3月6日消息，全国政协委员、中国移动董事长王建宙6日在接受媒体采访时表示，中国移动正在积极推进TD-LTE，中国移动目前已选择北京、上海、杭州、南京、广州、深圳、厦门7城市组织开展TD-LTE规模技术试验。等七个城市作为试点城市，试验推行我国主导的4G技术。 　　据了解，TD-LTE是中国主导的新一代移动通信技术，已入选第四代移动通信（4G）的国际标准。TD-LTE是在TD-SCDMA发展基础上研发的新一代移动通信技术，不仅具有技术先进性，与国际最新移动通信同步发展，而且其频率利用率高的特点，在目前频率资源普遍短缺的情况下更显突出。 　　王建宙此前表示，中国移动在TD-LTE推进过程中高度强调国际化，因为该技术将“不只是中国移动用，中国企业用，还有很多国外企业用”。他透露，已有几十家国外企业明确表示要采用TD-LTE，有些还签了商业合同，日本、美国、印度、波兰等国的很多运营商也很希望和中国进行合作，这是TD-LTE国际化的第一步。 　　据介绍，中国移动关于4G时代不要再区分手机制式，提倡全球兼容手机的呼吁，得到了国际组织、芯片制造商、手机制造山商以及电信运营商的广泛响应，现已有世界主要芯片开发商制造出成品。 　　希望移动尽快回归A股 建议加速推进4G 　　中国移动董事长王建宙昨日表示，希望尽快推进中国移动回归A股的进程。据悉，监管部门目前正在积极制定红筹股回内地上市的具体办法。 　　王建宙称，无论是A股直接上市，还是通过存托凭证方式，或国际版的形式，都是可以接受和操作的。不过目前还没有具体时间表。他同时表示，中国移动与苹果的合作没有更新的消息。此前中国移动一直推动苹果方面推出TD版的iPhone。 　　作为全国政协委员，王建宙今年的提案是关于4G的——《在发展新一代移动通信中扩大我国自主创新技术的国际影响力》。他指出，TD-LTE是我国主导的新一代移动通信技术，已经入选成为4G国际标准。目前中国移动正在国内七个城市进行试验网建设。王建宙建议国家“早下决心，加快制定我国TD-LTE发展规划”。在他看来，清晰的市场信号是引导国内外资源向TD-LTE流动的前提。应尽快确定发展规划、政策取向和商用计划，在频率规划上给予重点支持。同时，推进其国际化进程，加速推广。此外，王建宙还建议探索通信企业跨国经营，鼓励和支持我国企业在全球市场上开展TD-LTE运营、提供服务外包，并鼓励金融机构加大信贷支持。

　　华为收购3Leaf时低估了这一交易的敏感性，没有主动及时向美国外国投资委员会（下称CFIUS）申报，从而引起了美国方面的关注，导致最终被迫放弃交易。 　　3Leaf公司是一家美国计算技术制造商，2010年5月拍卖部分资产，华为以200万美元购之，并雇佣了15名3Leaf员工。 　　据披露，3Leaf公司一位创始人在社交网站LinkedIn上的页面账户资料上显示其职务为“华为顾问”，这一信息引起了美国审查部门的关注，CFIUS由此介入进一步调查，发现华为并未就这笔并购提出审查申请。 　　根据CFIUS的规定，在完成可能具敏感性的跨境并购前，企业需主动申请审查，但华为认为针对3Leaf的收购只涉及部分资产和员工，不是直接并购企业，且金额不够审查门槛，因此没有申报。在CFIUS介入之后，华为于去年11月提交了审查申请。CFIUS对此项收购进行了为期75天的审查，并在2月11日建议华为撤回3Leaf的收购计划。 　　华为最初拒绝接受这一建议，但是一周后华为宣布放弃，终止对3Leaf的收购计划。 　　原美国国土安全部副助理部长、美国世强律师事务所Steptoe & Johnson LLP合伙人史蒂芬·赫尔芬兹（Stephen Heifetz）在国土安全部的工作职责之一即协助CFIUS的工作，他对财新记者分析认为，美国确实没有规定所有交易案都要由政府审核，公司的买家和卖家要判断交易是否会涉及国家安全。 　　“在我看来，华为和3Leaf是做了错误判断，不提交申请，反而让监管部门更加怀疑公司是否故意躲避审核。而且从现有情况来看，CFIUS并不认为华为只买了一部分资产。”赫尔芬兹说。 　　华为瞒报收购3Leaf，这一疏忽显示了华为应对美国市场的稚嫩。实际上，这并非华为第一次遭遇CFIUS，早在2008年，华为与贝恩资本联合并购3com一案即被CFIUS否决。

　　瑞萨电子计划上市SiC（碳化硅）功率半导体。耐压600V的SiC肖特基势垒二极管（SiC-SBD）“RJS6005TDPP”将从2011年3 月底开始样品供货。除了空调等白色家电外，预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC（功率因数校正）电路以及逆变器电路。瑞萨计划从2011年10月开始少量量产，2012年3月以后以10万个/月的规模量产。该公司还打算在2011年度内，样品供货耐压提高至1200V的SiC-SBD。 　　瑞萨此次上市的SiC-SBD，是在与日立制作所共同开发的技术基础上开发的。除了可将开关时的电力损失较Si制SBD降低40%外，还具有驱动电压只有1.5V的特点。据瑞萨介绍，验证导入PFC电路的效果发现，以SiC-SBD替换与Si制MOSFET相组合的Si制SBD后，工作效率提高了 0.3个百分点。“PFC电路的工作效率已提高到超过95%的水平，使用Si制SBD，效率基本没有提高。而采用SiC可提高0.3个百分点，这一效果非常显著”（瑞萨电子模拟&功率业务本部功率元器件业务部HV元器件设计部主管技师兼MOSFET•IGBT设计课课长金泽孝光）。样品价格为5000日元，是Si制SBD的数十倍。 　　瑞萨除了将此次的SiC-SBD作为单独部件提供外，还计划以在同一封装中集成Si制IGBT及MOSFET的模块和裸片形态提供。共备有电流容量为 10A、15A、20A和30A的4款产品。封装目前与该公司Si制功率半导体制品的相同。备有两个引线端子，外形尺寸与TO-220实型（Full Mold）相当。工作温度的上限“采用SiC时虽能保证直到200℃左右，但此次采用现有封装的产品为175℃左右”（瑞萨电子模拟&功率业务本部功率元件业务部副业务部长饭岛哲郎）。今后会考虑开发能够耐200℃左右高温的SiC封装。 　　该公司此为首次采用SiC开发功率半导体产品。决定踏入产品化的理由是：“由于在工作效率方面具有较大优势，因此，希望在倡导节能效果的高端机型中采用SiC的呼声日益强烈”（饭岛）。另外，最近一年里，罗姆和三菱电机等日本国内的功率半导体厂商纷纷决定上市SiC功率半导体也起到了推动作用。虽然实现产品化的时间稍显落后，但“我们可以自行生产与SiC-SBD组合使用的高性能IGBT、MOSFET以及控制IC，能够灵活地满足客户要求的性能指标，这是我们独有的优势”。

　　引 言 　　移动增值业务产品的核心特点是移动性、即时性和个人性。移动增值服务是在通信技术、计算机技术和互联网技术不断发展融合的基础上，在人们以信息为基础的各种应用需求快速增长的激励下，在社会信息化水平日益提高的前提下，迅速发展的一种全新的服务方式。由于移动通信自身所具有的可移动性、无时空限制性、专属性、安全性和时尚性的特点，加上基于这些特点之上的短信息、游戏、支付、定位、办公等丰富多彩的应用服务，使得我国的移动增值业务在短短数年里从无到有，迅速发展为欣欣向荣的产业。本系统采用的是以ATmegal28单片机为核心的自动售货机，通过BENQ的13SM／GPRS M22模块与服务器通信来实现以手机支付形式的移动增值服务系统。在实际设计过程中，考虑了自动售货机硬件平台在低温下运行的情况。 　　1 自动售货机网络结构 　　图1概述了移动自动售货机系统在实际运行过程中的网络结构框图。 　　 　　2 硬件设计 　　自动售货机是用户直接面对的终端界面，主要实现功能为： 　　①货物存储和出货。自动售货机将销售商品存储其中，以一台饮料机为例，其中存储的饮料可以高达3OO台，并且自动售货机装备有恒温控制系统和密闭的储存空间，在各种复杂的气候条件下，均可有效的保证货物的储存周期。 　　②无线数据交换。自动售货机具备无线通信功能，可以和现有的（3SM／CDMA网络进行对接，接受网络侧发起的各种无线通信连接，也可以主动向GSM／CDMA网络发起连接。通过无线数据交换可以实现对售货机的无线远程控制，并可以实时获取售货机当前系统状态和销售情况，从而实现整个业务的交易流程可控。自动售货机支持的无线通信方式包括：SMS、USSD、GPRS和CDMA lX。 　　2.1 单片机部分 　　Atmel公司生产的ATmegal28单片机内部集成了较大容量的存储器和丰富强大的硬件接口：定时器／计数器、实时时钟、PWM通道、A／D转换器、12C的串行接口、可编程的串行USART接口、SPI串行接口、带片内晶振的可编程看门狗定时器和片内的模拟比较器等。它在省电性能、稳定性、抗干扰性能和灵活性方面极具特色。单片机系统采用5 V电源供电，外接电源为24 V，经LM2576s芯片开关电源转为5 V，为系统主电源。 　　2.2 LCD部分 　　金鹏科技有限公司的OCMJ中文模块系列液晶显示器内含GB 2312 16×16点阵国标一级简体汉字和ASCII8×8（半高）及8×16（全高）点阵英文字库，使系统不用扩展外部存储空间。用户输入区位码或ASCII码即可实现文本显示。本系列模块具有上／下／左／右移动当前显示屏幕及清除屏幕的命令。OCMJ中文模块的所有初始化设置工作在上电时自动完成，实现了“即插即用”。同时保留了一条专用的复位线，可强制复位。规划整齐的10个用户接口命令代码，非常容易记忆。硬件接口采用REQ／BUSY握手协议，简单可靠。OCMJ5XlO模块的背光源正极引脚所需较大电流才能保证LCD的亮度，所以加9012三极管放大，三极管基极电阻的选择上一定要考虑低温下三极管的特性，以保证可正常驱动LCD。 　　2.3 GSM／GPRS模块 　　GSM／GPRS模块采用BENQ的M22模块，如图2所示。 　　 　　该模块采用的是标准的AT指令集，正常工作电压为3．3～4．3 V，5 V的VCC经过IN5401降压到4．3 V左右为模块使用，如图3所示。由于GSM／GPRS模块有瞬间脉动电流，在电路设计过程中加了1个2200 μF的电解电容可以满足模块的瞬间大电流需求。 　　

　　正在北京召开的全国两会将审查和讨论“十二五”规划纲要草案。此前公布的规划建议提出，中国将推动能源生产和利用方式变革，构建安全、稳定、经济、清洁的现代能源体系。业内预计，未来5年，中国光伏产业将迎来更加宽松的政策环境，其光伏产业“世界工厂”的角色将逐步向“世界市场”转变。 　　2010年，东营光伏太阳能有限公司营业收入突破28亿元，出口增幅超过100％。公司项目经理潘善峰说，由于国内市场需求较小，公司生产的光伏组件90％以上出口欧美市场。这家企业仅是中国上千家光伏组件生产企业中的一家小型企业。 　　过去10年来，中国在太阳能产业发展上取得令世人瞩目的成就。在太阳能热利用方面，中国已成为全球最大的热水器生产和消费国。但在光伏产业领域，中国却至今未能摆脱“世界工厂”的命运，由于核心制造技术与消费市场的缺乏，光伏产业仍然靠简单加工组装来赚取微薄的利润。 　　据从事光伏组件生产的力诺集团专业人士李磊介绍，2010年全球光伏市场安装量约1．5万MW，其中来自中国的光伏组件产品占到45％以上。中国光伏产业原料与市场“两头在外”的被动发展局面，在金融危机之后变得更加严峻。2011年中国国内光伏市场安装量有望达到500MW，但生产量却有望增至1．2万MW。 　　由于晶体硅的提炼技术限制，中国目前仍未能有效解决国内原料产量不足的问题。目前，中国光伏产业所需多晶硅材料仍主要从海外进口，这使光伏产业背负着沉重的成本负担。同时，由于缺乏有效的运营模式，加上光伏并网发电受到一定限制，致使国内市场难以打开。这些因素很大程度上制约了中国光伏产业的快速发展。 　　“十二五”时期，中国转变经济发展方式、调整能源结构的趋势，为光伏产业的发展带来了利好消息。改变对煤炭资源的过度依赖，更多地发展太阳能、水电和核能，将成为未来中国能源结构变革的方向。其中，光伏产业的利润空间较大，发展前景也相当广阔。 　　受政策的推动，在政府的一些招标项目及边远地区，光伏应用市场正显示出诱人的商机。业内预计，今年中国国内光伏组件安装市场有望实现翻番。目前，这些增长的市场需求主要来自华能、国电等五大发电集团。同时，国家对新疆、西藏等边疆省区的援助项目，也带动了国内光伏市场的壮大。 　　国家能源局新能源和可再生能源司副司长梁志鹏透露，“十二五”期间，中国将建设100座新能源示范城市，并进一步建设并网光伏发电站，在中西部等太阳能资源丰富的地区发展微电网示范区，通过多种手段推动光伏发电在国内的应用。 　　今年5月份，由力诺集团在西藏日喀则投资2．5亿元建设的10MW光伏电站，将实现投产运营。力诺集团表示，这一项目预计能实现7％左右的稳定利润率。 　　中国从事光伏产业的人士对国内市场前景充满信心。中国最大的光伏产品制造商、无锡尚德电力董事长施正荣表示，未来10年，亚洲将成为世界最大的光伏市场，而中国作为亚洲最大市场，很可能是世界光伏产品最大的消费国。

　　有人说过，2009年的DRAM市场竞争惨烈，厂商们的收入都大幅度缩减，曾经看好2010年市场。然而2010年的竞争则有过之而无不及，持续5个月的价格下跌简直打乱了厂商们的阵脚，个别厂商甚至转产去做SSD。 　　据存储器市场研究机构DRAMeXchange统计，DRAM主要产品DDR3在10月上半时平均固定交易价格为1.81美元，9月下半的交易价为1.97 美元，下跌7.92%。DDR3价格在2010年5月下半为2.72美元，创下最高纪录后，除7月下半价格稍微平稳外，已连续5个月呈下跌走势，且9月下半时已跌至2美元以下。 　　2010年上半DRAM价格呈异常上升走势，其后由于PC需求较预期低，因此自第3季开始便正式进入跌价局面。据此，三星和海力士2010年第4季半导体事业营收将不乐观。 　　除了几家大厂之外，我国台湾企业的日子也不好过，由于工艺升级步伐明显落后于日韩企业，所以成本控制较差，面临的运营压力非常大。 　　不过相比之下，企业更看好2011年的DRAM市场。据野村证券（Nomura）则提出分析，2011年第1季半导体先驱企业等股价将可望恢复。野村证券表示，特殊DRAM和快闪存储器（NAND Flash）事业占比重较高的企业将会与其它业者产生差异化。 　　 　　平板电脑有望成为DRAM的救世主 　　简单分析下市场不难发现，虽然台式与笔记本的市场增速放缓，但移动与手持电子设备的增速提高，苹果的iPad和iPhone就是很好的例子。移动设备中大量使用了DRAM和NAND闪存，对市场拓展起到了积极作用。 　　而据业内人士透露，随着PC厂商开始乐意大批量的采购以及代理商存货水平的下降，DRAM市场需求将会在3月份开始回升。 　　众多芯片供应商将更多产能转移到NAND闪存芯片生产以保证智能机、平板机领域需求的背景下，DRAM芯片供应很有可能会降低，这将会导致DRAM芯片价格在三月份开始回涨。PC OEM厂商的DRAM存货在三月中旬后将从0.9个月降低到0.8个月，2Gb DDR3芯片期货价将可能在3月份上涨接近3美元。目前涨价的势头已经开始显现，有望扭转DRAM一年多来的颓势局面。

　　摩尔定律即将失效虽是危机，却也是一个全球重新洗牌的机会，这一机遇的重要性相当于当年集成电路的发明。 　　摩尔定律将死？ 　　英特尔创始人之一戈登·摩尔在1960年代初曾提出：集成电路上可容纳的晶体管数目每隔约18个月会增加一倍，而性能也将提升一倍。半个世纪以来，这一定律见证了人类信息技术前进的脚步，也养肥了芯片业的巨无霸—英特尔。 　　不过这一被IT业奉为圭臬的定律发展至今，其根本性瓶颈已经显露：按摩尔定律原理，芯片将不可能再按原速发展。估计约在2015至2020年左右，芯片升级速率就会慢慢停止。 　　张首晟是学界应对这一问题的主要人士之一。作为斯坦福最年轻的教授，他在2003年组建了IBM-斯坦福自旋电子研究中心，并于2006年将其基于芯片业未来提出的新构想在理论上完成了预演。2007年，该构想被德国的一个实验小组证明。同年，张的这一发现被评为全球十大重要科学突破之一。 　　说到摩尔定律即将失效，它的根本原因是：如果仍按过去的原理工作，电脑每做一次运算，芯片上的每个三极管都要发出一定热量；而每过18个月，三极管就要Double一次，这是一个指数级的增长。指数增长很可怕，虽然一个三极管本身散发热量不多，但放那么多三极管却会导致温度过高，效率受阻。 　　事实上，如何降低功耗的问题已迫在眉睫。现在工业界的挑战—或说科研界的机会就在于是否能找到一个有革新性的构想，使工业界采用一个全新的原理工作，让三极管不会散发那么多热量。 　　张教授他们找到的解决方案是通过电子自转来降低能耗。简单来说，由于半导体中电子运动基本无序，当电流从一端到另一端时会因不断碰撞而发生能量消耗。而张的团队找到了电子的一个运动循环规律，即电子自转方向与电流方向实际有一定规律，这就使电子在运动中有了一定默契，避免了相互撞车。 　　不过，技术上的更新换代不是最让我惊诧的，与张教授的一席谈让我感触颇深的是在这一案例中所体现出的美国“产学研结合”的执行思路。 　　关于摩尔定律即将失效的问题，美国政府很早就看到了这一点，并已有过多项投资，研究机构也做了大量布局，其中比较有趣的是包括英特尔、AMD等企业对张首晟项目的投入。这一投资，不单是给一些钱。通过此举，企业实际上作出了方向上的选择。但为何这些具有竞争关系的公司会同时出现在投资名单中呢？ 　　这是因为张的团队所做的是知识产权方面的战略，这个产权会在几大公司内共享。虽然公司间有竞争关系，但这种竞争主要在于如何把产品做得更好。换句话说，它们自然不愿看到竞争对手把自己摒弃在外。 　　与此同时，这种合作模式对企业还有另一好处，即参与斯坦福研究的学生毕业后大部分会去公司，这样一旦做成，最后的开花结果就是在公司里面。 　　“产学研相结合”这句话我在中国听了很多年，但未必曾执行得如此深入。类似的技术前沿的创新合作，在中国企业界与美国高校之间也似乎从未发生过。 　　我把这一疑惑抛给了张教授，他的看法是：这不是因为有什么限制，主要还是公司自身做得不够好。如果公司整天都忙于打价格战，也就不可能有远见来考虑如何让自己翻身。 　　他同时指出，摩尔定律即将失效虽是危机，却也是一个全球重新洗牌的机会，这一机遇的重要性相当于当年集成电路的发明。“虽然美国产业界目前基本上还是在原来模式下争取更多进步，但也都联合起来为大学和科研机构提供资金。我认为，中国半导体工业也一定要有这样的超前意识，不能整天打价格战，因为这并不是一个很成功的模式。”

　　奥地利微电子公司推出业内最低功耗且尺寸最小的用于非接触位置检测的10位磁旋转编码器IC AS5050。AS5050具有自动关断及唤醒模式，适用于机器人等低功耗应用，也适用于伺服电机控制，还可作为低成本电池供电设备的输入设备。 　　AS5050为单芯片器件，集成了4个霍尔传感器、1个10位角度编码器、1个智能电源管理控制器和1个易于使用的3或4线SPI通信接口。AS5050低功耗编码器采用4×4 mm QFN-16封装，在业内同类产品中尺寸最小。其电流消耗视乎读取速率，可降低至µA级。例如，在10次测量/秒时电流消耗为50µA，为业内最低。 　　上述芯片上仅有少量被动元件和一个旋转磁铁，即可组装一个非接触式位置测量编码系统。AS5050磁旋转编码器可在片上执行全部角度计算，具有片上自动唤醒及关断功能，只有当主控制器需要进行新的测量时才会消耗电流。当测量完成后，AS5050会自动进入关断模式。 　　奥地利微电子产品市场经理Andreas Pfingstl表示：“AS5050的自动关断及唤醒模式使之成为业内功耗最低的10位磁旋转编码器，延长了电池供电设备的充电间隔时间。它同时还可为普通微控制器提供业内标准接口的简单连接。” 　　AS5050磁编码器IC工作电压为3.3V，工作环境温度范围为-40 to +85°C。 　　

　　根据集邦科技（TrendForce）旗下研究机构DRAMeXchange 调查，受到终端需求不振以及日本地震后对笔记本电脑（NB）供应链产生的影响，第二季代工厂出货不确定因素增加，尽管需求可能递延至下半年，但下半年将与平板电脑的放量效应正面冲突，预算排挤效应将对NB成长有所压抑。 　　DRAMeXchange 因此将 2011年全年NB （包含上网本）出货量预测下修至2.08亿台，年增率7.3%，上网本2，500万台，年衰退25%；在平板电脑方面，预估 2011年全球销售量将可达到3，950万台，年增率152.4%。 　　展望2011年，PC市场因平板电脑大量新机问世以及持续成长态势，加上新兴市场比重逐年提高，将对原本的产业生态带来新的改变；DRAMeXchange认为， 2011年 PC 产业的成长（参考图一）因为台式电脑（DT）已逐渐成熟，其成长主要动能（黄 色图标）将来自于新兴市场的首购PC需求。 　　 　　 　　DRAMeXchange指出，All in One机种目前在平均销售价格（ASP）上仍跟传统DT有明显差距，短期内对DT的出货量贡献有限，预期在2012~2013才会对整体的出货量产生明显贡献。加上NB对DT的取代效应持续发酵，因此预期2011年DT出货年增率约为2.6%。 　　另一方面，NB市场因受到平板电脑在小笔电取代效应与预算排挤效应两个因素的压抑下，成长动能不如以往，成长力道除了对DT持续的取代效应外，将主要由新兴市场以及商用机种持续的换机需求带动。 　　整体来说，平板电脑对NB市场的侵蚀效应明显，但若比照以往将小笔电并入NB出货的模式，也将平板电脑出货纳入考量，则2010年整体Mobile PC出货（包含常规笔电、小笔电、平板电脑）总计为2.096亿台，年增率31.2%。 　　DRAMeXchange预估，2011年 Mobile PC （包含常规笔电、小笔电、平板电脑）整体出货2.475亿台，年增率18.1%；整体Mobile PC市场的成长性承接了往年皆有20%的NB成长，为PC产业带来新的成长动能与契机。

　　北京时间4月12日凌晨消息，从本周开始多家手机厂商将公布2011年第一季度财报，这些财报将反映出上月的日本大地震对手机产业造成了什么样的影响。 　　诺基亚、RIM和索尼爱立信（以下简称“索爱”）此前均表示，日本的地震和海啸将影响元件供应，也将影响这些公司手机产品的发货。CCS Insight研究主管本·伍德（Ben Wood）表示：“外界对日本的局势普遍感到不确定。我们认为，元件短缺带来的影响将从第三季度开始显现，届时我们将会看到哪家厂商受到的影响最大。” 　　Gartner表示，手机厂商通常储备4至5周的元件供应，而销售渠道中手机的备货通常能够维持6至7周。Gartner分析师卡罗丽娜·米拉内西 （Carolina Milanesi）表示：“真正的影响尚不明朗，这取决于目前停工的一些工厂多久能够复工。”她同时表示，最严重的瓶颈之一在于用于手机电池中的日本原产化学原料。 　　日本吴羽化学在全球聚偏氟乙烯市场约占70%的份额，而聚偏氟乙烯被广泛应用在锂电池中。然而在地震发生后，吴羽化学位于福岛县磐城市的工厂已经停工。目前，该工厂主要依靠库存继续发货，该工厂希望于4月底恢复生产。不过吴羽化学发言人表示，该公司的客户可能已经受到影响。 　　索爱上周表示，日本地震限制了该公司Arc、Play和Neo等智能手机的产量，该公司将把Neo的全面发货推迟至第三季度。伍德表示：“鉴于这3款手机是索爱2011年产品线的核心，因此索爱的业绩很可能将受到明显的影响。” 　　索爱今年1月警告称，由于该公司正努力填补产品线中的空缺，同时旧款产品正在更快地失去吸引力，因此第一季度业绩可能表现不佳。索爱当时表示，将从第二季度开始销售新产品。分析师指出，索爱正在下调旧款产品的价格，以维持市场地位。米拉内西表示：“旧款产品必须通过降价才能避免被边缘化。索爱急需新产品来打开市场。” 　　诺基亚上月也警告称，由于日本地震导致整个行业出现元件和原材料缺货，诺基亚的部分手机将出现短缺的现象。不过诺基亚同时表示，这一问题对业绩的影响很有限。此外，3月24日RIM公布的业绩预期也令市场失望。该公司表示，一些元件的发货日期目前不能确定。