针对石油化工、防爆领域等对防爆有特殊需求的应用场合，金升阳贴近市场需求，推出LIF120-10BxxR2-EX系列防爆AC/DC导轨电源，满足客户对于特殊应用安全的期待。该系列功率为120W，具有宽输入电压范围，体积尺寸轻薄，仅32*12*110mm，处于行业领先水平，同时具备-40℃ to +85℃的超宽工作温度范围，满足防爆双认证，极具性价比。 1)硬核防爆设计 满足ATEX(产品)、IECEx(体系) 增安型防爆认证(双重认证);同等测试条件下，高水平达成测试等级; 2)更小更轻更紧凑 后发设计，减少冗余设计，自主开模变压器，产品体积缩小10%，仅32*12*110mm，重量仅500g，远超竞品规格，表观精巧安装放置更方便; 3)效率更高 软开关方案，效率提升3%;高效节能，绿色电源; 4)可靠性更高 CE、RE满足CLASS B，Surge、EFT、ESD、RS、CS满足Criteria A对讲机近距离干扰测试;三年质量保证，性能可靠; 5)价格经济 产品参考市场，严格遵循市场价格规律设定，满足客户成本需求; 二、 产品应用 广泛应用于工控、LED、路灯控制、电力、安防、通讯、智能家居等领域;尤其适用于石油化工、煤矿等有防爆需求的场所。 ● 输入电压范围：85 – 264VAC/120 – 373VDC ● 交直流两用(同一端子输入电压) ● 工作温度范围：-40℃ to +85℃ ● DC OK功能 ● DC ON输出状态指示灯

一、产品介绍 金升阳最新发布的1/8砖100W开板式通信电源VCB_EBO-100WR3系列，使用自主研发的IC，从内部器件实现国产化，具有高性能、小体积、高功率密度的特点，助力5G行业发展。 此系列通信电源产品满足IEC/UL/EN62368及DOSA标准，工作温度宽至-40℃ to +100℃，具有优良的温度降额曲线，隔离电压为1500VDC，纹波噪声低至100mV，输出效率高达93%。轻载(10%)效率高达85%，空载损耗低至0.96W，可大幅降低客户系统待机功耗。 除此之外，此系列产品所有器件均涂覆三防漆，保护线路板免受坏境的侵蚀,具有输入欠压保护、过流、短路等保护功能，可有效防止客户系统或设备工作异常造成不必要的损失。 二、产品应用 产品可广泛应用于工控、电力、仪器仪表、通信等领域。 典型应用方案：光模块交换机系统 采用VCB4812EBO-100WR3作为主电源，后端通过POL电源转成低压给主控芯片、光模块供电。 ● 工作温度范围：-40℃ to +100℃ ● 输出效率高达93% ● 纹波噪声低至100mV ● 轻载效率高达85% ● 空载损耗低至0.96W ● EMI性能满足CISPR32/EN55032 ClassA ● 满足 IEC/UL/EN62368及DOSA标准

自从5G开始商用以来，中国移动、中国联通和中国电信三大营运商都在积极地为消费者们推广5G业务。并且推出了很多举措。 10月份中国移动发布公告：从11月1日开始，中国移动就将会停止芝麻卡和宝藏卡的业务办理，这两个套餐将会彻底下架。不止中国移动，早在之前，中国联通和中国电信就已经着力下架一些性比价比较高，用户使用比例较大的4G套餐，留下一些客户不怎么中意的选择，网友把三大运营商这一举措称为：逼迫用户使用5G，也有网友表示，我们终将变成“被5G”的人，你被5G了吗? 了解到中国移动这一新规定后，心里难免还是吐槽了一番三大运营商的流氓行为，不过话说回来，早早布局5G的三大运营商，现在的处境并不容易，或许仍然处于亏损当中，其中一个要害在于5G尚未成熟的技术被三大运营商盲目应用。 在大多数用户看来，移动花卡宝藏版和芝麻卡的下线都透露着一股不寻常的意味。首先，移动花卡宝藏版属于中国移动定制的套餐类型，面向95后用户而开放，每月只需要10元的月租费就能轻松享用，而且重点是流量超多，也非常的省钱，所以这一套餐也深受很多年轻人的喜欢;而芝麻卡则是移动推出的免流系列套餐，支持咪咕音乐等App免流使用，月租也仅仅只要19元，相比较于动辄上百元的套餐而言，这两个4G低价套餐都是非常受人欢迎的，但现在中国移动将其下架，无疑也是为了让用户重新选择其它的大流量套餐! 对于三大运营商来说，做出这样的举动也实属无奈之举，从开始布局5G网络的建设已经将近一年的时间了，目前5G基站建设总数已经达到了70万个，并且还在不断的建设当中，对于三大运营商来说不仅要加大投资，而且在5G项目上面至今还没赚到什么钱，面对这笔“天文数字”的支出，它们显然也有点力不从心了。 既然注定了亏本运营的命运，三大运营商应该承诺第一批5G用户将来5G网络成熟以后，允许他们自由更换一次、或者两次套餐，就像游戏里的改名卡一样，也许只有这样，才能在一开始得到不错的5G用户基数，但电信通讯一道，又岂能与游戏一般，错就错在，在一开始就在大力推广一项漏洞百出，不够完整的技术，就像逼着还在读幼儿园的孩子去打NBA一样，四个字来形容：荒唐至极。 很显然很多人是在不知情的情况下升级的，三大运营商也想通过多卖点流量来赚取收益，在5G用户数量达到一定的基数之后，就可以减少对于4G基站的维护升级了，在这方面也可以节省一大部分的开支，这就是为什么5G网络开始建设之后，我们就会发现信号变差、网速变慢的原因，这是真实存在的并不是我们的错觉，不换5G你还能坚持多久呢? 小编希望，中国移动、中国联通和中国电信这三大运营商能够为我们提供更好的5G网络服务，这样我们才会主动愿意地消费。

中国，2020年11月24日——全球领先的高性能传感器解决方案供应商艾迈斯半导体(ams AG)宣布，其先进光学传感器部门执行副总裁兼总经理Jennifer Zhao荣获Questex“传感器创新周”的“年度女性”奖。Jennifer任职于艾迈斯半导体先进光学传感器部门，于2020年11月14日在Questex的“最佳传感器”项目中荣获此奖，该项目致力于表彰传感器行业整个年度中的最佳创新发明、技术、团队和个人。 艾迈斯半导体首席执行官Alexander Everke表示：“Jennifer女士在Questex被评为‘年度女性’，这既是一项光辉的荣誉，也有力地印证了她所做的工作确实对人们的生活产生了积极影响。无论是将传感器应用于智能手机行业，还是使用同一技术平台助力全球抵抗COVID-19疫情，Jennifer和她的团队都推动了创新，并且构建了差异化解决方案。” Jennifer Zhao于2017年加入艾迈斯半导体后，负责领导先进光学传感器部门开发并提供业界领先的传感器解决方案，用于检测色温、接近传感、光源闪烁、白平衡、血氧水平等参数。由于新冠疫情的蔓延，Jennifer Zhao女士近期的工作重点集中在对Covid-19的帮助。她带领一支分布于欧洲、北美和亚洲的全球团队重新构思艾迈斯半导体光谱传感技术，使其应用在设备上以快速提供Covid-19病毒感染的相关检测和结果。她的团队与全球合作伙伴携手开发的解决方案将有助于在侧向层析检测或PCR检测中检测出Covid-19抗原和抗体。高精度、一次性、低成本的检测设备可以帮助主管部门、医疗单位和护理机构在即时护理时执行急需的检测，从而发挥至关重要的作用。 Jennifer Zhao女士表示：“对于医疗应用而言，尤其是在如今全球疫情爆发的背景下，微型光谱传感技术比以往任何时候都更具重大意义。通过小巧而强大的光学传感器检测比色和荧光信息，可实现以低成本进行广泛的快速检测。关于这个奖项，我要感谢Fierce和Questex。我坚信技术可以改善人们的生活。所以，我现在就职于一家秉持‘传感即生活’理念的公司，这并非巧合!” Jennifer Zhao女士拥有中国北京大学的数理经济学专业理学学士学位以及美国萨福克大学的工商管理硕士学位，精通英语和汉语。她还是中国国际半导体高峰论坛(CISES)的理事。

2019年10月31日，我国三大运营商正式推出了5G套餐，5G正式开始商用了。截止到今天，我国的5G已经商用1年多了。 5G是第五代通信系统的简称，到2020年10月31日商用整整一年，大家感受到它的变化了吗? 商用一年间，中国5G发展蹄疾步稳。基站建设领跑全球、用户数量和终端连接数破亿、落地应用领域广泛……5G发展攀上新高度，为助力中国数字经济稳健发展注入新动能。 5G技术加速了无人驾驶汽车行业的发展，如今我们有的地方已经有了无人驾驶出租车、无人驾驶公交车等，是它解放了我们双手。甚至有的地方还有无人驾驶快递车，它使园区内员工间传递物件更方便快捷，大大提升工作效率，使大家拿快递更便捷。需要传递物件时，只需在手机上下单，扫车身二维码之后把物件放在车上即可，快递车会把物件送到指定的位置。快递车安装了360都环视摄像头，可以进行及时监控，使物件安全送达目的地。 5G能“飞”得多高?今年4月，在珠穆朗玛峰6500米前进营地，中国移动联合华为成功完成全球海拔最高5G基站的建设及开通工作，实现了珠峰峰顶的5G覆盖。如今，位于5300米处的常态化5G基站，持续为珠峰大本营保驾护航。5G能“潜”得多深?今年6月，中国移动携手华为深入地下534米，助力阳煤集团建成全国首个煤矿井下5G网络，创造了全球最深地下5G网络的纪录。 随着5G技术与教育的深度融合，多元化的教育新模式可以轻松实现。这不仅让我们的教学更加生动，也充分调动孩子们的学习兴趣!人工智能、大数据、虚拟现实等信息技术不断渗透教育领域，教学形式越来越丰富化和优质化。5G高清直播应用，打破地域限制，不同学校实现实时共享课堂画面，两地学生实现实时隔屏互动;5G全息投影技术，以1:1真人形象投射到远端多个教室里，把优质课堂同时带给多地学生;5G+VR+AR一体机，可将设计的可视化、游戏化、互动性强的教学内容，通过5G网络实时传送VR/AR影像到终端，帮助学生完成虚拟实验操作、物体拆解等课程学习。 5G基站的大规模建设，为5G的普及应用修通了“路”。数据显示，截至9月底，中国5G基站累计超过69万个，基本实现地市级5G覆盖，今年50万个5G基站的建设目标提前完成，5G累计终端连接数已超过1.6亿。其中，中国移动在全国开通5G基站超过35万座，并在所有地级市和部分重点县城实现5G网络商用;中国电信与中国联通开展5G网络共建共享，高效实现5G网络覆盖，一年来双方仅共建共享的5G基站已经达到30万站;日前，国内第四大运营商中国广电正式成立，并迅速迈出5G商用步伐。 对个人需要，我们可以按照三个方面进行5G手机的选购。一是从5G芯片的角度，可以考虑下载速率、语音成功率等;二是在摄影功能方面，可以综合夜景、人像拍摄、超慢帧、拍摄防抖以及8K 视频等角度进行选择;三是在游戏功能上，可以从多媒体、流畅性、续航、反应速度、发热等角度综合考量。 小编相信，随着5G技术的不断成熟，办理5G业务的消费者将会越来越多，5G网络也会给我们的生活带来很大的便利。对此，你购买5G手机了吗?

罗德与施瓦茨采用创新的方法，推出全新的系统放大器，可满足无线通信、物联网、卫星和雷达市场的应用需求和挑战。R&S®SAM100具有前所未有的高功率输出，超宽带宽和业内领先的超低噪声，可为客户提供优异的微波功率解决方案。 作为全球领先的微波测试与测量系统厂商，罗德与施瓦茨发布了采用创新技术的系统放大器R&S®SAM100，该微波放大器工作频率可覆盖2-20GHz，提供了高达20W的输出功率，它体积紧凑，设计稳固，并且操作便捷，树立了微波放大器的新标准。 R&S®SAM100面向移动无线电(UMTS、LTE、4G和5G)、物联网(WLAN、蓝牙)、卫星和雷达应用的微波无源和有源组件以及微波设备的制造商。罗德与施瓦茨专注于使用系统放大器进行设计验证测试(DVT)的研发工程师的专业要求，测试工程师使用系统放大器为产品验证测试(PVT)，以及用于射频产品的生产验证。R&S®SAM100还可以应用于EMC测试，满足需要测试高达18 GHz的EMC测试实验室工程师的需求。 “R&S®SAM100采用了创新的方法，来应对系统放大器的挑战”，罗德与施瓦茨公司放大器系统产品总监Wolfram Titze说道， “它结合了高输出功率，超宽带宽和低噪声，这是基于罗德与施瓦茨独有的技术实现的。R&S®SAM100采用非常紧凑的台式设计架构，利用外部电源供电，方便用户在各种场景中获得高的射频功率输出。” 基于罗德与施瓦茨公司几十年的功放设计经验，以及严苛的研究和开发，R&S®SAM100代表了新一代的超宽带微波放大器，在 2 – 20 GHz的频率范围内，灵活提供各种测试设置和系统配置。它所具有的高增益、低噪声和卓越线性度特性，非常适合AM、FM、 PM和 OFDM等信号的放大应用。 Wolfram Titze还补充道：“我们给重要客户提供了大量的β版测试设备，并且R&S®SAM100获得了众多好评。随着对移动无线电和物联网设备的需求不断增加，这款新型放大器为新产品更快推向市场带来了巨大的优势。”

一种新的转换器接口的使用率正在稳步上升，并且有望成为未来转换器的协议标准。这种新接口JESD204诞生于几年前，其作为转换器接口经过几次版本更新后越来越受瞩目，效率也更高。 随着转换器分辨率和速度的提高，对于效率更高的接口的需求也随之增长。JESD204接口可提供这种高效率，较之其前代互补金属氧化物半导体(CMOS)和低压差分信号(LVDS)产品在速度、尺寸和成本方面更有优势。采用JESD204的设计拥有更快的接口带来的好处，能与转换器更快的采样速率同步。此外，引脚数的减少导致封装尺寸更小，走线布线数更少，从而极大地简化了电路板设计，降低了整体系统成本。该标准可以方便地调整，从而满足未来需求，这从它已经历的两个版本的变化中即可看出。自从2006年发布以来，JESD204标准经过两次更新，目前版本为B。由于该标准已为更多的转换器供应商、用户以及FPGA制造商所采纳，它被细分并增加了新特性，提高了效率和实施的便利性。此标准既适用于模数转换器(ADC)也适用于数模转换器(DAC)，初步打算作为FPGA的通用接口（也可能用于ASIC）。 JESD204——它是什么？ 2006年4月，JESD204最初版本发布。该版本描述了转换器和接收器（通常是FPGA或ASIC）之间数Gb的串行数据链路。在 JESD204的最初版本中，串行数据链路被定义为一个或多个转换器和接收器之间的单串行通道。图1给出了图形说明。图中的通道代表 M 转换器和接收器之间的物理接口，该接口由采用电流模式逻辑(CML)驱动器和接收器的差分对组成。所示链路是转换器和接收器之间的串行数据链路。帧时钟同时路由至转换器和接收器，并为器件间的JESD204链路提供时钟。 图1. JESD204最初标准。 通道数据速率定义为312.5 Mbps与3.125 Gbps之间，源阻抗与负载阻抗定义为100 Ω ±20%。差分电平定义为标称800 mV峰峰 值、共模电平范围从0.72 V至1.23 V。该链路利用8b/10b编码，采用嵌入式时钟，这样便无需路由额外的时钟线路，也无需考虑相关的高数据速率下传输的数据与额外的时钟信号对齐的复杂性。当JESD204标准开始越来越受欢迎时，人们开始意识到该标准需要修订以支持多个转换器下的多路、对齐的串行通道，以满足转换器日益增长的速度和分辨率。 这种认识促成了JESD204第一个修订版的发布，即JESD204A。此修订版增加了支持多个转换器下的多路对齐串行通道的能力。该版本所支持的通道数据速率依然为312.5 Mbps至3.125 Gbps，另外还保留了帧时钟和电气接口规范。增加了对多路对齐串行通道的支持，可让高采样速率和高分辨率的转换器达到3.125 Gbps的最高支持数据速率。图2以图形表示JESD204A版本中增加的功能，即支持多通道。 图2. 第一版——JESD204A。 虽然最初的JESD204标准和修订后的JESD204A标准在性能上都比老的接口标准要高，它们依然缺少一个关键因素。这一缺少的因素就是链路上串行数据的确定延迟。对于转换器，当接收到信号时，若要正确重建模拟域采样信号，则关键是了解采样信号和其数字表示之间的时序关系（虽然这种情况是针对ADC而言，但DAC的情况类似）。该时序关系受转换器的延迟影响，对于ADC,它定义为输入信号采样边沿的时刻直至转换器输出数字这段时间内的时钟周期数。类似地，对于DAC，延迟定义为数字信号输入DAC的时刻直至模拟输出开始转变这段时间内的 时钟周期数。JESD204及JESD204A标准中没有定义可确定性设置转换器延迟和串行数字输入/输出的功能。另外，转换器的速度和分辨率也不断提升。这些因素导致了该标准的第二个版本——JESD204B。 2011年7月，第二版本标准发布，称为JESD204B，即当前版本。修订后的标准中，其中一个重要方面就是加入了实现确定延迟的条款。此外，支持的数据速率也提升到12.5 Gbps，并划分器件的不同速度等级。此修订版标准使用器件时钟作为主要时钟源，而不是像之前版本那样以帧时钟作为主时钟源。图3表示JESD204B版本中的新增功能。 图3. 第二个（当前）修订版——JESD204B。 在之前的JESD204标准的两个版本中，没有确保通过接口的确定延迟相关的条款。JESD204B修订版纠正了这个问题。通过提供一种机制，确保两个上电周期之间以及链路重新同步期间，延迟是可重现和确定性的。其工作机制之一是：在定义明确的时刻使用SYNC~输入信号，同时初始化所有通道中转换器最初的通道对齐序列。另一种机制是使用SYSREF信号——一种JESD204B定义的新信号。SYSREF信号作为主时序参考，通过每个发射器和接收器的器件时钟以及本地多帧时钟对齐所有内部分频器。这有助于确保通过系统的确定延迟。JESD204B规范定义了三种器件子类：子类0——不支持确定性延迟；子类1——使用SYSREF的确定性延迟；。子类0可与JESD204A链路做简单对比。子类1最初针对工作在500MSPS或以上的转换器，而子类2最初针对工作在500MSPS以下的转换器。 除了确定延迟，JESD204B支持的通道数据速率上升到12.5 Gbps，并将器件划分为三个不同的速度等级：所有三个速度等级的源阻抗和负载阻抗相同，均定义为100 Ω ±20%。第一速度等级与JESD204和JESD204A标准定义的通道数据速率相同，即通道数据电气接口最高为3.125 Gbps。JESD204B的第二速度等级定义了通道数据速率最高为6.375 Gbps的电气接口。该速度等级将第一速度等级的最低差分电平从500 mV峰峰值降为400 mV峰峰值。JESD204B的第三速度等级定义了通道数据速率最高为12.5 Gbps 的电气接口。该速度等级电气接口要求的最低差分电平降低至360 mV峰峰值。随着不同速度等级的通道数据速率的上升，通过降低所需驱动器的压摆率，使得所需最低差分电平也随之降低，以便物理实施更为简便。 为提供更多的灵活性，JESD204B版本采用器件时钟而非帧时钟。在之前的JESD204和JESD204A版本中，帧时钟是JESD204系统的绝对时间参照。帧时钟和转换器采样时钟通常是相同的。这样就没有足够的灵活性，而且要将此同样的信号路由给多个器件，并考虑不同路由路径之间的偏斜时，就会无谓增加系统设计的复杂性。JESD204B中，采用器件时钟作为JESD204系统每个元件的时间参照。每个转换器和接收器都获得时钟发生器电路产生的器件时钟，该发生器电路负责从同一个源产生所有器件时钟。这使得系统设计更加灵活，但是需要为给定器件指定帧时钟和器件时钟之间的关系。 JESD204——为什么我们要重视它？ 就像几年前LVDS开始取代CMOS成为转换器数字接口技术的首选，JESD204有望在未来数年内以类似的方式发展。虽然CMOS技术目前还在使用中，但已基本被LVDS所取代。转换器的速度和分辨率以及对更低功耗的要求最终使得CMOS和LVDS将不再适合转换器。随着CMOS输出的数据速率提高，瞬态电流也会增大，导致更高的功耗。虽然LVDS的电流和功耗依然相对较为平坦，但接口可支持的最高速度受到了限制。 这是由于驱动器架构以及众多数据线路都必须全部与某个数据时钟同步所导致的。图4显示一个双通道14位ADC的CMOS、LVDS和CML输出的不同功耗要求。 图4. CMOS、LVDS和CML驱动器功耗比较。 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

一、电阻的基本原理 电阻，和电感、电容一起，是电子学三大基本无源器件；从能量的角度，电阻是一个耗能元件，将电能转化为热能。 数年前，出现了第四种基本无源器件，叫忆阻器(Memristor)，代表磁通量和电荷量之间的关系。XX文库里也有很多资料，有兴趣可以了解一下。 图片出自维基百科Memristor 通常，都是根据欧姆定律来定义电阻，给电阻加一个恒定电压，会产生多大电流；也可以，通过焦耳定律来定义，当电阻流过一个电流，单位时间内会产生多少热量。 实际电阻的等效模型 同样的，实际电阻都是非理想的，存在一定引线电感和极间电容，当应用场合频率较高，这些因数不能忽略。 某薄膜电阻的频率特性 上图电阻的高频特性非常好，可以看到极间电容只有0.03pF，引线电感只有0.002nH，其中75Ω的电阻可以到30GHz。我们通常使用的贴片电阻大都是厚膜电阻，性能远达不到如此，其引线电感有几个nH，极间电容也有几个pF，大多只能用到几百MHz或几个GHz。 标准阻值表 上图出自Vishay文档 通常电阻阻值都是标准，上图给出了不同精度(容差)的电阻的标准阻值，通常乘以10的倍数或除以10的倍数，就可以得到所有阻值。 如何记住上述阻值表呢？其实也很简单，注意以下三点： 不同精度的电阻对应着不同精度的系列。通常10%精度的是E12系列，2%和5%是E24系列，1%是E96系列，而0.1%、0.25%和0.5%是E192系列。 系列名中的数字代表着该系列有几个标准阻值，通常为6的倍数。例如，E12系列有12个不同的阻值，E192系列有192个不同的阻值。 每个系列的阻值都近似是一个等比数列，公比为10开多少次方，基数是10Ω。例如E12系列的公比是10开12次方，E96系列的公比都是10开96次方。 有兴趣的可以按照上表数一数，算一算是不是上述规律。另外，根据IEC的规定，2%精度对应是E48系列有48个阻值，有兴趣的可以算一下是哪些值。上表中，Vishay可能不生产该系列了。 阻值标记(Marking) 通常我们使用最多的就是5%和1%的片状电阻，一般0603以上的电阻封装上都有标记表示电阻值。 E24系列(5%) 对于大于10Ω，通常有3位数字表示阻值，前两个表示阻值基数，最后一位表示乘以10的几次方。例如标记100代表10Ω，而不是100Ω，472代表4.7kΩ。小于10Ω通常用R来表示小数点，例如2R2，表示2.2Ω。 E96系列(1%) 通常由2位数字加一个字母表示，2位数字代表是E96系列的第几个阻值，字母表示乘以10的几次方，其中Y代表-1，X代表0，A代表1，B代表2，C代表3，以此类推。例如47C，从表中数到47个阻值，是30.1，C代表乘以10的3次方，就是30.1kΩ。 另外，对于轴向引线封装的电阻，阻值标记都是一圈一圈的色环，具体含义如下图所示： 阻值色环码 从左往右，前两个或三个环代表数字，接下来的环代表乘数，与前面的数字相乘便是阻值。再接下来的环代表电阻的容差，最后就是电阻的温度系数。 二、电阻的工艺与结构 电阻的工艺种类繁多，可以根据阻值是否可以变化，分成两大类介绍： 固定电阻 可变电阻 2.1 固定电阻 固定电阻，顾名思义就是电阻值是定值，不可变。大多数时候，我们使用的电阻都是固定值的。可以根据封装的不同大致再分类 2.1.1 轴向引线电阻(Axial Leaded Resistor) 轴线引线电阻通常都是圆柱形，两个外电极是圆柱体两端的轴向导线，根据材料和工艺的不同还可以再分为多种。 绕线电阻(Wire Wound Resistor) 绕线电阻是将镍铬合金导线绕在氧化铝陶瓷基底上，一圈一圈控制电阻大小。绕线电阻可以制作为精密电阻，容差可以到0.005%，同时温度系数非常低，缺点是绕线电阻的寄生电感比较大，不能用于高频。绕线电阻的体积可以做的很大，然后加外部散热器，可以用作大功率电阻。 碳合成电阻(Carbon Composition Resistor) 碳合成电阻主要是由碳粉末和粘合剂一起烧结成圆柱型的电阻体，其中碳粉末的浓度决定了电阻值的大小，在两端加镀锡铜引线，最后封装成型。碳合成电阻工艺简单，原材料也容易获得，所以价格最便宜。但是碳合成电阻的性能不太好，容差比较大(也就是做不了精密电阻)，温度特性不好，通常噪声比较大。碳合成电阻耐压性能较好，由于内部是可以看作是碳棒，基本不会被击穿导致被烧毁。 碳膜电阻(Carbon Film Resistor) 碳膜电阻主要是在陶瓷棒上形成一层碳混合物膜，例如直接涂一层，碳膜的厚度和其中碳浓度可以控制电阻的大小；为了更加精确的控制电阻，可以在碳膜上加工出螺旋沟槽，螺旋越多电阻越大；最后加金属引线，树脂封装成型。碳膜电阻的工艺更加复杂一点，可以做精密电阻，但由于碳质的原因，还是温度特性不太好。 金属膜电阻(Metal Film Resistor) 与碳膜电阻结构类似，金属膜电阻主要是利用真空沉积技术在陶瓷棒上形成一层镍铬合金镀膜，然后在镀膜上加工出螺旋沟槽来精确控制电阻。金属膜电阻可以说是性能比较好的电阻，精度高，可以做E192系列，然后温度特性好，噪声低，更加稳定。 金属氧化物膜电阻(Metal Oxide Film Resistor) 上图出自Metal oxide film resistor 与金属膜电阻结构类似，金属氧化物膜主要是在陶瓷棒形成一层锡氧化物膜，为了增加电阻，可以在锡氧化物膜上加一层锑氧化物膜，然后在氧化物膜上加工出螺旋沟槽来精确控制电阻。金属氧化物膜电阻最大的优势就是耐高温。 上图出自Metal oxide film resistor  2.1.2 片状电阻 金属箔电阻(Metal Foil Resistor) 金属箔电阻是通过真空熔炼形成镍铬合金，然后通过滚碾的方式制作成金属箔，再将金属箔黏合在氧化铝陶瓷基底上，再通过光刻工艺来控制金属箔的形状，从而控制电阻。金属箔电阻是目前性能可以控制到最好的电阻。 厚膜电阻(Thick Film Resistor) 厚膜电阻采用的丝网印刷法，就是在陶瓷基底上贴一层钯化银电极，然后在电极之间印刷一层二氧化钌作为电阻体。厚膜电阻的电阻膜通常比较厚，大约100微米。具体工艺流程如下图所示。 厚膜电阻是目前应用最多的电阻，价格便宜，容差有5%和1%，绝大多数产品中使用的都是5%和1%的片状厚膜电阻。 薄膜电阻(Thin Film Resistor) 薄膜电阻就是氧化铝陶瓷基底上通过真空沉积形成镍化铬薄膜，通常只有0.1um厚，只有厚膜电阻的千分之一，然后通过光刻工艺将薄膜蚀刻成一定的形状。Thin Film工艺在此前电容和电感的文章中已经提到过多次了，光刻工艺十分精确，可以形成复杂的形状，因此，薄膜电容的性能可以控制的很好。 上图出自panasonic chip resistors 2.2 可变电阻 可变电阻就是电阻值可以变化，可以有两种：一是可以手动调整阻值的电阻；另一种就是电阻值可以根据其他物理条件而变化。 2.2.1 可调电阻 上中学的时候，应该都使用过滑动变阻器做实验，动一动滑动变阻器，小灯泡可以变亮或变暗。滑动变阻器就是可调电阻，原理都是一样的。 可调电阻，通常分成了三种： Potentiometer 电位器或分压计，这是一种三端口器件。电位器被中间抽头分成两个电阻，通过中间抽头可以改变两个电阻的阻值，就可以改变分得的电压。 Rheostat 变阻器，其实就是电位器，唯一的区别就是变阻器只需要用到两个端口，纯粹一个可以精确调整阻值的电阻。 Trimmer 微调器，其实也是电位器，只不过不需要经常调整，例如设备出厂的时候调整一下即可，通常需要用螺丝刀等特殊工具才能调整。 2.2.2 敏感电阻 敏感电阻是一类敏感元件，这类电阻大都对某种物理条件特别敏感，该物理条件一变化，电阻值就会随着变化，通常可以用作传感器， 例如光敏电阻、湿敏电阻、磁敏电阻等等。在电路设计应用比较多的应该是热敏电阻和压敏电阻，常用作保护器件。 热敏电阻 上图出自Murata Application Manual – PTC PTC就是正温度系数电阻，通常有两种：一种是陶瓷材料，叫CPTC，适用于高电压大电流场合；另一种是高分子聚合物材料，叫PPTC，适用于低电压小电流场合。 陶瓷PTC，其电阻材料是一种多晶体陶瓷，是碳酸钡、二氧化钛等多种材料的混合物烧结而成。PTC温度系数具有很强的非线性，当温度超过一定阈值时电阻会变得很大，相当于断路，从而可以起到短路和过流保护的作用。 同时还有负温度系数电阻，即NTC就不详细介绍了。 压敏电阻 上图出自Varistor and the Metal Oxide Varistor…

1.华为海思：2020Q1跻身全球第十大半导体厂商 今年5月6日，调研机构IC Insights发布了其2020年第一季度全球十大半导体（IC和OSD，OSD是光电器件、传感器和分立器件的缩写）销售排名，华为海思创造历史，一季度的销售额同比大幅上涨，首次冲入半导体领域前十名。 2020年第一季度，海思销售额接近27亿美元，同比增长54％，在前十名中增幅最大。海思用了16年达到这一的成就，2004年海思作为华为的“备胎”成立，此后便一直在背后孜孜不倦的研发。 2.华大半导体：全球第十大MCU供应商、全球第五大安全芯片供应商 IC设计出身的华大半导体，是中国电子信息产业集团有限公司（CEC）整合旗下集成电路企业而组建的集团公司。2014年成立至今，始终名列中国集成电路设计企业前五名。其最初的业务领域是安全芯片与MCU，而在这两大领域，华大半导体已成为全球第十大MCU供应商、全球第五大安全芯片供应商。 华大半导体从一开始就立足MCU市场，主要聚焦在工业控制、汽车电子、安全芯片领域。根据Omdia的数据统计，华大半导体是全球第十的MCU供应商。据了解，华大MCU事业部现有员工超过100人，其中85%以上为研发人员。华大半导体的MCU主要包含4大系列，分别为超低功耗MCU、通用类MCU、电机类MCU以及车规的MCU。 图源：英飞凌2020 Q4财报（数据来源Omdia） 再者，在安全芯片领域，华大电子作为网络安全和信息化领域安全芯片的国家队，已从事安全芯片产品研发、生产和销售20多年，产品广泛应用于智能卡、智能表计、智能家居、智能安防、智能交通和智能网联汽车等多个领域。根据ABI Research的研究，华大的安全芯片以9.2%的全球市占率排在第五位。目前，华大电子安全芯片产品累计出货量已超过160亿颗，是国内最大的智能卡安全芯片商。 图源：英飞凌2020 Q4财报（数据来源ABI Research） 3.兆易创新：NOR Flash全球第四 兆易创新的NOR Flash位居全球第四在去年就早有耳闻，据CINNO Research对2019第二季度存储产业研究报告显示，公司在NOR Flash领域超越美光，以13.9%的市场份额首度站上全球第四名的位置；据Web-Feet Research对2019第三季度存储产业研究报告显示，公司Nor Flash市场份额提升到18.3%，超越赛普拉斯排名全球第三，前二名分别为华邦电子和旺宏电子。而在英飞凌的财报中，结合Omdia的数据研究，兆易创新以12.8%的市场份额排在第四位。 兆易创新提供了从512Kb至2Gb的系列产品，涵盖了NOR Flash市场的绝大部分容量类型，电压涵盖1.8V、2.5V、3.3V以及宽电压产品，针对不同应用市场需求分别提供高性能、低功耗、高可靠性、高安全性等多个系列，产品采用领先的工艺技术节点和优化的设计，性能、成本、可靠性等在各个应用领域都具有显著优势。 4.安世半导体：电源分立元件和模块全球第十 2019年6月份，闻泰集团斥资268亿收购荷兰安世半导体（Nexperia）的交易被证监会批准，中国史上最大规模的半导体收购案正式完成。自此，安世半导体正式成为中国的一家半导体企业。在Omdia的数据统计中，安世半导体的电源分立元件和模块排在全球第十位。 在细分领域，安世半导体可谓是实力雄厚。安世半导体的小信号二极管、晶体管和ESD保护器件均排名第1，PowerMOS在汽车领域排名第2，逻辑器件也排名第2，小信号MOSFET排名第3。 5.吉林华微：IPM全球第十 根据Omdia的数据指出，2019年吉林华微的IPM排在全球的第十位。那么什么是IPM？IPM全称为智能功率模块（Intelligent Power Module）。我们都知道，变频控制器是变频空调、冰箱、洗衣机、电磁炉等的核心控制部件，它承担了电机驱动、PFC功率校正以及相关执行器件的变频控制功能。而变频控制器很重要的一环就是IPM模块，IPM将功率器件芯片（IGBT+FRD或高压MOSFET、控制 IC和无源元件等这些元器件高密度贴装封装在一起（见图1），通过IPM，MCU就能直接高效地控制驱动电机，配合白家电对低能耗、小尺寸、轻重量及高可靠性的要求。 华微电子智能功率模块是2013年建立，主要由华微控股子公司吉林华微斯帕克来主导。华微斯帕克以建立国内最大的智能功率模块研发、制造及销售公司为目标，吸引了一批从三洋、IR等出来的拥有十几年工作经验的专业团队加盟。 吉林华微斯帕克专注于智能功率模块的研发、生产和销售。公司成立于2013年初，工厂建筑面积3,500平方米，现有员工60人。首期投资月产能30万只的模块生产线，配备从美国、瑞士及日本等国家和地区进口的业界一流生产、检测设备，并拥有完整的可靠性实验室，可对产品进行高低温冲击、HAST、高温反偏、盐雾、高低温存储等全方位的可靠性测试及分析。公司的IPM代表性产品包括IPM DIP23-FP、IPM DIP25-FP、IPM DIP29-DBC等等。 6.士兰微：分立IGBT全球第十、IPM全球第九 经过将近二十年的发展，士兰微已从一家纯芯片设计公司发展成为目前国内为数不多的以IDM模式为主要发展模式的综合型半导体产品公司。公司主要产品包括集成电路、半导体分立器件、LED（发光二极管）产品等三大类。Omdia数据显示，士兰微的分立IGBT排在全球第十位，IPM排在全球第九位。 图源：英飞凌2020 Q4财报（数据来源Omdia） 士兰微电子可以说是布局IPM相对较早的一家厂商，2010年，在HVIC、IGBT 和MOS等芯片到位后士兰就启动了IPM设计，此后几年先后推出了多个IPM产品，包括IPM23、DIP24/25/26/27、SOP37单芯片等系列产品，其芯片开发制造、封装开发制造均自主完成。 2020年上半年，士兰微的IPM功率模块产品在国内白色家电（主要是空、冰、洗）、工业变频器等市场继续发力，上半年IPM营业收入突破1.6亿人民币，较去年同期增长90%以上。2020年上半年，国内多家主流的白电整机厂商在变频空调等白电整机上使用了超过600万颗士兰IPM模块，预期今后几年将会继续快速成长。 再者，上半年，士兰微的分立器件产品的营业收入为9.21亿元，较去年同期增长35.64%。分立器件产品中，MOSFET、IGBT、IGBT大功率模块（PIM）、肖特基管、开关管、稳压管、快恢复管等产品的增长较快。除了加快在白电、工业控制等市场拓展外，公司已开始规划进入新能源汽车、光伏等市场，预期公司的分立器件产品未来几年将继续快速成长。 7.歌尔股份：全球MEMS供应商企业营收排名第九 2019年歌尔首次跻身全球MEMS厂商前十名，排名第九。自2016年上榜全球MEMS厂商20强以来，歌尔仅用了四年的时间跻身前十，这是首个进入全球MEMS厂商前十的中国企业，也是上榜全球MEMS厂商20强的唯一一家中国企业。 2019年MEMS厂家的销售额排名TOP30，(单位：百万美元)(图片出自：Yole Développement) 据歌尔股份介绍，目前歌尔微电子主要从事公司MEMS麦克风、MEMS传感器、微系统模组等相关产品的设计、制造和销售，产品主要应用于智能手机、智能无线耳机、可穿戴产品、汽车电子等领域。 8.中国赛微电子（原耐威科技）控股公司Silex Microsystems：MEMS代工厂老大 根据Yole发布的2019 MEMS foundry排名情况来看，排在第一位的是中国的赛微电子（原耐威科技）控股公司Silex Microsystems，2018年Silex Microsystems排在第四位。自2000年成立以来，Silex一直是一家专门生产定制MEMS产品的制造商，并作为一家独立的MEMS代工厂运营。Silex拥有世界上第一个专用的8英寸纯MEMS代工厂。 2019年的MEMS Foundry销售额排行榜。一般情况下，MEMS Foundry也兼具半导体Foundry的功能，此处仅仅是MEMS Foundry的销售额统计。(图片出自：Yole Développement) 2015年7月13日，香港投资控股公司GAE Ltd.收购了Silex 98%的股份。因此，GAE已获得对Silex的实际控制权，而GAE的背后则是赛微电子（原来中国的耐威科技），获得对Silex的控股后，赛微电子在北京建设了MEMS晶圆代工厂，以扩大该公司的产能。Silex在瑞典拥有6英寸和8英寸晶圆厂，并在瑞典投资1200万美元进行了升级。Silex的优势在于使用其自有的硅通孔(TSV)技术，Silex还使用锆钛酸铅作为压电材料，用于能量收集等新型应用。 9.澜起科技：内存接口芯片全球巨头 公司自创立以来，公司专注于持续的技术研发和创新。作为优秀的芯片设计公司，公司一直保持较高的研发投入水平，研发投入规模常年保持在营业收入的15%以上。公司凭借着具有自主知识产权的高速、低功耗技术，逐步占据全球市场的主要份额，行业龙头地位稳固。 内存接口芯片作为公司的主营业务在未来几年有望高速增长，主要受益于两个方面：芯片销售量方面和产品价格方面。公司未来将享受芯片销售量与销售价格双重增长带来的营收福利。 10.豪威科技：CIS全球前三，汽车市场全球第二，安防市场全球第三 豪威科技(Omni Vision)1995年在美国硅谷成立，专注于高端CIS的研发、量产，CIS(CMOS image sensor)就是CMOS图像传感器，将光学图像转变为电子信号的感光元件，每个摄像头都有一个CIS。豪威在高端CIS领域不断实现技术突破。未来在国产替代和占领高端CIS市场将起到重要作用，是韦尔最优质最具前景的资产。2019年豪威营收接近100亿，手机业务占比58%、安防业务占比17%、汽车业务占比14%。CIS营收占韦尔总营收70%以上，本文将重点介绍CIS业务。 11.矽成半导体：车规级SRAM/DRAM全球前三 矽成是全球名列前茅的汽车存储芯片供应商，SRAM 位居全球第二，DRAM居全球前列，是为数不多的具有全球竞争力的汽车存储芯片公司，汽车业务占矽成收入五成以上。 2019年11月14日，证监会上市公司并购重组委对北京君正发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易事项进行审核，获有条件通过。本次收购完成后，上市公司将直接持有北京矽成59.99%股权，并通过上海承裕间接持有北京矽成40.01%股权， 即直接及间接合计持有北京矽成100%股权。 本次交易有助于北京君正增加存储晶片等产品类别，将自身在处理器晶片领域的优势与北京矽成在存储器晶片领域的强大竞争力相结合，形成处理器+存储器的技术和产品格局，积极布局及拓展公司产品在车载电子、工业控制和物联网领域的应用。 12.聚辰股份：EEPROM内存全球第三，手机EEPROM全球第一 根据赛迪顾问统计，2018年聚辰半导体公司为全球排名第三的EEPROM产品供应商，占有全球约8.17%的市场份额，市场份额在国内EEPROM企业中排名第一；在智能手机摄像头EEPROM芯片细分领域，公司占有全球约42.72%的市场份额，在该细分领域奠定了领先的地位。公司已与舜宇、欧菲、丘钛、信利、立景、富士康等行业领先的智能手机摄像头模组厂商形成了长期稳定的合作关系，产品应用于三星、华为、vivo、OPPO、小米、联想、中兴等多家市场主流手机厂商的消费终端产品，并正在积极开拓国内外其他智能手机厂商的潜在合作机会。在液晶面板、通讯、计算机及周边、医疗仪器、白色家电、汽车电子等市场应用领域，公司也已积累了包括友达、群创、京东方、华星光电、LG、海信、强生、海尔、伟易达等在内的国内外众多优质终端客户资源，SPD/SPD TS EEPROM应用于DDR4内存模组产品，产品已通过英特尔授权的第三方AVL Labs实验室认证。公司同时也是国内主流智能卡芯片供应商，拥有国家商用密码产品生产/销售证书，是住建部城市一卡通专有芯片供应商之一。 13.三安光电：全球LED芯片龙头 三安光电重点布局LED行业，主要从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用，着重于砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及到外延、芯片为核心主业。 三安光电制造实力稳居行业龙头，根据公司官网数据显示，公司具有规模化的LED芯片产能，约占全球芯片产能的19.72%。研发优势是公司保持先进制造实力的根本，截至2018年12月31日，三安光电拥有专利及专有技术1700余件，持续保持同样的芯片面积比竞争对手亮度高5%。 公司主营业为为LED芯片业务，2013-2018年，公司LED、芯片产品收入均占比公司全部营业收入的80%以上，2015年公司LED、芯片业务占比达到了93%。近年来，公司加快LED产业链的垂直一体化布局，产品由原来单一的外延片及芯片逐步向上游原材料（衬底、气体）和下游高端LED应用产品拓展，完善全产业链生产，公司LED芯片产品占比逐渐下降，材料收入占比逐渐上升，打造LED芯片全产业链布局。2018年，公司芯片及LED产品收入67.33亿元，较上年同比下降4.43%；材料、废料销售收入14.19亿元，较上年同比上升42.67%。 14.汇顶科技：全球生物识别芯片领先企业 汇顶科技是一家基于芯片设计和软件开发的整体应用解决方案提供商，总部位于深圳，上海分公司于2019年8月正式签约并将于12月入驻上海浦东软件园，目前主要面向智能终端、物联网及汽车电子领域提供领先的半导体软硬件解决方案。 产品和解决方案已经广泛应用于华为、小米、一加、OPPO、vivo、Google、Amazon、Samsung、Nokia、Dell、HP、LG、ASUS等国际、国内知名品牌，服务全球数亿人群，是安卓阵营应用最广的生物识别解决方案提供商。 承载在人机交互和生物识别领域的深厚积淀与技术成果，汇顶科技将立足全球半导体产业革新，坚定加大研发投入，全力打造智能终端、汽车电子和物联网三大业务布局，持续引领IC设计行业创新，努力成长为全球领先的综合型IC设计公司和世界一流的创新科技公司。 15.高德红外：红外芯片龙头 根据2019年三季报显示，高德红外前三季度的营业收入达到10.6亿元，相当于2018年全年的业绩，同比增长达到107.76%；归属于上市公司股东的净利润2.35亿元，同比增长142.29%。公司完美的实现了“总营收和净利润双双增长”的靓丽业绩。 高德红外作为目前国内唯一拥有三条生产线且已全部达到批量生产条件的厂商，可以高效保障高科技军工领域及民用领域对红外探测器芯片的需求。仅仅进入批量生产后仅一年时间就实现销售收入超过3亿元，净利润达1.5亿元。 另外，高德红外业绩的增长主要是由于从2018年底开始，公司陆续收到了大量的军品订单，截止2020年1月合同金额已经高达11亿元。再加上最近几年，公司作为国内红外行业的龙头企业，同时也是我国唯一拥有武器系统总体资质的民营军工集团，具有不可复制的竞争优势、技术优势和极深的护城河，在几乎“垄断性”优势的加持下陆续中标多个军品项目。另外，2020年作为“十三五计划”的最后一年，军品会迎来补偿性采购，从2018年开始公司的多个产品实现大批量交付，在未来公司的部分产品陆续定型并实现首批订货之后，所以可以预计未来公司的业绩将继续获得高增长。 欢迎补充…… 国内大陆哪些晶圆代工厂处于世界前10？ 2020年第三季度全球前十大晶圆代工厂营收预测排名 根据上表可看出： 1.中芯国际(SMIC)：晶圆代工全球第五 中芯国际发布了2020年第二季度财报，截至2020年6月30日，营收达9.38亿美元（约65.28亿人民币），环比增长4%，同比增长19%；毛利2.49亿美元，环比增加6.4%，同比增加64.5%。 产能方面，二季度财报显示，中芯国际月产能由今年一季度的47.6万片，增加至今年二季度的48.0万片。公司称，主要由于 2020 年第二季控股的上海 300mm 晶圆厂产能增加及生产计划调整的净影响所致。 产能利用率方面，由今年一季度的98.5%上升至二季度的98.6%，可以看出公司订单供不应求，整个产能处于满负荷运营状态。 资本开支方面，2020年计划的资本开支由约43亿美元增加至约67亿美元。具体来看，二季度开支达到13.4亿美元，一季度的开支则为7.8亿美元，据此计算，下半年的资本开支逾40亿美元，增加的资本开支将主要用于机器及设备的产能扩充，这意味着中芯国际下半年的产能或得到有效释放。 2.华虹半导体(Hua Hong)：晶圆代工全球第九 2019年9月17日，华虹无锡集成电路研发和制造基地（一期）（华虹七厂）生产线投片，首批12英寸硅片进入工艺机台，开始55纳米芯片产品制造。这标志着项目将由工程建设期正式迈入生产运营期。作为长三角一体化联动沪苏两地的重大产业项目，总投资100亿美元的华虹无锡集成电路研发和制造基地是华虹集团走出上海、布局全国的第一个制造业项目，在华虹新二十年发展战略中具有极为重要的标志性意义。华虹无锡项目的建成投产，将成为全国最先进的特色工艺生产线、全国第一条12英寸功率器件代工生产线、江苏省第一条自主可控12英寸生产线。 华虹六厂自2018年10月18日投产以来，产能爬坡顺利，目前已经完成月产2万片的装机产能；华虹五厂实现连续两年盈利，年度出货量、单日作业量屡创新高；华虹宏力8英寸特色工艺制造平台（华虹一、二、三厂）在产能规模、营运效率方面持续保持领先，并连续9年实现盈利。 不出意外的话，华虹将在2022年前后实现14nm客户导入。在先进工艺上，华虹将和中芯国际一起扮演大陆集成电路制造的“双骄”。在武汉弘芯主攻14nm工艺后，加上中芯和华虹，中国大陆已经有3家企业研发工艺。 欢迎补充…… 国内大陆有哪些封测厂处于世界前10？ 2020年第二季全球前十大封测业者营收预测排名 根据上表可看出： 1.江苏长电：封测全球第四 长电科技主要是做集成电路、分立器件的封装与测试以及分立器件的芯片设计、制造。…

据美国计算机协会(ACM)消息，美国东部时间11月19日，高性能计算领域备受瞩目的戈登贝尔奖出炉。 由中美科学家组成的“深度势能”团队，因“结合分子建模、机器学习和高性能计算相关方法，将具有从头算精度的分子动力学模拟的极限提升至1亿个原子规模”斩获戈登·贝尔奖(Gordon Bell Prize)。 “戈登·贝尔奖”是国际高性能计算应用领域最高奖项，设立于1987年，由美国计算机协会颁发，被誉为“计算应用领域的诺贝尔奖” 据深度势能团队介绍，分子动力学(MD)是一种以计算机模拟的方式，分析分子和原子在固定的时间内如何移动和相互作用的学科。他们采用了“基于深度学习的分子动力学模拟通过机器学习和大规模并行计算”这一全新的研究方法，将原来可能需要60年才能完成的AIMD模拟一个具有1亿个原子的体系缩短到了1天。 ACM评价道，基于深度学习的分子动力学模拟通过机器学习和大规模并行的方法，将精确的物理建模带入了更大尺度的材料模拟中，将来有望为力学、化学、材料、生物乃至工程领域解决实际问题(如大分子药物开发)发挥更大作用。 据悉，深度势能团队的此项应用，此前在由中科院主办的先导杯并行计算应用大奖赛中崭露头角，获得了“开放应用”赛题的特等奖。 先导杯并行计算应用大奖赛由中科院主办，中科曙光予以战略支持，旨在突破计算机软件环境与科学应用方面的瓶颈，充分发挥大赛对于科学发现以及科技创新的驱动力，发现并培养未来先进计算领域的高水平交叉人才。首届“先导杯”大赛中，路登辉作为队长，带领深度势能团队，成功地将基于深度学习的开源分子动力学模拟软件DeePMD-kit移植到新一代国产并行计算平台，并对其新硬件进行程序设计和优化。这一成果解决了长期困扰分子动力学模拟的精度和效率不可兼得的难题，丰富了国产并行计算平台的模拟软件，推动了国内相关计算领域的发展。 据了解，第二届先导杯并行计算应用大奖赛正在紧锣密鼓的筹备中，大赛将秉持办赛理念，凝聚起产业界、学术界、大规模并行计算用户等各方力量，让更多计算与应用交叉学科人才崭露头角，为中国先进计算技术进步、产业发展贡献力量。 更多曙光相关资讯，欢迎搜索微信公众号“中科曙光/sugoncn”，关注曙光公司官方微信。