的热膨胀系数变化，可以减小固化过程中发生的化学收缩。 导致翘曲的因素还包括诸如塑封料成分、模塑料湿气、封装的几何结构等等。通过对塑封材料和成分、工艺参数、封装结构和封装前环境的把控，可以将封装翘曲降低到最小。在某些情况下，可以通过封装电子组件的背面来进行翘曲的补偿。例如，大陶瓷电路板或多层板的外部连接位于同一侧，对他们进行背面封装可以减小翘曲。 3.4 芯片破裂 封装工艺中产生的应力会导致芯片破裂。封装工艺通常会加重前道组装工艺中形成的微裂缝。晶圆或芯片减薄、背面研磨以及芯片粘结都是可能导致芯片裂缝萌生的步骤。 破裂的、机械失效的芯片不一定会发生电气失效。芯片破裂是否会导致器件的瞬间电气失效还取决于裂缝的生长路径。例如，若裂缝出现在芯片的背面，可能不会影响到任何敏感结构。 因为硅晶圆比较薄且脆，晶圆级封装更容易发生芯片破裂。因此，必须严格控制转移成型工艺中的夹持压力和成型转换压力等工艺参数，以防止芯片破裂。3D堆叠封装中因叠层工艺而容易出现芯片破裂。在3D封装中影响芯片破裂的设计因素包括芯片叠层结构、基板厚度、模塑体积和模套厚度等。 3.5 分层 分层或粘结不牢指的是在塑封料和其相邻材料界面之间的分离。分层位置可能发生在塑封微电子器件中的任何区域；同时也可能发生在封装工艺、后封装制造阶段或者器件使用阶段。 封装工艺导致的不良粘接界面是引起分层的主要因素。界面空洞、封装时的表面污染和固化不完全都会导致粘接不良。其他影响因素还包括固化和冷却时收缩应力与翘曲。在冷却过程中，塑封料和相邻材料之间的CTE不匹配也会导致热-机械应力，从而导致分层。 可以根据界面类型对分层进行分类 3.6 空洞 封装工艺中，气泡嵌入环氧材料中形成了空洞，空洞可以发生在封装工艺过程中的任意阶段，包括转移成型、填充、灌封和塑封料至于空气环境下的印刷。通过最小化空气量，如排空或者抽真空，可以减少空洞。有报道采用的真空压力范围为1~300Torr（一个大气压为760Torr）。 填模仿真分析认为，是底部熔体前沿与芯片接触，导致了流动性受到阻碍。部分熔体前沿向上流动并通过芯片外围的大开口区域填充半模顶部。新形成的熔体前沿和吸附的熔体前沿进入半模顶部区域，从而形成起泡。 3.7 不均匀封装 非均匀的塑封体厚度会导致翘曲和分层。传统的封装技术，诸如转移成型、压力成型和灌注封装技术等，不易产生厚度不均匀的封装缺陷。晶圆级封装因其工艺特点，而特别容易导致不均匀的塑封厚度。 为了确保获得均匀的塑封层厚度，应固定晶圆载体使其倾斜度最小以便于刮刀安装。此外，需要进行刮刀位置控制以确保刮刀压力稳定，从而得到均匀的塑封层厚度。 在硬化前，当填充粒子在塑封料中的局部区域聚集并形成不均匀分布时，会导致不同质或不均匀的材料组成。塑封料的不充分混合将会导致封装灌封过程中不同质现象的发生。 3.8 毛边 毛边是指在塑封成型工艺中通过分型线并沉积在器件引脚上的模塑料。 夹持压力不足是产生毛边的主要原因。如果引脚上的模料残留没有及时清除，将导致组装阶段产生各种问题。例如，在下一个封装阶段中键合或者黏附不充分。树脂泄漏是较稀疏的毛边形式。 3.9 外来颗粒 在封装工艺中，封装材料若暴露在污染的环境、设备或者材料中，外来粒子就会在封装中扩散并聚集在封装内的金属部位上（如IC芯片和引线键合点），从而导致腐蚀和其他的后续可靠性问题。 3.10 不完全固化 固化时间不足或者固化温度偏低都会导致不完全固化。另外，在两种封装料的灌注中，混合比例的轻微偏移都将导致不完全固化。为了最大化实现封装材料的特性，必须确保封装材料完全固化。在很多封装方法中，允许采用后固化的方法确保封装材料的完全固化。而且要注意保证封装料比例的精确配比。 4. 封装失效的分类 在封装组装阶段或者器件使用阶段，都会发生封装失效。特别是当封装微电子器件组装到印刷电路板上时更容易发生，该阶段器件需要承受高的回流温度，会导致塑封料界面分层或者破裂。 4.1 分层 如上一节所述，分层是指塑封材料在粘接界面处与相邻的材料分离。可能导致分层的外部载荷和应力包括水汽、湿气、温度以及它们的共同作用。 在组装阶段常常发生的一类分层被称为水汽诱导（或蒸汽诱导）分层，其失效机理主要是相对高温下的水汽压力。在封装器件被组装到印刷电路板上的时候，为使焊料融化温度需要达到220℃甚至更高，这远高于模塑料的玻璃化转变温度（约110~200℃）。在回流高温下，塑封料与金属界面之间存在的水汽蒸发形成水蒸气，产生的蒸汽压与材料间热失配、吸湿膨胀引起的应力等因素共同作用，最终导致界面粘接不牢或分层，甚至导致封装体的破裂。无铅焊料相比传统铅基焊料，其回流温度更高，更容易发生分层问题。 吸湿膨胀系数（CHE），又称湿气膨胀系数（CME） 湿气扩散到封装界面的失效机理是水汽和湿气引起分层的重要因素。湿气可通过封装体扩散，或者沿着引线框架和模塑料的界面扩散。研究发现，当模塑料和引线框架界面之间具有良好粘接时，湿气主要通过塑封体进入封装内部。但是，当这个粘结界面因封装工艺不良（如键合温度引起的氧化、应力释放不充分引起的引线框架翘曲或者过度修剪和形式应力等）而退化时，在封装轮廓上会形成分层和微裂缝，并且湿气或者水汽将易于沿这一路径扩散。更糟糕的是，湿气会导致极性环氧黏结剂的水合作用，从而弱化和降低界面的化学键合。 表面清洁是实现良好粘结的关键要求。表面氧化常常导致分层的发生（如上一篇中所提到的例子），如铜合金引线框架暴露在高温下就常常导致分层。氮气或其他合成气体的存在，有利于避免氧化。 模塑料中的润滑剂和附着力促进剂会促进分层。润滑剂可以帮助模塑料与模具型腔分离，但会增加界面分层的风险。另一方面，附着力促进剂可以确保模塑料和芯片界面之间的良好粘结，但却难以从模具型腔内清除。 分层不仅为水汽扩散提供了路径，也是树脂裂缝的源头。分层界面是裂缝萌生的位置，当承受交大外部载荷的时候，裂缝会通过树脂扩展。研究表明，发生在芯片底座地面和树脂之间的分层最容易引起树脂裂缝，其它位置出现的界面分层对树脂裂缝的影响较小。 4.2 气相诱导裂缝（爆米花现象） 水汽诱导分层进一步发展会导致气相诱导裂缝。当封装体内水汽通过裂缝逃逸时会产生爆裂声，和爆米花的声音非常像，因此又被称为爆米花现象。裂缝常常从芯片底座向塑封底面扩展。在焊接后的电路板中，外观检查难以发现这些裂缝。QFP和TQFP等大而薄的塑封形式最容易产生爆米花现象；此外也容易发生在芯片底座面积与器件面积之比较大、芯片底座面积与最小塑封料厚度之比较大的的器件中。爆米花现象可能会伴随其他问题，包括键合球从键合盘上断裂以及键合球下面的硅凹坑等。 塑封器件内的裂缝通常起源于引线框架上的应力集中区（如边缘和毛边），并且在最薄塑封区域内扩展。毛边是引线框架表面在冲压工艺中产生的小尺寸变形，改变冲压方向使毛边位于引线框架顶部，或者刻蚀引线框架（模压）都可以减少裂缝。 减少塑封器件内的湿气是降低爆米花现象的关键。常采用高温烘烤的方法减少塑封器件内的湿气。前人研究发现，封装内允许的安全湿气含量约为1100×10^-6（0.11 wt.%)。在125℃下烘烤24h，可以充分去除封装内吸收的湿气。 4.3 脆性断裂 脆性断裂经常发生在低屈服强度和非弹性材料中（如硅芯片）。到材料受到过应力作用时，突然的、灾难性的裂缝扩展会起源于如空洞、夹杂物或不连续等微小缺陷。 4.4 韧性断裂 塑封材料容易发生脆性和韧性两种断裂模式，主要取决于环境和材料因素，包括温度、聚合树脂的黏塑特性和填充载荷。即使在含有脆性硅填料的高加载塑封材料中，因聚合树脂的黏塑特性，仍然可能发生韧性断裂。 4.5 疲劳断裂 塑封料遭受到极限强度范围内的周期性应力作用时，会因累积的疲劳断裂而断裂。施加到塑封材料上的湿、热、机械或综合载荷，都会产生循环应力。疲劳失效是一种磨损失效机理，裂缝一般会在间断点或缺陷位置萌生。 疲劳断裂机理包括三个阶段：裂纹萌生（阶段Ⅰ）；稳定的裂缝扩展（阶段Ⅱ）；突发的、不确定的、灾难性失效（阶段Ⅲ）。在周期性应力下，阶段Ⅱ的疲劳裂缝扩展指的是裂缝长度的稳定增长。塑封材料的裂纹扩展速率要远高于金属材料疲劳裂缝扩展的典型值（约3倍）。 5. 加速失效的因素 环境和材料的载荷和应力，如湿气、温度和污染物，会加速塑封器件的失效。塑封工艺正在封装失效中起到了关键作用，如湿气扩散系数、饱和湿气含量、离子扩散速率、热膨胀系数和塑封材料的吸湿膨胀系数等特性会极大地影响失效速率。导致失效加速的因素主要有潮气、温度、污染物和溶剂性环境、残余应力、自然环境应力、制造和组装载荷以及综合载荷应力条件。 潮气 能加速塑封微电子器件的分层、裂缝和腐蚀失效。在塑封器件中， 潮气是一个重要的失效加速因子。与潮气导致失效加速有关的机理包括粘结面退化、吸湿膨胀应力、水汽压力、离子迁移以及塑封料特性改变等等。潮气能够改变塑封料的玻璃化转变温度Tg、弹性模量和体积电阻率等特性。 温度 是另一个关键的失效加速因子，通常利用与模塑料的玻璃化转变温度、各种材料的热膨胀洗漱以及由此引起的热-机械应力相关的温度等级来评估温度对封装失效的影响。温度对封装失效的另一个影响因素表现在会改变与温度相关的封装材料属性、湿气扩散系数和金属间扩散等失效。 污染物和溶剂性环境 污染物为失效的萌生和扩展提供了场所，污染源主要有大气污染物、湿气、助焊剂残留、塑封料中的不洁净例子、热退化产生的腐蚀性元素以及芯片黏结剂中排出的副产物（通常为环氧）。塑料封装体一般不会被腐蚀，但是湿气和污染物会在塑封料中扩散并达到金属部位，引起塑封器件内金属部分的腐蚀。 残余应力 芯片粘结会产生单于应力。应力水平的大小，主要取决于芯片粘接层的特性。由于模塑料的收缩大于其他封装材料， 因此模塑成型时产生的应力是相当大的。可以采用应力测试芯片来测定组装应力。 自然环境应力 在自然环境下，塑封料可能会发生降解。降解的特点是聚合键的断裂，常常是固体聚合物转变成包含单体、二聚体和其他低分子量种类的黏性液体。升高的温度和密闭的环境常常会加速降解。阳光中的紫外线和大气臭氧层是降解的强有力催化剂，可通过切断环氧树脂的分子链导致降解。将塑封器件与易诱发降解的环境隔离、采用具有抗降解能力的聚合物都是防止降解的方法。需要在湿热环境下工作的产品要求采用抗降解聚合物。 制造和组装载荷 制造和组装条件都有可能导致封装失效，包括高温、低温、温度变化、操作载荷以及因塑封料流动而在键合引线和芯片底座上施加的载荷。进行塑封器件组装时出现的爆米花现象就是一个典型的例子。 综合载荷应力条件 在制造、组装或者操作的过程中，诸如温度和湿气等失效加速因子常常是同时存在的。综合载荷和应力条件常常会进一步加速失效。这一特点常被应用于以缺陷部件筛选和易失效封装器件鉴别为目的的加速试验设计。 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！