德州仪器 （TI） 日前宣布推出高性能 TMS320DM8168 达芬奇 （DaVinci） 数字媒体处理器与软件兼容型低功耗 TMS320DM8148 达芬奇数字媒体处理器，进一步壮大了其达芬奇数字媒体处理器平台产品阵营。利用这两款业界领先的视频处理器，TI 将帮助实现逼真的视频通信，为人们带来更优异的通信体验，加强公共安全，使实时汽车视觉系统支持更安全的驾驶，并为消费者带来最高质量的娱乐体验，凡此种种，不一而足。 　　 高性能 DM8168 达芬奇数字媒体处理器与同类竞争解决方案相比，可提供 3 倍视频流处理功能，支持多达 3 个 1080p 每秒 60 帧的同步视频流、12 个 720p30 fps 同步视频流或多个较低分辨率视频流组合。这可帮助客户构建以视频为中心的系统，同时在多达 3 个独立显示屏上捕获、编码、解码并分析多个视频流。此外，它还可通过高级分析功能帮助客户实现产品差异化。该产品是多通道高清视频监控系统、视频会议系统、媒体集线器与服务器以及视频广播系统的理想选择。 　　低功耗 DM8148 达芬奇数字媒体处理器可在 3 瓦特功率下提供高性能 1080p60 fps 单视频流、3 个 720p30 fps 同步视频流或多个较低分辨率视频流组合。此外，它还具有堪比 DM8168 达芬奇数字媒体处理器的优异显示与分析功能，是需要较少视频流的低功耗、消费类以及医疗视频应用的理想选择。这些应用包括 Skype™ 视频摄像机、互动数字标牌、视频监视 DVR 或 IP 网络摄像机、流媒体播放器以及网络投影仪等。 　　DM8168 数字媒体处理器到低功耗软件兼容型 DM8148 数字媒体处理器之间的便捷产品移植选项可帮助客户在达芬奇数字媒体平台上快速便捷地创建多种独特产品，从而可在充分发挥 TI EZ 软件开发套件 （SDK） 作用的同时，通过统一软件投资实现软件代码的重复使用与定制。此外，客户还可将 TI 相同 EZ SDK 用于不需要视频处理而进行引脚对引脚兼容型 Sitara™ ARM® MPU 或 C6-Integra™ DSP + ARM 平台移植的应用，从而可进一步发挥统一软硬件投资的优势。 　　TI 负责数字信号处理系统的副总裁 Niels Anderskouv 指出：“全世界都希望在各种能设想到的设备上获得高清视频，而我们已为满足这一需求做好了充分的准备。今后Facebook 不再是人们虚拟连接的基本途径。TI 是技术创新不可或缺的重要组成部分，可为人们带来更出色的交流体验。我们目前可提供实时视频会议技术，今后还将提供 3D 视频与手势技术。” 　　In-Stat 首席技术战略分析师 Jim McGregor 指出：“逼真的高质量视频体验正在推进通信技术的革命化发展，丰富娱乐体验，并使人们认识到视频更是一种提高工作效率的工具。TI 视频技术的发展将可实现在所有未来设备上我们所能想象到的应用，如 3D、扩增实境以及引人入胜的游戏等。由于视频处理现已成为片上系统与分立式解决方案的重要差异化元素，因此 TI 正在积极开发其自己的专利型视频技术，这将帮助 TI 从各种竞争解决方案中脱颖而出。”

　　台积电与Globalfoundries是一对芯片代工行业的死对头，不过他们对付彼此的战略手段则各有不同。举例而言，在提供的产品方面，Globalfoundries在28nm制程仅提供HKMG工艺的代工服务（至少从对外公布的路线图上看是这样），而相比之下，台积电的28nm制程则有HKMG和传统的多晶硅栅+SION绝缘层两种工艺可供用户选择。另外，两者对待450mm技术的态度也不相同，台积电是450mm的积极推进者，而Globalfoundries及其IBM制造技术联盟的伙伴们则对这项技术鲜有公开表态。不过我们今天分析讨论的重点则是其次世代光刻技术方面的战略异同。 　　三家公司光刻技术策略的异同对比： 　　Globalfoundries，台积电以及Intel三家在光刻技术方面的策略各有不同。其中台积电一直对无掩模的电子束直写技术最为热衷，但是他们最近对EUV技术的态度忽然变得热烈起来。而Intel则对 EUV技术十分看重，将其视为下一代光刻技术的首选（Intel的EUV投入量产时间点大概也定在2015年左右，而具体对应的制程节点则可能会在 10nm及更高等级，原因请参考我们的这篇文章），当然两家公司对电子束直写以及EUV也均有投入研究力量，但是侧重点则有所不同而已。相比之下，Globalfoundries则与台积电对比鲜明，他们对EUV技术显得非常热衷，不过他们对电子束直写的态度最近开始变得热烈起来。 　　传统的光刻技术领域，台积电主要使用ASML生产的光刻机，而Globalfoundries则脚踩ASML/尼康两只船。自从45nm节点起，Globalfoundries便一直在使用193nm液浸式光刻机，他们认为193nm液浸式光刻技术至少可以沿用到20nm节点。相比之下 Intel则32nm节点起才开始使用193nm液浸式光刻机，此前使用的是193nm干式光刻技术，Intel曾经表示过准备把193nm液浸式光刻技术沿用到10nm节点。 　　Globalfoundries的次世代光刻技术攻略详述：20nm节点两种光刻技术可选？？ 　　GlobalfoundriesEUV技术的热衷程度与台积电形成了鲜明的对比。去年Globalfoundries跳过ASML的预产型EUV光刻机，直接订购了ASML的量产型EUV设备。据Globalfoundries高管HarryLevinson介绍，他们计划在20nm节点为用户提供分别采用两种不同光刻技术的选择。 　　第一个选择是使用193nm液浸式光刻+双重成像技术（以下简称193i+DP）制造的20nm制程产品，另外一个选择则是使用EUV光刻技术制造的20nm制程产品。 　　据HarryLevinson表示，理论上讲，193i+DP的光刻速度相对较慢，成本也相对较高，不过EUV光刻技术则急需解决曝光功率，掩模方面的问题。 　　Globalfoundries的计划是2012年安装自己从ASML订购的量产型EUV光刻机，并于2014-2015年开始将EUV光刻技术投入量产。不过按照计划，Globalfoundries会在2013年推出基于22/20nm制程的芯片产品。这样推断下来，至少在 Globalfoundries将EUV光刻机投入量产的2014年前，他们的20nm制程产品只能使用193i+DP技术来制造。 　　不过Levinson并没有透露20nm节点之后Globalfoundrie在量产用光刻技术的布局计划，但令人稍感意外的是，他们最近似乎开始热衷于研究电子束直写等无掩模型的光刻技术。对小尺寸晶圆以及ASIC即专用集成电路器件而言，无掩模技术显得更适合作为下一代光刻技术使用。  

　　引言 　　随着半导体工艺技术与处理器设计技术的不断提高，嵌入式处理器的速度愈来愈快；而非易失性存储器的读取速度却远远跟不上CPU的发展。传统的单片机运行模式——机器代码存储在非易失性存储器（如ROM，FLASH），在运行时由CPU直接从其中取出指令执行——逐渐显得力不从心。如果继续沿用传统的程序运行模式，那么在绝大多数时间内高速CPU将处于空闲等待状态，这既浪费了CPU的计算能力，也无法实现高密度数据流的实时处理与传输。而在短期之内，半导体工业界尚无法实现低成本的非易失性高速存储器技术。为了解决上述处理器和非易失性存储器之间速度不匹配的矛盾，工程师们在嵌入式系统领域内引用了Boot技术和Remap技术。而要正确理解Boot技术和Remap技术，必须先建立Memory Map（存储器映射）的概念。 　　技术概念描述 　　Memory Map 　　计算机最重要的功能单元之一是Memory。Memory是众多存储单元的集合，为了使CPU准确地找到存储有某个信息的存储单元，必须为这些单元分配一个相互区别的“身份证号”，这个“身份证号”就是地址编码。在嵌入式处理器内，集成了多种类型的Memory，通常，我们称同一类型的Memory为一个Memory Block。一般情况下，处理器设计者会为每一个Memory Block分配一个数值连续、数目与其存储单元数相等、以16进制表示的自然数集合作为该Memory Block的地址编码。这种自然数集合与Memory Block的对应关系，就是Memory Map（存储器映射），有时也叫Address Map（地址映射）。实际上，Address Map在字面意义上更加贴切。 　　需要强调的是，Memory Map是一个逻辑概念，是计算机系统在（上电）复位后才建立起来的。Memory Map相当于这样一个数学函数：函数的输入量是地址编码，输出量被寻址单元中的数据。当计算机系统掉电后或复位时，这个数学函数不复存在，只剩下计算机系统中实现这个数学函数的物理基础——电路连接。也可以这样认为：Memory Map是计算机系统（上电）复位时的预备动作，是一个将CPU所拥有的地址编码资源向系统内各个物理存储器块分配的自动过程。 　　Boot/Bootload 　　Boot在计算机专业英文中的意思是“引导”，它是计算机系统（上电）复位后CPU的第一个机器动作。那么，Boot引导的是什么呢？简要地说，Boot就是引导CPU如何装入机器指令。最简单的Boot动作就是8位单片机系统复位后从复位向量中取出跳转指令，转移到用户程序代码段执行的这个过程。 　　通常，在计算机系统中，（上电）复位后除了执行Boot动作，还跟随着一个Load过程。一般情况下，该Load从低速非易失性存储器中“搬运”一些数据到高速易失性存储器中。Boot和Load连续执行，一气呵成，我们称之为Bootload。最典型的例子之一就是DSP实时信号处理系统，系统上电后，将存储在EEPROM中的实时信号处理程序复制到系统的RAM中，然后CPU直接从RAM中读取机器指令运行。 　　Remap 　　Remap与计算机的异常处理机制是紧密相关的。 　　完整的计算机系统必须具备异常处理能力。当异常产生时，CPU在硬件驱动机制下跳转到预先设定的存储器单元中，取出相应的异常处理程序的入口地址， 并根据该入口地址进入异常处理程序。这个保存有异常处理程序入口地址的存储器单元就是通常所说的“异常入口”，单片机系统中也叫“中断入口”。实际的计算机系统有多种类型的异常，CPU设计人员为了简化芯片设计，一般将所有的异常入口集中起来置于非易失性存储器中，并在系统上电时映射到一个固定的连续地址空间上。位于这个地址空间上的异常入口集合就是“异常向量表”。 　　系统上电后的异常向量表是从低速非易失性存储器映射得到的。随着处理器速度的不断提高，很自然地，人们希望计算机系统在异常处理时也充分发挥出CPU的处理能力，而非易失性存储器的读取速度使得CPU只能以多个空闲等待同期来获取异常向量，这样就限制了CPU计算能力的充分发挥。尤其是非易失性存储器位宽小于CPU位宽时，这种负面的影响更加明显。于是，Remap技术被引入，以提高系统对异常的实时响应能力。 　　从Remap这个英文单词的构成不难看出，它是对此前已确立的存储器映射的再次修改。从本质上讲，Map和Remap是一样的，都是将地址编码资源分配给存储器块，只不过二者产生的时间不同：前者在系统上电的时刻发生，是任何计算机系统都必需的；而后者在系统上电后稳定运行的时刻发生，对计算机系统设计人员来说是可选的。典型的8位单片机系统中，就没有使用Remap技术。 　　完整的Remap过程实际上通常始于系统的Bootload过程。具体执行动作为：Bootload将非易失性存储器中的异常向量复制到高速易失性存储器块的一端，然后执行Remap命令，将位于高速易失性存储器中的异常向量块映射到异常向量表地址空间上。此后，系统若产生异常，CPU将从已映射到异常微量表地址空间的高速非易失性存储器中读取异常向量。具体到典型的ARM7嵌入式系统中，就是由Bootload程序将片内或片外的Flash/ROM中的异常向量复制到片内的SRAM中指定的存在器单元中，然后再执行Remap命令。由于片内的SRAM数据位宽通常与CPU数据位宽相等，因而CPU可以无等待地全速跳入异常处理程序，获得最佳的实时异常响应。 　　LPC2000的Boot和Remap解析 　　从上面的技术描述中可知，典型的Boot、Memory Map和Remap的时间顺序应该是：Memory Map－〉Boot－〉Remap。但是，LPC2000处理器中这三个动作的顺序却有一点不同，依次为Memory Map－〉Remap－〉Boot－〉Remap，最后一个Remap过程是用户可选的，可执行也可不执行。每当系统复位以后，LPC2000处理器就顺次执行上述四个过程，下面分析这几个阶段。为简化起见，以总线不开放的LPC2104处理器为例。 　　LPC2106的片上存储器分类 　　LPC2104片内的存储器类型只有两种：Flash块和SRAM块。其中，部分Flash存储器块在芯片出厂前由Philips写入了Bootload程序和64字节的异常向量表。为方便讨论，我们称这部分Flash块为Bootload子块，其大小为8KB。如前所述，在处理器未上电之前或复位时，Flash块和SRAM块仅仅是两个没有地址编码的物理存储器，与地址编码尚未建立起实际的映射关系。 　　Memory Map 　　LPC2104处理器（上电）复位以后，Flash块和SRAM块的地址映射结果为：SRAM占据0x40000000—0x40003FFF范围的地址编码空间；Flash占据0x00000000—0x0001FFFF范围的地址编码空间。该映射结果是个中间态，只存在极短的时间，应用系统开发人员无法看到这个中间态。处理器内核外围模块的地址映射结果为0xE0000000—0xFFFFFFFF。 　　 　　Remap 　　Memory Map完成以后，紧接着LPC2104会作一次Remap，这次Remap操作的对象是Bootload子块，由处理的内部硬件逻辑执行完成，不受开发人员的控制。经过Remap后，Bootload子块被整体Remap到了0x7FFFE000—0x7FFFFFFF的片内高地址内存空间；同时，原Memory Map后占用0x00000000—0x0000003F地址空间的那部分64 字节大小的Flash子块被暂时注销映射关系，由Bootload子块中的异常向量部分取而代之。 　　至此，Flash块对内存地址空间的占用情况如下： 　　1、除去因Remap被暂时注销了映射关系的那小部分64字节的Flash子块外，Flash块作为一个整体占用的地址编码空间为0x00000040—0x0001FFFF； 　　2、同时，Bootload子块又占用了0x7FFFE000—0x7FFFFFF的地址编码空间，Bootload子块中的异常向量表部分占用了0x00000000—0x0000003F。 　　因此，Bootload子块中的异常向量表部分实际上是占用了重复占用了三段地址编码空间：0x00000000—0x0000003F、0x0001E000—0x0001E03F以及0x7FFFE000—0x7FFFE03F。 　　图2中，存储器的映射顺序为：Memory Map－〉Reset Remap－〉Bootload Remap。 　　SRAM块和内核外围模块的映射关系在Remap之后保持不变，可参见图1。 　　* – 本贴最后修改时间：2005-3-10 17:31:19 修改者：andrewpei 　　* – 修改原因：Append 　　

　　昨天，全国政协委员、中国联通集团董事长常小兵表示，2011年联通的3G用户发展还会更快一些、更多一点。 　　根据中国联通公布的2010年用户数据，到2010年底为止，中国联通的3G用户数为1406万，超过去年年初定下的1000万用户目标，超额完成40%。去年年初公布3G发展目标时，常小兵曾表示，希望每月3G新增用户数超过100万。 　　按照常小兵昨天的说法，中国联通今年的3G用户发展还将进一步加速。 　　实际上，由于iPhone4对高端用户的强烈吸引，以及联通C套餐进一步降低3G门槛，联通3G用户发展相比其他两大竞争对手都表现出更大的潜力。但是对于iPhone的用户数量，常小兵称由于跟苹果的保密协议，不便透露。 　　北京时间昨天晚上，苹果公司正式发布了iPad 2。不过，一直跟苹果谈判引入iPad一代产品3G版的中国联通仍未取得进展。常小兵表示，虽然中国联通一直都在积极洽谈，但入网许可证一直没有拿到，这影响了3G版iPad的引入。 　　不过，在大力发展iPhone的同时，联通的高补贴策略也引起了一定的质疑，这加深了各界关于发展3G只是赔本赚吆喝的观点，对此，常小兵认为，补贴高还是不高关键看处于什么样的发展阶段。 　　“为了发展中国的3G市场，中国联通也要付出一定的代价，这个代价关键是看能不能把这个市场撬动起来。撬动起来了，后续也会带来收益。”他说。

　　安森美半导体（ON Semiconductor）已完成向赛普拉斯半导体以全现金交易收购CMOS图像传感器业务部（ISBU），金额为约3，140万美元，以购买协议为准作调整。此收购价格约为该业务部年销售额的1倍。 　　向赛普拉斯收购的ISBU提供宽广阵容的高性能定制及标准CMOS图像传感器，用于数百万像素机器视觉、线性及二维（2D）条形码成像、医疗X射线成像、生物测定、数码摄影及电影摄影，及航空应用。收购的产品包括在业界出名的VITA、LUPA、STAR及IBIS系列。 　　ISBU将成为安森美半导体数字、军事/航空及图像传感器（DMI）部的一环，由DMI副总裁Vince Hopkin主管。 　　Hopkin说：“收购ISBU巩固了安森美半导体位列全球十大图像传感器供应商及领先CMOS图像传感器产品供应商的地位。ISBU的2D高速CMOS图像传感器与安森美半导体现有的光电产品阵容相辅相成，包括1D CMOS线性接触式图像传感器（CIS）、环境光传感器（ALS）及接近传感器。此外，收购扩充了公司的人才库，为我们的图像传感器市场区隔增加经验丰富的设计及应用工程团队。总之，ISBU的2D高速CMOS图像传感器显著加强及充实我们应用于工业、医疗、计算及军事/航空市场的图像传感器产品阵容。” 　　安森美半导体从此项收购获得了与是项业务相关的约100项专利及专利应用，并获得赛普拉斯适当的知识产权（IP）许可，从而继续从事及拓展业务。作为交易的一部分，约有70名赛普拉斯半导体ISBU雇员将加入安森美半导体。这些雇员大部分位于比利时Mechelen。 　　安森美半导体将在5月召开的2011年第1季度业绩报告电话会议上谈论有关ISBU收购的更多详情。 　　目前，所有新收购的ISBU产品将保留赛普拉斯品牌。

　　电动车在欧洲将有重大突破，根据集邦科技（TRENDFORCE）旗下研究部门EnergyTrend的调查，欧洲国会通过了最新的商用车排放标准决议，低排放车辆将成为未来车厂必然发展的趋势，因此即使2011年锂电池有供过于求的压力，但是根据集邦科技的观察，随着车辆排放标准逐渐明确化，汽车厂为了替2014年低排放车辆上市做准备，将使得锂电池短缺情形再次上演（图一）。 　　 　　欧洲国会在2011年2月15日，发布最新的商用车车辆排放标准决议，针对在载重能力为3.5吨的车辆，未来车厂所生产的车辆中，70%的数量须符合175g/km的排放标准，而2017年平均比例更须达到100%。无法达到要求的汽车制造商，2019年开始将被要求缴交每单位金额$129/g的增额排放罚款。另外，生产排放低于50g/km的车辆，也将能够回馈车厂在高排放车种的缓冲额度（图二）。 　　 　　此次的决议也将明确的揭示欧洲车辆排放标准在商用车辆趋严的决心，也将加速新能源车相关零组件的结盟布局。在此氛围中，各家车厂势必被迫在零组件供应中，涵盖锂电池的采用。

　　1、2010年中国集成电路市场规模7349.5亿元，市场增长29.5% 　　2010年全球半导体市场规模2983.2亿美元，市场增速达31.8%，是继2000年以来市场增速最快的一年，在经历的2009年的下滑之后，市场大幅反弹，结束了连续多年来的低迷发展态势。中国集成电路市场方面，市场也同样结束了连续多年来增速连续下降的趋势，2010年市场增速达29.5%，实现销售额7349.5亿元。是继2005年之后市场增速最快的一年。市场的反弹得益于全球经济的复苏，市场对下游整机电子产品的需求旺盛，从而带动对上游集成电路产品的需求。此外，由于2010年下游市场对芯片需求强劲，因此整体上使得芯片价格相对往年较为坚挺，在某些产品领域甚至出现芯片价格上涨的现象，芯片价格因素也是影响市场发展的因素之一。整体来看，2010年之所以能实现市场的大幅反弹，关键的因素还是因为2009年市场受全球金融危机影响造成衰退，从而导致市场基数较低，因此2010年全球市场和中国市场双双实现高速增长。 　　图1 2006－2010年中国集成电路市场销售额规模及增长率： 　　   　　市场进出口方面，根据海关的统计数据，2010年，中国集成电路进口额达1569.9亿美元，同比增速31.0%，出口方面，中国集成电路2010年出口额为292.5亿美元，同比增速25.5%。可以看出，中国集成电路产品进出口差额较大，中国所需的集成电路多数仍然需要进口，中国集成电路市场的发展速度也基本与进口规模的增速保持一致。2、存储器增长快速，是中国集成电路市场份额最大的产品在产品结构方面，受益于市场整体保持快速增长，几乎每种集成电路产品都保持了较快的增速，其中存储器受到来自各个应用领域的带动，增速最快，增速超过40%，市场份额达23.9%，依然是中国集成电路市场份额最大的产品。CPU和计算机外围器件则受到笔记本产量增速相对稍缓的影响，市场份额有所下滑。 　　图2 2010年中国集成电路市场产品结构： 　　   　　3、3C领域仍是主要应用市场从市场应用结构来看，2010年，汽车电子领域依然是中国集成电路市场发展最快的领域，全年市场增速达36.8%，其市场份额稍有上升，但由于其市场基数本身较小，因此对整体集成电路市场的带动作用有限。计算机领域依然是中国集成电路市场最大的应用领域，2010年市场份额为45%，由于2010年中国笔记本电脑相对于其他主要的电子整机产品产量增速稍缓，因此计算机领域集成电路市场的份额较2009年也稍有下滑。网络通信和消费电子领域则分别受到手机以及家电产品产量大幅增长的带动，其市场增速都保持在30%以上。整体来看，PC和手机仍然主宰集成电路市场的发展，二者所消耗的集成电路产品超过集成电路整体市场的一半，然而随着其它各类产品应用的增加，这两类下游产品所占的市场份额将缓慢缩小，但未来几年，这两类产品仍然将是集成电路消耗市场的主导产品。  

　　汽车产业应该改变开发汽车电子系统的设计方式。减少电子控制单元（ECU）的数量，以及集成更多的功能，是推动这种变化的两个主要因素。由于更多的功能通常要求ECU具有更高的性能和计算能力，因此，上述两个因素似乎陷入了众所周知的两难处境。 　　减少ECU数量主要是为了节省成本，包括功耗、电磁兼容（EMC）、印刷电路板（PCB）面积和线缆问题。减少ECU，也能降低ECU之间的通讯，从而降低系统复杂性和成本。 　　减少ECU数量可以从多个方面影响成本： 　　硬件成本：更有效率的系统架构可以降低目前在不只一个控制单元中存在的硬件冗余。而且，更少的节点和多工器以及更加分散的负载，可以降低汽车网络系统的复杂程度，并使之更加简洁。 　　开发成本：ECU数量减少，使系统得到简化，而且可能基于AUTOSAR和GENIVI等汽车电脑平台，或QNX和Microsoft Auto等自有平台，显然有利于缩短开发时间。由于可重复使用许多软件成分，使用这类平台将进一步降低软件成本，也可以根据地区或细分市场的要求，在生产链的最后阶段选择汽车配置。 　　维护成本：灵活和精干的控制单元也有利于系统更新和升级，尤其是在依赖标准软件平台的时候。 　　根据上述因素判断，似乎未来的汽车系统将类似于基于PC的架构，其中软件将扮演更加重要的角色。IHS公司设想，这将是软件定义汽车的时代，导航、远程信息处理和通讯等硬件功能都将作为软件应用，由几个中央ECU加以处理。另外，系统更新和升级也可以通过下载新的软件包以远程方式实现。 　　上面提到的集成问题也与计算能力等系统性能要求有关。由于未来的汽车中集成新的功能，预计计算能力需要大幅提高。这些功能包括信息娱乐、远程信息处理和导航等。此外，传统的动力总成、底盘和ADAS功能也将增添功能，而这些功能需要更多的技术，尤其是计算能力。逐步改善的安全性与更高的燃油效率，将需要更多更新的电子器件，其中多数需要更高的计算能力。 　　虚拟可以服务于多任务系统，并有利于使汽车ECU合理化，从而实现成本更低和更有效率的解决方案。但是，虚拟系统只能用于中低性能的系统。虚拟能够为现有系统提供便宜和平稳的解决方案，帮助原有系统过渡到下一代和高端系统，这些系统基于开放源操作系统。 　　因此，IHS公司认为，多核架构长期来看将是汽车电子的基本选择，可以满足正在浮现的以及未来对高性能、维修控制以及功耗的要求。  

　　序言 　　现在，在许多人们最关心的日常事务中，对健康的关心排在了靠前的位置。对健康的关心程度可通过昂贵的保险费用、降低的生产力甚至雇员的调整直接影响到公司的盈亏。然而，对健康关心，与比财务问题相比是个更深层次、更个人化的问题。2/3超过65岁的人需要长期护理，所需长期护理的平均时间超过3年，而绝大多数人在某些程度上都有可能受此影响。因此，随着人均寿命的持续提高，高质量的长期护理就成为了全世界关注的焦点。 　　通过在病人家中的远程协助，自动监护系统可帮助增加病人的安全性，改善生活质量。很不幸的，现在大多数监护系统仍然要限制病人的自由行动。然而，新近的无线技术使得病人摆脱医疗器械的束缚，自由行动成为了可能，同时又为护理者提供了更高效的建立护理网络的方法。这也使得健康工作者在这个过程中监护病人们成为了可能。 　　长期护理 　　长期护理包含了多种改善或维持病人生活质量而设计的服务。当有许多条件可要求长期护理时，高龄是寻求长期护理的第一条件。1900年，美国的人均寿命是49.2岁。到1997年，这一数字已增加到了76.5岁  。另外，1999年10％的人口为 　　老年人（60岁及以上），到2050年，这一数字将会增加到20％  。 　　我们如何在优化病人护士比率的同时增加病人长期护理的安全性、改善其生活质量？对这个问题的地关注在病人、家属、护理提供者及商业公司中持续增长。2000年，光在美国的救济所就有平均1，400，000的患者。这些患者的护理要求大相径庭，18％抱怨护士常驻家中，而10％的患者则生了压迫性溃疡（褥疮）［5］。 　　 　　图1，人均寿命 　　 　 　　表1，ZigBee技术与其他无线协议的比较 　　ZigBee技术和IEEE® 802.15.4 　　因为长期护理是21世纪的问题，所以我们用21世纪的方案去解决。对于医疗护理者来说，快速、准确访问患者信息能提高护理质量。医疗对策不仅仅局限于患者床边，护理质量往往取决于护理器械之外的与临床医生实时共享病人生理数据的能力。这意味着临床医生可以基于实时临床实验研究结果，立即给主治医师提供反馈，同时还能跟踪在医院之外的治疗途径和效果，从而改进以后的治疗方法。 　　ZigBee技术被很快证明能有效应用在这些应用中，用于帮助患者摆脱自动监控设备的束缚，获得更大的自由行动能力。通过提供低成本、低功耗的无线技术，利用网状网络，它就能覆盖大厦和公共机构。ZigBee技术可以配置到许多产品中，以帮助确保对患者更好的的护理和更有效的护理跟踪。  

　　当半导体业准备进入14/15nm节点时，将面临众多的技术挑战 　　对于逻辑电路，STMicro的Thomas Skotnicki认为传统的CMOS制造工艺方法己不再适用。因为当器件的尺寸持续缩小时，由于己达极限许多缺陷显现。按IBM技术经理Mukesh Khare看法，如栅氧化层的厚度Tox再缩小有困难。另外，除非采用其它方法，因为随着互连铜线的尺寸缩小铜线的电阻增大及通孔的电阻增大也是另一个挑战。 　　对于存储器也面临若干挑战，三星的半导体研发中心总经理Minam Kim认为目前DRAM已达3xnm，及NAND已达2xnm，因而相对而言，NAND面临更大的挑战。 　　在今年SEMICON West上将举办两小时讨论会，其中前一个小时讨论先进逻辑工艺中有关材料与工艺的发展，而另一小时讨论下一代存储器。 　　在逻辑电路部分，演讲者将提出未来逻辑器件的方向：三维器件结构，如FinFET及多栅MugFETs，以及基于超薄衬底SOI（UTB-SOI）的全阻挡层平面晶体管。第三位的演讲是异质结构IC，即从硅沟道移向锗及III-V族材料。 　　垂直型晶体管提供更佳的功能及良好的静电控制，显然制造工艺面临挑战。避免过量的从鳍的底到鳍的顶之间鳍的宽度变化是个难题。另外如何找到接触的引出点也是困难，最后从技术角度必须把垂直器件的stressors考虑进去。 　　基于超薄SOI（绝缘体上半导体）衬底结构的晶体管有优势，同样面临挑战，将由法国电子与通讯技术（leti）的 CEA 研究中心的TechXPOT专家来主导讨论。Leti己有报告在6nm有效硅层上，与顶上有10nm埋层氧化层（BOX）做出高性能的晶体管。问题是在如此薄层的硅片是否能够提供相容的材料厚度和可接受的硅片成本。 　　存储器制造商同样面临它自已的问题。研究人员正提出多种方法来解决今日电荷型存储器，包括设计及利用各种新的材料。一种叫电阻RAMs（ReRAMs），它是利用脉冲电压加到金属氧化层上通过电流的改变而导致材料电阻的差异，来表示1或者0。有些ReRAMs是非挥发性能嵌入逻辑芯片中。也有另一些ReRAMs速度特别快，可能提供今日DRAM之后的一种解决方法。 　　研究小组正在开发spin torque transfer RAMs（STT-RAMs），或称磁阻存储器MRAMs，它的工作原理是利用微小电流将磁矩反转而实现1或者0。另外如三星，Numonyx据报道正在开发相移存储器（PC RAM），并己出样品。 　　最后存储器公司是信心十足，它们已能把先进的NAND闪存芯片放到存储器单元的顶端构成3D堆叠封装。这样的单元阵列晶体管（CAT）存储器已能把16-32个存储器单元连在一起。NAND闪存技术己能到20nm以下。另有研究小组正在开发垂直沟道存取晶体管（VCAT），如同平面晶体管结构一样的器件。 　　对于EUV，有一个演讲是讨论激光等离子体光源（LPP），以及另一类放电等离子体光源（DPP）。两个演讲将分类各种光源的定义，以及它们的检测标准。 　　在SEMICON West上另一个热点是光刻技术能否达到15nm的经济制造？半导体业是有希望未来采用EUV技术。同时，在这里借用英特尔Sam Sivakumar的一句话”业界争相延伸193nm光刻技术”。