长安欧尚X7 Geeker 版的人脸识别系统，是长安欧尚联合海康汽车电子一起开发的。经过长安欧尚智能科技团队和海康汽车电子工程师不懈的努力，终于将车规级的人脸识别系统成功应用在长安欧尚Geeker 版中。 从外观来看，长安欧尚X7 Geeker版这一新增车型延续了其他版本的整体设计，独特的大尺寸进气格栅搭配犀利的LED大灯显得十分精致大气。除了LED大灯，长安欧尚X7 Geeker版还配备了LED日间行车灯、自动头灯、电动/加热外后视镜等功能和配置。 成都天府国际机场迎来首场大型综合演练，东航作为基地航空公司之一，共推出8个模拟航班，各种柜台14节,自助值机柜台机场全开放,投入200余名参演人员、379件模拟托运行李、20辆保障服务车辆，涉及10个信息系统的运行，演练科目达到32个。 天府国际机场组织举办第一次综合演练，目的为全面验证天府国际机场整体运营的连贯性和有效性，并实现对安全管控、服务品质和运行效率三大方面的覆盖。东航在演练中始终关注信息传递流程、服务保障流程、运行控制流程验证各系统交互，数据共享。 长安欧尚X7 Geeker版最大的亮点就是搭载了行业的车内外双摄人脸智控系统，让“刷脸”这个动作在汽车上又有了新玩法。 从最早的机械钥匙开门，到遥控钥匙，再到现在常见的无钥匙进入、蓝牙开启、App开启以及NFC开启，实在感受到科技进步给我们带来的便捷性。长安欧尚X7 Geeker版在车外，车主只需按压门把手即可激活人脸识别功能，通过B柱上的红外摄像头扫描人脸，认证通过后，在车辆闭锁、熄火状态下即可刷脸开车，有效避免忘带和丢失钥匙的尴尬。当车主刷脸开门后，座椅便会自动向后让出距离，方便车主轻松上车，并自动调节座椅到车主熟悉的位置，这就是座椅礼让功能。此外，人脸识别系统还能记忆不同用户的使用习惯。驾驶者坐到驾驶位之后，系统就能将座椅和后视镜等调整到该驾驶者平时习惯的设置，免去了换人开车时调来调去的麻烦，车辆全自动调节，直线拉升驾驶体验感。 在生产辅助区的HCC(枢纽控制中心)大厅也开设机务、飞行、生产指挥中心、地服、客舱共计5个席位，测试在航班运行环境下空勤排班、自助任务书打印系统、离港配载系统、贵宾室管理系统、销售系统、FOIS(航班运行信息系统)等系统证实数据交互的正常性和准确性。 随着科技的飞速发展，人脸识别这一全新的技术正在为我们的生活带来全新的便利，与此同时，也在给我们的生活带来一些烦恼。去年11月，一段″男子戴头盔看房″的视频被推上了热搜，视频中，该男子戴着头盔进售楼处看房，以防范人脸识别系统的抓拍。各种关于售楼处安装人脸识别系统是否属于侵犯客户隐私等相关热议就已经开始在各大新闻媒体和全国购房者间展开。 根据我国《网络安全法》和《民法典》相关规定，收集、使用个人信息，应当遵循合法、正当、必要原则，公开收集、使用规则，明示收集、使用信息的目的、方式和范围，并经被收集者同意。售楼处私自采集人脸信息的做法，属于商家为私利所实施的行为，显然构成了对公民人格权的侵犯。 以“智慧化出行”为基准的东航“智慧化平台”应运而生，运用在了此次演练当中——在微信“识物”扫描东航柜台上或者任意的东航LOGO，即刻便可进入东航“智慧化”平台。此平台可实现包括买票、退改签、选座、值机、查看航班信息等自助服务，旅客无需在冗长的队伍中等待，更加高效压缩出行时间，及时掌握所需信息，使旅途顺畅无忧。

[中国，上海，2021年5月15日] 今日，中国联通携手华为成功召开主题为“5G新技术，产业新赛道，客户新体验”的5G-Advanced技术联合创新发布会。华为无线产品线副总裁甘斌在会上发表了“持续创新，智领5G未来”的主题发言，阐述了面向5G演进构筑5G网络优势的五大方向，呼吁精诚合作，共同推进5G-Advanced产业。 创新是引领技术发展的第一动力，回顾一年多来5G网络蓬勃发展的历程，离不开华为与中国联通在大带宽、多天线技术上的联合创新实践。面向5G演进，如何在中国联通提出的“智构新视界、“智享大上行”、“智慧超感知”三条新赛道上继续拓宽5G能力边界，构筑核心优势，甘斌提出5G-Advanced的五大创新方向。 方向一：全频段走向5G，Sub100G从宽带走向超宽带 频谱资源是无线网络的基石，5G-Advanced需要充分利用好Sub 100G的频谱资源，一方面定义频谱新模式，如6GHz频段的合理使用;另一方面，通过全频段的智能聚合，把零散频谱灵活聚合为大带宽，满足5G演进的差异化需求。 方向二：把多天线带入每个频段每个场景，释放大带宽潜能 TDD Massive MIMO是5G成功的基础，5G-Advanced需要把多天线技术带入每个频段、每个场景，充分释放大带宽的潜能。除TDD频段外，FDD需要向8T8R和Massive MIMO演进，毫米波向超大规模阵列演进，全频段走向多天线;同时，多天线技术可以运用在丰富的场景中，无论是分布式Massive MIMO从室内走向室外，还是Mesh组网等动态拓扑技术，实现无缝的移动性和随时随地的极致体验。 方向三：全频谱上下行解耦，频谱价值最大化 5G网络的发展越来越需要上行千兆的能力，满足企业生产制造等场景下，机器视觉、海量宽带物联等上传需求，加速千行百业智能化升级。5G-Advanced需要通过全频谱上下行智能选择，使用全上行TDD频谱、灵活时隙组网来实现上行千兆的需求。 方向四：通信感知一体化，打开5G应用新空间 5G-Advanced可以通过将Massive MIMO的波束扫描技术应用于感知领域，使得蜂窝网络既能够提供通信，又能够提供感知，也可以提供厘米级的高精度定位，从而使能车联网车路协同、无人机超视距感知、智慧工厂高精度定位、高铁电子围栏等行业应用，打开5G应用的新空间。 5G-Advanced将迎来更加多样化的业务，为精准满足不同业务的差异化需求，需要实现网络能力智能开放，一方面通过业务的规建维优智能化，以及SLA预测保障，提高运维运营效率，另一方面定位感知等网络新能力开放，加速业务创新，智赋业网协同。 在刚刚结束的3GPP第46次PCG会议上，5G演进的名称被正式确定为5G-Advanced，为未来十年5G持续演进规划蓝图。为了聚焦5G Advanced未来新的产业赛道和新的业务需求，甘斌表示：“5G大带宽和多天线的价值已兑现，面向5G演进，Sub 100G全频谱走向5G，走向全频段智能聚合和上下行解耦，多天线走向全频段全场景，最大化频谱价值，并构筑定位感知新能力，智领5G未来。” 5G百尺竿头，创新更进一步。从5G到5G-Advanced，华为期待与产业界精诚合作，共推5G产业再升级。

[中国，北京，2021年5月15日] 中国联通携手华为成功召开主题为“5G新技术，产业新赛道，客户新体验”的5G-Advanced技术联合创新发布会。围绕联通全新的品牌标识“创新，与智慧同行”，双方联合提出了“智慧”系列三大5G-Advanced技术方案，包括“智构新视界”、“智享大上行”、“智慧超感知”，通过不断拓宽5G能力边界，打开全新市场空间，致力于给客户带来全新体验。 5G为全球社会变革和数字经济转型带来历史机遇。中国5G在2019年率先规模商用，一年多以来发展速度远超预期。中国联通和中国电信以共建共享方式打造全球首张规模最大的5G共享网络，目前已经达到超40万基站规模，为5G发展夯实基础。在行业应用方面，中国联通于2020年8月发布了5G专网和专线产品;通过聚焦重点领域和重点行业，2020年成功打造多个5G灯塔项目，实现了toB领域的商业化落地，极大地促进了toB行业的发展。 中国通信标准化协会副理事长兼秘书长闻库进行开场致辞，他表示中国布局新基建、5G发展引领全球，中国联通5G发展成绩斐然。为应对未来业务发展需求，需要持续加强5G技术的创新，推进5G新技术的研发。 中国联通集团副总经理买彦州在发布会上表示，“十四五”规划中提出要坚定不移建设网络强国、数字中国，中国联通也将在“十四五”期间全面实现数字化转型。千家万户、千行百业不断涌现的业务需求是5G持续发展的动力，5G将实现万物智联，在更多领域引爆新的产业赛道，这需要5G技术持续创新演进，为新产业赛道提供更强大能力支撑。中国联通将落实聚焦、创新、合作战略，携手产业各方，共推5G演进，共享美好未来，为数字经济发展持续赋能。 华为技术有限公司常务董事、运营商BG总裁丁耘在发布会上表示，中国当前已经建成了全球最大的5G网络，5G将走向高质量发展阶段。未来应用场景不断升级，5G需要持续演进，为万物智联注入新能力。在面向未来的3个产业赛道上，中国联通和华为提出了“智构新视界”、“智享大上行”、“智慧超感知”的5G-Advanced创新技术。华为通过持续演进创新，打造更好的5G网络，助力构建万物智联的美好社会。 中国联通科技创新部总经理马红兵在发布会上表示，5G面临加速智能社会变革的历史机遇，中国5G发展引领世界，面向下一个五年的业务需求，需要5G-Advanced新技术规划。中国联通和华为识别出了未来三大产业新赛道，提出了“智慧”系列三大5G-Advanced技术：面向XR虚拟交互的“智构新视界”，面向大众直播、宽带物联等上行产业的“智享大上行”，面向高精定位、车联网、无人机、智能驾驶等新产业的“智慧超感知”。 华为技术有限公司无线网络产品线副总裁甘斌表示，5G大带宽和多天线的价值已兑现，面向5G演进，Sub 100G全频谱走向5G，走向全频段智能聚合和上下行解耦，多天线走向全频段全场景，最大化频谱价值，并构筑定位感知新能力，智领5G未来。

楼氏集团旗下业务单元楼氏电容事业部（Knowles Precision Devices）近期宣布推出V系列单层电容产品家族新成员——新型100nF容值电容器。该100nF、高频、金丝键合装配单层电容完美匹配GaN及GaA放大器应用，其具备的小型尺寸和微波性能对此类应用至关重要。 “我们很高兴新上市的100nF单层电容将拓展我们的V系列产品家族，为我们的客户带来旁路性能和电路集成的提升”楼氏电容事业部产品经理Ian Tovar 说，“该产品凭借紧凑的尺寸，X7R的温度稳定性以及金丝键合装配成为高性能电路不可或缺的一部分。 V 系列单层电容（包括新推出的100nF单层电容）的设计旨在以更小的尺寸提供更高的容值。100nF单层电容采用具有 X7R温度特性的 II 类电介质材料，可在宽频范围内作隔直和射频旁路应用。其他用途包括滤波、调谐和耦合应用。100nF单层电容具备X7R的温度稳定性，符合RoHS规范，并提供最高等级的抗湿度能力（MSL-1）。它具有很高的电容密度，适用于导电环氧树脂或金锡焊接装配。 在射频旁路应用中，100nF电容器有助于消除电源线噪声。基于单片微波集成电路(MMIC) 的宽带增益放大器需要防止供电线的射频噪声。电源噪声会与射频信号混合而影响信噪比，从而可能造成杂散输出。旁路电容搭建一条有效的接地路径，在进入增益阶段前滤除供电线的射频噪声能量。 楼氏电容事业部（Knowles Precision Devices）凭借50多年行业知识和专业技术，在高可靠性电容器设计方面积累了丰富的经验，充分满足高可靠性要求应用领域的需求。公司的单层电容器支持微波和高达100GHz的毫米波应用，具体应用包括通用隔直、低噪声放大器、功率放大器和大功率放大器、振荡器和滤波器等。 楼氏电容事业部（Knowles Precision Devices）是先进的高性能专业元器件、电容器及微波元器件产品的创新者和制造商，其产品广泛应用于通信5G、军事、医疗和电动汽车市场等。如需了解更多楼氏电容事业部及其V系列单层电容器相关信息，请访问knowlescapacitors.com。 关于楼氏电容事业部（Knowles Precision Devices）：楼氏电容事业部是楼氏集团（NYSE：KN）旗下业务单元，总部位于纽约Cazenovia，集团子品牌包括Dielectric Laboratories、Compex、Johanson Manufacturing、Novacap、Syfer和Voltronics。

引言 预计到2027年，全球电动汽车充电站市场规模将从2020年估计的2,115,000单位增长至30,758,000单位，复合年均增长率高达46.6%。该报告的基准年为2019年，预测期为2020年至2027年。(来源：Markets and Markets，2021年2月) 从地理上来看，亚太地区(尤其是中国)电动汽车销量的迅速增长推动了全球电动汽车充电站市场的增长。预测期内欧洲有望成为第二大市场。 考虑到各种充电等级类型，3级充电(即DC快速充电)预计在预测期内增长最快。鉴于30分钟内即可将电动汽车快速充满的便利性，3级充电的增长速度最快。意法半导体产品可支持这一市场/应用。将在以下章节中介绍主要系统架构以及主要适用的意法半导体产品。 架构与意法半导体产品 DC快速充电站的功率范围为30-150kW，该技术采用基于15-30 kW子单元的模块化方法(图1)，并通过将子单元堆叠来形成功率更高的DC充电系统。该方法提供了一种灵活、快速、安全且实惠的解决方案。 图1 – 充电站子单元可堆叠解决方案 意法半导体产品涵盖了每个子单元(图2)中所包含的主功率和控制单元/驱动级。 图2 – 子单元框图 对于功率级(PFC + DC-DC部分)，设计效率为关键，对于功率范围为15-30kW的子单元，意法半导体为PFC、DC-DC和控制单元/驱动级提供合适且高效的智能产品，如以下几节所述。 PFC级 对于3相输入，功率因数校正(PFC)级可通过几种配置来实现，并通常使用Vienna整流器拓扑(图3，类型1或类型2)。 图3 – PFC Vienna整流器拓扑 根据设计和/或客户需求，意法半导体提供多种开关(图3，器件T)： · 第二代SiC MOSFET(650V系列SCT*N65G2)基于宽带隙材料的先进性和创新性，凭借单位面积极低的导通电阻以及出色的开关性能，可实现高效且紧凑的设计。特别是，具有18mΩ RDS(on)的4引脚SCTW90N65G2V-4可在100℃下轻松处理90 A的漏极电流。 · IGBT HB2系列(650V系列STGW*H65DFB2)可在中至高频率下工作的应用中确保更高的效率。结合较低的饱和电压(1.55 V典型值)和较低的总栅极电荷，该IGBT系列可确保应用在关断期间具有最低的过冲电压并具有较低的关断能耗。特别是，得益于将电源路径与驱动信号隔开的Kelvin引脚，STGW40H65DFB-4可实现更快的开关。 · 功率MOSFET MDMesh™ M5系列(650V系列，STW*N65M5)采用创新的垂直工艺，具有更高的VDSS额定值和高dv/dt性能、出色的导通电阻 x面积以及卓越的开关性能。 在输入级中，可通过以下器件来控制浪涌电流： · SCR晶闸管 TN*50H-12WY(图3，Vienna 1，器件DA)是一款经AEC-Q101认证的整流器，具有优化的功率密度和抗浪涌电流能力，可实现1200V的阻断能力。从而就可避免使用限制系统效率与寿命的无源元件。 · 输入桥整流器，STBR*12 1200系列(图3，Vienna1，器件DB)具有低正向压降，可提高输入桥的效率，并符合最严苛的标准。该产品非常适用于混合桥配置以及意法半导体的SCR晶闸管。 就二极管而言，新型SiC二极管650/1200V系列拓扑结合了最低的正向电压与最先进的正向浪涌电流稳健性。设计人员可以选择低额定电流二极管而不牺牲转换器的效率水平，同时提高高性能系统的经济效益。 · Vienna 1型为650V(STPSC*H65)(图3，器件DC) · Vienna 2型为1200V(STPSC*H12)(图3，器件D) DC-DC级 在DC/DC转换级中，由于其效率、电流隔离和较少的器件，全桥谐振拓扑(图4)通常为首选。 图4 – FB-LLC谐振拓补 对于Vout= 750-900V的3相PFC转换器以及400V-800V的高压电池，意法半导体为FB-LLC谐振转换器提供： · 第二代SiC MOSFET 1200V系列SCT*N120G2(图4，器件T) · SiC二极管1200V STPSC*H12(图4，器件D) 控制单元与驱动级 根据设计需求，意法半导体提供MCU和数字控制器： · 最适合功率管理应用的32位微控制器为STM32F334(来自STM32F3系列)和STM32G474(来自STM32G4系列)。STM32F3 MCU系列结合使用了工作频率为72 MHz的32位ARM® Cortex®-M4内核(采用FPU和DSP指令)、高分辨率定时器、复杂波形生成器及事件处理器。工作频率为170 MHz的STM32G4系列32位ARM® Cortex®-M4+内核为STM32F3系列的延续，它在应用层面降低了成本、简化了应用设计并为设计人员提供了探索新的细分领域和应用的机会，从而在模拟技术方面保持领先地位。 · STNRG388A数字控制器的核心为SMED(状态机事件驱动)，它使器件能够采用最高分辨率为1.3 ns的六个可独立配置的PWM时钟。每个SMED均可以通过STNRG内部微控制器来配置。一组专用外设完善了STNRG器件：4个模拟比较器、具有可配置运算放大器和8通道定序器的10位ADC以及可实现高输出信号分辨率的96 MHz 的锁相环。 新型STGAP2SICS为设计用于驱动SiC MOSFET的6kV电流隔离单栅极驱动器。它具有4A灌/拉电流能力、短传输延时、高达26V的供电电压、优化的UVLO和待机功能以及SO8W封装。 意法半导体几乎为所有应用均提供了合适的系统评估板，其可直接在最终系统或子系统上测试意法半导体产品的功能。对于DC充电站，也提供一些评估板和相关固件。 STDES-VIENNARECT评估板(图5-a)采用15 kW的三相Vienna整流器，该整流器支持功率因数校正(PFC)级的混合信号控制。 SCTW35N65G2V 650V SiC MOSFET(70 kHz)的高开关频率、STPSC20H12 1200V SiC二极管的采用以及多级结构可实现接近99%的效率，并能在尺寸与成本方面优化无源功率元件。STEVAL-VIENNARECT采用混合信号控制，并通过STNRG388A控制器进行数字输出电压调节。专用模拟电路提供高带宽连续导通模式(CCM)电流调节，可在总谐波失真(THD<5%)和功率因数(PF>0.99)方面实现最高功率品质。 图5 – 面向DC充电站的PFC解决方案 STDES-PFCBIDIR评估板(图5-b)在功率因数校正(PFC)级中采用15 kW、三相、三级有源前端(AFE)双向转换器。电源侧采用SCTW40N120G2VAG 1200V SiC MOSFET，可确保高效率(接近99%)。控制基于STM32G4系列微控制器，并具有用于通信的连接器以及用于测试和调试的测试点与状态指示器。开关器件的驱动信号由相应的STGAP2S栅极驱动器来管理，以确保独立管理开关频率与死区时间。 STEVAL-DPSTPFC1 3.6 kW无桥图腾柱升压电路(图5-c)通过数字浪涌电流限制器(ICL)来实现数字功率因子校正(PFC)。它有助于您通过以下最新的意法半导体功率套件器件来设计创新拓扑：碳化硅MOSFET (SCTW35N65G2V)、晶闸管SCR(TN3050H-12WY)、隔离式FET驱动器(STGAP2S)和32位MCU(STM32F334)。

2021 年 5 月 11 日，北京——是德科技公司发布了 PathWave System Design 2022 和 PathWave 先进设计系统(ADS)2022 软件。这两款软件可通过一体化的工作流程来加速射频(RF)系统、芯片、模块和电路板的交付进程，从而提高设计开发速度以及提升产品性能和精度。是德科技提供先进的设计和验证解决方案，旨在加速创新，创造一个安全互联的世界。 无线数据的需求与日俱增，无线频谱日趋拥塞，这些都要求设计团队在一个协作性更高的互连环境下工作，以便应对不断升级的无线规范带来的挑战。通过电子表格设计复杂的系统以及使用正弦波来验证高级集成电路，都属于效率低下、效果不佳的设计流程。为了满足当今的射频设计需求，设计人员需要采用一种射频感知型(RF-aware)工作流程，才能在系统设计和电路设计团队之间轻松传递精确的模型和测量结果，同时在各个设计阶段验证行业标准的调制信号。 是德科技的 PathWave System Design 2022 和 PathWave ADS 2022 软件提供一个互联设计工作流程，以支持电路设计人员： · 使用调制波形进行设计，这些调制波形采用了仪器级分析和参考信号来满足 5G 新空口(NR)和 WiFi6 等先进技术规范的要求，从而通过电路仿真直接获取关键的性能参数。 · 将 PathWave ADS 中的模型直接引入 PathWave 系统设计软件，连通电路设计与系统设计团队的工作，并通过单一模型消除各种误差源，从而以电路级精度验证系统性能。 · 通过集成式电磁分析在制作原型之前预测干扰和耦合问题，从而预测高频版图效应，并为系统设计人员提供对电路板和模块级耦合的清晰洞察。 PathWave ADS Multi-Technology Assembly 可用于无误差组装和仿真包含 RFIC、晶圆级封装、互连、天线、PCB 和射频连接器的射频模块 是德科技太空和卫星任务保障小组负责人 Phil Lorch 表示：“太空和卫星行业的客户纷纷采用先进的仿真和建模方法来改善他们的工作流程，更快地将卫星通信产品推向市场。是德科技的 PathWave Design 工作流程使得客户能够打破传统的部门边界，从而更高效地共享数据和模型，最终打造出能够预测整体系统性能的模型。作为该设计流程的核心，是德科技的测量技术让客户坚信他们的仿真不仅能够准确地反映原型的情况，还有助于快速完成卫星任务。” 集成了 PathWave ADS RFPro 的 3DEM 仿真功能可以对指定的版图和元器件进行交互式 3DEM 电路协同仿真，无需修改版图或设计

2021年5月12日 – 美国柏恩Bourns全球知名电子组件领导制造供货商，今日推出PDB08型8 mm微型旋转式电位器系列。Bourns全新旋转式电位器系列具备中心定位器和薄型特色，使其成为广泛的专业音频和照明应用、低/中风险医疗**、实验室设备以及工业自动化和控制应用中进行阻值调整的最佳解决方案。 Bourns® PDB08型电位器系列 Bourns不断以提供具先进功能的高质量产品来强化其电位器系列。除中心定位器选项外，Bourns® PDB08型系列还具有双层同轴调整选项，再加上无套管的微型尺寸、音频和线性锥度，使此系列产品更适用于多种应用环境。Bourns最新型旋转式电位器还具备绝缘塑料轴、额定旋转周期为10,000次、工作温度范围为-10°C至+60°C等特性。 Bourns® PDB08微型电位器系列现已上市，并且符合RoHS*标准。

Shanghai, China, 13 May 2021 * * * 领先全球的嵌入式和边缘计算技术供应商德国康佳特将首次在中国国际医疗器械博览会(CMEF，上海，5月13-16日，展位号4.1P26)亮相，康佳特持续深耕医疗市场，助力医疗器械制造商加速开发创新技术。中国为全球最大的医疗经济体，康佳特非常荣幸有机会参与其中，现今，中国制造的医疗器械已出口到世界许多地区。康佳特将在展位上展示用于医疗成像和诊断、手术室以及移动急救和重症监护设备的最新嵌入式计算和人工智能(AI)技术。 康佳特亚太区销售总监林美慧(Becky Lin)女士表示：“在嵌入式计算的助力下，人工智能将加快医学成像和大数据分析的速度，以改善患者健康预测和疾病早期检测。医疗保健数字化拥有从根本上改变患者护理并显著降低医疗保健成本的巨大潜力。我们为智能医疗器械和医疗保健解决方案开发者提供应用就绪的构建模块，使其能够快速有效地实施智能解决方案。” 康佳特将在医疗器械博览会(CMEF)上展示最新的嵌入式计算机技术和完整的人工智能生态系统系列。产品亮点包括基于英特尔®酷睿™ 和 英特尔凌动® 处理器(代号Tiger Lake 和 Elkhart Lake)的OpenVino™ 实施解决方案，以及具有集成神经处理单元(NPU)的NXP i.MX8组合。对医疗器械工程师来说，了解不同的解决方案，以确定其专用系统的最佳平台和生态系统至关重要。康佳特的专业集成支持可根据客户的选择实现任何平台设计的精简优化。 康佳特新推出的基于PICMG COM-HPC标准的高性能计算机模块为医疗器械工程师提供了另一个重要的战略手段。该标准具有其他计算机模块标准所不具备的巨大带宽和连接性，旨在推动下一代联网医疗计算机和边缘服务器的开发。康佳特为这个新的COM-HPC标准提供了完整的解决方案平台–从适合各种性能级别的模块散热解决方案，到为OEM客户特定需求设计的应用就绪载板。 更多信息, 请拜访我们的展位 4.1P26

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器(SRAM)只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。 动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。 相对来说，静态存储器(SRAM)只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单——每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM上一个比特通常需要六个晶体管。正因这缘故，DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。但相反的，DRAM也有访问速度较慢，耗电量较大的缺点。与大部分的随机存取存储器(RAM)一样，由于存在DRAM中的数据会在电力切断以后很快消失，因此它属于一种易失性存储器(volatile memory)设备。 DRAM的电路线宽被业界认定是衡量半导体内存公司技术能力的重要指标，原因是DRAM的电路线宽越窄，功率效率就越高。涉及技术机密情况下，过去DRAM业界传统就是不明确公开产品确切电路线宽。随着DRAM制程技术2016年进入10纳米级制程，DRAM制造商普遍共识避免过去参与相关技术与市场的恶性竞争。进入10纳米级制程后，DRAM制造商要将电路线宽缩小1纳米，就需2~3年研发时间，如此长时间与成本投入，也代表通过技术议题营销的效果并不大。 基于以上因素，过去5~6年，全球DRAM制造商从未确实发布DRAM产品电路线宽数字。这也是DRAM产业普遍将2016年推出的10纳米级制程归类为第一代1x纳米制程，将2018年推出的10纳米级制程归类为第二代1y纳米制程，以及在同一年推出的10纳米级制程归类为第三代1z纳米制程，之后于2021年初问世问世的第四代10纳米级制程，称为1a纳米制程的原因。 与CPU等逻辑芯片直接使用准确的工艺不同，内存芯片在20nm之后就变得模糊了，厂商称之为10nm级工艺，实际上会用1X、1Y、1Znm来替代。 1X、1Y、1Znm到底是什么工艺?三星、SK海力士及美光三大内存巨头之前一直不肯明确，按照业界的分析，大体来说1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。 在1X、1Y、1Znm之后，还会有1αnm、1βnm、1γnm三种工艺，三星今年下半年量产1αnm工艺的内存。 值得一提的是，在最新的公告中，三星也首次明确了1αnm的具体水平，那就是14nm工艺，这还是三家厂商中首个改变内存工艺定义的。 至于三星为什么要打破常规，很有可能跟1αnm内存工艺进度落后有关，今年1月份美光就宣布量产1αnm工艺内存芯片了，三星晚了几个月，现在透明化具体工艺，也有将美光一军的意味，因为三星早前就怀疑美光的1αnm工艺并不是真正的1αnm，就看美光是否接招了。 此前，三星宣布成功出货首批100万个基于极紫外光刻(EVU)技术的10nm级(D1a)DRAM内存模块。基于EUV的DRAM将供给高端PC、移动和企业服务器、数据中心应用。 三星预计明年开始批量生产基于EUV的DDR5和LPDDR5内存芯片。值得一提的是，应用EUV技术的第四代10nm工艺被称为1a，这是在之前三代10nm级工艺用完了传统x、y、z节点代号的情况下做出的决定。 根据三星给出的信息，第三代DDR4 DRAM也就是1z-nm级，相比此前的1y-nm在生产效率上有了20%的提升，更容易满足市场对内存芯片的需求。并且工艺的进步也会带来效能的提升，同样的存储体积下，1z-nm能实现更优的耗电和执行效率。 三星电子预计，采用1z-nm工艺制造的第三代8GB DDR4 DRAM芯片将从2019年下半年开始大规模生产，有望适用于未来2020年生产的下一代服务器和高端PC产品。 当前的内存芯片规格除了PC上主流的DDR4之外，还有DDR5、LPDDR5和GDDR6等等。三星认为在DDR4上成功使用的1z-nm工艺，为拓展到其他规格上打下了基础，今后我们有望在更多的内存产品上见到1z-nm工艺的应用。 2021年DRAM将进入1α工艺DRAM技术节点，而EUV设备是未来DRAM技术发展的关键，因为与氟化氩(ArF)微影技术相比，EUV光源波长从 193nm 直接下降到了 13.5nm，光源的波长越短，在硅基板上雕出来的线宽就越细，有利于让半导体的电路图案越趋微细化，不仅能减少复杂的制造工序，同时提高半导体生产效率。 三星在2020年就首次导入了EUV设备量产16Gb LPDDR5，基于1Znm制程技术，更先进的技术相较于12Gb容量提升了33%，封装的厚度也薄了30%。同时，三星也规划将在2021年大量生产基于第四代10nm级(1α)EUV工艺的16Gb DDR5/LPDDR5。 三星电子已经明确表示会在今年下半年实现量产，成品的8GB DDR4模组也在验证中，目标领域是下一代企业级服务器和2020年的高端PC产品。

据美国媒体5月12日报道，美国总统拜登宣布延长前总统特朗普2019年签署的行政命令，继续禁止美国企业使用那些存在国家安全风险企业所生产的通讯设备。 外界认为，这项命令虽未指名任何企业，但主要就是针对中国通信巨擘华为。同时，美国开始行动，调查企业是否有不当供应华为的情况；美商务部已发传票给多家中国通讯设备供应商，以展开安全审查行动。 2019年5月15日，特朗普以国家安全疑虑为由，引用《国际紧急经济权力法案》，宣布国家进入紧急状态，并将华为列入商务部“实体清单”，限制供应商向该公司出售美国商品和技术。 2020年5月制裁又升级，要求美国以外的厂商向华为出售使用美国技术或设计的半导体晶片时，必须得到美国政府的出口许可。此外，美国商务部去年宣布规定，限制华为采购特定美国技术或软体生产的直接产品。 拜登政府在2021年5月11日延续上述的行政命令，继续阻止华为在美国市场里取得空间。此外，美国国会开始行动，调查企业是否有不当供应华为的情况；美商务部已发传票给多家中国通讯设备供应商，以展开安全审查行动。 路透社5月12报道，近日美国参议员威克（Roger Wicker）指出，正在调查东芝美国电子元件公司、希捷科技、威腾电子等硬盘企业有没有违规供货给华为。 据了解，希捷和西部数据是全球最大的两家硬盘企业，机械硬盘销售合计占全球市场份额8成左右；东芝美国电子元件公司是日本东芝公司在北美的电子元件业务，该公司拥有广泛的功率半导体解决方案以及存储产品，包括企业和消费级硬盘。 美国商务部在2020年设下规定，限制华为采购使用特定美国技术生产的产品，硬盘便被列入其中。威克呼吁美国商务部，要对回避规定供货给华为的企业采取行动，避免华为严重损害美国国安。 西部数据也向路透社透露：“为了遵守美国商务部的新规定，我们已于2020年9月中旬停止向华为发货，目前提交了发货许可证，正等待结果。” 今年3月，据美国新闻网站Blocks & Files报道，美国商务部已对希捷展开调查，指控该公司可能违反制裁禁令向华为供应硬盘驱动器，调查重点为硬盘驱动器里的控制芯片。希捷发言人表示，该公司确认遵守所有适用的法律，包括出口管制法规，但不对特定客户发表看法。 2020年9月，希捷首席财务官罗马诺（Gianluca Romano）曾在投资者会议上表示，“我们仍在进行最终评估，但据我目前所知，在继续留住华为或任何其他中国客户方面，我没有看到任何特别的限制。所以，我们并不认为我们需要一个特定的许可证。” 根据华为消费者业务CEO余承东2020年8月披露的数据，华为笔记本在中国大陆市场份额达 16.9%，仅次于联想。不难想象，如果硬盘供应受阻，同样会影响英特尔、AMD等美国CPU厂商对华为的销售。 对于美国商务部的“硬盘禁令”，华为未立即回应置评请求。 5月9日，华为美国公司首席安全官安迪·珀迪（Andy Purdy）在《财富》杂志网站撰文指出，政治因素继续影响着美国政府对供应链管理的思考。过去两年，美国政府限制或禁止向中国公司出售某些美国技术，这些旨在伤害中国的限制措施实际上伤害了美国企业。 珀迪认为，如果美国政府对华限制措施维持下去，只会为外国公司的供应链“去美国化”提供更大的动力，以免华盛顿将来把矛头指向它们或它们的供应商，而这（对美国的）潜在伤害远不止人员失业和企业利润减少。 禁令不仅对美国企业造成损害。今年4月，华为轮值董事长徐直军透露，华为2020年从日本的采购额大概在80亿美元（约合人民币516亿美元）左右，下降20%，但华为与日本企业的一切合作还是在正常状态。 徐直军认为：“日企是典型受到不公平贸易、非自由贸易的对待，因为日本企业要卖一颗芯片、一个器件给华为，都需要美国政府批准。这是典型的不公平，也是典型的阻碍自由贸易。而且受到影响的也不仅仅是日本企业。” 不到两年的时间，美国对华为进行了四轮制裁，把华为消费者业务逼到极端困境，无法如常发货。此刻的华为正在积极寻找新的赛道，从鸿蒙操作系统到助力汽车厂商造车、卖车，华为并非无路可走而是多了更多选择。