魁北克市, Jan. 27, 2021 (GLOBE NEWSWIRE) — 1-5级ADAS和AD传感技术领域全球领先企业LeddarTech®宣布2020年取得显著增长。 尽管出现疫情，但作为汽车传感技术先锋企业的LeddarTech在2020年仍实现了投资、销量、生态系统伙伴关系、战略性客户参与度以及业务收购方面的增长。2020年11月，LeddarTech被Tracxn列入仅六家加拿大企业入选的独角兽企业类别，也就是Tracxn所定义的估值超过10亿甚至数十亿并代表加拿大科技行业初创精英企业的公司。 2020年主要成就： · 来自行业领先机构的投资超过3.5亿美元。 · 与六家一级和OEM客户签订合同，开发LiDAR测量软件、传感器融合和感知技术以实现ADAS和自动驾驶应用，生命周期价值超过15亿美元，为超过40亿美元的不断增长的业务机会漏斗提供支持。 · 与三家全球汽车1/2级客户签署战略合作协议以开发LiDAR平台。 · 为客户提供了超过9,000个低成本固态LiDAR传感器，与2019年相比实现了两位数增长。 · 宣布与制造合作伙伴——Faurecia下属企业Clarion Malaysia共同批量生产获奖产品Leddar™ Pixell。 · 宣布增加四家大型全球技术公司作为合作伙伴以共同为Leddar™生态系统内市场提供LiDAR解决方案，包括STMicroelectronics、Flex、dSPACE，以及宁波舜宇光学科技(集团)有限公司。LeddarTech预计，2021年上半年Leddar生态系统将增加更多新成员。 · 扩大与Renesas的合作以加速自动驾驶和ADAS发展。这个平台将LeddarTech业界领先的原始数据传感器融合堆栈及LiDAR技术与Renesas新推出的R-Car V3U(一种用于ADAS和AD系统的同类最佳ASIL-D级片上系统，即：SoC)相结合。 · 通过以下两项收购加速了汽车传感解决方案：     Phantom Intelligence：这项收购推进了LeddarTech整合和巩固汽车传感技术的战略，让公司能够以更低的成本为客户提供全面的解决方案。     VayaVision：此项收购将传感器融合和感知技术与LeddarTech经过实证的LeddarEngine™平台相结合，从而增加了一个至关重要的基石。LeddarEngine平台构建于一个结合LeddarVision™的开放软件架构上，使LeddarTech能够满足客户对跨硬件、可扩展且可适应任何车辆和传感器配置的传感解决方案的需求。 对VayaVision和Phantom Intelligence的收购，加上十多年来在开创性的1-5级ADAS和AD传感技术方面积累的专业知识，表明了LeddarTech对于为1-2级、OEM和自动驾驶客户提供持续创新和服务的承诺。 LeddarTech还扩展了在以色列的运营规模，并通过吸收世界级的人工智能和机器学习工程师增强了现有的工程团队。 LeddarTech首席执行官Charles Boulanger表示：“2020年是近期历史上最具挑战性的一年，但LeddarTech具备接受挑战的内在特质。” Boulanger先生总结道：“对作为一家组织所取得的进步以及客户和战略合作伙伴给予的信任，我们感到非常自豪。” 总裁兼首席运营官Frantz Saintellemy先生表示：“我们的合作伙伴和客户认识到，对于LeddarTech通过十多年开拓经验而获得的传感解决方案领域的深厚专业知识，他们完全可以信赖。”

中国，2021年1月27日——意法半导体的ST25TV512C和ST25TV02KC两款电子标签独出心裁地将NFC Type-5属性与增强型NDEF(NFC数据交换格式)标准和篡改检测整合在一颗芯片上，让开发者匠心独运地使用NFC非接触式通信技术，开发企业消费者互动、品牌识别、供应链管理和门禁等应用。 新的符合ISO/IEC 15693标准的NFC Type-5标签能够应答智能手机和13.56MHz远距离RFID读取器的交换信息请求，本地交换 NDEF消息无需手机应用软件。此外，增强型NDEF格式允许将防篡改状态或个性化URL等动态更新信息添加到NDEF消息中。最多可以配置六种不同的属性并附加到消息中，包括在每次触碰标签时都会使消息变得独特和动态的唯一触碰代码(UTC)。 ST25TV02KC-T比前两款产品增加了篡改检测功能，开发者可以利用增强型NDEF通信的高灵活性开发需要验证资产完整性的应用。全系产品都有最先进的保护功能，其中，带有攻击失败计数器的64位加密密码可以有效地确保数据安全;TruST25™数字签名功能可用于验证芯片真伪;不可追踪和终止模式用于保护用户隐私。 使用ST25TV512C和ST25TV02KC标签的开发者可以利用意法半导体发展成熟的ST25开发生态系统，包括各种软件库、例程和参考设计，把高质量的解决方案快速推向市场。 基于意法半导体的NFC技术研发经验，这些标签具有通信距离长、连接可靠等优点。此外，与上一代产品相比，芯片电容保持不变，这有助于简化天线设计。新标签的工作温度范围为-40°C至85°C，并集成了可配置的EEPROM，数据保存期限达到60年，这是在主要NFC供应商中可获得的最高价值。 ST25TV512C (ST25TV512C-AFG3) 和ST25TV02KC (ST25TV02KC-TFG3 & ST25TV02KC-AFG3) 的交货形式是切割好的带焊球的裸片或者UFDFPN5封装。

2021年 1 月 27 日，中国上海 — 内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司) 今日宣布批量出货基于 1α (1-alpha) 节点的 DRAM 产品。该制程是目前世界上最为先进的 DRAM 技术，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。这是继最近首推全球最快显存和 176 层 NAND 产品后，美光实现的又一突破性里程碑，进一步加强了公司在业界的竞争力。 美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 先生表示：“ 1α 节点印证了美光在 DRAM 领域的领先成就，同时也是我们对前沿设计和技术不懈追求的成果。对比我们上一代的 1z DRAM 制程，1α 技术将内存密度提升了 40%，为将来的产品和内存创新提供了坚实的基础。” 美光计划于今年将 1α 节点全面导入其 DRAM 产品线，从而更好地支持广泛的 DRAM 应用领域——为包括移动设备和智能车辆在内的各种应用提供更强的性能。 美光继续领跑多个内存应用市场 美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 先生表示：“我们全新的 1α 技术将为手机行业带来最低功耗的 DRAM，同时也使美光于数据中心、客户端、消费领域、工业和汽车领域的 DRAM 客户受益匪浅。内存和存储预计是未来十年增长最快的半导体市场，美光凭借领先业界的 DRAM 和 NAND 技术，将在这个快速增长的市场中立于不败之地。” 美光的 1α 技术节点使内存解决方案更节能、更可靠，并为需要最佳低功耗 DRAM 产品的移动平台带来运行速度更快的 LPDDR5。美光为移动行业提供最低功耗的 DRAM 平台，实现了 15% 的节能[1]，使 5G 用户在不牺牲续航的同时能在手机上进行更多任务操作。 美光的 1α 先进内存节点提供 8Gb 至 16Gb 的密度，将助力美光现有的 DDR4 和 LPDDR4 系列产品延长生命周期，并能为美光在服务器、客户端、网络和嵌入式领域的客户提供更低功耗、更可靠的产品及更全面的产品支持，从而降低客户再次验证的成本。对于具备较长产品生命周期的汽车嵌入式解决方案、工业 PC 和边缘服务器等应用场景而言，1α 制程同样保证了在整个系统生命周期内更具优势的总体拥有成本。 美光位于台湾地区的工厂已开始批量生产 1α 节点 DRAM，首先出货的是面向运算市场的DDR4 内存以及英睿达 (Crucial) 消费级 PC DRAM 产品。美光同时也已开始向移动客户提供 LPDDR4 样片进行验证。公司将在 2021 自然年内推出基于该技术的更多新产品。

在绝缘栅型场效应管中，目前常用二氧化硅作金属铝栅极和半导体之间的绝缘层，称为金属一氧化物-半导体场效应晶体管，简称为MOSFET或者MOS管。 MOS管的电路符号 1）G、D、S极怎么区分？ G极是比较好区分的，大家一眼就能区分。 不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是S极。 不论是P沟道还是N沟道，单独引线的那边就是D极。 2）N、P沟道如何区分？ 箭头指向G极的就是N沟道。 箭头背向G极的就是P沟道。 3）寄生二极管方向 N沟道，由S极指向D极。 P沟道，由D极指向S极。 如果觉得上面两条不是很好记，教大家一个识别方法：不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的，上面图片已经标出来了可以看一下。 MOS管导通条件 N沟道：Ug>Us时导通。（简单认为）Ug=Us时截止。 P沟道：Ug 注意一点，MOS管做开关器件的时候，输入输出一定不能接反，接反的寄生二极管一直处于导通状态，MOS本身就失去开关的作用了。 万用表区分N/P沟道 将万用表调至“二极管档”。 红表笔（+极）接D极，黑表笔（-极）接S极：假设，二极体值低于0.7V以下。然后我们交换表笔，黑表笔（-极）接D极，红表笔（+极）接S极：假设，二极体值高于1.2V以上。那么我们可以判断，这个为PMOS。如果两次测量结果和我们的假设相反，则可以判断为NMOS。 整理一下上面描述区分P、N沟道方法的逻辑，DS极之间的寄生二极管才是关键。换句话说，我们就是依靠测量这个寄生二极管的导通方向来判断P、N沟道的。 在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，再在这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N沟道增强型MOS管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。 同样用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P沟道增强型MOS管。 增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道（没有电流流过），所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压，即VGS＞0，则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电场。由于氧化物层是绝缘的，栅极所加电压VGS无法形成电流，氧化物层的两边就形成了一个电容，VGS等效是对这个电容充电，并形成一个电场。 随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在这个电容的另一边就聚集大量的电子并形成了一个从漏极到源极的N型导电沟道，当VGS大于管子的开启电压VT（一般约为 2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

季度营业额为32.4亿美元，同比增长53%；全年营业额为97.6亿美元，同比增长45%。 2021年1月26日，加利福尼亚州圣克拉拉市——AMD（NASDAQ:AMD）今日公布2020年第四季度营业额为32.4亿美元，经营收入5.7亿美元，净收入17.8亿美元，摊薄后每股收益1.45美元。非GAAP经营收入6.63亿美元，净收入6.36亿美元，摊薄后每股收益0.52美元。 2020财年营业额为97.6亿美元，经营收入13.7亿美元，净收入24.9亿美元，摊薄后每股收益2.06美元。非GAAP经营收入16.6亿美元，净收入15.8亿美元，摊薄后每股收益1.29美元。 AMD总裁兼首席执行官苏姿丰博士（Dr. Lisa Su）表示：“2020年我们推动了业务的显著快速增长，获得创纪录的年度营业额，同时扩大了毛利润，净收入较去年增加超过一倍。2021年的财务展望重点在于我们产品组合的实力以及PC、游戏和数据中心市场对高性能计算的强大需求。由于坚持执行具有领导力的产品路线图，我们为未来的机遇感到非常兴奋，并对我们的长期战略信心十足。” 2020年第四季度业绩 • 得益于计算与图形事业部以及企业、嵌入式和半定制事业部业务，第四季度营业额为32.4亿美元，同比增长53%，环比增长16%。 • 本季度毛利润为45%，与去年持平，环比增长1个百分点。 • 相比于去年同期3.48亿美元和上季度4.49亿美元的经营收入，本季度经营收入为5.7亿美元。基于非GAAP标准，相比于去年同期4.05亿美元和上季度5.25亿美元的经营收入，本季度经营收入为6.63亿美元。经营收入增长主要得益于营业额的提升。 • 相比于去年同期1.7亿美元和上季度3.9亿美元的净收入，本季度净收入为17.8亿美元。基于非GAAP标准，相比于去年同期3.83亿美元和上季度5.01亿美元的净收入，本季度净收入为6.36亿美元。 • 相比于去年同期0.15美元和上季度0.32美元的摊薄后每股收益，本季度摊薄后每股收益为1.45美元。基于非GAAP标准，相比于去年同期0.32美元和上季度0.41美元的摊薄后每股收益，本季度摊薄后每股收益为0.52美元。 • 本季度末现金、现金等价物和短期投资总值为22.9亿美元。 • 相比于去年同期的4.42亿美元和上季度的3.39亿美元，本季度经营现金流为5.54亿美元。相比于去年同期的4亿美元和上季度的2.65亿美元，本季度自由现金流为4.8亿美元。 季度部门财报总结 • 计算和图形事业部营业额为19.6亿美元，同比环比均增长18%，主要得益于锐龙处理器强劲的销量。 • 客户端处理器平均售价同比下降主要由于较高的锐龙移动处理器销售混合占比，环比上升则是由于锐龙台式机处理器销售的拉升。 • Radeon显卡平均售价同比环比均有提高。 • 相比于去年同期3.6亿美元和上季度3.84亿美元的经营收入，本季度经营收入为4.2亿美元。经营收入同比环比增长主要得益于锐龙处理器销量上升。 • 企业、嵌入式和半定制事业部营业额为12.8亿美元，同比增长176%，环比增长13%，得益于半定制产品和EPYC（霄龙）处理器的销量增长。 • 相较于去年同期4500万美元和上季度1.41亿美元的经营收入，本季度经营收入为2.43亿美元。经营收入增长主要得益于较高的营业额。 • 相较于去年同期5700万美元的经营损失和上季度7600万美元的经营损失，本季度所有其它经营损失为9300万美元，包括了1400万美元的收购费用。 2020年度业绩 • 2020年总营业额为97.6亿美元，同比增长45%，得益于计算和图形事业部及企业、嵌入式和半定制事业部营业额增长。 • 今年的毛利润为45%，较2019年增长2个百分点，主要得益于锐龙、EPYC（霄龙）产品的销量。 • 相比于去年同期的6.31亿美元，今年经营收入为13.7亿美元。基于非GAAP标准，相比于去年同期的8.4亿美元，今年的经营收入为16.6亿美元。经营收入的增长主要得益于营业额和毛利润的提升。 • 相比于去年同期的3.41亿美元，今年净收入为24.9亿美元。基于非GAAP标准，相比于去年同期的7.56亿美元，今年净收入为15.8亿美元。 • 相比于2019年的0.3美元，今年摊薄后每股收益为2.06美元。基于非GAAP标准，相比于去年的0.64美元，今年摊薄后每股收益为1.29美元。 • 相比于2019年的4.93亿元，今年的经营现金流为10.7亿美元，而相比于2019年的2.76亿美元，今年的自由现金流为7.77亿美元。 • 在CES 2021上，AMD宣布了世界领先的移动处理器，AMD锐龙5000系列移动处理器。基于“Zen 3”核心架构，AMD锐龙5000系列移动处理器能提供出众的性能和能效。同时，AMD也宣布了专为企业级用户设计的AMD锐龙PRO 5000系列移动处理器将于2021年上半年上市。 • AMD发布了为下一代PC游戏而生的AMD Radeon RX 6000系列显卡，包括了AMD Radeon RX 6900 XT——性能强大超越过往AMD游戏显卡。全新显卡基于极具突破性的AMD RDNA 2游戏架构，与基于RDNA架构的显卡相比，能提供多达两倍的性能及54%的每瓦性能提升。 • AMD在CES 2021上首次公开展示了第三代AMD EPYC（霄龙）处理器，代号“Milan”。

宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年1月28日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出十款新型650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)结构设计，通过降低开关损耗提升高频应用能效，不受温度变化的影响—从而使二极管能够在更高的温度下工作。 日前发布的MPS二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场，减少漏电流，同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比，新型二极管处理电流相同的情况下，正向压降仅略有上升，坚固程度明显提高。 器件适用于服务器、电信设备、UPS和太阳能逆变器等应用领域的功率因数校正(PFC)续流、升降压续流和LLC转换器输出整流，为设计人员实现系统优化提供高灵活性。二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装，额定电流为4 A~40 A，可在+175 °C高温下工作。 器件规格表： 新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为10周。

4G改变生活，5G改变社会。自从4G被完全商用以来，我们在生活上的改变是日新月异。游戏、视频、通话、移动支付等各种被智能手机所支配的应用程序，我们都能开始畅快使用，原因也是因为4G的支持能够让这些应用程序用起来不卡不慢，所以可见4G通信对我们而言影响是有多么大。而作为比4G更高级的5G，它的影响力是肯定不会比4G差的。而让我们深感自豪的是中国目前在5G上的成就可以说是领跑世界，在未来也是可以预见在5G领域领跑世界的中国各家企业，也会绽放出各种耀眼的光芒，保持在5G领域的持续创新。 2020年，是全年求5G高速发展的一年。在一年一度的中国国际信息通信展开幕之际，这几天听到了5G的太多振奋的信息。据工信部最新数据，全球总共部署了超80万个5G基站，其中中国建成的5G基站超过60万个，占全球的比例超过70%。也就是说，中国的5G建设进度远超其他国家，位居全球第一。 去年，全球5G网络的争相建设可谓是达到了顶峰，虽然华为5G在国际上将其他同行远远甩在身后，但是在美国无理打压下，华为5G的建设在国外还是遭受到了一定的影响。英国却作下错误决定，把华为排除在当地5G网络建设之外。而美国的做法也常常令人不齿，除了对华为5G网络进行污蔑外，还联合其盟友对华为5G围追堵截。 众所周知，华为在前一段时间由于美国企业的各种断供，导致自己在世界的发展受到了一定的影响，而大众对美国企业为何如此针对华为的猜测就是华为在5G领域的巨大成就造成的，华为在5G专利的排名上是第一，在世界上拿到的5G订单也是第一，从这可以知道华为在5G方面已经是领跑者地位，所以中国能够在5G领域成为领跑者，是与华为的努力有着紧密关系的。 从资金投入、研发实力和技术转化情况等看，华为的综合实力是最强的，在5G研发上全球领先。他们研发的新波形、新编码等基础性技术标准被采纳为全球5G统一标准，这是非常大的突破，在中国通信史上也是第一次。 “5G发展，技术标准全球统一是前提。”华为5G首席科学家童文博士说，标准的统一不仅可以让全球用户的漫游问题得到解决，而且也将降低海量用户的使用成本。鉴于技术标准统一的重要性，全球通信巨头都厉兵秣马、你追我赶，力求取得主导权。 但是对于美国唯命是从的就有曾经的“日不落帝国”的英国，为讨好美国，甚至不惜牺牲本国利益，但如今中国5G领跑全球时，英国5G却陷入了尴尬境地。该国咨询公司Assembly Research预计，英国的5G将因此推迟18-24个月的时间，并且因为受新冠疫情影响，5G频谱拍卖又推迟至3月，也就是说英国5G建设进度至少比原来推迟20个月。。日前，更糟糕的事情发生了。这样的境况对英国来说，无异于自作自受，排除华为参与该地的建设本身就是一个错误的决定。 可以预见，如果英国变异疫情迟迟未能好转，当地5G频谱拍卖可能会再次推迟，该国也将在全球5G竞赛中进一步落后于人。不过也可以理解，毕竟约翰逊上任之后，英国就出现了一系列迷之操作，比如一波三折的新冠疫情，英国曾经是欧洲最早解除封城限制的，并且在新冠变异病毒感染英国之际，英国还在和欧盟谈分手协议。 业内普遍认为，中国已经掌握全球70%的5G网络，已经超越欧美传统科技强国，赢得了这场5G竞赛，据外媒报道，中国5G基站数量为美国的十倍，中国目前拥有的5G基站大约是35万个，美国大约是3.5万个，十倍的差距足以看见中国在5G方面拥有的巨大实力。可以看出，英国5G想要赶上中国，似乎已经不太可能了。因为除了迟迟无法拿到5G频谱外，英国运营商还被要求花费巨资移除华为设备。 纵观全球5G的走势，我们发现美国与中国乃至亚洲地区，欧洲则大幅落后。在美国人和亚洲人正对5G进行大肆宣传和表示乐观的同时，欧洲人却采取了更为保守的态度。欧洲的部分问题是频谱分配，也就是各种通信标准所需要的特定无线电波。尽管其他国家正在推进并为5G提供频谱，但欧洲在这个问题上却存在巨大分歧。如果他们不能解决这个问题，那搞不好，铁定要掉队。对此，大家怎么看呢?

2021 年 2 月 9 日，日本东京讯 – 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团今日宣布，推出最新升级版R-Car V3H片上系统(SoC)，为智能摄像头应用带来显著提升的深度学习性能，包括驾驶员/乘客监控系统(DMS/OMS)、车载前置摄像头、环视系统以及最高可达Level 2+级适用于大部分车辆的自动泊车功能。 据悉，升级后的SoC集成了实时域上的传感器融合、高达ASIL C级指标和针对智能计算机视觉进行优化的体系结构。它以极具竞争力的系统成本为OEM和一级供应商提供高性能、低功耗解决方案，并支持最新的NCAP 2020要求及向NCAP 2025 3星级技术路线图的迁移。 基于2018年2月发布的SoC，融合了用于卷积神经网络(CNN)的集成IP等最新识别技术，升级后的R-Car V3H在CNN处理方面的性能是早期版本的4倍，并在保持低功耗水平的同时，实现包括所有计算机视觉IP在内高达7.2 TOPS的整体处理性能。 高度集成的SoC在实时域上支持高达ASIL C级的安全指标，从而减少使用外部安全微控制器(MCU)来管理传感器融合和最终决策执行的需求。R-Car V3H拥有丰富且经验证的IP，可支持感知堆栈、与雷达和/或激光雷达传感器融合及可支持高达8路百万像素摄像头的ISP，使OEM和一级供应商能够以更低的物料成本实现更快的上市速度。 瑞萨电子汽车数字产品营销事业部副总裁吉田直树表示：“随着汽车制造商不断探索实现智能摄像头应用的新方法，驾驶员监控、泊车辅助、驾驶员识别和乘客感应等智能系统应用日益普及，促进了对深度学习功能的更高需求。升级后的SoC使R-Car V3H用户可灵活、简便且经济高效地获得更高计算机视觉性能，并打造下一代前置摄像头系统的计算机视觉。瑞萨针对ADAS和高度自动驾驶应用的开放式、可扩展SoC平台不断发展壮大，我们很荣幸可以依托该平台持续为客户带来前沿创新。” R-Car V3H SoC的关键特性 · 提供高达7.2 TOPS的运算性能，包括用于CNN的3.7 TOPS，并具有优化的性能与功耗平衡 · 支持ASIL D级开发流程以实现完整的SoC系统功能 · 支持ASIL B级(传感器层、应用处理器)和ASIL C级(实时域)安全指标的度量目标 · 与已量产的R-Car V3H SoC软硬件完全兼容 · 集成全套汽车外围设备，包括CAN、以太网AVB和FlexRay · 具有用于高级感测与识别的全套视频处理及图像识别IP，包括CNN-IP、计算机视觉引擎、图像失真校正IP、立体视觉、分类器和稠密光流IP 升级版R-Car V3H作为瑞萨不断扩展的SoC产品阵容中的一员，加入到开放、灵活的Renesas autonomy platform中，该平台为OEM和一级供应商提供了从入门级NCAP应用到高度自动驾驶系统的完整可扩展性。客户还可将R-Car V3H SoC与瑞萨高性能低功耗RH850 MCU、集成式电源管理IC和功率晶体管器件相结合，为日益复杂的功能安全系统提供所需的关键组件。 升级版R-Car V3H计划于2022年一季度量产。

纪检大数据中心是智慧纪检的“大脑”。信息化技术及手段的高效运用，是加强正风肃纪反腐宣传的创新举措。 数据中心基础设施是承载大数据监督平台的关键，可靠的供配电系统则承担着数据中心系统稳定运行的重任。为满足大数据监督平台安全性的要求，整体建设方案需要更加的安全、可靠，并能够提供24小时高效不间断的服务。 近日，凭借在电源行业丰富的实践经验，英威腾电源成功中标青海省纪律检查委员会电源项目，为青海省海东市廉政教育中心提供可靠电力保障，为美丽青海建设献出一份力量! 根据客户的要求，英威腾电源为该中心量身打造了一套电源系统解决方案，该方案采用的是RM系列25~200kVA机架式模块化UPS，三进三出，双变换在线工作，采用N+X并联冗余技术，模块内部采用高密度功率模块设计，既保证了布局的紧凑性，充分利用单位面积空间，又增加了整机的可靠性和稳定性，对于后期扩容需求也能满足。 01随需配置 维护便捷 采取高密度功率模块单元，随需配置功率容量，模块化的单元设计实现在线热插拔，维护更加方便。 02机架安装 方式灵活 UPS直接嵌入标准的19英寸机柜安装或直接落地安装，安装方式可根据现场情况灵活选择。 03无需并柜 方便快捷 无需考虑UPS主机与机柜之间并柜，现场并柜更加方便快捷。 04入列布局 统一管理 UPS采用入列方式布局，便于设备集中统一管理。 05列间冷源 绿色高效 采用冷池冷源对UPS就近制冷，提升制冷设备利用率和效率，降低设备CAPEX成本。 英威腾电源始终秉承“以市场为导向，以客户为中心”的经营方针，竭尽全力提供物超所值的产品和服务，让客户更有竞争力。在微模块数据中心产品线方面，英威腾电源践行绿色发展理念，针对微型、小型、中大型分别推出了英智、威智、腾智3款不同的应用方案。 各大应用方案从子系统到整体架构的设计皆采用标准化、模块化设计，同时联合应用封闭冷热通道、模块化UPS、列间制冷、自然冷却联动等节能技术，实现绿色、节能、高效运营。 在此智能数据中心建设产业发展的大好时机，努力实现“成为全球领先、受人尊敬的工业自动化和能源电力领域的产品和服务提供者”的企业愿景。

近日，艾睿电子（NYSE:ARW）再次被《财富》杂志评为 “全球最受赞赏企业”，并连续8年位居“经销商：电子产品和办公设备”类别的榜首。 据悉，这是艾睿电子第21次入选榜单。榜单评选基于对全球企业高管、董事和分析师的调查。 fiveyearsout.com